UNIVERSIDAD TÉCNICA DE MACHALA

UNIDAD ACADÉMICA DE INGENIERÍA CIVIL

CARRERA DE INGENIERÍA DE SISTEMAS

MICROPROCESADORES

ACTIVIDAD
EXTRACLASE No.
7 FECHA: 18/11/2015
SEMESTRE: Octavo

PARALELOS: “A”

ASIGNATURA: Microprocesadores

Dispositivos para decodificación y memoria en los sistemas

UNIDAD N°: 1
microprocesados
TEMA: Memorias

¿Cómo caracterizar los chips de memoria de los sistemas

PROBLEMA:
microprocesados?

Realizar una investigación bibliográfica para una adecuada

OBJETIVO: caracterización de los chips de memoria de los sistemas
microprocesados.

TIPO DE ACTIVIDAD

LUGAR ALCANCE FORMA

□ Intraclase □ Individual □ Taller □ Práctica de laboratorio

□ Extraclase □Grupal □ Síntesis, esquemas □ Práctica de clase
□ Caso de estudio □ Resolución de problemas,
CALIFICACIÓN □ Investigativa ejercicios

□ Vinculación con la colectividad □ Ensayo, artículo

□ Práctica de campo
ROLES Y RESPONSABILIDADES DE LOS PARTICIPANTES EN LA TAREA:
NOMBRES DE LOS ROLES DESCRIPCIÓN
ESTUDIANTES
Guerrero Daniel
Lovato Karina
Rivera Ruth
Armijos Cristhian
Martínez Kerly
Murillo Alex
Aguilar Carlos Investigadores Investigar información sobre
Gómez Fernando memorias volátiles y no volátiles
Bravo Jonnathan
Rodríguez Jhonathan
Roa William
Gavilánez Ramiro
Tobar Luis
Tinoco Ericka
1. DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD

1.1 Organizarse en dos grupos por paralelo, nombrando al compañero que actuará como líder del trabajo investigativo

1.2 Completar la información solicitada en la siguiente tabla, de al menos 10 chips de memoria volátil y no volátil, de
preferencia de encapsulado tipo DIP.

NRO.
TIPO VOLTAJ
DE BUS DE BUS DE
DE E DE SEÑALES
DENOMINACIÓN PINES DATOS DIRECCIO CAPACIDAD
ENCAP ALIME DE IMAGEN INVESTIGADOR
O (# de NES (# de DE MEMORIA
SULAD NTACI CONTROL
CONTA bits) bits)
O ÓN
CTOS.

VPP |
OE |
CE/P |
24 DIP 5v 8 bits 11 bits 16Kb Martínez Kerly
EPROM 27C16B GND |
VCC

NC | OE
| CE |
EEPROM 28C64A 28 DIP 5V 8 bits 13 bits WE| 64Kb Martínez Kerly
GND |
VCC

VPP |
OE | CS
EPROM 27256 28 DIP 5V 8 bits 15 32kb Murillo Alex
GND |
VCC
 VPP |
OE | CS
EPROM 2764 28 DIP 5V 8 BITS 13 GND | 64kb Murillo Alex
VCC |
P|NC

OUT
ENABLE
- CHIP
EPROM 27512 28 DIP 5v 8 13 512 k Carlos Aguilar
ENABLE
Y PRO
LOGIC

CHIP
SELECT
0,3 a Y
EPROM 2708 24 DIP 8 10 8k Carlos Aguilar
20v PROGR
AM
ENABLE

VPP -
-0.6V
VSS -
EPROM M27128A 28 DIP a 8 14 128K Gómez Fernando
VCC -
6.25v
OE - CS

PDIP CE - OE
PLCC 5V ± - VCC -
EPROM NM27C010 32 8 16 128K Gómez Fernando
CERD- 10% GND
IP XX/VPP
 No (2048 x 8)
EEPROM 28C16A 24 DIP 5V 8 bits 8 bits especif o 16384 Bravo Jonathan
ca bits

No
ROM 23128A 28 DIP 5V 8 bits 8 bits especif 16384 bits Bravo Jonathan
ca

1,8 CE1,
Rodríguez
SRAM ISSI IS62C1024AL- 32 SOP V/3,3 8 bits 17 bits CE2, 1 Mbit Jhonathan
35QLI V/5 V OE, WE

3
TSO V/3.3 32 DQ0 - Rodríguez
SDRAM IS42S32200E-7TL 86 13 bits 64 Mbit
P V/3.6 bits DQ31 Jhonathan
V

VDD,
3V - VSS,
SDRAM IS42S16160 54 TSOP 16bit 15bit 256Mbit Roa William
3,6V DQML
DQMH

CE,
R/W,
4,5 -
SRAM CY7C131E-55JXC 52 PLCC 8bit 10bit OE, 8Kbit Roa William
5,5V
BUSY,
INT
 SIM 125Mh
72 5.0V 32 32 1M Gavilánez
DRAM THM321000ASG70 M z Adrián

2X
DIM 2.20 2 X 512 800MH Gavilánez
DDR2 BL2KIT6464AL804 240 512 1GB
M V MB Z Adrián
MB

VPP |
OE | CE
24 DIP 5v 8 bits 8K 1 Mb Tobar Luis
EPROM AT27C080 | GND
| VCC

CS | SO
| SI |
2.7- 32 SCK |
SRAM 23K256 8 DIP 8 bits 256 Kbit Tobar Luis
3.6V Byte HOLD |
VCC |
VSS

28 2,7 –
SRAM AS6C6264-55PCN pines
DIP
5,5 V
8 bits 8 bits CS Tinoco Ericka
64 Kbits

44 3,13 –
SRAM IS61LV25616AL pines
TSOP
3,6 V
16 bits 16 bits CS
4Mbit Tinoco Ericka
 En base a la información recopilada en el ítem anterior, responder a
las siguientes interrogantes:

1.3 .- ¿Cuáles de los chips de memoria consultados serían compatibles con el

microprocesador 8085?

EPROM NM27C010 5v, 8 bits de datos y 16 líneas de direcciones, ya que es el

único chip que coincide con el número de bits de datos y de direcciones del
microprocesador 8085, ya que este cumple con la función de multiplexor utilizando
8 de sus patillas de dirección como bus de datos ya que cuenta con pines que
permiten saber cuándo se envía o se recibe a datos.

1.4 .- ¿Por qué razón son compatibles con el microprocesador 8085 los chips
anteriormente indicados?

Se debe conocer el número de bits del bus de datos y direcciones del

microprocesador a utilizar, para que las memorias a utilizarse sean compatibles
con el mismo, también es importante el voltaje y el tipo de encapsulado de ambos
dispositivos.

1.5 .- ¿Cuáles de los chips de memoria consultados no son compatibles con el

microprocesador 8085?

De los chips consultados, no son compatibles con el microprocesador 8085 los

siguientes:

- SRAM ISSI IS62C1024AL-35QLI

- DRAM THM321000ASG70
- DDR2 BL2KIT6464AL804
1.6 .- ¿Por qué razón no son compatibles con el microprocesador 8085 los chips
anteriormente indicados?

No pueden son compatibles por el bus de datos ya que el 8085 solo cuenta con 8
bits y 16 bits para las direcciones por ya que su memoria eeprom interna no puede
ejecutar más de su ancho de palabra. .

1.7 .- Si se requieren contar con una capacidad de 16 KB para memoria de datos

y una capacidad de 8 KB para memoria de programa, en un sistema
microprocesado cuyo microprocesador es el 8085. ¿Qué chips de los
consultados utilizaría?

Se utilizaría una memoria SRAM AS6C6264-55PCN ya que nos permitiría

aumentar la capacidad del circuito microprocesado donde nos permitirá almacenar
temporalmente programas y datos que se están manipulando durante un proceso
esta SRAM AS6C6264-55PCN tiene una capacidad de memoria de datos de
64kbit y una capacidad de memoria de programa de 64kbit
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
1.8 CONCLUSIONES
 Finalmente podemos concluir diferenciando entre las memorias volátil y no volátil.
La volátil requiere de energía para poder almacenar información, mientras que la
no volátil no requiere estar conectada a una fuente de energía para retener los
datos.
 En la memoria volátil el contenido del dispositivo debe de ser refrescado
continuamente para evitar la pérdida de datos. La memoria RAM y la memoria
cache de los procesadores son algunos ejemplos de memorias volátiles. Por esta
razón es que la RAM se ensambla con unos condensadores que almacenan carga
temporal para que no se pierdan la información guardada.
 Por otra parte, las memorias no volátiles no requieren restauración para su
correcto funcionamiento. Algunos ejemplos que podemos nombrar son las
memorias ROM, memorias flash, ópticas y dispositivos de almacenamiento
magnéticos.
2.2 RECOMENDACIÓN
 Se recomienda que para establecer las diferencias entre tipos de memorias
debemos considerar las características que define cada tipo, de acuerdo a las
necesidades de la práctica se escogerá el tipo de encapsulamiento, en nuestro
caso hemos hecho previo énfasis a las memorias del tipo DIP (Dual In line
Package) ya que este tipo de encapsulado consiste en almacenar un chip de
memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado,
siendo está una particularidad para ser insertado en un protoboard, facilitando el
uso práctico en laboratorio.

2. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

Memorias no volátiles
EPROM 27C16B

 FAIRCHILD. (ENERO de 1999). ALLDATASHEET. Obtenido de

http://html.alldatasheet.com/html-
pdf/54281/FAIRCHILD/NMC27C16BQ/823/2/NMC27C16BQ.html

EEPROM 28C64A

 MICROCHIP. (07 de DICIEMBRE de 2004). MICROCHIP.COM . Obtenido

de http://www.microchip.com/K

EPROM 27256
  STMicroelectronics. (2000). www.st.com. Obtenido de
http://www.futurlec.com/Memory/27256_Datasheet.shtml
EPROM 2764

 STMicroelectronics. (2000). www.st.com. Obtenido de

http://www.futurlec.com/Memory/2764_Datasheet.shtml

EPROM 27512

 Intel. (s.f.). Alldatasheet. Obtenido de http://html.alldatasheet.com/html-

pdf/157881/INTEL/27512/148/1/27512.html

EPROM 2708

 Electronics, N. (s.f.). NTE Electronics. Obtenido de

http://www.nteinc.com/specs/2700to2799/pdf/nte2708.pdf

EPROM M27128A

 STMicroelectronics. (Noviembre de 2000). Data Sheet Catalog. Obtenido

de http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/stmicroelectronics/2374.pdf

EPROM NM27C010

 FairChild. (Pctubre de 1998). All DataSheet. Obtenido de

http://html.alldatasheet.com/html-
pdf/54255/FAIRCHILD/27C010/815/2/27C010.html

EEPROM 28C16A

 2015, DataShep, www.datashep.com,

http://www.icpdf.com/icpdf_datasheet_6_datasheet/28C16A-20I-
J_pdf_1294405/28C16A-20I-J_datasheet.html

ROM 23128A

 2015, DataSheeArchive, www.datasheearchive.com,

http://pdf.datasheetarchive.com/datasheetsmain/Datasheets-
112/DSAP0044857.pdf

Memorias volátiles
SRAM ISSI IS62C1024AL-35QLI

 ATMEL. (2014). Memoria SRAM ISSI IS62C1024AL-35QLI 1Mbit, SOP, 32

pines, Máximo de +5 V. Recuperado: 16 de Noviembre de 2015, de RS
Sitio web: http://pt.rs-online.com/web/p/chips-de-memoria-sram/8115191/

SDRAM IS42S32200E-7TL

 Electronic Components Database. (2012). Memoria SDRAM IS42S32200E-

7TL Datasheet. 16 de Noviembre de 2015, de DigChip.com Sitio web:
http://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/241/IS42S32200E-
7TL.php

SDRAM IS42S16160

 ISSI. SDRAM IS42S16160 (Diciembre 2013). Disponible en:

http://docseurope.electrocomponents.com/webdocs/1313/0900766b813136
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SRAM CY7C131E-55JXC

 CYPRESS PERFORM. SRAM CY7C131E-55JXC (Enero 2014). Disponible

en:http://docseurope.electrocomponents.com/webdocs/1335/0900766b813
35356.pdf

DRAM THM321000ASG70

 ARCHIVE, D. (2015). Shortform thm321000asg70 Datasheets. Obtenido de

http://www.datasheetarchive.com/shortform-datasheet/THM321000ASG70.html
DDR2 BL2KIT6464AL804

 Electrobyt. (2015). Electrobyt.com: Crucial BL2KIT6464AL804 1GB (2 x 512MB Kit)

Ballistix Tracer CL4 800MHz PC2-6400 240-pin DIMM, Non-ECC DDR2 Desktop
Memory Full Technical Specs and Reviews. Obtenido de
http://www.electrobyt.com/index.php?
main_page=product_info&cPath=2_15_187&products_id=6060&zenid=d508fc81c
cf92052c18b9abea0376ff3#.VksxPXYrJD9

EPROM AT27C080

 Electronic Components. (17 de Noviembre de 2015). Electronic Components

Datasheet Search. Obtenido de http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/56131/ATMEL/27C080.html

SRAM 23K256
  Microchip. (17 de Noviembre de 2015). Microchip Corporation. Obtenido de
http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/22100D.pdf
SRAM AS6C6264-55PCN

 8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM. (2007) (1st ed., pp. 1-12). Retrieved from
http://www.mouser.com/ds/2/12/AS6C6264-220062.pdf

SRAM IS61LV25616AL

 IS61LV25616AL. (2011) (1st ed., pp. 1-12). Retrieved from http://docs-

europe.electrocomponents.com/webdocs/0a59/0900766b80a59c87.pdf