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I. INTRODUCCIÓN
mediante un barrido logarítmico de frecuencias, y un potenciómetro cuyo valor fuera cercano a la resistencia
posteriormente se obtuvieron sus valores de ganancia 𝐴𝑣 , equivalente definida por las dos resistencias utilizadas para la
impedancia de entrada 𝑍𝑖 e impedancia de salida 𝑍𝑜 para polarización del transistor en el divisor de tensión de la
condiciones normales de operación. compuerta.
Un aspecto importante previo a la realización de las De manera similar para la medición de la impedancia de
mediciones fue verificar la naturaleza inversora de este tipo de salida 𝑍𝑜 se desconectó la resistencia de carga 𝑅𝐿 , y se
amplificador (i.e. la señal de salida se encuentra desfasada observó su ganancia en circuito abierto. Posteriormente se
180º respecto a la señal de entrada). ubicó un potenciómetro cuyo valor fuera cercano al valor de
𝑅𝐷 , y se varió su valor hasta obtener una ganancia cuyo valor
fuera la mitad de la ganancia en circuito abierto.
TABLA II
PARÁMETROS AC: AMPLIFICADOR DE FUENTE COMÚN
La tabla anterior permite inferir que existe una relación El amplificador de drenaje común suele ser un diseño cuyo
inversamente proporcional entre la ganancia y la frecuencia, objetivo no es amplificar sino actuar como un adaptador de
que sin embargo solo se hace relevante para frecuencias impedancias. Esto es recibir una señal de alta impedancia y
superiores a 100KHz. producir una señal con una amplitud similar pero con baja
impedancia. Por esta razón los valores de ganancia para este
Teniendo en cuenta lo anterior, para la medición de los amplificador siempre son menores a 1 [V/V].
parámetros de ganancia e impedancias se optó por realizar la
medición a una frecuencia de 10KHz. A continuación se presenta el diseño formulado para una
resistencia de carga de 220 [] y una señal de entrada con
Para la medición de la impedancia de entrada 𝑍𝑖 se utilizó amplitud de 200 [mV].
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Fig. 4. Señal de entrada y señal de salida: Amplificador de drenaje común. Lo anterior implica que para obtener amplificación de
potencia se hace necesaria la utilización de dos etapas de
A continuación se presentan los resultados obtenidos para la amplificación, una para la ganancia en voltaje y otra para la
respuesta en frecuencia del amplificador y para los valores de ganancia en corriente mediante una impedancia de salida baja
impedancias asociados al mismo. (esta segunda etapa se suele conocer como acople de
impedancias).
debe a que la señal de entrada ingresa por la fuente del Un aspecto significativo respecto al barrido en frecuencia
transistor y no por la compuerta del mismo. realizado fue el hecho de que a medida de que la frecuencia
aumentaba se empezaba a evidenciar un desfase entre la señal
A continuación se presenta el diseño formulado para un de entrada y la salida.
amplificador de compuerta común con una ganancia
aproximada de 2 [V/V].
TABLA VI
PARÁMETROS AC: AMPLIFICADOR DE COMPUERTA COMÚN
de bajo nivel de 200 [mV], valor que no implica mucho riesgo V. BIBLIOGRAFÍA
en cuanto a sacar al transistor de la zona de saturación. Sin
embargo si existiera la necesidad de amplificar una señal de
mayor amplitud sería necesario considerar otros valores de [1] A. Sedra, K. Smith, “Circuitos Microelectrónicos”, Cap. 5,
polarización y posiblemente otros valores de ganancia. Transistores de efecto de campo, 4ª Edición, McGraw Hill, 1998, pp.
369-465.
Teniendo en cuenta lo anterior, debido a que los diseños
[2] R. Boylestad, L. Nashelsky, “Electrónica: Teoría de circuitos y
implementados utilizaban un valor 𝑉𝑑𝑑 que se podría
dispositivos electrónicos,” Cap. 8 Amplificadores con FET, 10ª
considerar alto (mayor a 12 voltios), fue posible aumentar el Edición, Pearson Educación, 2009, pp.472-528.
nivel de la señal de entrada de manera significativa sin sacar el
transistor de la zona de saturación, mas con el inconveniente [3] Guía de laboratorio: Curso Electrónica Análoga, “Transistores
de ingresar un componente de distorsión armónica al sacar al MOSFET en circuitos amplificadores”, Universidad Nacional de
transistor de su zona de operación lineal. Colombia, Facultad de Ingeniería, Departamento de Ingeniería
Eléctrica y Electrónica, 2014.
IV. CONCLUSIONES