Trabajo de Electronica

TRABAJO GRUPAL
“ ELECTRÓNICA I”
Presentado por:
● Pabla Guerrero
● Larissa Benitez
● Hernan Areco
● José Chamorro
● Elias Leiva.
● Joel Cáceres
● Alejandro Ortellado
● Richard Mendoza
Solicitado por :
Ing. Victor Leonardo Leguizamon Centurion
Universidad Nacional de Caaguazú
Sede Coronel Oviedo
Creada por Ley Nº 3198 del 4 de Mayo de 2007
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGÍAS
http://www.fctunca.edu.py/ Tel: +595 521 201548 info@fctunca.edu.py
MISIÓN de la FCyT: Formar profesionales excelentes con conocimientos científicos y tecnológicos, competentes, con sentido
crítico, ético y responsabilidad social.
VISIÓN de la FCyT: Ser una facultad líder, con excelencia en la formación de profesionales que contribuyan al desarrollo del país.
ÍNDICE
ÍNDICE 2
INTRODUCCIÓN 3
1.1) Modelo Híbrido simplificado 4
1.2) Configuración en base común, Colector común y Emisor común 5
1.3) Impedancia de entrada y de salida: 8
1.4) Ganancia de corriente, tensión y potencia 9
2.1)Fundamentos. Curvas características , clasificación. 11
2.2)Polarización 12
2.3)Parámetros Y. 15
2.4)Ganancia de Tensión. Admitancia de entrada y salida 16

Admitancia de entrada y salida 17
INFORME DE LABORATORIO 18

CONCLUSIÓN 19
BIBLIOGRAFÍA 20
Sede Coronel Oviedo
INTRODUCCIÓN
En el presente trabajo de investigación se refiere a los transistores bipolares y los

transistores de efecto campo, y varios temas importantes relacionados a los
transistores.Encontrarás el modelo híbrido , la configuración de base común colector y
emisor común, como también la impedancia de entrada y salida, etc.
Posteriormente algunos anexos sobre el presente tema.
Sede Coronel Oviedo
1. Transistores Bipolares
Fundamento Teórico
Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente,

el transistor está constituído por tres regiones semiconductoras denominadas emisor,
base y colector.Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados NPN y PNP.1
1.1) Modelo Híbrido simplificado

En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y tensiones: continua y
alterna. La componente en continua o DC polariza al transistor en un punto de trabajo localizado en la
región lineal. Este punto está definido por tres parámetros: ICQ, IBQ y VCEQ.2
La componente en alterna o AC, generalmente de pequeña señal, introduce pequeñas variaciones en las
corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del punto de trabajo. Por consiguiente,
si se aplica el principio de superposición, la IC, IB y VCE del transistor tiene dos componentes: una
continua y otra alterna.
El transistor para las componentes en alterna se comporta como un circuito lineal que
puede ser caracterizado por el modelo híbrido o modelo de parámetros {H}
1
"TRANSISTORES BIPOLARES, TEORÍA Y PRÁCTICA." http://juliodelgado.galeon.com/. Se consultó el
12 jun.. 2017.
2
"Modelo híbrido {H} de transistor bipolar - Electrónica Unicrom." 18 ago.. 2015,
http://unicrom.com/modelo-hibrido-h-de-transistor-bipolar/. Se consultó el 12 jun.. 2017.
Sede Coronel Oviedo
Los parámetros h de un transistor, se obtienen analizando su comportamiento a

variaciones incrementales en las corrientes (ib,ic) y tensiones (vbe,vce) en sus
terminales.
1.2) Configuración en base común, Colector común y Emisor

común
1.2.1) Configuración en Base Común:

La base se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector, la base se conecta
a las masas tanto de la señal de entrada como a la de la salida.
En esta configuración se tiene de ganancia sólo de tensión.
Características:
A continuación vemos un resumen de las principales características de la base común:
Montaje G.V Desfasaje Ze Zs

(V)
B.C ALTA 0° Baja Alta
1.2.2) Colector Común:

Es muy útil pues tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida
muy baja.
La impedancia de entrada alta es una característica deseable en un amplificador pues,
el dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que entregarle mucha corriente (y así
cargarlo)
Cuando le pasa la señal que se desea amplificar. Este circuito no tiene resistencia del
emisor (ver figura)
Sede Coronel Oviedo
Características:
Montaje G.V Desfasaje Ze Zs

(V)
C.C <1 0° Alta Baja
1.2.3) Emisor Común:
La configuración de emisor común es la más usada. En él, el transistor actúa como un

amplificador de la corriente y de la tensión. Aparte de los efectos de amplificación,
también invierte la tensión de señal, es decir, si la tensión es tendente a positiva en la
base pasa a ser tendente a negativa en el colector; pero, como estos efectos se
producen con la corriente alterna.
Para estudiar las propiedades de este tipo de configuración vamos a basarnos en un

transistor tipo P-N-P. Tenemos la unión base-emisor, JE, polarizada directamente y la
unión emisor-colector, JC, inversamente polarizada.
Aplicamos una tensión a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias, RB
conectada a la base y RC conectada al colector.
El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia RB, la
corriente que circula por el colector, IC, depende de la corriente de base, IB, como
hemos visto con la fórmula IC = b . IB; IC es mucho más grande que IB y ese aumento
Sede Coronel Oviedo
viene dado por b , que es un parámetro característico del transistor.
Al colocar una resistencia en un circuito estamos provocando una caida de la tensión,

como si bajáramos la presión del agua.
Al pasar la corriente por RC se va a producir una caída de potencial; luego, la tensión

que obtengamos a la salida, también va a depender del valor de esta resistencia.
Podemos colocar una resistencia en el emisor, que llamaremos RE, que va a perjudicar
mucho la amplificación de tensión, pero va a hacer que el transistor sea mucho más
estable y no le afecten los cambios de la temperatura.
Aumentando o disminuyendo los valores de las tres resistencias podemos conseguir
corrientes y tensiones diferentes en los tres terminales. Por ejemplo, si aumentamos la
resistencia de base el valor de la corriente IB será menor, lo que implicará que IC
también sea menor, y al pasar una corriente de colector menor a través de RC, el
potencial que se obtendrá a la salida será mayor; pero si disminuimos RB aumenta IB y
con ella la corriente de colector, y la tensión de colector disminuirá.
Disminuyendo mucho la resistencia de base podemos llegar a un punto en el que
pasemos de la zona de activa a la de saturación, es decir, que la unión colector-base,
que está inversamente polarizada en activa, pase a estar directamente polarizada y,
por lo tanto, en saturación. Esto se produce porque IB aumenta y, en consecuencia, IC
también aumenta.
Si un circuito está trabajando en zona activa, el transistor se comporta de forma lineal.
Es decir, que a iguales variaciones de la corriente de base, IB, se producen iguales
variaciones de la corriente de colector, IC. El primer punto en el cual al aumentar IB ya
no aumenta IC pertenece a la zona de saturación. También podemos modificar los
valores de la corriente de base, de colector y de la tensión de salida jugando con la
tensión de entrada o con la resistencia de colector.
Una característica muy importante dentro de un circuito es determinar su punto de
funcionamiento. La corriente continua, y la tensión en cada terminal del transistor
determinan el punto de funcionamiento de un circuito. Este punto de funcionamiento se
encuentra situado en la recta de carga.
Para saber cuál es el punto de funcionamiento de un transistor tenemos que determinar
el valor de VC, potencial de colector, VB potencial de base, e IC corriente de colector
Sede Coronel Oviedo
cuando el potencial trabaja en zona activa. Para determinar las podemos usar las
curvas características que representan a un transistor, o también podemos hallar el
punto matemáticamente, usando dos fórmulas que ya conocemos, la ley de Ohm V = I .
R y la igualdad IC = b . IB. Combinando correctamente ambas fórmulas hallaríamos los
datos que necesitamos para obtener el punto de funcionamiento.
1.3) Impedancia de entrada y de salida:

Impedancia de entrada:
La impedancia de entrada de una red eléctrica es la impedancia equivalente "vista" por

una fuente de energía conectada a tal red. Si la fuente entrega un valor conocido de
voltaje o de corriente, tal impedancia puede ser calculada usando la ley de Ohm. La
impedancia de entrada es el circuito equivalente Thevenin de una red eléctrica,
modelada por una combinación de RL (resistencia-inductancia) o de RC
(resistencia-capacitancia), con valores equivalentes que resultan en la misma
respuesta que la de la red. También es llamada Z11 en términos de parámetros-Z.
Grosso modo, la definición exacta depende del campo de estudio particular.
Impedancia de salida:
Cualquier circuito electrónico lineal o dispositivo que suministre una corriente se puede
modelar como una fuente ideal de tensión en serie con una impedancia (o su
equivalente de Thevenin). Este modelo ayuda a analizar la caída de tensión que ocurre
por dicha impedancia al paso de la corriente.
Sede Coronel Oviedo
1.4) Ganancia de corriente, tensión y potencia

GANANCIA DE CORRIENTE:
Ganancia de corriente o parámetro β de un transistor. La circunstancia de que una

pequeña corriente de base controle las corrientes de emisor y colector mucho más
elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir una ganancia de
corriente.3
GANANCIA DE POTENCIA:
3
"Transistores Web." http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/parametrostrans.html. Se
consultó el 13 jun.. 2017.
Sede Coronel Oviedo
Ganancia de potencia de lazo cuadrático con respecto a un dipolo de media onda es

aproximadamente 0,9dB. Cuando el alambre inferior está montado a media onda sobre
terrenos la resistencia de alineaciones es aproximadamente de 120 ohms.4
GANANCIA DE TENSIÓN:
Ganancia de tensión (∆V): La ganancia de tensión se obtiene del cociente de la

tensión en la salida entre la tensión de la entrada. Ver la siguiente fórmula:
∆V = Vsal / Vent5
Ejemplo: Si un amplificador tiene una entrada de 0.1 Vpp (voltios pico-pico) y una
salida de 10 Vpp, la ganancia de tensión será: ∆V = 10 Vpp / 0.1 Vpp = 6
4
"ganancia y potencia." http://perso.ya.com/todo-radio/Gananciaypotencia.htm. Se consultó el 13 jun..
2017.
5
"Ganancia de tensión, corriente y potencia de un Amplificador ...." 27 may.. 2015,
http://unicrom.com/ganancia-tension-corriente-potencia-amplificador/. Se consultó el 13 jun.. 2017.
6
"Ganancia de tensión (Electricidad) - Glosarios."
http://glosarios.servidor-alicante.com/electricidad/ganancia-de-tension. Se consultó el 13 jun.. 2017.
Sede Coronel Oviedo
2. Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en inglés) es un transistor que
usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un
canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser
conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales,
denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source).
2.1)Fundamentos. Curvas características , clasificación.

Si juntamos ahora en una misma gráfica el efecto que sobre el funcionamiento del
dispositivo tienen ambas tensiones (VDS y VGS). Al representar la corriente de
drenador en función de ambas tensiones, aparecen las denominadas curvas
características del transistor JFET. En la Figura , se representan las curvas
características de salida para un JFET de canal n.
Transistores de Efecto de Campo 192 representado como VP haciendo referencia al
“estrangulamiento” o “pinch-off” que se ha producido en el canal. Indicar que esta
tensión VP se puede considerar de igual valor, pero de signo contrario, a la tensión
VGSoff característica del dispositivo. Por otro lado, para otros valores de VGS el valor
de la tensión VDS para el que se producirá la saturación de la corriente de drenador
vendrá dado por la expresión VDSsat = VGS - VGSoff , donde todas las tensiones
deben de ponerse con su signo correspondiente.
Es decir, cuanto más negativa sea la tensión VGS antes se alcanzará la condición de
saturación, o de otra forma, el canal se “estrangulará” para valores menores de la
tensión VDS, lo cual parece lógico ya que cuanto más negativa sea VGS menor es el
canal de partida que tenemos. En las curvas características de la Figura podemos
distinguir 4 zonas bien diferenciadas: Zona de corte o de no conducción. Zona óhmica
o de no saturación. Zona de saturación o de corriente constante. Zona de ruptura.7
7
"transistores de efecto de campo - EHU-OCW."
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf. Se
consultó el 12 jun.. 2017.
Sede Coronel Oviedo
Figura Características ideales de un JFET de canal n. ID V
2.2)Polarización
POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo

correctamente. Para ellos se debe cumplir que:
- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
- La juntura COLECTOR – BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al
emisor y el colector debe tener un voltaje también positivo pero, mayor que el de la
base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario.
C.- CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores tienen un código de identificación que en algunos casos especifica la

función que cumple y en otros casos indica su fabricación.
Sede Coronel Oviedo
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos,

Japoneses y Americanos.
CODIFICACION EUROPEA
Primera letra
A : Germanio
B : Silicio
Segunda Letra
A : Diodo (excepto los diodos túnel)
B : Transistor de baja potencia
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia
E : Diodo túnel de potencia
F : Transistor de alta frecuencia
L : Transistor de alta frecuencia y potencia
P : Foto – semiconductor
S : Transistor para conmutación
U : Transistor para conmutación y de potencia
Y : Diodos de potencia
Z : Diodo Zener
Número de serie
100 – 999 : Para equipos domésticos tales como radio, TV, amplificadores, grabadoras,
etc.
10 – 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.

Sede Coronel Oviedo
Ejemplo : AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de

baja frecuencia.
CODIFICACION JAPONESA
Primero
0 (cero) : Foto transistor o fotodiodo
1 : Diodos
2 : Transistor
Segundo
S : Semiconductor
Tercero
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
C : Transistor NPN de RF
D : Transistor NPN de AF
F : Tiristor tipo PNPN
G : Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Número de serie : comienza a partir del número 11
Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior
Ejemplo:
Es un transistor PNP de RF con mejores características técnicas que el 2SA186.

Sede Coronel Oviedo
CODIFICACION AMERICANA
Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificación con el prefijo 2N

y a continuación un número que indicaba la serie de fabricación. Ejemplo 2N3055,
2N2924, etc.
Actualmente, cada fábrica le antepone su propio prefijo, así se tiene por ejemplo :
TI1411, ECG128, etc. que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y
SYLVANIA.
II.- MATERIALES Y EQUIPO
Una Fuente de Tensión de 0 a 15 V
Un transistor 2N3904 (NPN) o equivalente
9 Resistencias de ½ W: 100Ω,750Ω,910Ω, 1KΩ, 2.2KΩ, 3.3KΩ, 10KΩ, 270KΩ, 470KΩ.
Un VOM (Multímetro digital o analógico)
2.3)Parámetros Y.
En ingeniería eléctrica, la admitancia (Y) de un circuito es la facilidad que este ofrece
al paso de la corriente. Fue Oliver Heaviside quien comenzó a emplear este término en
diciembre de 1887.
De acuerdo a su definición es la inversa de la impedancia :
Al igual que la impedancia, la admitancia se puede considerar cuantitativamente

como un valor complejo:
Esto es, su módulo es el inverso del módulo de la impedancia y su argumento

está cambiado de signo
Sede Coronel Oviedo
Multiplicando numerador y denominador por "R - jX" y operando resulta:
Los parámetros de admitancia Y pueden obtenerse de los parámetros de dispersión S

como muestran las siguientes expresiones. 8
2.4)Ganancia de Tensión. Admitancia de entrada y salida

En electrónica, la ganancia, en lo referido a señales eléctricas, es una magnitud que
expresa la relación entre la amplitud de una señal de salida respecto a la señal de
entrada. Por lo tanto, la ganancia es una magnitud adimensional, que se mide en
unidades como belio (símbolo: B) o submúltiplos de éste como el decibelio (símbolo:
dB).
8
"Admitancia - Wikipedia, la enciclopedia libre." https://es.wikipedia.org/wiki/Admitancia. Se consultó el
12 jun.. 2017.
Sede Coronel Oviedo
Por ejemplo, si la potencia de salida de un amplificador es 40 W (vatios) y la de entrada

era de 20 W, la ganancia sería de 10 log (40 W / 20 W) ≈ 3,0103 dB.
Cuando la ganancia es negativa (menor que 0), se denomina atenuación. Así, en el

ejemplo anterior pero al revés: 40 W de entrada, frente 20 W de salida, el resultado
sería de -3,0103 dB. No hablaríamos de una ganancia de -3 dB, sino de una
atenuación de 3 dB.
Admitancia de entrada y salida

En los circuitos con una sola fuente de corriente nos interesa conocer los bornes de
entrada. En la Fig. 5, la intensidad aplicada, designada por I1 genera una tensión en
bornes que llamaremos V1. Puesto que sólo hay una fuente I1, la tensión V1 vendrá
dada por la expresión:
Sede Coronel Oviedo
INFORME DE LABORATORIO
Diodo de silicio:
VD= 0,701
VR= 8,19
E= 8,76
Ds= 3,483 kOhm; 306,3 kOhm
Diodo de Germanio:
VD= 1,28
VR= 8,19
E= 8,76
Dg= 07,11 kOhm; 07,14kOhm
Diodo LED:
VD= 2,17
VR= 6,63
E= 8,77
Dled= 124, 2 kOhm; 313,9 kOhm
Sede Coronel Oviedo
CONCLUSIÓN
El presente trabajo realizado fue muy interesante y muy importante por sobre todo,
aprendimos bastante sobre los transistores bipolares y de efecto campo, sobre la
polarización , ganancia de tensión, etc., y así también como varios otros temas
referidos al trabajo.
Sede Coronel Oviedo
BIBLIOGRAFÍA
(s.f.). Obtenido de Admitancia: https://es.wikipedia.org/wiki/Admitancia.

"TRANSISTORES BIPOLARES, TEORÍA Y PRÁCTICA. (12 de JUNIO de
2015). Obtenido de http://juliodelgado.galeon.com/
"transistores de efecto de campo - EHU-OCW." . (12 de junio de 2015).
Obtenido de
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/elec
tro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf.
Modelo híbrido {H} de transistor bipolar - Electrónica Unicrom.". (18 de
AGOSTO de 2015). Obtenido de
http://unicrom.com/modelo-hibrido-h-de-transistor-bipolar/.
Ganancia de tensión, corriente y potencia de un Amplificador. (27 de mayo
de 2015). Obtenido de
http://unicrom.com/ganancia-tension-corriente-potencia-amplificador
/.
"Ganancia de tensión (Electricidad) - Glosarios." . (s.f.). Obtenido de
http://glosarios.servidor-alicante.com/electricidad/ganancia-de-tensi
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TRABAJO GRUPAL

1.1) Modelo Híbrido simplificado ​4

1.2) Configuración en base común, Colector común y Emisor común ​5

1.3) Impedancia de entrada y de salida: ​8

1.4) Ganancia de corriente, tensión y potencia ​9

2.1)Fundamentos. Curvas características , clasificación. ​11

2.4)Ganancia de Tensión. Admitancia de entrada y salida ​16

INFORME DE LABORATORIO ​18

En el presente trabajo de investigación se refiere a los transistores bipolares y los

Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente,

1.1) Modelo Híbrido simplificado

Los parámetros h de un transistor, se obtienen analizando su comportamiento a

1.2) Configuración en base común, Colector común y Emisor

1.2.1) Configuración en Base Común:

Montaje G.V Desfasaje Ze Zs

B.C ALTA 0° Baja Alta

1.2.2) Colector Común:

Montaje G.V Desfasaje Ze Zs

C.C <1 0° Alta Baja

1.2.3) Emisor Común:

La configuración de emisor común es la más usada. En él, el transistor actúa como un

Para estudiar las propiedades de este tipo de configuración vamos a basarnos en un

viene dado por b , que es un parámetro característico del transistor.

Al colocar una resistencia en un circuito estamos provocando una caida de la tensión,

Al pasar la corriente por RC se va a producir una caída de potencial; luego, la tensión

1.3) Impedancia de entrada y de salida:

La ​impedancia de entrada de una ​red eléctrica es la impedancia equivalente "vista" por

1.4) Ganancia de corriente, tensión y potencia

Ganancia de corriente o parámetro β de un transistor. La circunstancia de que una

Ganancia de potencia de lazo cuadrático con respecto a un dipolo de media onda es

Ganancia de tensión (∆V): ​La ​ganancia de tensión​ se obtiene del cociente de la

2. Transistor de efecto de campo

2.1)Fundamentos. Curvas características , clasificación.

Figura Características ideales de un JFET de canal n. ID V

Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo

- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y

- La juntura COLECTOR – BASE este polarizado inversamente.

C.- CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores tienen un código de identificación que en algunos casos especifica la

Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos,

A : Diodo (excepto los diodos túnel)

B : Transistor de baja potencia

D : Transistor de baja frecuencia y de potencia

E : Diodo túnel de potencia

F : Transistor de alta frecuencia

L : Transistor de alta frecuencia y potencia

S : Transistor para conmutación

U : Transistor para conmutación y de potencia

10 – 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.

Ejemplo : AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de

0 (cero) : Foto transistor o fotodiodo

A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)

B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)

F : Tiristor tipo PNPN

G : Tiristor tipo NPNP

Número de serie : comienza a partir del número 11

Indica un transistor mejor que el anterior

Es un transistor PNP de RF con mejores características técnicas que el 2SA186.

Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificación con el prefijo 2N

Una Fuente de Tensión de 0 a 15 V

Un transistor 2N3904 (NPN) o equivalente

9 Resistencias de ½ W: 100Ω,750Ω,910Ω, 1KΩ, 2.2KΩ, 3.3KΩ, 10KΩ, 270KΩ, 470KΩ.

Un VOM (Multímetro digital o analógico)

Al igual que la impedancia, la admitancia se puede considerar cuantitativamente

1.1) Modelo Híbrido simplificado 4

1.2) Configuración en base común, Colector común y Emisor común 5

1.3) Impedancia de entrada y de salida: 8

1.4) Ganancia de corriente, tensión y potencia 9

2.1)Fundamentos. Curvas características , clasificación. 11

2.4)Ganancia de Tensión. Admitancia de entrada y salida 16

INFORME DE LABORATORIO 18

La impedancia de entrada de una red eléctrica es la impedancia equivalente "vista" por

Ganancia de tensión (∆V): La ganancia de tensión se obtiene del cociente de la

Cuando la ganancia es negativa (menor que 0), se denomina atenuación. Así, en el