Transistor BJT

William Shockley, John

Bardeen y Walter H.
Brattain
1947-48
Nobel de Fsica en 1956
 Transistor BJT
Tres terminales:
Colector
Base
Emisor

BJT: Bipolar Junction Transistor

Se suelen usar ms los npns que los pnps ya que la movilidad de los
electrones es mayor que la de los huecos y mejor funcionamiento en la
mayora de las aplicaciones.
Transistor BJT
Corriente controlada por
pequeos cambios en
tensin y corriente en el
tercer terminal

Permite amplificar seales

Configuraciones
 Estructura del transistor
Dos uniones pn
-Unin de emisor
-Unin de colector
Dependiendo de su
estado->regin de
funcionamiento

Base: estrecha y poco dopado en comparacin con el

emisor
Emisor: muy dopado y estrecho (<<Lp)
Colector: ancho y menos dopado que el emisor
Regiones de funcionamiento

a) Uniones en inversa -> corte

b) Unin de emisor en directa y la de
colector en inversa -> regin activa o
activa directa
c) Unin de emisor en inversa y la de
colector en directa -> regin activa
inversa
d) Ambas uniones en directa -> regin de
saturacin
 Diagrama de corrientes en Activa

Pequea corriente (generados trmicamente)

Los electrones inyectados desde el emisor cruzan la base, movidos por difusin, hasta alcanzar la
regin de carga espacial de la unin del colector.
Esta unin est polarizada en inversa y por ello existe en la regin de carga espacial un campo
elctrico intenso que barre los electrones que entran en ella, envindolos al colector y
generando a travs de la regin neutra de ste la corriente InC.

Pequea corriente circulando por la base produce una importante carga que pasa del emisor al
colector
 Diagrama de corrientes en Activa
Aplicando la ley de corrientes de Kirchhoff

Relacin de variables elctricas

externas del BJT
 Parmetros
Ganancia de corriente continua en
base comn de un BJT

Tambin se define como el

producto de y B

Rendimiento de inyeccin Factor de

transporte
Tanto B son son < que la unidad luego <1

En regin activa la corriente del

colector es proporcional a la
corriente de emisor y no depende de
la tensin con que se polariza la
unin de colector
 Parmetros
El inters de la ganancia surge del hecho de que es aproximadamente
constante.
Para que el dispositivo sea un buen amplificador conviene que se aproxime a la
unidad.

Dopado del emisor es mucho mayor que el de la base

Para valores de corriente IE habituales InE es tambin mucho ~1

mayor que Ir

Longitud de difusin de los portadores minoritarios en la

base es mucho mayor que la longitud de sta B~1
InC es ligeramente menor que InE

Depende de la temperatura.
Valores tpicos: 0,99- 0,997
Aplicaciones de potencia valores menores
 Parmetros

Ganancia de corriente continua en emisor comn.

ICE0 se puede definir como la corriente que circula por el colector cuando la base est
abierta

tambin depende de la
temperatura.

Aprox. Constante

Valores tpicos 2N2222:

50-300

Depende de los procesos

de fabricacin.
Modelo Ebers-Moll
Estructura-> Dos diodos con nodos conectados
Modelo Ebers-Moll
Estructura-> Dos diodos con nodos conectados

Contactos hmicos y una conexin

metlica. No se comporta igual!!
 Modelo Ebers-Moll
Estructura-> Dos diodos con nodos conectados

En activa

En activa
 Modelo Ebers-Moll
Funcionalidad del colector y emisor
intercambiada pero los dopados y
dimensiones no son simtricos.
R Ganancia de corriente continua.
R valor entre 0.005 y 0.5.
Nunca se utilizan como amplificadores
en activa inversa.
En activa inversa

Uniones en directa-> efecto transistor

en ambas uniones.

Sera aplicable a cualquier regin de

funcionamiento.
 Modelo Ebers-Moll
Aplicando Kirchoff:

Diodos:

Relacin de reciprocidad:

El modelo de Ebers-Moll se define mediante tres parmetros independientes.

Modelo genrico pero inviable para resolucin papel y lpiz.
Modelo simplificado
Activa

Saturacin
El potencial de contacto de la unin de
colector es menor que el de la unin
de emisor
0,2V
Modelo simplificado
Cortado
IC=IE=IB=0

0,7V
Caracterstica esttica en emisor comn
En activa este trmino <<1

IC debera ser constante para VBE

constante

Probabilidad de
recombinacin pequea

Si VCE
aumenta
Caracterstica esttica en emisor comn

Si VCE
aumenta

Mayor polarizacin
de inversa de UC

Aumenta la RCE de
colector y disminuye la
longitud de la regin
neutra de la base W'b
Caracterstica esttica en emisor comn

Si VCE
aumenta

Tiempo de trnsito disminuye-->

Disminuye la recombinacin y InC aumenta-->
Mayor polarizacin
de inversa de UC Aumenta el factor de transporte

Aumenta la derivada de portadores

Aumenta la RCE de minoritarios-->
colector y disminuye la
longitud de la regin Aumenta InE -->
neutra de la base W'b Aumenta el rendimiento de inyeccin
Caracterstica esttica en emisor comn
Aumentan por tanto las ganancias de corriente y , y IC -->Efecto Early

Modelo de efecto Early en un

ttor polarizado en activa Va: Tensin Early
Caracterstica esttica en emisor comn
Caractersticas estticas de salida del transistor bipolar en emisor comn

Activa

Vlido en todas las regiones

pero en saturacin ambos
trminos son parecidos

IC=IE=IB=0 Corte
Caracterstica esttica en emisor comn
Caractersticas estticas de entrada del transistor bipolar en emisor comn

Forma de caracterstica de un diodo

IpE y InE-InC crecen exponencialmente

Supongamos que la IB es constante, al

aumentar la tensin VCE disminuye la
recombinacin en la regin neutra de
la base por efecto Early.

Pero como IB es constante, debe

aumentar la inyeccin de portadores a
travs de la unin de emisor --> un
aumento de IpE y de InE-InC.
Dicha inyeccin es proporcional a la
exponencial VBE/VT, producindose
un aumento de VBE.
Transistor pnp
pnp activa
npn activa -IC = -IB--> IC = IB
IC = I B VBE = VBEon = -0.7 V
VBE = VBEon = 0.7 V VBC > 0
VBC < 0
VEB = VEBon = 0.7 V
VCB < 0
 Ejemplo

Vbb
Recta de carga