Está en la página 1de 13

SEMICONDUCTORES

ESTRUCTURA ATÓMICA

NUMERO ATÓMICO: provee información de la estructura de de los átomos de los


materiales, en otras palabras indica la cantidad de PROTONES y ELECRONES que se
conforma cada uno de los átomos.
Los Átomos se conforman de orbitas llamadas CAPAS DE VALENCIA.

El número MAXIMO de electrones que puede haber en cada capa de valencia está dada
por un la ecuación

Ne = 2(n)2
Donde n es el número de la capa.
Número Atómico del Germanio es 32
Número Atómico del Silicio es 14

Cuando varios átomos de silicio se aproximan a otros entre si se forma una estructura llamada
CRISTAL DE SILICIO.
Las capas de valencia se juntas y cada átomo comparten un electrón con los átomos vecinos

Cada electrón compartido se le conoce como:

ENLACE COVALENTE

Gilbert newton Lewis, anuncio la regla del Octeto que dice:

Que cuanto los átomos completan sus últimas capas de valencia con 8 electrones la forma que
adquiere es una estructura muy estable que no da lugar a que haya electrones libres, a este efecto
lo llamo SATURACIÓN DE VALENCIA.

Si otros átomos de silicio se unen se obtiene un CRISTAL PURO de silicio que por la regla de Lewis
no tendrá electrones libres, entonces este cristal se comporta como un AISLANTE PERFECTO donde
su resistencia es enorme.
Un Semiconductor no es un Aislante perfecto pero tampoco es un conductor por excelencia, sino
que tiene el comportamiento de ambos.

Cuando a un cristal de silicio se le éxita con energía térmica, tiene la probabilidad de haber un
electrón libre, la salida de un electrón de una de las capa de valencia de los átomos deja un vacío
deja un vacío denominado HUECO.

Que se comporta como una carga positiva, porque la salida de un electrón da lugar a un ion
negativo, este hueco atraerá a cualquier electrón que se encuentre cerca.

Si este cristal se expone a una corriente eléctrica cada hueco buscara ser APAREADO con cualquier
electrón libre que le sea más fácil atraer, entonces el cristal de silicio quedara nuevamente sin
hueco y sin ningún electrón libre.
Al cristal de un semiconductor o cristal puro se le da el también el nombre.

SEMICONDUCTOR INTRINSECO, es aquel que no da lugar a huecos ni electrones libres por lo tanto
se comporta como un perfecto aislante.

SEMICONDUCTOR EXTRINSECO, incrementa la conductividad en el semiconductor, por lo tanto


existe electrones libre, para que esta conductividad sea posible el cristal de silicio puro deberá ser
DOPADO, que significa que se introducen al cristal algunas “impurezas” que son átomos de algún
otro material que tienen que ser pentavalentes cuya estructura tiene 5 electrones en la última capa
de valencia, por ejemplo el Arsénico (As) o el Fosforo (P)
Cuantos más átomos pentavalentes (impurezas) se añadan a un semiconductor intrínseco puro más
electrones libres habrá.

Un semiconductor débilmente dopado presenta una resistencia Alta, mientras que un


semiconductor fuertemente dopado presenta una resistencia baja. A esta impureza se conoce como
IMPUREZA ACEPTADORA.

Al material compuesto por un material extrínseco, es decir dopado con impurezas pentavalente
lleva el nombre de SEMICONDUCTOR TIPO N, donde n significa negativo.

En contraparte también existe la posibilidad de DOPAR al cristal con impurezas aceptadoras


introduciendo al cristal de silicio átomos de otro materia pero trivalentes cuya estructura tiene 3
electrones en su última capa de valencia como el boro (B), aluminio (Al) y el galio (Ga) cuando

Se introduce esta trivalente al cristal intrínseco esta donara un hueco y por lo tanto se denomina
IMPURESA ACEPTADORA, porque con cada uno de los huecos que contribuye puede aceptar un
electrón libre, por loa este átomo se le denomina semiconductor tipo p donde p significa positivo.
LA UNIÓN PN, SEMICONDUCTOR TIPO P, SEMICONDUCTOR
TIPO N

Un semiconductor tipo n es un semiconductor extrínseco de germanio o de silicio dopado con


impurezas de fosforo o arsénico donan un electrón por cada átomo porque son átomos
pentavalentes.

Un semiconductor tipo n en reposo tiene muchos electrones libres y pocos huecos producto de la
emisión térmica al tener en su mayoría tiene una resistencia baja porque sus impurezas son
donadoras

Pero que sucede si polarizamos, hacemos pasar una corriente eléctrica (flojo de electrones)
Los electrones libres que son mayoría en el cristal son atraídos por la terminal positiva, y los huecos
que son minoría en el cristal se van al lado de la terminal negativa.

Es muy probable que los electrones que provienen del cable entren al semiconductor, como lo
huecos forma iones positivos atraerán a los electrones y se combinaran con ellos y llega al punto
que el semiconductor se convierte como un cristal extrínseco puro y se comporta como un aislante
perfecto con una resistencia muy alta y por lo tanto los electrones provenientes del cable ya no
pasaran través del semiconductor porque ya no hay huecos que se puedan combinar.
Semiconductor tipo p

Un semiconductor tipo p en reposo tiene muchos huecos debido a las impurezas trivalentes y unos
cuantos electrones libres producto de la emisión térmica,

Al tener es su mayoría huecos veremos

Veremos que algunos de estos huecos son atraídos por la placa negativa ayudados por los
electrones vecinos que haya, cada electrón proveniente del alambre entrara fácilmente al cristal
recombinándose con cada uno de los huecos de las impurezas trivalentes, estos electrones ya
dentro del material experimentan una fuerza de atracción con la placa positiva y para poder
continuar su camino se ayudan de los huecos, que atraen a los electrones que encuentren a su paso
entonces el semiconductor tipo p POLARIZADO se comporta como un conductor.
UNION PN

Justo donde se encuentra la unión de dichos cristales se conforma una línea llamada LÍNEA DE
UNION,

Los electrones libres al lado del material tipo n se mueven en todas direcciones (electrón libre ya
no está atado a ningún átomo) incluso alguno puede llegar a traspasar la línea de unión, y cuando
sucede.

Y cuando sucede ocurre, que a medida que algunos electrones son capaces de pasar la línea de
unión se convierten en PORTADORES MINORITARIOS porque la región n pierde estos electrones
que ahorase encuentran en el lado del material tipo p en donde están los huecos y son muchos y
los electornes que pasaron a la zona p les queda poco tiempo de vida, es decir que les queda poco
tiempo que sigan siendo electrones libres nya que los huecos los atraerán y se combinaran con ellos

Cuando esto ocurre el hueco desaparece y el electron libre se convierte en un electron de valencias,
y poco a poco estos pares van formando una zona donde se encuentran estos pares de cargas que
son iones positivos y negativos que se llama ZONA DE DEPLEXION yben os costados de esta región
se forman lo que se conoce como ZONA DE AGOTAMIENTO O EMPOBRECIMIENTO se refiere al echo
que la region cercana se queda sin portadores de carga osea electrones dal lado n y huecos del lado
p debido a que se combinaron unos con los otros

La Zona de Deplexion se forma muy rápido y es muy delgada en comparacionj con la región n y ña
región p ahora los electrones del lado n les costara mas trsbajo pasar la línea de unión para
combinarce con un hueco por que ya se interpuso una zona de deplexion.

´por supuesto que habrá algún electron que si lo logre entonces la zona de deplexion se hara mas
ancha y al ser mas ancha le cuesta mas trabajo le cuen¿sta a un electron libre de lado n atravesar la
línea de unión, cuando ningún electron logre atraveza rla line de deplexion se llega al equilibrio
entonces la zona de deplexion se convierte en una barrera para ños electrones libres del lado n.

Con este echo es mas visible la carencia de huecos del lado p cercanos a la zona de deplexion, asi
queda mas claro por que se le llama zona de empobrecimiento, y llo mismo sucesede al otro lado
con los electrones libres
Analizando lo que ocurre en las zonas de agotamiento o empobrecimiento lo ue sucvede con cada
atomo del lado n y con cada atomo del lado p

Cuando un atomo pentavalente pierde un electron libre y este atraviesa la línea de unión el atomo
queda cargado positivamente por que la cantidad de protones en el nucleo del este atomo no
cambia asi que ahora este atomo tiene un proton mas con respectro a los elecrones que deben
tener sust capas de valencia y por lo tanto queda cargado positivamente.

Cueando el electron libre se encuentra del material del tipo p el electron deja de ser libre y se
convierte en un electron de valencia de esta atomo por lo tanto este atomo queda cargado
negativamnte es decir hay más electrones en sus capas de valencia que protones en su nucle como
este echo ocurren en la vecindad de la zona de deplexion alias zona de agotamiento

Toda vez que se ha llegado al equilibrio y por la cantidad de electrones que perdieron los atomos
del material tipo n esa pequeña zona queda cargada positivamente y la zona de agotamiento de
tipo p queda cargada negativamente

Estas dos pequeñas fuerzas de carga es ovio que forman una diferencia de potencial y como lo que
se nencuentra entre estas 2 cargas se encuentran una barrea que impide que el paso de los
electrones del lado n al lado p a esa deiferencia de potencial se le denomina POTENCIAL DE BARRERA

Y se expresa en volts, cualquier electron que quiera pasar la barrea forzosamente deberá vencer a
dicho potencial de barrera