AMPLIFICADORES RF DE POTENCIA

I. MARCO TEÓRICO

El amplificador de potencia es la última etapa del emisor. Tiene la misión de amplificar

la potencia de la señal y transmitirla a la antena con la máxima eficiencia. En eso se
parecen a los amplificadores de baja frecuencia, pero aquí la distorsión o falta de
linealidad puede no ser importante.

Estas son algunas características de un PA para equipos de comunicaciones móviles y

sus valores típicos

CLASIFICACIÓN DE LOS AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Los amplificadores de potencia tradicionales emplean dispositivos ativos(BJT o

MOSFET) que se comportan como fuentes de corriente controladas por tensión. Estos
se clasifican atendiendo a la fracción del periodo de la señal en que los dispositivos
permanecen en conducción. Si la entrada es una funión sinusoidal, su argumento se
incrementa 360° a cada periodo de señal. La fracción del periodo en que los
dispositivos conducen se mide por el semiángulo de conducción, 𝜃, que está
comprendiendo entre 0° y 180°.

Se definen tres clases:

CLASE A 𝜃 = 180° (conducen siempre)

CLASE B 𝜃 = 90° (conducen medio periodo)

CLASE C 𝜃 < 90° (conducen menos de medio periodo=

Cuanto menos es 𝜃 mayor es la eficiencia pero menor es la linealidad

Existe otro tipo de amplificadores de potencia donde los dispositivos funcionan en

conmutación. Actúan como interruptores que pasan alternativamente de conte a
conducción. La eficiencia es teóricamente del 100% puesto que un interruptor ideal no
consume potencia en ninguno de los dos estados: en corte 𝑖 = 0 y en conducción 𝑣 =
0. En la práctica la eficiencia se reduce porque hay pérdidas de potencia durante el
transitorio de conmutación. Por eso se han ideado diferentes esquemas que minimizan
estas pérdidas.

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 AMPLIFICADORES CLASE A
Es aquel que presenta a su salida una señal copia de la de entrada, pero amplificada y
sin distorsión-

En este caso la máxima señal de salida se obtendrá cuando el punto estático coincida
con el centro de la recta de carga, consiguiendo, por tanto, la máxima potencia de
salida.

Se pueden presentar dos casos en cuanto a la conexión de la carga, esto es, que la
carga, a la que hay que aplicar la potencia, sea externa al circuito o, que esta se la
propia carga del transistor. A pesar de su escasa utilización, cuando se emplean suele
coincidir con esta última disposición.

Ambos casos se han de ver bajo el punto de vista de las rectas de carga: en el primero,
son distintas para c. y para c.a y en el segundo caso coinciden par cargas resistivas.

Amplificador de potencia clase A

Recta de carga y punto Q

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 Para amplificadores clase A, la máxima disipación del transistor se produce en reposo,
esto es,

𝑃𝑇 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 . 𝐼𝐶𝑄

Y generalmente,
𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐶𝑄
𝑃𝑇 =
2
A medida que la tensión pico a pico aumenta en la carga. La potencia disipada en el
transistor decrece.

AMPLIFICADOR CLASE B
Este amplifica un solo semiciclo de la señal de entrada; esto implica situar el punto de
trabajo en la región de corte, de tal forma, que solo al presentarse el semicilo
adecuado de 𝑣𝑖 , el transistor pase a la región activa. Cuando el semiclo es el contrario,
el transistor permanee en corte, al igual que en ausencia de señal de entrada.

Si se quiere obtener una señal de salida reflejo de la entrada, se habrán de disponer de

la forma adecuada, dos transisitores para que cada uno amplifique un semiciclo, esta
disposición llamada generalmente amplificador de simetría complementaria.

Amplificador clase B en simetría complementaria

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 La gráfica muestra el punto de reposo, en estas condiciones no circula corriente por el
circuito de colector de los transistores en ausencia de señal de entrada.

Punto de reposo de un amplificador de clase B

Relación de señales de un amplificador de simetría complementaria

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 Las corrientes de colector y la tensión de salida para una tensión de entrada sinusoidal.
La potencia entregada a la carga es

Y el consumo de potencia, despreciando la potencia consumida, es:

II. MATERIALES

 Resistencias
 Transistores
 Fuente DC
 Oscilador
 Generador de frecuencias
 Cable coaxial y cocodrilo

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 III. PROCEDIMIENTO
AMPLIFICADOR CLASE A:

 R1=220KΩ
 P=500KΩ
 RL=47Ω
 T1=BC548B
 T2=BD139
 C=22Uf
 Vcc=10v
 Vi=GBF >>>V=1vpp >>>f=10MHZ

CALCULOS Y DESARROLLO:

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DATOS

fi=10,59MHZ

fo=10,31MHZ

vi=840mvpp

vo=376mvpp

𝑉𝐶𝐶 10
𝑉𝐶𝐸𝑄 = = = 5𝑣
2 2
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝑅𝐿 = 5𝑣
2
𝑉𝐶𝐶 102
𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐶 = = = 1,064𝑊
2𝑅𝐿 2(47)
102
𝑃𝐿 𝑚𝑎𝑥 = = 0,26596𝑊
8(47)
𝑃𝐿 𝑚𝑎𝑥 0,26596
ŋ= 𝑥100 = 𝑥 100 = 24,99%
𝑃𝐶𝐶 1,064

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AMPLIFICADOR CLASE B:

 R1=R2=10KΩ
 R3=R4=1Ω
 RL=22Ω
 C1=22Uf
 C2=1000Uf
 P=5K
 T1=BD137
 T2=BD138
 VCC=12V
 Vi=GBF

CALCULOS Y DESARROLLO:

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DATOS

vi=404 mvpp

vo=168 mvpp

𝐼𝑖 = 0,35𝑚𝐴

Potencia Absorvida:
2
𝑉𝐶𝐶 122
𝑃𝐶𝐶 = = = 1,0417𝑊
2𝜋𝑅𝐿 2𝜋(22)

𝑉𝑅𝐿 𝑝𝑝𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝑐𝑐 = 12𝑣

2
𝑉𝐶𝐶 122
𝑃𝐿 𝑚𝑎𝑥 = = = 0,8182𝑊 ≫ 𝑃𝑂 𝑚𝑎𝑥 ≫ 𝑃𝑜
8𝑅𝐿 8(22)

𝑃𝐿 𝑚𝑎𝑥 0,8182
ŋ= 𝑥100 = 𝑥 100 = 78,54%
𝑃𝐶𝐶 1,0417

 CONDICIONES DE REPOSO DEL AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA

𝐼𝑟𝑒𝑝𝑜𝑠𝑜 𝑉𝐶𝐸2 𝑉𝐵𝐸2 𝑉𝐸2

0,62mA 2mV 1,7mV 0,7mV

DATO:
Si 𝑉𝐵𝐸2 = 𝑉𝑅2 = 2,4𝑚𝑉

entonces 𝑉𝐵𝐸2 = 𝑉𝐵2 − 𝑉𝐸2

𝑉𝐸2 = 𝑉𝐵2 − 𝑉𝐵𝐸2

𝑉𝐸2 = 2,4𝑚𝑉 − 1,7𝑚𝑉 = 0,7𝑚𝑉

 CARACTERISTICAS DEL AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA

𝐼𝐶𝐶 (𝐼𝑛𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒)

𝐼𝑟𝑒𝑝𝑜𝑠𝑜 (𝑣𝑖 = 0) 0,62mA

(a)

𝑣𝑖 𝑣𝑜 𝐴′𝑣 𝑃𝑖 𝑃𝑜 𝐴′𝑃 ŋ
404mV 168mV -3,81dB 1,414.𝟏𝟎−𝟒 W 0,8182W 37,624dB 78,56%

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 (b)

FORMULAS:

𝐴′𝑃 = 10 log 𝐴𝑃 𝐴′𝑣 = 10 log 𝐴𝑣

𝑃𝑂 𝑉𝑂
𝐴𝑃 = = 𝐴𝑣 . 𝐴𝑖 𝐴𝑣 =
𝑃𝑖 𝑉𝑖

HALLANDO 𝐴′𝑣
𝑣𝑜
𝐴′𝑣 = 10 log = −3,81𝑑𝐵
𝑣𝑖
HALLANDO 𝑃𝑖

𝑃𝑖 = 𝑉𝑖 . 𝐼𝑖 = 404𝑚𝑉. 0,35𝑚𝐴 = 1,414. 10−4 𝑊

Ademas de lo anterior 𝑃𝑜 = 0,8182𝑊

ENTONCES 𝐴′𝑃
0,8182
𝐴′𝑃 = 10 log 1,414
= 37,624 𝑑𝐵

FINALMENTE HALLAMOS LA EFICIENCIA

𝑃𝐿 𝑚𝑎𝑥 0,8182
ŋ= 𝑃𝐶𝐶
𝑥 100 = 1,04147 𝑥100 = 78,56

IV. CONCLUSIONES

 En el amplificador de clase A la corriente de polarizacion de cd del

colector Ic de un transistor es mayor que la amplitud pico de la Ip de
salida ademas el angulo es de 360º ya que ic=Ic+Ipsenwt.
 En el amplificador de clase B se pudo observar que el transistor se
encuentra polarizado con una corriente igual a cero y su angulo es
de 180º, esto es Ic =Ipsenwt.
 Si comparamos la eficiencia que obtuvimos en el laboratorio del
amplificador clase A y del amplificador clase B obtenemos que el
amplificador clase B es mucho mas eficiente ya que se obtuvo una
eficiencia de ŋ=78,56% a comparacion del amplificador de clase A
en el que se obtuvo una eficiencia de ŋ=24,99%.

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 UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE
SAN MARCOS

“Año del Diálogo y la Reconciliación Nacional”

FACULTAD: Ingeniería Electrónica y Eléctrica

CURSO: Laboratorio de Introducción a radiocomunicaciones

TEMA: Amplificador RF de potencia (Clase A y B)

PROFESOR: Unsihuay Tovar Roberto

ALUMNOS:

 Chumbiauca Huallanca María Fátima 15190275

 Guerovich Ramírez Bryan Stephen 15190276
 Rodriguez Landa Janeth Ysabel 11070183
 Fernández Huarcaya Jesús 15190253

2018

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