Guía LEDs: voltajes y características

TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO
Instituto Tecnológico de Mazatlán
INGENIERÍA ELECTRÓNICA
MANUAL DE PRÁCTICAS DE LA MATERIA
OPTOELECTRÓNICA
CLAVE DE LA ASIGNATURA: ETF-1023
http://electronica.itmazatlan.edu.mx/
PRÁCTICA # 1
EL LED
OBJETIVO
Identificar las diferencias entre los Diodos emisores de luz, de acuerdo a su construcción y características en general, denotadas por los voltajes de polarización
correspondientes.
INTRODUCCIÓN
Un diodo emisor de luz, también conocido como LED (acrónimo del inglés de Light-Emitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz
incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN del mismo y circula por él una corriente eléctrica. Este fenómeno es una forma
de electroluminiscencia. El color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la construcción del diodo y puede variar desde el ultravioleta,
pasando por el visible, hasta el infrarrojo.
El funcionamiento físico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrón al pasar de la banda de conducción a la de valencia, pierde
energía; esta energía perdida se puede manifestar en forma de un fotón desprendido, con una amplitud, una dirección y una fase aleatoria. El que esa energía
perdida cuando pasa un electrón de la banda de conducción a la de valencia se manifieste como un fotón desprendido o como otra forma de energía (calor por
ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona p se
mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse, es decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel
energético superior a otro inferior más estable. Este proceso emite con frecuencia un fotón en semiconductores de banda prohibida directa o "direct bandgap" con
la energía correspondiente a su banda prohibida (véase semiconductor). Esto no quiere decir que en los demás semiconductores (semiconductores de banda
prohibida indirecta o "indirect bandgap") no se produzcan emisiones en forma de fotones; sin embargo, estas emisiones son mucho más probables en los
semiconductores de banda prohibida directa (como el Nitruro de Galio) que en los semiconductores de banda prohibida indirecta (como el Silicio). La emisión
espontánea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los diodos y sólo es visible en diodos como los LEDs de luz visible, que tienen una disposición
constructiva especial con el propósito de evitar que la radiación sea reabsorbida por el material circundante, y una energía de la banda prohibida coincidente con
la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energía se libera principalmente en forma de calor, radiación infrarroja o radiación ultravioleta. En el caso
de que el diodo libere la energía en forma de radiación ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiación para producir radiación visible, mediante
sustancias fluorescentes o fosforescentes que absorban la radiación ultravioleta emitida por el diodo y posteriormente emitan luz visible.
El dispositivo semiconductor está comúnmente encapsulado en una cubierta de plástico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean
en las lámparas incandescentes. Aunque el plástico puede estar coloreado, es sólo por razones estéticas, ya que ello no influ ye en el color de la luz emitida.
Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razón por la cual el patrón de intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el LED; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de
operación va desde 1,8 hasta 3,8 volts aproximadamente (lo que está relacionado con el material de fabricación y el color de la luz que emite) y la gama de
intensidades que debe circular por él varía según su aplicación. Valores típicos de corriente directa de polarización de un LED corriente están comprendidos entre
los 10 y los 40 mA. En general, los LEDs suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por ellos, con lo cual, en su operación de forma
optimizada, se suele buscar un compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto más grande es la intensidad que circula por ellos) y la
eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos).
MATERIAL Y EQUIPO
10 LEDs de diferentes tamaños y colores

Protoboard
Fuente de alimentación
Resistencias
Protoboard
Multímetro
PROCEDIMIENTO
Para conectar LEDs de modo que iluminen de forma continua, deben estar polarizados directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de alimentación
conectada al ánodo y el polo negativo conectado al cátodo. Además, la fuente de alimentación debe suministrarle una tensión o diferencia de potencial superior a
su tensión umbral. Por otro lado, se debe garantizar que la corriente que circula por ellos no excede los límites admisibles (Esto se puede hacer de forma sencilla
con una resistencia R en serie con los LEDs).
5V
Se probará cada uno de los 10 LEDs para determinar el voltaje de operación, llenando una tabla como la siguiente con los respectivos valores medidos.
LED (Características físicas) Voltaje de polarización

(V)
CONCLUSIONES
REFERENCIAS
Singh. Optoelectronics. Ed. McGraw-Hill
Watson. Optoelectrónica. Ed. LIMUSA
Kasap. Optoelectronics and photonics. Ed. Prentice-Hall
RÚBRICA
CRITERIOS DEFICIENTE REGULAR BIEN EXCELENTE PUNTOS OBTENIDOS

(12 PUNTOS) (18 PUNTOS) (20 PUNTOS) (25 PUNTOS)
TRABAJO EN EQUIPO No se presentó Se presentó pero no Se presentó puntualmente Se presentó puntualmente
puntualmente ni colaboró colaboró debidamente en y colaboró en el desarrollo y tuvo un papel
en el desarrollo de la el desarrollo de la práctica. de la práctica. desatacado en el
práctica. desarrollo de la práctica.
ESTRUCTURACIÓN Y No presenta cálculos y/o Presenta cálculos y/o Presenta cálculos y Presenta cálculos y
CONTENIDO diagramas. Redacción muy diagramas. Redacción diagramas. Redacción diagramas. La redacción
deficiente y poco clara. deficiente. clara. del informe y presentación
de resultados es
sobresaliente.
CONCLUSIONES No presenta. Redacción deficiente y Buena redacción aunque Excelente redacción.
poco clara. pudo ser más amplia.
PRESENTACIÓN DEL Presenta un formato de Limpieza en la Limpieza en la Limpieza en la
REPORTE reporte poco adecuado. presentación. Hasta 10 presentación. Menos de 10 presentación. Sin faltas de
Faltas de ortografía en faltas de ortografía. faltas de ortografía. Buen ortografía. Excelente
exceso. Manejo Manejo regular de las TIC. manejo de las TIC. manejo de las TIC.
inadecuado de las TIC.
TOTAL PUNTOS
PRÁCTICA # 2
DETECTOR DE OSCURIDAD Y DETECTOR DE LUZ
OBJETIVO
Analizar el funcionamiento de una fotorresistencia en la aplicación de un detector de luz y oscuridad .
INTRODUCCIÓN
Una fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede también ser llamado
fotorresistor, fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su nombre en inglés light-dependent resistor. Su
cuerpo está formado por una célula o celda y dos patillas. En la siguiente imagen se muestra su símbolo eléctrico.
El valor de resistencia eléctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él (puede descender hasta 50 Ω) y muy alto cuando está a oscuras (varios
MΩ).
Un fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta
frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar la banda de conducción. El
electrón libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia.
Las células de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su resistencia según la cantidad de luz que incide la célula. Cuanta más
luz incide, más baja es la resistencia. Las células son también capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y
ultravioleta (UV).
La variación del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR
en aplicaciones en las que la señal luminosa varía con rapidez. El tiempo de respuesta típico de un LDR está en el orden de una décima de segundo. Esta lentitud
da ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rápidas de iluminación que podrían hacer inestable un sensor (ej. tubo fluorescente alimentado
por corriente alterna). En otras aplicaciones (saber si es de día o es de noche) la lentitud de la detección no es importante.
Se fabrican en diversos tipos y pueden encontrarse en muchos artículos de consumo, como por ejemplo en cámaras, medidores de luz, relojes con radio,
alarmas de seguridad o sistemas de encendido y apagado del alumbrado de calles.
MATERIAL Y EQUIPO
 LM555
 Fotorresistencias
 Resistencias de 47 kΩ, 1 kΩ, 10 kΩ, 60 kΩ
 Capacitores cerámicos de 0.05 μF, 4.7 μF
 Bocina de 8 Ω
 Protoboard
 Fuente de alimentación de 9 V
PROCEDIMIENTO
Construir el siguiente circuito detector de luz, tal y como se muestra en la figura:
9v
10 kΩ
47 kΩ 8
7 4
1 kΩ 6 LM555 3
4.7 µF
0.05 µF 8Ω
Al recibir luz en la fotorresistencia, se escucha un sonido en la bocina, esto quiere decir que al detectar la luz, provoca que el
LM555 trabaje como una especie de alarma, proyectándolo en la bocina.
Ahora, se deberá construir el siguiente circuito, que corresponde a un detector de oscuridad.
9v
60 kΩ
47 kΩ 8
4
7
1 kΩ 6 LM555
3
4.7 µF
0.05 µF 8Ω
Este circuito, es el caso contrario del anterior, es decir que al no percibir luz la fotorresistencia, la bocina emitirá un sonido. Es por
eso que se le nombra como un detector de oscuridad.
CONCLUSIONES
REFERENCIAS
Mims. Notas de Electrónica. Ed. McGraw-Hill.
RÚBRICA

de resultados es
sobresaliente.
TOTAL PUNTOS
PRÁCTICA # 3
SENSOR AUDIBLE DE LUZ
OBJETIVO
Analizar el funcionamiento a diferentes frecuencias de una fotocelda, incluida en un circuito que emite alarmas distintas dependiendo de la ubicación de la luz
detectada.
INTRODUCCIÓN
Los sensores se utilizan usualmente en aplicaciones que utilicen luz visible o luz infrarroja, algunos sensores responden a ambos tipos de luz, obviamente
no de la misma manera. En el caso de los semiconductores, por lo general se atenúa el efecto de la luz visible sobre el sensor adecuando a estos filtros ópticos.
longitudes de onda del espectro visible
ultravioleta violeta azul verde amarillo naranja rojo infrarrojo
400 nm 500nm 600nm 700nm 800nm
Existen en la actualidad una gran cantidad de “fotoelementos” que se utilizan día a día en las más variadas aplicaciones electrónicas entre los más comunes
se encuentran las fotorresistencias, los fotodiodos, los fototransistores, los detectores de infrarrojo, los detectores piroeléctricos, los sensores reflectivos y las celdas
fotovoltaicas.
Las fotorresistencias, son sensores que se basan en la variación de la resistencia eléctrica de un semiconductor al incidir en la radiación óptica (radiaciones
electromagnéticas con longitud de de onda entre 1 y 10 mm). Generalmente aumentan su valor desde pocos Ω hasta cientos de kΩ cuando disminuye drásticamente
la cantidad de luz recibida. Generalmente los materiales utilizados en su construcción son sulfuro de cadmio (CdS) y seleniuro de cadmio (CdSe).
La conductividad eléctrica de un material depende del número de portadores en la banda de conducción. En un semiconductor, a baja temperatura la
mayor parte de sus electrones están en la banda de valencia, y se comporta casi como un aislante. Al aumentar la temperatura, y con ella la agitación de los
electrones, dado que las bandas de valencia y de conducción están próximas (a diferencia de lo que sucede en un aislante), cada vez hay más electrones que
saltan de la banda de valencia a la de conducción, aumentando la conductividad. Si el semiconductor está dopado, este salto es aún más fácil.
La energía necesaria para producir el salto puede venir de otras fuentes externas además del calor, como pueden ser una radiación óptica o una tensión
eléctrica.
Resistencia 
[ ]
100 k
10 k
1k
100
10
Intensidad Luminosa [Lux]

10 10k
Ejemplo de curva de respuesta de una LDR
En la zona visible (0.38 a 0.75 µm) y del infrarrojo muy cercano (0.75 a 1.4 µm) se emplean compuestos de cadmio (SCd, SeCd, TeCd). En la zona del
infrarrojo cercano (1.4 a 3 µm) se emplean compuestos de plomo (SPb, SePb y TePb). En la zona del infrarrojo medio (3 a 14 µm) y lejano (hasta 1 mm) se emplean
compuestos de Indio (SbIn y AsIn), telurio y aleaciones de telurio, cadmio y mercurio, así como silicio y germanio dopados.
Algunas aplicaciones de las LDR comunes son la medición del nivel de luminosidad con poca precisión y a bajo costo, control automático de brillo y contraste
en receptores de TV, el control de iluminación en alumbrado público, control de diafragmas de cámaras fotográficas, detectores de fuego, detectores de presencia
o posición y medidas de nivel de depósitos.
MATERIAL Y EQUIPO
 2 Fotorresistencias
 Capacitores cerámicos de 4.7 μF, 0.1 μF
 Resistencias de 1 kΩ, 100 kΩ, 470 Ω
 Bocina de 8 Ω
 LM741
 Potenciómetro de 50 kΩ
 Protoboard
 Fuente de alimentación de 9 v
PROCEDIMIENTO
Armar el siguiente circuito:

FT1
1 kΩ
0.1 µF
50 kΩ
4.7 µF
100 kΩ 470 Ω
8Ω
FT2
El amplificador operacional, estará conectado a + 9 y – 9 volts respectivamente. Al aplicar luz sobre la fotorresistencia 1, el sonido que emite la bocina
tendrá una frecuencia de tono diferente a la que se obtiene al aplicar luz a la otra fotorresistencia. De igual manera, al aplicarla en ambas.
CONCLUSIONES
REFERENCIAS
RÚBRICA

de resultados es
sobresaliente.
TOTAL PUNTOS
PRÁCTICA # 4
COMUNICADOR INFRARROJO DE VOZ
OBJETIVO
Construir un Tx-Rx de voz, que realice su función por medio de luz infrarroja.
INTRODUCCIÓN
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea
correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos
se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el
cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Un fotodiodo es una unión P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energía llega al diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un
hueco con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados de la
unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama polarización directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica
y prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la
juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el
diodo es excitado por la luz.
Fotodiodos de avalancha. Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga
fotogenerados el ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo.
El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la
luz visible (longitud de onda de hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 µm); o de cualquier otro material semiconductor.
Material Longitud de onda (nm)
Silicio 190–1100
Germanio 800–1700
Indio Galio Arsénico (InGaAs) 800–2600
Sulfuro de Plomo <1000-3500
También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 µm), pero estos requieren
refrigeración por nitrógeno líquido.
Antiguamente se fabricaban exposímetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia.
A diferencia del LDR, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y puede utilizarse en circuitos
con tiempo de respuesta más pequeño.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la información grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz láser reflejado en el mismo en impulsos
eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
MATERIAL Y EQUIPO
 2 TL084
 2 Bocinas de 8 Ω
 1 LED infrarrojo
 1 Fototransistor
 1 Transistor BC337
 1 LM741
 Resistencias de 1 kΩ, 10 kΩ, 220 Ω, 100 kΩ
 1 Potenciómetro de 10 kΩ
 Capacitores electrolítico de 220 µF, 0.1 µF
PROCEDIMIENTO
Construir el siguiente circuito transmisor:
9v
100 kΩ
1 kΩ
220 kΩ
220 µF 1 kΩ
0.1 µF
10 kΩ
BC337
TL084
Micrófono 10 kΩ
1 kΩ IR
El micrófono, es simplemente una bocina de 8 Ω. El TL084, se alimenta con una fuente de voltaje de 9 volts. Ahora anexaremos otra etapa que es la del
receptor.
100 kΩ
220 Ω 0.1 µF 1 kΩ
TL084
Después de esto, puede ir conectada la salida del TL084 directamente a una bocina, pero para que sea más eficaz se agregará una etapa de amplificación,
tal y como se muestra en el siguiente circuito.
100 kΩ
1 kΩ
LM741
100 kΩ 8Ω
Se recomienda hacer uso de lentes o lupas para dirigir la luz del LED IR hacia el fototransistor, para lograr así, una mejor recepción en éste.
CONCLUSIONES
REFERENCIAS
RÚBRICA

de resultados es
sobresaliente.
TOTAL PUNTOS
PRÁCTICA # 5
MEDICIÓN DE DISTANCIAS UTILIZANDO LÁSER

OBJETIVO
Aprender la técnica para medir distancias por triangulación usando un LR o dos LR.
INTRODUCCIÓN
La palabra láser es resultado de un acrónimo en inglés (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation) que se utiliza para referirse a la luz coherente
generada por dispositivos, que en nuestro caso estudiamos, construidos a base de semiconductores de banda directa con técnicas de integración especiales
basadas en cavidades ópticas para producir luz monocromática y direccionada.
La gama de usos de los láseres es sorprendente, hasta el punto de que alcanza una extensión mucho más amplia que la concebida originalmente, por los
científicos que diseñaron los primeros modelos. También resulta sorprendente la gran variedad de láseres existentes.
Una de las aplicaciones más comunes hoy día, es como fuente de luz para comunicaciones a través de fibra óptica, aunque existen otras muchas aplicaciones
sumamente importantes tales como el uso de láser en cirugía o como auxiliar en la medición de distancias. Es en ésta última aplicación donde se centra esta
práctica.
MATERIAL Y EQUIPO
2 apuntadores láser
Disco giratorio
Transportador
Cinta métrica
PROCEDIMIENTO
Construya el sistema mostrado en la siguiente figura:
Pared o
pantalla
A B


Eje óptico
2 1
C
Posteriormente, apunte la luz del láser hacia una pared, desde la posición 1. Elija un punto de referencia sobre ella. Mida el ángulo que forma el haz con el eje
óptico. Desplace el láser a lo largo del eje óptico en una distancia C. Oriente el láser para iluminar el punto de referencia desde el punto 2. Mida el ángulo 
nuevamente respecto al eje óptico.
De estas tres mediciones, es posible conocer las distancias A y B según la figura antes mostrada. Se utilizan las siguientes ecuaciones para el cálculo de distancias:
Distancia A = [C sen (180-)] / sen ()
Distancia B = [C sen ] / sen ()
Los resultados concuerdan muy bien con las mediciones directas. También se pueden utilizar dos apuntadores láser girando uno en la dirección  y el otro en la
dirección .
CONCLUSIONES
REFERENCIAS
Altamirano. Sesenta experimentos de óptica clásica y moderna con apuntador laser. IPN México.
RÚBRICA

de resultados es
sobresaliente.
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longitudes de onda del espectro visible

ultravioleta violeta azul verde amarillo naranja rojo infrarrojo

400 nm 500nm 600nm 700nm 800nm

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Intensidad Luminosa [Lux]

Ejemplo de curva de respuesta de una LDR

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Antiguamente se fabricaban exposímetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia.

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Construir el siguiente circuito transmisor:

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Distancia A = [C sen (180-)] / sen ()

Distancia B = [C sen ] / sen ()

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