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ELECTRONICA III
LABORATORIO I
Antecedentes Electrónica II
PALABRAS CLAVE: transistores bipolar (BJT), Los componentes básicos del transistor son
transistor de efecto campo (FET), saturación, comparables a los de un tubo de vacío tríodo e
amplificadores multietapas. incluyen el emisor que corresponde al cátodo
caliente de un tríodo como fuente de electrones.
1. INTRODUCCIÓN
2. OBJETIVOS
El amplificador puede extraer la información de
toda señal, de tal manera que permita mantener o Analizar las propiedades y configuraciones
mejorar la estructura del sistema que genera la básicas de los amplificadores con transistores.
señal. Se llama amplificador multietapa a los Poner en práctica las técnicas de diseño de
circuitos o sistemas que tienen múltiples circuitos aprendidas en periodos anteriores.
transistores y además pueden ser conectadas Realizar una comparación entre análisis teórico,
entre sí para mejorar sus respuestas tanto en simulación y práctico en el análisis de sistemas
ganancia, impedancia de entrada (Zin), electrónicos.
impedancia de salida (Zout) o ancho de banda.
Las aplicaciones pueden ser tanto en corriente 3. MARCO TEORICO
continua (CC) como en corriente alterna (CA).
a dichas entradas. Es un circuito analógico con de Common-mode reject ratio), se define como la
dos entradas denominadas entrada inversora relación entre la ganancia en modo diferencial y la
(Vin − ) y entrada no inversora (Vin + ) y una sola ganancia en modo común e indica la capacidad
salida (Vo ) La cual es idealmente proporcional a la del amplificador para cancelar con precisión
diferencia entre los dos voltajes, según la voltajes que son comunes a ambas entradas. La
siguiente ecuación: relación de rechazo de modo común se define
como:
A 2
Vo = Ad (Vin + − Vin − ) CMRR = 10 log10 ( d) =
AC
A
20 log10 ( d)
AC
𝑅𝑖2 (𝑅1 + 𝑅2 ) 𝑃𝑜
𝐴1 = 𝐺𝑝 =
𝑟𝑒1 + 𝑟𝑒2 𝑃𝑖
Para la ganancia de la segunda etapa hallamos: 30𝑚𝑊𝑎𝑡𝑡
𝐺𝑝 =
𝑅𝑖3 = 𝑅4 ∙ 𝑟𝑒7∙ (𝛽 + 1) 1.63𝜇𝑊𝑎𝑡𝑡
𝐺𝑝 = 18404 𝑝/𝑝
𝑣𝑜2 𝑅𝑖3 ‖𝑅3
𝐴1 = − ≅−
𝑣𝑜1 𝑟𝑒4 + 𝑟𝑒5
Para la ganancia de la tercera etapa hallamos: Tensión de offset:
El voltaje en la simulación
𝑅𝑖2 = (𝑅6 + 𝑟𝑒8 ) ∙ (𝛽 + 1) VOS= 97mv
𝑣𝑜3 𝑅𝑖4 ‖𝑅5 SIMULACIONES
𝐴3 = − ≅−
𝑣𝑜2 𝑟𝑒7 + 𝑅4
Impedancia entrada.
𝑅𝑖 = 2 ∙ 𝑟𝑒1 ∙ (𝛽 + 1)
Impedancia salida.
Graficas de simulación a 1KHz.
𝑟𝑒8 𝑅5
𝑅𝑂 = 𝑅6 ‖[ + ]
1 ( 𝛽 + 1)
Potencia entrada.
𝑃𝑖 = 𝑉𝑖 ∙ 𝐼𝑖
𝑉𝑖 = 160𝑚𝑉
𝑅𝑖 = 15.65𝑘Ω
𝑉𝑖 160𝑚𝑉
𝐼𝑖 = =
𝑅𝑖 15.65𝑘Ω
𝐼𝑖 = 10.22µ𝐴
𝑃𝑖 = (160𝑚𝑉) ∙ (10.22𝜇𝐴)
Potencia salida. Simulación 1.1 Vi=1V, Vo=3, Av=3[v/v].
𝑃𝑜 = 𝑉𝑜 ∙ 𝐼𝑜
𝑉𝑜 = 1.2𝑉
𝑅𝑜 = 48Ω
𝑉𝑖 1.2𝑉
𝐼𝑖 = =
𝑅𝑖 48Ω
Antecedentes Electrónica II
5.2 MONTAJE
(1.9)2
𝑃𝑜𝑢𝑡 = = 16.916 m𝑊
213.4 Ω
Ganancia de potencia
𝑃𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑃 =
𝑃𝑖𝑛
16.916 m𝑊 𝑊
𝐴𝑃 = = 899.725 Simulación 2.2 Vi=2V, Vo=-2, Av=-1[v/v].
1.88 u 𝑊 𝑊
SIMULACIONES
ANÁLISIS TEÓRICO.
5.3 MONTAJE
Función de transferencia
𝑉𝑥 − 𝑉𝑖 𝑉𝑥 − 𝑉𝑜
+ =0
𝑅1 𝑅𝑓
𝑉𝑜 𝑅𝑓
=−
𝑉𝑖 𝑅1
𝑉𝑜 𝑅𝑓
=−
𝑉𝑖 𝑅1
Impedancia entrada.
𝑍𝑖𝑛 = R1 + 𝑅
𝑍𝑖𝑛 = 470 KΩ
Impedancia salida.
𝑍𝑜𝑢𝑡 = Rf
Potencia entrada.
SIMULACIONES
𝑉𝑖 2
𝑃𝑖𝑛 =
𝑍𝑖𝑛
(940𝑚𝑉)2
𝑃𝑖𝑛 = = 1.88 u𝑊
470 KΩ
Impedancia salida.
𝑉𝑜𝑢𝑡 2
𝑃𝑜𝑢𝑡 =
𝑍𝑜𝑢𝑡
(1.9)2
𝑃𝑜𝑢𝑡 = = 16.916 m𝑊
213.4 Ω
Ganancia de potencia
𝑃𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑃 =
𝑃𝑖𝑛
16.916 m𝑊 𝑊
𝐴𝑃 = = 899.725
1.88 u 𝑊 𝑊