Curva característica del transistor

Chavarro Sampayo Harlam 1, Llanos Ochoa Johan2, López Serna Kevin 3, Sierra Escorcia Daniel 4, Terán Pájaro
Carlos 5

1, 2, 3, 4,5 Estudiantes de Ingeniería Mecánica, Universidad del Atlántico.

Resumen

En esta experiencia se estudió cada aspecto funcional del transistor, sus características y parámetros que
permiten identificarlo como elemento o como parte de un conjunto funcional y/u operativo, en el caso trabajado
se utilizó un transistor NPN, se identificaron sus características físicas y operativas según su hoja de datos, luego
se verifico su cumplimiento por método experimental, a través de la medición de tensiones del circuito, y
medición del transistor utilizando el multímetro, para verificar la posición de la Base, Emisor y Colector, luego
toda la información se contrasto con valores teóricos y simulaciones, para fortalecer los conceptos estudiados.

Palaras claves: NPN, transistor, contraste, características.

Abstract

In this experiment was studied each functional aspect of the transistor, its characteristics and parameters
enabling element or as identified as part of a functional group and / or operating, in the working case an NPN
transistor is used studied, their physical and operational characteristics were identified as your data sheet, then
compliance is verified by experimental method through measuring circuit voltages, and measurement of
transistor using multimeter to verify the position of the base, emitter and collector, then all the information is
contrasted with theoretical values and simulations, to strengthen the concepts studied.

Keywords: NPN, transistor, contrasting, characteristics

Introducción Marco Teórico

El transistor es un dispositivo electrónico Un transistor es un componente que tiene,

semiconductor, desarrollado para reemplazar la básicamente, dos funciones: deja pasar o corta
tecnología de tubos al vacío, al ser implementados señales eléctricas a partir de una pequeña señal de
mejoraron el rendimiento y la eficiencia de los mando. Además también Funciona como un
circuitos donde fueron instalados, además que elemento Amplificador de señales.
mejoro la confiabilidad, generando que el Pero el Transistor también puede cumplir
desarrollo industrial y tecnológico creciera; este funciones de oscilador, conmutador o rectificador.
elemento permite obtener señales de salida Un transistor puede tener 3 estados posibles en su
controlando una señal de entrada, sus funciones trabajo dentro de un circuito:
son variadas, y los requisitos para su
implementación son sencillos, lo que permite la En estado activo, corte y saturación. En el estado
versatilidad, son elementos económicos gracias a activo deja pasar más o menos corriente, en corte no
sus proceso de normalización industrial, lo que
permite una fácil obtención.
deja pasar la corriente y en saturación deja pasar Este factor es una pro-piedad de cada transistor y
toda la corriente. por lo general opta en un valor en el rango de 50 a
1000.
Las corrientes en un transistor son 3, corriente de En base al factor de ganancia de emisor común, es
base Ib, corriente de emisor Ie y corriente del posible obtener una ecuación que relacione las
colector Ic. En la imagen vemos las corrientes de un corrientes que pasan por el transistor. Esta ecuación
transistor tipo NPN. es la que se muestra a continuación:
𝐼𝐶=𝛽𝐼𝐵
Con base a la ecuación anterior, es posible entender
por qué con una pequeña corriente de base se
producen corrientes mucho mayores de colector.
Al igual que en el análisis de diodos, en los
transistores se plantean dos aproximaciones del
potencial emisor-base. La primera aproximación
considera a un transistor ideal, por ende dice que la
diferencia de potencial de la base-emisor es cero
(VBE = 0). Esta aproximación es usada con el fin de
agilizar cálculos, pero no es recomendable cuando
se tienen fuentes de base muy pequeñas; de ahí a
que se considere la segunda aproximación, la cual
Los transistores están formados por la unión de
recomienda que VBE = 0,7 para transistores de
tres cristales semiconductores, dos del tipo P uno
silicio y VBE = 0,3 para transistores de germanio.
del tipo N (transistores PNP), o bien dos del tipo N
y uno del P (transistores NPN).
Montaje experimental
Esta experiencia se llevó a cabo usando los
siguientes elementos:

Elemento Cantidad Valor

Transistor 1 TIP31C
Resistencia 1 100 Ω
Resistencia 1 1 kΩ

Los pasos a seguir son los siguientes:

Para polarizar un transistor se requiere aplicar las
tensiones adecuadas a los componentes para que 1. Se realizó el montaje del esquema mostrado:
funcionen correctamente. Hay una gama muy
amplia de transistores por lo que antes de conectar
deberemos identificar sus 3 patillas y saber si es
PNP o NPN. En los transistores NPN se deba
conectar al polo positivo el colector y la base, y
en los PNP el colector y la base al polo negativo.
Cuando se está trabajando bajo la conexión de
emisor común, se debe introducir un factor β
denominado ganancia de corriente de emisor común.
 terminal del transistor. Esto se logra realizando
loa siguientes pasos:

a. Se coloca el multímetro en continuidad.

b. Se pone en contacto el terminal negativo
del multímetro con la pata del centro del
transistor.
c. Se pone en contacto el terminal positivo
del multímetro con una de las patas del
extremo y se mira el valor marcado por el
Fig. 1. Esquema del montaje. multímetro.
d. Se repite el paso C para el terminal
faltante.
e. La medición que arroje el mayor valor
hará énfasis en el terminal del emisor y la
que arroje menor valor, dará por
consecuencia, el ex-tremo del colector.

3. Para tres valores distintos de Vcc ( 2V, 4V, 6V),

Fig. 2. Montaje real del circuito.
se midieron los voltajes en las resistencias (100
Ω y 1 kΩ) con el fin de de conocer las corrientes
de base y de colector mediante la ley de Ohm.
También se tomaron los voltajes de base-
emisor, colector-emisor y el voltaje de base, los
cuales se encuentran tabulados más adelante.

4. Teniendo ya los valores tabulados se procede a

trazar las curvas características de los
transistores. Dentro de las principales curvas
se tienen la corriente de base vs el voltaje base-
emisor, la ganancia vs la corriente del colector
Fig, 3. Toma de mediciones experimentales. y la corriente de colector vs el voltaje de
colector-emisor.

2. En el datasheet del transistor se encuentran los

VBE VRB VCE VRC VCB
valores de voltaje crítico o máximo que so-
(V) (V) (V) (V) (V)
porta el elemento, la ganancia en corriente 0 0 2 0 0
directa a diferentes condiciones de
0,2 0 2 0 0
temperatura, corriente o tensión. Además,
0,35 0 2 0 0
indica gráficamente cuales son cada una de las
0,45 0,003 1,97 0,02 0,017
terminales del transistor (emisor, base y
0,5 0,01 1,83 0,77 0,76
colector). Al no tener el datasheet del
0,55 0,06 1,05 0,8 0,74
dispositivo, se determina el nombre de cada
0,57 0,09 0,45 1,23 1,14 con ayuda de las tensiones obtenidas en el
0,58 0,12 0,15 1,6 1,48 laboratorio:
0,6 0,3 0,05 1,66 1,36
0,62 1,17 0,02 1,76 0,59
Ic (A) Ib (A)
Tabla 1. Datos obtenidos para un Vcc = 2V.
0 0
0 0
VBE VRB VCE VRC VCB 0 0
(V) (V) (V) (V) (V)
0,0002 0,000003
0 0 4 0 0
0,0077 0,00001
0,2 0 4 0 0
0,35 0 4 0 0 0,008 0,00006

0,45 0,003 3,97 0,02 0,017 0,0123 0,00009

0,5 0,01 3,78 0,17 0,16 0,016 0,00012
0,55 0,05 3,11 0,71 0,66 0,0166 0,0003
0,57 0,1 2,21 1,62 1,52 0,0176 0,00117
0,58 0,12 1,6 2,05 1,93 Tabla 4. Corriente de colector y de base para
0,6 0,19 0,28 3,4 3,21 Vcc = 2V.
0,62 0,55 0,07 3,55 3
0,65 2,3 0,03 3,62 1,32
Tabla 2. Datos obtenidos para un Vcc = 4V. Ic (A) Ib (A)
0 0
0 0
VBE VRB VCE VRC VCB
0 0
(V) (V) (V) (V) (V)
0 0 6 0 0 0,0002 0,000003
0,2 0 6 0 0 0,0017 0,00001
0,35 0 6 0 0 0,0071 0,00005
0,45 0,001 5,99 0,02 0,019 0,0162 0,0001
0,5 0,01 5,9 0,13 0,12
0,0205 0,00012
0,55 0,05 5,14 0,76 0,71
0,57 0,09 4,33 1,49 1,4 0,034 0,00019
0,58 0,11 3,69 2,11 2 0,0355 0,00055
0,6 0,19 1,85 3,86 3,67 0,0362 0,0023
0,62 0,36 0,14 5,6 5,24
0,67 4,99 0,03 5,66 0,67 Tabla 5. Corriente de colector y de base para
Tabla 3. Datos obtenidos para una Vcc = 6V. Vcc = 4V.

Resultados.

Ic (A) Ib (A)
El primer resultado experimental que se desea
0 0
obtener es el valor correspondiente a la
0 0
ganancia, para poder calcular este valor
primeramente debemos hallar los valores de la 0 0
corriente de base y de la corriente del colector 0,0002 0,000001
0,0013 0,00001
 0,0076 0,00005
0,0149 0,00009 Curva Ib vs Vbe
0,0211 0,00011 0.006
0,0386 0,00019
0.005
0,056 0,00036
0,0566 0,00499
0.004
Tabla 6. Corriente de colector y de base para Vcc =6V.
0.003
Una vez tenemos todos los valores de las corrientes
tanto de base como de colector procedemos a 0.002
calcular una ganancia promedio en el transistor con
la ayuda de la siguiente fórmula matemática: 0.001

 𝛽 = Ic / Ib 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Con la que obtenemos una ganancia promedio de 𝛽 -0.001
= 109.744 Vcc = 2V Vcc = 4V Vcc = 6V
Una vez calculado el valor de la ganancia se
procede a desarrollar las curvas características de Gráfica 1. Curva Ib vs Vbe para distintos valores de
los transistores. Vcc.
Se encontró que en la práctica Las curvas
características más empleadas son las que  Ic vs IB
relacionan Ib con VBE y IC con IB por lo que se Para la construcción de esta gráfica son esenciales
desarrollarán las gráficas en función de los los valores de Ic y de IB que se encuentran en las
parámetros mencionados. tablas anteriores.

 IB vs VBE.
Para la construcción de esta gráfica se utilizan los Curva Ic vs Ib
valores de VBE e IB para los diferentes Vcc, los 0.07
cuales se encuentran en las tablas anteriores.
0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0
-0.001 0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006
-0.01

Vcc = 2V Vcc = 4V Vcc = 6V

Gráfica 2. Curva Ic vs Ib para distintos valores de Vcc.

Conclusión.

Bibliografía

[1] Malvino Albert, Bates David j., "Principios de

electrónica", 7ma Ed., McGraw Hill, 2007, pág.
132-153.

[2] Transistores [En línea]. [Citado el 06 de mayo

del 2015]. Disponible desde internet: <
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_Ge
neral/curvascaracteristicas.html>

[3] Curva caracteristica de salida [En línea].

[Citado el 06 de mayo del 2015]. Disponible desde
internet: <
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basic
a/tema6/Paginas/Pagina8.htm>