UNIVERSIDAD DISTRITAL"FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS"

PROYECTO CURRICULAR DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRÁCTICA N° 1

DISEÑO DE ETAPA AMPLIFICADORA CON TRANSISTOR BJT Y JFET

OBJETIVO: Diseñar y verificar una etapa amplificadora que cumpla con condiciones
específicas de funcionamiento.

PRELABORATORIO.

1.- Diseñe un amplificador en emisor común utilizando un transistor BJT de parámetros

conocidos, para llevar una señal de 800mVpp a 8Vpp acoplando un generador de
impedancia 50  y una carga de 8 K acoplada A.C. Se desea amplificar desde 100 Hz,
calcule la fuente de polarización requerida.

2- Proponga un circuito que permita el trabajo del transistor entre corte y saturación.

3.- Diseñe un amplificador utilizando un transistor JFET de parámetros conocidos que

permita obtener una ganancia de -5, se utiliza una fuente de polarización de 10V. Este
amplificador se debe acoplar a un generador de impedancia 50 y a una carga de 1K
con acople A.C. La mínima frecuencia a amplificar es 100Hz. Calcule la máxima señal de
salida.

4.- Simule todos los circuitos anteriores de tal forma que se aprecie los valores a medir en
la práctica y anexe los resultados al prelaboratorio.

PRACTICA:

Para los amplificadores diseñados: Mida punto Q, la ganancia, máxima señal de salida y el
ancho de banda. Comparar con los datos teóricos y calcular el porcentaje de error.

Amplificador Punto Q AV MSSS[V] Ancho de Banda

50Hz 100Hz 1KHz 10 KHz 100KHz
BJT
FET

Para el transistor trabajando en las regiones de corte y saturación: Aplique una señal
sinusoidal y verifique los estados de corte y saturación del transistor. Visualice la señal de
salida.

ANÁLISIS

Explicar los resultados obtenidos contrastándolos con los calculados y definir si se

comprobó la teoría o en caso contrario, argumentar el por qué de los resultados.