UNIVERSIDAD TECNICA DEL NORTE

Trabajo de Electrónica
Nombre: Cristian España Inagán
Carrera: Ingeniera Mecatrónica
Fecha: 14/01/18

El Transistor FET de canal P

El FET de juntura o JFET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal
semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.
El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo P, a la cual se le adicionan dos regiones
con impurezas tipo N llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal
es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el
camino obligado de los electrones se llama “canal”.

• Para un JFET de canal p, VGS puede variar positivamente desde cero hasta VGS(corte).
• El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n; siendo por tanto necesaria su
polarización de puerta también inversa respecto al de canal n.
• La operación básica de un JFET de canal p es igual a la de un dispositivo de canal n excepto,
porque un JFET de canal p requiere un VDD negativo y un VGS positivo

Referencias

[1] H. Hambley, Electrónica, Pearson Educación, 2001.

[2] Floyd, Dispositivos electrónicos, México: Pearson Educación, 2008.