Zona de ruptura.

- En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en inversa, tanto ms

cuanto menor sea el valor de VGS. La zona de carga de espacio aumenta. Sin embargo, esta tensin
inversa no se puede aumentar indefinidamente, ya que si se supera un determinado valor (tensin de
ruptura, caracterstico de cada unin y que suele ser proporcionado por el fabricante en sus hojas de
caractersticas) la unin se perfora, producindose la ruptura del dispositivo.

Caracterstica de Drenaje de un transistor JFET canal P