El transistor bipolar.

Principio de
operación y modelado

Juan Antonio Leñero Bardallo

Tópicos Avanzados en Electrónica

Departamento de Ingeniería en Automática, Electrónica, Redes y Arquitectura de

Computadores.
Área de Electrónica

Cádiz, Noviembre 2017

0
Bloque Temático IV: Contenidos
• Estructura y principio de operación del
transistor bipolar.
• Modelo de Ebers-Moll. Ecuaciones del
dispositivo.
• Efectos de segundo orden.
• Modelo cuasi-estático. Modelo del control de
carga.
• Modelo de pequeña señal.
• Ejemplos de circuitos analógicos y digitales
con transistores bipolares.
1
 Bibliografía (I)
Lecturas recomendadas y de ampliación:

• [Cil93], Capítulo 2; [MK91], Capítulos 5 y 6; [Sin94], Capítulo 7; [TN98], Capítulos

2, 6 y 8; [GM93], Capítulo 1; [AM93], Capítulos 2 y 5.

2
Índice
• Estructura física del BJT
• Principio de operación
• Parámetros de interés (af, bf)
• Característica estática (I,V)
• Modelo de Ebers-Moll
• Estudio y modelado de las regiones de
operación del dispositivo

3
El Transistor BJT: Definiciones y Símbolos
E B C
C
B Símbolo de
n+ p+ n+ un BJT npn
p+ p p+
n+ p n
n-epitaxial C B
E
capa enterrada n+
Estructura simplificada
sustrato p de un BJT npn
E
Sección transversal de un BJT npn

BJT: Bipolar Junction Transistor

• BJT npn: consiste en una región de Emisor tipo n+ y una región de Colector tipo n, con una región de Base
tipo p encajonada entre ellas.
• El Colector se sitúa encima de una capa enterrada n+, que se usa para disminuir el efecto de las caídas
óhmicas Base-Emisor y Base-Colector. Esta capa disminuye la resistencia del colector.
Aunque la mayoría de los productos microelectrónicos se construyen con transistores CMOS, los
transistores Bipolares son aún importantes por:
• su inherente alta velocidad para aplicaciones digitales.
• sus características superiores para aplicaciones analógicas.

4
El Transistor BJT: Definiciones y Símbolos
E B C
C
B Símbolo de
n+ p+ n+ un BJT npn
p+ p p+
n+ p n
n-epitaxial C B
E
capa enterrada n+
Estructura simplificada
sustrato p de un BJT npn
E
Sección transversal de un BJT npn

BJT: Bipolar Junction Transistor

•Dispositivo de 3 terminales con dos uniones p-n adyacentes:
Emisor (E)  n+; Base (B)  p; Colector (C)  n
•Características generales:
 Emisor mucho más dopado que colector.
 Dispositivo no simétrico.
 E y C no intercambiables.
• Dispositivo muy importante en aplicaciones analógicas (aplicaciones de alta frecuencia: circuitos RF para
sistemas wireless)
5
El Transistor BJT: Definiciones y Símbolos
E B C
C
B Símbolo de
n+ p+ n+ un BJT npn
p+ p p+
n+ p n
n-epitaxial C B
E
capa enterrada n+
Estructura simplificada
sustrato p de un BJT npn
E
Sección transversal de un BJT npn
Dos tipos de transistores bipolares: Cuatro modos diferentes de funcionamiento:

6
El Transistor BJT: Definiciones y Símbolos
E B C
C
B Símbolo de
n+ p+ n+ un BJT npn
p+ p p+
n+ p n
n-epitaxial C B
E
capa enterrada n+
Estructura simplificada
sustrato p de un BJT npn
E
Sección transversal de un BJT npn
4 modos diferentes de funcionamiento:
Descripción simplificada:
Corte: No fluye corriente por ninguno de los terminales.
Activa Directa: El transistor actúa como un amplificador de
intensidad: IC=bFIB con bF~100.
Activa Inversa: El transistor actúa como un amplificador de
intensidad: IE=-bRIB con bR~1.
Saturación: La ganancia en intensidad decae
substancialmente (IC < bFIB) y la tensión entre C y E
permanece constante: VCE~0.2V.

7
El Transistor BJT: Estudio Cualitativo
TRANSISTOR PROTOTIPO:
Simplificación para estudio monodimensional

1020

1016

1018

• Interesa que la Base sea de longitud muy corta (~1-0.1mm).

• La región del Colector la más ancha (~5-10mm).
• La región de Emisor la más dopada (NdE~1020at/cm3).
8
El Transistor BJT: Estudio Cualitativo

•FLUJO DE PORTADORES DE AMBOS TIPOS: BIPOLAR.

•UNIÓN BASE-EMISOR POLARIZADA DIRECTAMENTE: FLUJO DE PORTADORES MAYORITARIOS
•UNIÓN BASE-COLECTOR POLARIZADA INVERSAMENTE: FLUJO DE PORTADORES MINORITARIOS

•BASE ESTRECHA: portadores minoritarios prácticamente no se recombinan cuando atraviesan la Base.

El flujo más importante está constituido de e- que van del Emisor (emite) al Colector (recoge) y al
pasar por la base no se recombinan.

11
El Transistor BJT: Estudio Cualitativo

BALANCE

IE=InE+IpE (Intensidad de Emisor)

IC=InC+ICB0 (Intensidad de Colector) ICB0 es despreciable
IB=IBr+IpE-ICB0 (Intensidad de Base)
IBr=InE-InC (Intensidad perdida por Recombinación)
ICB0 despreciable (Intensidad Neta Inversa de la unión Colector-Base)
12
El Transistor BJT: Estudio Cualitativo

BALANCE

IE=InE+IpE (Intensidad de Emisor)

IC=InC+ICB0 En esta zona de
(Intensidad
funcionamiento:
de Colector)
IB=IBr+IpE-I
• CB0
nos interesa(Intensidad
IB~0 (pero de
esoBase)
es imposible por IBr e IpE).
IBr=InE-InC • nos interesa(Intensidad
InC lo mayorperdida
posible.
por Recombinación)
ICB0 (Intensidad Neta Inversa de la unión Colector-Base)
13
El Transistor BJT: Estudio Cualitativo

RENDIMIENTOS: • Ganancia de intensidad del Colector al Emisor:

InC InC InE
aF     BF   F
IE InE IE

Da una medida de los e- que llegan

al Colector desde el Emisor.
Interesa: aF~1.
• FLUJO DE PORTADORES DE AMBOS TIPOS: BIPOLAR.
• UNIÓN BASE-EMISOR POLARIZADA DIRECTAMENTE:
FLUJO DE PORTADORES MAYORITARIOS
• UNIÓN BASE-COLECTOR POLARIZADA INVERSAMENTE:
FLUJO DE PORTADORES MINORITARIOS
• BASE ESTRECHA: portadores minoritarios no se recombinan.
• El flujo más importante está constituido de e- que van del
Emisor (emite) al Colector (recoge).

IE=InE+IpE (Intensidad de Emisor)

IC=InC+ICB0 (Intensidad de Colector)
IB=IBr+IpE-ICB0 (Intensidad de Base)
IBr=InE-InC (Intensidad perdida por Recombinación)
ICB0 (Intensidad Inversa de la unión Colector-Base)

14
El Transistor BJT: Estudio Cualitativo

RENDIMIENTOS: • Ganancia de intensidad del Colector al Emisor:

InC InC InE
aF     BF   F
IE InE IE
• Coeficiente de Transporte:

I nC I nE  I Br
BF  
I nE I nE
• FLUJO DE PORTADORES DE AMBOS TIPOS: BIPOLAR.
• UNIÓN BASE-EMISOR POLARIZADA DIRECTAMENTE:
FLUJO DE PORTADORES MAYORITARIOS Da una medida de las perdidas por
• UNIÓN BASE-COLECTOR POLARIZADA INVERSAMENTE: recombinación en la Base.
FLUJO DE PORTADORES MINORITARIOS
• BASE ESTRECHA: portadores minoritarios no se recombinan. Interesa: BF~1.
• El flujo más importante está constituido de e- que van del
Emisor (emite) al Colector (recoge).

I Br  => ANCHURA BASE PEQUEÑA

IE=InE+IpE (Intensidad de Emisor)
IC=InC+ICB0 (Intensidad de Colector) ICB0 es despreciable
IB=IBr+IpE-ICB0 (Intensidad de Base)
IBr=InE-InC (Intensidad perdida por Recombinación)
ICB0 (Intensidad Inversa de la unión Colector-Base)

15
El Transistor BJT: Estudio Cualitativo

RENDIMIENTOS: • Ganancia de intensidad del Colector al Emisor:

InC InC InE
aF     BF   F
IE InE IE
• Coeficiente de Transporte:

InC
BF 
InE
• Coeficiente de Eficiencia de Emisor :
• FLUJO DE PORTADORES DE AMBOS TIPOS: BIPOLAR.

InE InE
• UNIÓN BASE-EMISOR POLARIZADA DIRECTAMENTE:
FLUJO DE PORTADORES MAYORITARIOS 1
F   
• UNIÓN BASE-COLECTOR POLARIZADA INVERSAMENTE:
IE InE  IpE IpE
1
FLUJO DE PORTADORES MINORITARIOS
• BASE ESTRECHA: portadores minoritarios no se recombinan.
InE
• El flujo más importante está constituido de e- que van del
Emisor (emite) al Colector (recoge). Da una medida de la contribución
InE respecto a la corriente IE:

IE=InE+IpE (Intensidad de Emisor)

Interesa: F~1
IC=InC+ICB0 (Intensidad de Colector)
IB=IBr+IpE-ICB0 (Intensidad de Base)
IBr=InE-InC (Intensidad perdida por Recombinación) I pE  I nE => DOPADO DE BASE MENOR
QUE DOPADO DE EMISOR
ICB0 (Intensidad Inversa de la unión Colector-Base)

16
El Transistor BJT: Estudio Cualitativo

RENDIMIENTOS: • Ganancia de intensidad del Colector al Emisor:

InC InC InE
aF     BF   F
IE InE IE
• Coeficiente de Transporte:

InC
BF 
InE
• Coeficiente de Eficiencia:
• FLUJO DE PORTADORES DE AMBOS TIPOS: BIPOLAR.

InE InE
• UNIÓN BASE-EMISOR POLARIZADA DIRECTAMENTE:
FLUJO DE PORTADORES MAYORITARIOS 1
F   
• UNIÓN BASE-COLECTOR POLARIZADA INVERSAMENTE:
IE InE  IpE IpE
1
FLUJO DE PORTADORES MINORITARIOS
• BASE ESTRECHA: portadores minoritarios no se recombinan.
InE
• El flujo más importante está constituido de e- que van del
Emisor (emite) al Colector (recoge).
• Ganancia de intensidad del Colector a la Base:
aF InC I
bF    C
IE=InE+IpE (Intensidad de Emisor) 1  aF IBr  IpE IB
IC=InC+ICB0 (Intensidad de Colector)
IB=IBr+IpE-ICB0 (Intensidad de Base) Relación que caracteriza y define ZAD:
IBr=InE-InC (Intensidad perdida por Recombinación)
ICB0 (Intensidad Inversa de la unión Colector-Base) Para obtener Ganancia de Colector
a Base interesa que bF sea grande
17
El Transistor BJT: Estudio Cualitativo

• AMBAS UNIONES POLARIZADAS EN DIRECTA.

• IC TIENE AHORA COMPONENTES QUE HACEN QUE SEA MENOR QUE EN ZAD.

• LA INTENSIDAD DE BASE HA AUMENTADO, DE FORMA QUE:

• PROPIEDAD IMPORTANTE:

ambas uniones directamente polarizadas, entonces la tensión VCE va a tener un valor muy
pequeño (~ un cortocircuito entre sus extremos C y E).
18
El Transistor BJT: Estudio Cualitativo

•AMBAS UNIONES INVERSAMENTE POLARIZADAS => INTENSIDADES MUY PEQUEÑAS EN TODOS LOS
TERMINALES.
•ÚNICA ZONA DONDE IB<0.

•ANÁLOGA A LA ZONA ACTIVA DIRECTA PERO INTERCAMBIANDO LOS PAPELES DE EMISOR Y COLECTOR.

RENDIMIENTOS

• Ganancia de intensidad del Emisor al Colector:

InE I I Estos coeficientes resultan diferentes que

aR   nE  nC  BR   R y bF, ya que el dispositivo no es
 IC InC  IC aF
simétrico, ni en el dopado de emisor y
colector, ni en las dimensiones:
• Ganancia de intensidad del Emisor a la Base:

aR IE Para Amplificar
bR   interesa más ZAD
1 aR IB

19
El Transistor BJT: Comportamiento Estático

Modelo
válido para
todas las
zonas de
Operación

Suposiciones para el análisis:

• Estudio monodimensional del transistor prototipo.

• Se divide el BJT en regiones de transición y regiones neutras.

• No hay caídas óhmicas en regiones neutras.

• No hay recombinación en regiones de transición.

• Bajo nivel de inyección en las regiones neutras.

• Corriente de arrastre para portadores minoritarios nula en las

regiones neutras.

• Estado estacionario.
20
El Transistor BJT: Comportamiento Estático

Modelo
válido para
todas las
zonas de
Operación

Se trata de obtener:
I E  f (VBE ,VBC )
I C  f (VBE ,VBC )
Suposiciones para el análisis: I E  a11 (eV BE / UT
 1)  a12 (eV BC / UT
 1)
• Estudio monodimensional del transistor prototipo.
I C  a21 (eV BE / UT
 1)  a22 (eV BC / UT
 1)
• Se divide el BJT en regiones de transición y regiones neutras.

• No hay caídas óhmicas en regiones neutras.

• No hay recombinación en regiones de transición.

• Bajo nivel de inyección en las regiones neutras.

• Corriente de arrastre para portadores minoritarios nula en las

regiones neutras.

• Estado estacionario.
21
El Transistor BJT: Comportamiento Estático

nB0 pC0
pE(x)
nB(x) pC(x)
pE0

Suposiciones para el análisis: Unión BE

en
• Estudio monodimensional del transistor prototipo. directa
• Se divide el BJT en regiones de transición y regiones neutras.

• No hay caídas óhmicas en regiones neutras.

• No hay recombinación en regiones de transición.

• Bajo nivel de inyección en las regiones neutras. Unión

BC en
• Corriente de arrastre para portadores minoritarios nula en las
inversa
regiones neutras.

• Estado estacionario.
Dependen del dopado y de las tensiones de polarización
22
El Transistor BJT: Comportamiento Estático

Estudio Análogo al caso del Diodo:

• Se resuelve la ecuación de difusión de los portadores minoritarios en las tres regiones neutras (Emisor, Base, Colector).
• Suponemos la intensidad sólo de difusión en las regiones neutras.
• Suponemos que no hay recombinación en las regiones de transición.

Tenemos entonces (1):

IE=IpE(0")+InB(0)
IC=IpC(0´)+InB(XB)
Y además IB=IE-IC

• Pasos a seguir:
•Las concentraciones de portadores halladas son las
condiciones de contorno que debemos imponer
para resolver las Ecuaciones de Continuidad.
• Se determinan las concentraciones de portadores
minoritarios resolviendo la ecuación de continuidad.
•A partir de ellas, se calcula la corriente de difusión
(son las que dominan).
•Finalmente, se obtienen las corrientes eléctricas.

23
El Transistor BJT: Comportamiento Estático

Estudio Análogo al caso del Diodo:

• Se resuelve la ecuación de difusión de los portadores minoritarios en las tres regiones neutras (Emisor, Base, Colector).
• Suponemos la intensidad sólo de difusión en las regiones neutras.
• Suponemos que no hay recombinación en las regiones de transición.

Tenemos entonces (1):

IE=IpE(0")+InB(0)
IC=IpC(0´)+InB(XB)
Y además IB=IE-IC

• Caso simplificado: Emisor y Colector Largos y Base Corta

Emisor Largo: Base Corta: Colector Largo:

Diodo de
(sentido del eje x" e base corta (sentido del eje x´ e
(sentido del eje x e IE e IC no coinciden) IC no coinciden)
IE coinciden) (no hay
recombina 24
ción)
El Transistor BJT: Comportamiento Estático

Estudio Análogo al caso del Diodo:

• Se resuelve la ecuación de difusión de los portadores minoritarios en las tres regiones neutras (Emisor, Base, Colector).
• Suponemos la intensidad sólo de difusión en las regiones neutras.
• Suponemos que no hay recombinación en las regiones de transición.

Tenemos entonces (1):

IE=IpE(0")+InB(0)
IC=IpC(0´)+InB(XB)
Y además IB=IE-IC

• Sustituyendo en (1):
Ecuaciones de Ebers-Moll
DnB DpE
I E  a11 (e VBE / U T
 1)  a12 (e
VBC / U T
 1) a11  qAni [ 2
 ]
Na XB NdE LpE
I C  a21 (eV BE / U T
 1)  a22 (eV BC / U T
 1) DnB
a12  a21  qAni2
Na XB
Propiedad de reciprocidad: dependencia de IE
con VBC es igual a dependencia de IC con VBE. DnB DpC
a22  qAni [ 2
 ]
Na XB NdC LpC

25
El Transistor BJT: Comportamiento Estático

Estudio Análogo al caso del Diodo:

• Se resuelve la ecuación de difusión de los portadores minoritarios en las tres regiones neutras (Emisor, Base, Colector).
• Suponemos la intensidad sólo de difusión en las regiones neutras.
• Suponemos que no hay recombinación en las regiones de transición.

Tenemos entonces (1):

IE=IpE(0")+InB(0)
IC=IpC(0´)+InB(XB)
Y además IB=IE-IC

• Sustituyendo en (1):
Parámetros:
Coeficiente de eficiencia
del emisor

B Coeficiente de transporte

26
El Transistor BJT: Comportamiento Estático

Estudio Análogo al caso del Diodo:

• Se resuelve la ecuación de difusión de los portadores minoritarios en las tres regiones neutras (Emisor, Base, Colector).
• Suponemos la intensidad sólo de difusión en las regiones neutras.
• Suponemos que no hay recombinación en las regiones de transición.

Tenemos entonces (1):

IE=IpE(0")+InB(0)
IC=IpC(0´)+InB(XB)
Y además IB=IE-IC

• Caso general. Ecuaciones de Ebers-Moll para el BJT Prototipo:

27
El Transistor BJT: Comportamiento Estático

Estudio Análogo al caso del Diodo:

• Se resuelve la ecuación de difusión de los portadores minoritarios en las tres regiones neutras (Emisor, Base, Colector).
• Suponemos la intensidad sólo de difusión en las regiones neutras.
• Suponemos que no hay recombinación en las regiones de transición.

Tenemos entonces (1):

IE=IpE(0")+InB(0)
IC=IpC(0´)+InB(XB)
Y además IB=IE-IC

• Caso general:

28
El Transistor BJT: Comportamiento Estático

Estudio Análogo al caso del Diodo:

• Se resuelve la ecuación de difusión de los portadores minoritarios en las tres regiones neutras (Emisor, Base, Colector).
• Suponemos la intensidad sólo de difusión en las regiones neutras.
• Suponemos que no hay recombinación en las regiones de transición.

Tenemos entonces (1):

IE=IpE(0")+InB(0)
IC=IpC(0´)+InB(XB)
Y además IB=IE-IC

• Caso general:
Parámetros para ZAD:

29
Circuitos Equivalentes del Modelo de EBERS-MOLL

VERSIÓN INYECCIÓN

El transistor BJT npn

VBC / UT
C IR  ICS ( e  1)

C Cuatro parámetros:
n - +
VBC IC a11  IES
B p + a22  ICS
IB
B VCE
a12  a R ICS
+
VBE
IE a21  a F IES
n+
- - IF  IES ( e
VBE / UT
 1)
E
E

El transistor bipolar se representa como

• dos diodos enfrentados:

IF  IES (eVBE / UT  1) IR  ICS (eVBC / UT  1)

• y dos fuentes de intensidad controladas por intensidad:
en ZAD, no todos los e- emitidos por E (IF) llegan a C, los que llegan generan una intensidad aF IF.
en ZAI, no todos los e- emitidos por C (IR) llegan a E, los que llegan generan una intensidad aR IR.
31
Circuitos Equivalentes del Modelo de EBERS-MOLL

VERSIÓN INYECCIÓN Cambiando el signo de las tensiones y el sentido de las

intensidades, las relaciones de EM siguen siendo válidas.
El transistor BJT pnp
E VEB / UT
IF  IES ( e  1)
E Cuatro parámetros:
p+ - +
VEB IE a11  IES
B n + a22  ICS
IB
B VEC
a12  a R ICS
+
VCB
IC a21  a F IES
p
VCB / UT
- - IR  ICS ( e  1)

C
C

El transistor bipolar se representa como

• dos diodos enfrentados:

IF  IES (eVEB / UT  1) IR  ICS (eVCB / UT  1)

• y dos fuentes de intensidad controladas por intensidad:
en ZAD, no todos los e- emitidos por E (IF) llegan a C, los que llegan generan una intensidad aF IF.
en ZAI, no todos los e- emitidos por C (IR) llegan a E, los que llegan generan una intensidad aR IR.
32
Circuitos Equivalentes del Modelo de EBERS-MOLL

El transistor BJT npn

C
C VERSIÓN HIBRIDA EN p:
n - + I CT parámetros:
I CC  I EC
VBC IC Tres

B p +
IB
ICC  I S (eV BE / U T
 1)
B VCE
+
I EC  I S (eV BC / U T
 1)
IE
n+ VBE I CT  I S (eV BE / U T
 eV BC / U T
)
- -
E bf, br: Coeficientes de
E
transporte

El transistor bipolar se representa como

• dos diodos enfrentados:
ICC IS VBE / UT IEC I
 (e  1)  S ( eVBC / UT  1)
bF bF bR bR
• y una fuente de intensidad controladas por intensidad: ICT.

34
Modelos Simplificados

IB 
IS
(eVBE /UT  1) I C  I S(e VB E /UT
1)
bF
Valores Típicos de un BJT
de Silicio:
VBE(on) = 0.7V
VBC<0 VBC(on) = 0,6V
VBC<0
VBE(sat) = 0.8V
VBC(sat) = 0,1V- 0,2V
bF =100
bR =10

VBC<0
VBE<0

¿Cómo será el Modelo simplificado para Zona ACTIVA INVERSA?

¿Cuál es la condición que hay que imponer?

35
Modelos Simplificados

Características Simplificadas:
- ZONA ACTIVA DIRECTA: VBE~VBEon VBC<0
• La diferencia de potencial VBE es prácticamente constante => VBEon~0.7V
• Se cumple que IC=bFIB.

- ZONA ACTIVA INVERSA: VBC~VBCon VBE<0

• La diferencia de potencial VBC es prácticamente constante => VBCon~0.6V.
Se cumple que IE=-bRIB.

- SATURACIÓN DIRECTA: VBE≥VBEon VBC≥VBCon VBE≥VBC

• La diferencia de potencial VBE es prácticamente constante => VBEsat~0.8V.
• La diferencia de potencial VCE es prácticamente constante => VCEsat~0.1V-
0.2V.
• Se cumple que IC<bFIB.

- CORTE: VBE<0 VBC<0

• Todas las corrientes son 0 => IC=IE=IB~0.

36
Comportamiento Estático

CARACTERÍSTICA DE SALIDA de un transistor npn a Emisor Común: GRÁFICA I-V IDEAL

IC frente a VCE con IB (VBE) como parámetro:

37
Comportamiento Estático

CARACTERÍSTICA DE SALIDA de un transistor npn a Emisor Común: GRÁFICA I-V IDEAL

IC frente a VCE con IB (VBE) como parámetro:

ZAD:
VBE~VBEon y VBC<0
IC<bFIB
Saturación Directa: VCE=VBE-VBC>0
VBE≥VBEon, VBC≥VBCon y VBE≥VBC
VCE=VBE-VBC pequeña y positiva

IC=bFIB

Corte:

IC=-(bR+1)IB VBE<VBEon y VBC<VBCon

IC=IE=IB~0.
ZAI:
VBC~VBCon y VBE<0 Saturación Inversa:

VCE=VBE-VBC<0 VBE≥VBEon, VBC≥VBCon y VBE≤VBC

VCE=VBE-VBC pequeña y
negativa 40
Comportamiento Estático

CARACTERÍSTICA DE SALIDA de un transistor npn a Emisor Común: GRÁFICA I-V IDEAL

41