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Antecedentes Electrónica II

UNIVERSIDAD POPULAR DEL CESAR


FACULTAD DE INGENIERIAS Y TECNOLOGIA
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA

ELECTRONICA III

LABORATORIO I
Antecedentes Electrónica II

Omar Andrés Domínguez Yépez


e-mail: omarandres12@hotmail.com
Julio Elías Vásquez Rojas
e-mail: jeliasvasquez@unicesar.edu.co
Andrea Juliana Castaño Molina
e-mail: julianacas43@gmail.com
Robert Mauricio Castilla Cruz
e-mail: rmauriciocastilla@gmail.com

los resistores tanto a las variaciones en la fuente


RESUMEN: En esta presentación de informe de de alimentación de dc como a la temperatura,
laboratorio se realizó un análisis de los circuitos especialmente para valores pequeños de corriente
multietapa para conocer el comportamiento de los de polarización.
transistores bipolares y de efecto campo en los
circuitos, que conforman un amplificador El transistor, que es capaz de realizar muchas de
operacional. Este será objeto de estudio en este las funciones del tubo de vacío en los circuitos
curso. Se realizó una comparación entre los electrónicos, es un dispositivo de estado sólido
valores obtenidos en los cálculos teóricos, consistente de una pieza de material
simulación y práctica con cada una de las semiconductor, generalmente de silicio o de
funciones de transferencias propias de cada germanio en el que se practican tres o más
montaje. conexiones eléctricas.

PALABRAS CLAVE: transistores bipolar (BJT), Los componentes básicos del transistor son
transistor de efecto campo (FET), saturación, comparables a los de un tubo de vacío tríodo e
amplificadores multietapas. incluyen el emisor que corresponde al cátodo
caliente de un tríodo como fuente de electrones.
1. INTRODUCCIÓN
2. OBJETIVOS
El amplificador puede extraer la información de
toda señal, de tal manera que permita mantener o  Analizar las propiedades y configuraciones
mejorar la estructura del sistema que genera la básicas de los amplificadores con transistores.
señal. Se llama amplificador multietapa a los  Poner en práctica las técnicas de diseño de
circuitos o sistemas que tienen múltiples circuitos aprendidas en periodos anteriores.
transistores y además pueden ser conectadas  Realizar una comparación entre análisis teórico,
entre sí para mejorar sus respuestas tanto en simulación y práctico en el análisis de sistemas
ganancia, impedancia de entrada (Zin), electrónicos.
impedancia de salida (Zout) o ancho de banda.
Las aplicaciones pueden ser tanto en corriente 3. MARCO TEORICO
continua (CC) como en corriente alterna (CA).

Los circuitos integrados analógicos utilizan 3.1 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL


ampliamente fuentes de corrientes de transistores,
como elementos de polarización y como cargas Se llama amplificador diferencial a un dispositivo
para las etapas de amplificación. Las fuentes de que amplifica la diferencia entre dos voltajes de
corriente de transistores son menos sensibles que entrada, pero que suprime cualquier voltaje común
Antecedentes Electrónica II

a dichas entradas. Es un circuito analógico con de Common-mode reject ratio), se define como la
dos entradas denominadas entrada inversora relación entre la ganancia en modo diferencial y la
(Vin − ) y entrada no inversora (Vin + ) y una sola ganancia en modo común e indica la capacidad
salida (Vo ) La cual es idealmente proporcional a la del amplificador para cancelar con precisión
diferencia entre los dos voltajes, según la voltajes que son comunes a ambas entradas. La
siguiente ecuación: relación de rechazo de modo común se define
como:
A 2
Vo = Ad (Vin + − Vin − ) CMRR = 10 log10 ( d) =
AC
A
20 log10 ( d)
AC

En un amplificador diferencial perfectamente


simétrico, AC es cero y el CMRR es infinito. Debe
observarse que un amplificador diferencial es una
forma más general que un amplificador con una
única entrada. Como la ganancia diferencial
excede a la ganancia en modo común, la CMRR
será un número positivo, y cuanto más alto, mejor.
La CMRR es una especificación muy importante,
ya que indica cuánto de la señal en modo común
aparecerá en su medición. El valor de la CMRR
depende a menudo de frecuencia de la señal, y se
debe especificar como una función de la misma.
Figura 1. Símbolo del Amplificador diferencial. Las
entradas inversora y no inversora son señaladas
respectivamente mediante los signos "+" y "-" y las
3.3 LOS AMPLIFICADORES MULTIETAPA
tensiones de alimentación como𝑉𝑆− y 𝑉𝑆+
Los amplificadores multietapa son circuitos
electrónicos formados por varios transistores (BJT
3.2 TEORIA
o FET), que pueden ser acoplados en forma
directa o mediante capacitores. Las
La salida de un amplificador diferencial está dada configuraciones clásicas son el par Darlington (alta
por: impedancia de entrada e incremento de la
ganancia de corriente), el par diferencial (Relación
Vout = Ad ( Vin + − Vin − ) de rechazo en modo común elevada), el
amplificador cascode (alta impedancia de salida).
Todas estas etapas amplificadoras pueden ser
Donde Vin − y Vin + son los voltajes de entrada y integradas y encapsuladas en un chip
Ad es la ganancia diferencial. semiconductor llamado Circuito Integrado (CI). En
el CI las polarización de las etapas se hace
Sin embargo, en la práctica, la ganancia no es usando fuentes de corriente, debido a la mayor
absolutamente igual para las dos entradas. Esto facilidad de construcción (a través de transistores).
significa que si las entradas son iguales, la salida
no será cero, como sería en el caso ideal. Una La combinación de distintas tecnologías permitirá
expresión más realista para la salida de un mejorar la prestación de los sistemas diseñados.
amplificador diferencial incluye así un segundo
término: Los transistores bipolares son los transistores más
conocidos y se usan generalmente en electrónica
Vin + − Vin − analógica, aunque también en algunas
Vout = Ad ( Vin + − Vin − ) + AC ( ) aplicaciones de electrónica digital, como la
2 tecnología TTL o BICMOS. (Figura 2.)

Donde : AC es la ganancia en modo común, es El transistor de efecto campo es un transistor que


decir la ganancia del dispositivo cuando las se basa en el campo eléctrico para controlar la
entradas reciben el mismo voltaje. Como los forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal
amplificadores diferenciales se utilizan a menudo que transporta un solo tipo de portador de carga,
para anular el ruido o los voltajes de polarización hecho de un material semiconductor, por lo que
que aparecen en ambas entradas, por lo general también suele ser conocido como transistor
se desea una baja ganancia en modo común. La unipolar. Posee tres terminales, denominados
relación de rechazo en modo común (CMRR, sigla
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puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source).


(Figura 3.)

Figura 2. Transistores NPN y PNP.


Utilizamos BJT con referencias:
Para los transistores NPN: 2n2222, 2n3904;
Para los transistores PNP: 2n3905, 2n3906. Figura 4. Par diferencial o par de cola larga,
construido con transistores bipolares del tipo NPN.
También puede ser hecho con transistores PNP,
FET y MOSFET.

3.5 TENSION DE OFFSET.

Es la diferencia de tensión que se obtiene entre


los dos pines de entrada cuando la tensión de
salida es nula, este voltaje es cero en un
amplificador ideal lo cual no se obtiene en un
Figura 3.Transistores MOSFET canal n y p amplificador real. Esta tensión puede ajustarse a
cero por medio del uso de las entradas de offset
Utilizamos para los MOSFET: (solo en algunos modelos de operacionales) en
Para los transistores canal n: 2n7000;
caso de querer precisión. El offset puede variar
Para los transistores canal p: FDC6420C.
dependiendo de la temperatura (T) del operacional
como sigue:
3.4 APLICACIONES DEL CIRCUITO PAR
DIFERENCIAL.

El par diferencial es una base fundamental para la


electrónica analógica. Los amplificadores Donde T0 es una temperatura de referencia.
operacionales y comparadores de tensión se
basan en él. Así mismo, los multiplicadores
analógicos, empleados en calculadoras analógicas Un parámetro importante, a la hora de calcular las
y en mezcladores, están basados en pares contribuciones a la tensión de offset en la entrada
diferenciales. de un operacional es el CMRR (Rechazo al modo
común).
Los amplificadores de transconductancia también,
básicamente, son pares diferenciales. Ahora también puede variar dependiendo de la
alimentación del operacional, a esto se le llama
PSRR (power supply rejection ratio, relación de
En Electrónica digital, la tecnología ECL se basa rechazo a la fuente de alimentación). La PSRR es
en un par diferencial. Muchos circuitos de interfaz la variación del voltaje de offset respecto a la
y cambiadores de nivel se basan en pares variación de los voltajes de alimentación,
diferenciales.
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expresada en dB. Se calcula como sigue : N y se conectan externamente entre sí, se


producirá una puerta. A uno de estos contactos le
llamaremos surtidor y al otro drenado.
Aplicando tensión positiva entre el drenado y el
surtidor y conectando la puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que
3.6 ESPEJO DE CORRIENTE. llamaremos corriente de drenado con polarización
cero. Con un potencial negativo de puerta al que
En electrónica, un espejo de corriente es una llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
configuración con la que se pretende obtener una conducción en el canal.
corriente constante, esto es, una fuente de
corriente. Esta configuración consta de dos
transistores, idealmente idénticos, y una
resistencia o potenciómetro, si se quisiera regular
el circuito en el caso que los transistores no fueran
idénticos. En la siguiente figura se muestra el
esquema básico de un espejo de corriente.

El espejo de corriente se usa en los circuitos


integrados porque es una forma conveniente de
crear fuentes de corriente y cargas activas. La
ventaja de utilizar espejos de corriente es la del Figura 6. Tipos de fet.
incremento en la ganancia de tensión y en el
rechazo al modo común (CMRR). El motivo 4. MATERIALES Y EQUIPOS
técnico de su frecuente uso en IC se debe a la vez UTILIZADOS
porque es más económico hacer los 2 transistores
sobre la oblea de silicio en vez de las resistencias  Fuente
cuando se quiere polarizar un determinado
transistor, aparte de ocupar menos espacio; y  Osciloscopio
ofrece también mayor estabilidad frente a cambios  Generador
de voltaje y temperatura a la polarización.
 Resistores 20kΩ, 10 kΩ, 1 kΩ
 Transistores 2N2222, 2N3906, 2n3904
 Trimmer 1.0 kΩ
5. ANÁLISIS TEÓRICO Y
SIMULACIONES
5.1 MONTAJE

Figura 5. Espejo De Corriente.

3.7 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

El transistor de efecto de campo de unión (JFET),


fue el primer transistor de efecto de campo en la
práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material Figura 7. Montaje # 1 Amplificador BJT
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ANÁLISIS TEÓRICO. 𝐼𝑖 = 25𝑚𝐴


𝑃𝑖 = (1.2𝑉) ∙ (25𝑚𝐴)
 Función de transferencia 𝑃𝑖 = 30𝑚𝑊𝑎𝑡𝑡
Para la ganancia de la primera etapa hallamos:
𝑅𝑖2 = 2 ∙ 𝑟𝑒4 ∙ (𝛽 + 1)  Ganancia de potencia

𝑅𝑖2 (𝑅1 + 𝑅2 ) 𝑃𝑜
𝐴1 = 𝐺𝑝 =
𝑟𝑒1 + 𝑟𝑒2 𝑃𝑖
Para la ganancia de la segunda etapa hallamos: 30𝑚𝑊𝑎𝑡𝑡
𝐺𝑝 =
𝑅𝑖3 = 𝑅4 ∙ 𝑟𝑒7∙ (𝛽 + 1) 1.63𝜇𝑊𝑎𝑡𝑡
𝐺𝑝 = 18404 𝑝/𝑝
𝑣𝑜2 𝑅𝑖3 ‖𝑅3
𝐴1 = − ≅−
𝑣𝑜1 𝑟𝑒4 + 𝑟𝑒5
Para la ganancia de la tercera etapa hallamos:  Tensión de offset:
El voltaje en la simulación
𝑅𝑖2 = (𝑅6 + 𝑟𝑒8 ) ∙ (𝛽 + 1) VOS= 97mv
𝑣𝑜3 𝑅𝑖4 ‖𝑅5 SIMULACIONES
𝐴3 = − ≅−
𝑣𝑜2 𝑟𝑒7 + 𝑅4

Para la ganancia de la tercera etapa hallamos:


𝑣𝑜 𝑅6
𝐴4 = ≅ ≅1
𝑣𝑜3 𝑟𝑒8 + 𝑅6
Hallamos la ganancia total:
𝐴 = 𝐴1 ∙ 𝐴2 ∙ 𝐴3 ∙ 𝐴4

 Impedancia entrada.

𝑅𝑖 = 2 ∙ 𝑟𝑒1 ∙ (𝛽 + 1)

 Impedancia salida.
Graficas de simulación a 1KHz.
𝑟𝑒8 𝑅5
𝑅𝑂 = 𝑅6 ‖[ + ]
1 ( 𝛽 + 1)
 Potencia entrada.

𝑃𝑖 = 𝑉𝑖 ∙ 𝐼𝑖
𝑉𝑖 = 160𝑚𝑉
𝑅𝑖 = 15.65𝑘Ω
𝑉𝑖 160𝑚𝑉
𝐼𝑖 = =
𝑅𝑖 15.65𝑘Ω
𝐼𝑖 = 10.22µ𝐴
𝑃𝑖 = (160𝑚𝑉) ∙ (10.22𝜇𝐴)
 Potencia salida. Simulación 1.1 Vi=1V, Vo=3, Av=3[v/v].

𝑃𝑜 = 𝑉𝑜 ∙ 𝐼𝑜
𝑉𝑜 = 1.2𝑉
𝑅𝑜 = 48Ω
𝑉𝑖 1.2𝑉
𝐼𝑖 = =
𝑅𝑖 48Ω
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Graficas de simulación a 10KHz.

Simulación 1.5 Vi=1V, Vo=3, Av=3[v/v].

Simulación 1.2. Vi=2V, Vo=6V, Av=3[v/v].

Simulación 1.3 Vi=4V, Vo=12V, Av=3[v/v].

Simulación 1.6 Vi=2V, Vo=6V, Av=3[v/v].

Simulación 1.4 Vi=6V, Vo=18V, Av=3[v/v].

Simulación 1.7 Vi=4V, Vo=12V, Av=3[v/v].


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5.2 MONTAJE

Simulación 1.8 Vi=6, Vo=18, Av=3[v/v].

Tabla de datos simulados.


Vi (v) Vo (v) Av (v/v)
1 3 3 Figura 8. Montaje # 2 Desfasador BJT
2 6 3
4 12 3
6 18 3 ANÁLISIS TEÓRICO.
Tabla 1. A frecuencia de 1KHz.
𝐼𝐷, = 𝐼𝑟𝑒𝑓
Vi (v) Vo (v) Av (v/v) 𝑉𝑔𝑠 2
𝐼𝐷, = 𝐼𝐷𝑆𝑆, (1 − )
1 3 3 𝑉𝑝
2 6 3 𝑉𝑔𝑠 2
4 12 3 𝐼𝐷, , = 𝐼𝐷𝑆𝑆, , (1 − )
𝑉𝑝
6 18 3 𝐼𝐷𝑆𝑆, ,
Tabla 2. A frecuencia de 10KHz. 𝐼𝐷 = 𝐼𝑟𝑒𝑓
𝐼𝐷𝑆𝑆,
𝑉𝑔 = 𝑉𝑖
𝑉𝑠 = 0
Tabla de datos Prácticos. 𝑉𝑔𝑠 = 𝑉𝑖
𝑉𝐷1 = −𝑔𝑚1(2𝑅𝑠𝑠)𝑉𝑖
Vi (v) Vo (v) Av (v/v) 𝑉𝐷2 = −𝑔𝑚2(2𝑅𝑠𝑠)𝑉𝑖2
1 3.04 3.04 𝑉𝑖2 = 𝑉𝑜,
2 5.92 2.96 𝑉𝑜, = 𝑔𝑚1(𝑔𝑚2)2𝑅𝑠𝑠𝑉𝑖
4 11.8 2.95
6 18.2 3.03 Impedancia de entrada.
Tabla 2. A frecuencia de 1KHz.
Vi (v) Vo (v) Av (v/v) 𝑍𝑖 ∞
1 3.02 3.02 Impedancia de salida.
𝑍𝑜 ≈ 0
2 5.96 2.98
Potencia de entrada.
4 11.8 2.95
𝑉𝑖 2
6 18.4 3.06 𝑃𝑖 =
Tabla 4. A frecuencia de 10KHz. 𝑍𝑖
Potencia de salida.
𝑉𝑜 2
𝑃𝑜 =
𝑍𝑜
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Simulación 2.1 Vi=1V, Vo=-1, Av=-1[v/v].


Ganancia de potencia.
𝑃𝑜
𝑃𝑜 =
𝑃𝑖
𝑉𝑜𝑢𝑡 2
𝑃𝑜𝑢𝑡 =
𝑍𝑜𝑢𝑡

(1.9)2
𝑃𝑜𝑢𝑡 = = 16.916 m𝑊
213.4 Ω

 Ganancia de potencia

𝑃𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑃 =
𝑃𝑖𝑛

16.916 m𝑊 𝑊
𝐴𝑃 = = 899.725 Simulación 2.2 Vi=2V, Vo=-2, Av=-1[v/v].
1.88 u 𝑊 𝑊

 Tensión de offset: 29.34mV.

SIMULACIONES

Simulación 2.3 Vi=4V, Vo=-4, Av=-1[v/v].

Graficas de simulación a 1KHz

Simulación 2.4 Vi=6V, Vo=-6, Av=-1[v/v].

Graficas de Simulación a 10KHz


Antecedentes Electrónica II

Simulación 2.5 Vi=1V, Vo=-1, Av=-1[v/v].

Simulación 2.8 Vi=6V, Vo=-6, Av=-1[v/v].

Tabla de datos simulados.


Vi (v) Vo (v) Av (v/v)
1 -1 -1
2 -2 -1
4 -4 -1
6 -6 -1
Tabla 5. A frecuencia de 1KHz.

Vi (v) Vo (v) Av (v/v)


1 -1 -1
2 -2 -1
4 -4 -1
6 -6 -1
Tabla 6. A frecuencia de 10KHz.
Simulación 2.6 Vi=2V, Vo=-2, Av=-1[v/v].

Tabla de datos Prácticos.


Vi (v) Vo (v) Av (v/v)
1 -1 -1.00
2 -1.96 -0.98
4 -3.96 -0.99
6 -5.92 -0.99
Tabla 7. A frecuencia de 1KHz.

Vi (v) Vo (v) Av (v/v)


1.01 -0.992 -0.98
2.02 -2 -0.99
4 -3.96 -0.99
6 -5.96 -0.99
Tabla 8. A frecuencia de 10KHz.
Simulación 2.7 Vi=4V, Vo=-4, Av=-1[v/v].
Antecedentes Electrónica II

ANÁLISIS TEÓRICO.
5.3 MONTAJE
 Función de transferencia
𝑉𝑥 − 𝑉𝑖 𝑉𝑥 − 𝑉𝑜
+ =0
𝑅1 𝑅𝑓
𝑉𝑜 𝑅𝑓
=−
𝑉𝑖 𝑅1
𝑉𝑜 𝑅𝑓
=−
𝑉𝑖 𝑅1
 Impedancia entrada.

𝑍𝑖𝑛 = R1 + 𝑅

𝑍𝑖𝑛 = 470 KΩ

 Impedancia salida.

𝑍𝑜𝑢𝑡 = Rf

Figura 7. Montaje # 3 Atenuador 𝑍𝑜𝑢𝑡 = 213.4 Ω

 Potencia entrada.
SIMULACIONES
𝑉𝑖 2
𝑃𝑖𝑛 =
𝑍𝑖𝑛

(940𝑚𝑉)2
𝑃𝑖𝑛 = = 1.88 u𝑊
470 KΩ

 Impedancia salida.

𝑉𝑜𝑢𝑡 2
𝑃𝑜𝑢𝑡 =
𝑍𝑜𝑢𝑡

(1.9)2
𝑃𝑜𝑢𝑡 = = 16.916 m𝑊
213.4 Ω

 Ganancia de potencia

𝑃𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑃 =
𝑃𝑖𝑛

16.916 m𝑊 𝑊
𝐴𝑃 = = 899.725
1.88 u 𝑊 𝑊

 Tensión de offset: 29.34mV.


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Graficas de Simulación a 1Khz

Simulación 3.3 Vi=4V, Vo=2V, Av=0.5 [v/v].

Simulación 3.1 Vi=1V, Vo=0.5V, Av=0.5 [v/v].

Simulación 3.4 Vi=6V, Vo=3V, Av=0.5 [v/v].

Simulación 3.2 Vi=2V, Vo=1V, Av=0.5 [v/v].

Tabla de datos simulados.


Vi (v) Vo (v) Av (v/v) Tabla de datos Prácticos.
1 0.5 0.5 Vi (v) Vo (v) Av (v/v)
2 1 0.5 0.976 0.488 0.5
4 2 0.5 1.96 0.960 0.489
6 3 0.5 3.88 1.96 0.505
Tabla 9. A frecuencia de 1KHz. 5.84 2.94 0.503
Tabla 10. A frecuencia de 1KHz.
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6 . CONCLUSIONES. Al dejar un valor de frecuencia constante, en


el que pueden ser observadas un par de
Observamos que a media que el voltaje de ondas en el osciloscopio iguales, en que el
polarización aumenta la ganancia, pero valor de la frecuencia no corte la señal de
tiende a saturarse; Cuando se aumenta la salida, ambas siempre deben ser iguales y
frecuencia, la señal de salida es más completas para realizar un buen análisis.
pequeña; Este montaje se comporta como un Cuando tenemos una resistencia en el
circuito no inversor debido a que su señal de emisor muy baja respecto a la resistencia del
salida está en fase con la señal de entrada. colector encontramos que la ganancia es
muy mínima, para determinar valores
Al conectar una de las terminales, a una sola considerables de ganancia debemos tener
Terminal de entrada, con la otra Terminal unos valores de resistencias muy cercanas y
conectada a tierra, obtenemos que la salida de mayor valor en el emisor.
tiene la misma polaridad de la señal aplicada
en la entrada.
observar una ganancia considerable pero no
la esperada, debido a la disparidad de
los componentes, pero con resultados comparación a la pequeña ganancia
considerables. Es relevante el hecho de la no resultante de las entradas comunes.
idealidad de los componentes.

El circuito formado por un par de transistores 7. BIBLIOGRAFIA


bipolares acoplados por emisor o
amplificador diferencial, es una poderosa
herramienta, en el uso electrónico como [1] Circuitos micro electrónicos, 4ta edición –
comparador de señales. adel s. sedra & kenneth c. Smith.
La característica principal del amplificador
diferencial es la gran ganancia cuando se
aplican señales opuestas a las entradas, en ] Principios de Electronica (VI) de Albert Paul
Malvino.
[1] Circuitos micro electrónicos, 4ta edición –
adel s. sedra & kenneth c. Smith. [3] Electrónica: Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos, 10 Edición –
[2] Principios de Electronica (VI) de Albert Robert L. Boylestad & Louis Nashelsky
Paul Malvino.
.

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