Fm > Fs y semiconductor tipo N

Nivel energético del vacío

q·(Fm- Fs)
Estados q·c
vacíos
Electrones q·c
q·Fm q·(F m- Fvacíos
Estados s)
EC q·Fs
Estados Electrones
vacíos EC
EFs
EFm EFs
EV
EV
Electrones
Electrones Electrones

--
Metal -- + + + + N
--
-- + + + +
Barrera de tensión: VO = Fm- Fs
 Fm > Fs y semiconductor tipo N
Polarización directa
Nivel energético del vacío q·(Fm- Fs-V)
q·(Fm- Fs)
-j
Estados
vacíos n q·c
q·(Fm- Fs) q·c
q·Fm Estados Electrones q·Fs
vacíos ECEC
q·(Fm- Fs-V)

EFm EEFs
Fs

EVV
Electrones Electrones
Electrones

-
--- ++ ++ + +
+ Metal - ++ ++ + +
--
N -
Fmm--F
F Fss- V
 Fm > Fs y semiconductor tipo N
Polarización directa

•En polarización directa se

-jn establece una corriente de
Estados
electrones del semiconductor al
vacíos
metal (corriente eléctrica en
q·(Fm- Fs-V) sentido inverso).
EFs •La corriente crece mucho al
EFm
crecer la tensión V.
•La corriente eléctrica es sólo de
Electrones
Electrones mayoritarios, por lo que en las
conmutaciones no va a haber que
esperar a que se recombinen
minoritarios.
Muy
importante
 Fm > Fs y semiconductor tipo N
Polarización inversa (V<0)
Nivel energético del vacío
q·(Fm- FsNo ) hay casi
q·(F m- F s-V)
Estados conducción
vacíos
q·(Fm- Fs) q·c
q·Fm Estados Electrones q·Fs
vacíos q·c
EC q·F
q·(Fm- Fs-V) s

EFm E
ECFs
EV E
Fs
Electrones Electrones EV
Electrones Muy
importante
------
---- + + + + + +
- Metal ------ + + + +
---- ++
N +
FFmm--FFss- V
 Fm < Fs y semiconductor tipo P
Nivel energético del vacío

Estados
q·Fm vacíos
q·c
Estados
vacíos q·Fs
EC
EFm
EFs
Electrones EV
Huecos
Electrones

Al poner en contacto el metal y el semiconductor tipo

P, el metal cede electrones al semiconductor. Es el
Caso 2. Su comportamiento es similar al Caso 1.
 Diodos Schottky
• Los casos 1 y 2 dan origen a un comportamiento de tipo
“unión semiconductora” (existe barrera de potencial que
evita la difusión y cuya altura se controla con la tensión
exterior aplicada), dando origen a los diodos Schottky.

Características
•Menor caída de tensión en conducción que un diodo
de unión.
•Mayor rapidez de conmutación (los minoritarios no
intervienen en la conducción).
•Mayor corriente inversa.
•Menor tensión inversa máxima. Símbolo
Muy
importante
 Fm < Fs y semiconductor tipo N
Nivel energético del vacío

q·c
q·Fm Estados Estados
vacíos vacíos q·Fs
Electrones
EFm EC

EFs
Electrones
EV
Electrones

Al poner en contacto el metal y el semiconductor tipo

N, el metal cede electrones al semiconductor. Es el
Caso 3.
 Fm < Fs y semiconductor tipo N
Nivel ener. del vacío q·c
Estados Estados
vacíos vacíos q·Fs
q·Fm
Electrones

EC

EFm EFs
EV
Electrones Electrones

Los electrones pueden pasar libremente desde el metal al

semiconductor o viceversa. Con una tensión externa aplicada se
consigue desequilibrar este paso en un sentido o en otro,
simétricamente. Es un contacto óhmico.
 Otras uniones metal- semiconductor con
comportamiento de contacto óhmico
•El caso 4: Fm > Fs y semiconductor tipo P
•Con contactos metal-N+-N o metal-P+-P

Estados Estados
vacíos vacíos

- - - -
EC
EFm EFs
EV

Electrones
Electrones
Electrones
Efecto tunel
-- + +
+ -
--- + +
+
+ --
Metal --
--
+
+
+
+
+
+
N+ +
+
-
- N
-- + +
+ -
-