1 . Introduction.

On nomme amplificateur de signal un tage pour lequel la

puissance mise en jeu est trs faible (quelques mW tout au plus)
On rencontre ainsi des amplificateurs de tension ( linformation VCC
est vhicule par la tension uE, mais avec un courant iE dintensit iE iS
ngligeable) ou des amplificateurs de courant (linformation est
contenue dans le courant iE et lamplitude de uE est trs faible)
Les notions essentielles dont il convient de se soucier uE uS
sont celles damplification ou de gain (en tension ou en courant),
de linarit, de rponse en frquence.
Le comportement linaire de tels tages doit conduire la
dfinition dun modle linaire quivalent.

Dans le cas damplificateurs de signal lmentaires un transistor, nous supposerons ce transistor initialement
polaris en classe A.

2 . Modle petits signaux du transistor bipolaire.

Soit un transistor fonctionnant en classe A ; idalement, les coordonnes de son point de repos
correspondent aux points E0, T0 et S0 du graphique ci-dessous.
Les coordonnes courantes de fonctionnement du transistor se composent de ses coordonnes de repos,
auxquelles sont superposes des variations dpendant du temps, dont lamplitude relative est faible (ce quon
nomme petits signaux )
Dans ces conditions, le point de fonctionnement du transistor ondule autour des points de repos E0, T0 et S0.
Le rle damplificateur de courant du transistor bipolaire est alors exploit.
IC

T0 IC0
S0

IB0 VCE

IB VCE0

iB(t) = IB0 + ib(t) iC

VBE0 vBE(t) = VBE0 + vbe(t) iB
E0 iC(t) = IC0 + ic(t) vCE
VBE
vCE(t) = VCE0 + vce(t)
vBE

ib ic
Pour les seules variations, le transistor est B C
assimilable : gm.vbe
- A une rsistance r en entre (entre B et E) vbe r vce
- A un gnrateur de Norton command en
sortie (entre C et E)
(Cf. schma de droite)
E
Ce schma quivalent du transistor, pour les variations de ses grandeurs de fonctionnement, constitue un modle de
description linaire appel modle petits signaux.
Il na de validit que si le point de fonctionnement balaie des portions de caractristiques assimilables des
segments de droite, cest dire si lamplitude des variations reste trs faible devant les valeurs des coordonnes de
repos du transistor.
Explicitons les lments r, gm et de ce modle :

dv be di c 1 di c
Soient : r = gm = =
di b po int de repos
dv be po int de repos
dv ce po int de repos
Pour le rgime dynamique, r est nomme rsistance dentre du transistor (valeur en ) , gm est sa conductance de
transfert, ou pente (valeur en S ou plus gnralement en mA/V) ; est la rsistance de sortie du transistor (en ).
(r, gm et correspondent des drives des variations des grandeurs lectriques relatives au transistor.)

v BE
UT
Pour des intensits iB infrieures quelques mA, i B ISe , avec UT 26mV 300K et 0,9 pour le
di b i UT 30mV
silicium, do = b ; on peut ainsi dduire r : r=
dv be UT I B0 I B0

v BE

De mme, pour des intensits iC infrieures 10mA environ, i C = I 0 e
UT
, o 0,9 pour le silicium.
di C
Il vient = i C , do on tire gm : gm = I C0 35I C0
dv BE U T UT

Remarques :
I
On dduit que r g m C0 = : parfois la source commande du modle est note ib
I B0
Dans la zone de fonctionnement linaire du transistor, le courant iC varie peu avec vCE ; 1/ est donc trs faible ;
en pratique est compris entre 20 et 200k.
Les paramtres r et gm dpendent largement des coordonnes de repos du transistor : La polarisation dun
amplificateur transistor conditionne ses performances dynamiques !

3 . Amplificateurs de signal transistor bipolaire (classe A).

3.1 Polarisation .

Pour les tages envisags ici, on adopte une polarisation par

pont de rsistances ;
Moyennant un choix convenable des 4 rsistances, il est en effet R2 RC
possible de rendre ce montage peu prs indpendant du du
transistor, ce qui est un gage de stabilit des performances.
IC
IB
Principe : Les 3 lectrodes du transistor sont accessibles ; il y a VCE VCC
donc 3 possibilits pour superposer des variations aux grandeurs
continues dans ce montage : Attaque sur la base, lmetteur ou le I1 VBE IE
collecteur. En pratique, seule linjection sur la base et lmetteur
sont utilises. R1 RE
Le prlvement des signaux amplifis seffectue essentiellement
sur le collecteur ou sur lmetteur
Afin de ne pas modifier le comportement du transistor pour le rgime
continu, la liaison entre le gnrateur qui injecte les variations et
le transistor est gnralement capacitive ; il en est de mme pour le
prlvement des signaux en sortie.
Hypothses de raisonnement :
Ltude des amplificateurs qui suit suppose que les signaux variables sont de frquence telle que les diffrents
condensateurs de liaison puissent tre assimils des fils pour ces signaux.
Lamplitude de ces signaux variables est suffisamment faible pour valider le modle petits signaux du
transistor.

3.2 Amplificateur metteur commun.

+Vcc
Schma structurel :
Linjection des variations sinusodales (uE) seffectue
sur la base du transistor, travers la capacit de liaison R2 RC
C1. Le prlvement des ondulations est fait sur lmetteur , C2
au travers dune capacit de liaison (C2) .
Cl
La rsistance dmetteur est dcouple pour lalternatif
par la capacit Cdc.
Le dcouplage nest efficace que si Cdc est dimpdance
ngligeable devant RE. uS
uE
Schma petits signaux : R1 RE Cdc
Ce schma est tabli par application du thorme de
superposition : On neutralise la source continue
qui impose les grandeurs continues (polarisation) ; 0V
pour les variations cres par uE(t), le transistor est
remplac par son modle petits signaux .
Schma dynamique
En appelant R12 la rsistance quivalente aux iE ib iS
rsistances R1 et R2 associes en parallle, on
aboutit au schma petits signaux ci-contre :
(Parfois appel schma dynamique ) R12
uE r RC uS
vbe
Performances. gmvbe

Amplification en tension vide, AV0 :

R C
Pour iS= 0, u S = g m v be g m v be R C , dans la mesure o la rsistance de sortie du transistor est
+ RC
grande devant RC. (cas gnral)
Dautre part, uE = vbe
uS
Do A v 0 = g m R C
u E is = 0

Amplification en courant sortie en court-circuit, Aicc :

En court-circuit, uS = 0 et iS = -gmvbe
rR12
A lentre, u E = v be = iE
r + R12
iS rR12 R12
Do A icc = = g m =
i E us = 0 r + R12 r + R12

Rsistance dentre :
u rR12
R ent = E =
iE r + R12
Rsistance de sortie :
Lorsquon neutralise uE , on annule vbe et ib ; en consquence, la source gmvbe disparat galement ; limpdance
quivalente entre les bornes de sortie est ainsi RS = { // RC } RC
Ordres de grandeur :
Rent et RS : quelques k
AV0 : de -100 -200 ; Aicc de lordre de grandeur de
Ltage metteur commun amplifie donc fortement en tension ( vide) et en courant (en court-circuit)

3.3 metteur commun sans dcouplage de la rsistance dmetteur. +Vcc

Schma structurel :
R2 RC
Voisin de lmetteur commun prcdent, si ce nest C2
labsence de Cdc.
C1
(Il existe une variante pour laquelle seule une fraction
de RE est dcouple ; ltude en est trs voisine)
uS
uE
R1 RE

Schma petits signaux : 0V

Schma dynamique
On ltablit par application du thorme de
superposition. vbe
En appelant R12 la rsistance quivalente aux
iE ib r gmvbe iS
rsistances R1 et R2 associes en parallle, on
aboutit au schma petits signaux ci-contre :
(Parfois appel schma dynamique )
uE R12 u RE RC uS

Performances.
Amplification en tension vide AV0
En admettant que la rsistance de sortie du transistor est grande devant les autres rsistances, uS -gmvbe.RC
Dans la mesure o gmvbe >> ib, on peut crire : u gmvbe.RE
Dautre part, uE = u + vbe (gmRE + 1)vbe

g m RC
Il vient ainsi : A v 0 , valeur plus faible que pour lmetteur commun ( 10 50 fois moins)
1 + gm R E

1 i
Rsistance dentre : Il est plus habile de calculer ladmittance dentre = E :
R ent uE
1 1 i 1 ib i 1
= + b = + ; or b = et finalement : Rent = { R12 // r(1 + gmRE) }
RE R12 u E R12 (1 + g mR E ) v be v be r

Par rapport lmetteur commun, la valeur de Rent est plus grande ( 1 plusieurs dizaines de k)
Rsistance de sortie :
Le calcul direct est complexe ; on sait cependant qu vide, la tension de sortie scrit uS0 = -gm.vbe.RC .
Le courant de sortie en court-circuit iSCC est, de faon vidente : iSCC = - gm.vbe
u
La rsistance de sortie est alors : R S = S0 = R C
iSCC
Il ny a aucune diffrence pour la rsistance de sortie par rapport ltage metteur commun.
3.4 Base commune.
+Vcc
Schma structurel :
R2 RC
Linjection se fait sur lmetteur, le prlvement sur le C2
collecteur (via deux capacits de liaison C1 et C2)
Les rsistances R1 et R2 sont dcouples pour lalternatif
par la capacit Cdc (de valeur suffisante)
C1
uS
Cdc
R1 RE uE

Schma petits signaux : 0V

Schma dynamique
Il est toujours obtenu de la mme faon :
iE gmvbe
On neutralise la source de polarisation VCC, iS
les condensateurs sont assimils des fils, et
le transistor est remplac par son modle
petits signaux . RE
uE r RC uS
vbe
ib
Performances.
Amplification en tension vide AV0
En sortie vide on a sensiblement uS0 -gmRCvbe
alors quen entre, uE = - vbe
Il vient immdiatement : AV0 + gm.RC

Valeur identique au signe prs lamplification en tension vide de ltage metteur commun. Ltage base
commune amplifie donc fortement en tension (+ 100 + 200 )

Rsistance dentre.
Rent correspond la mise en parallle de RE, de r et de la partie du schma dynamique situe la droite de r.
Ces 3 diples sont soumis la mme tension uE = - vbe ; or, lorsque r est traverse par ib, le diple de droite est
travers par gmvbe= ib ; cest donc quil quivaut une rsistance fois plus faible que r !

En rsum, on obtient : Rent = { RE // r // (r/ ) } et comme >> 1, r // (r/ ) r/

Finalement Rent {RE // (r/ ) } { RE // (1/gm) } 1/gm (en gnral RE >> r/ = 1/gm )

Ordre de grandeur : Trs faible valeur ; de 10 50 en pratique.

Rsistance de sortie.
Comme pour les tages prcdents, la sortie est prise dans la mme configuration ; en consquence, la rsistance de
sortie est identique : RS RC
Amplification en courant pour une sortie en court-circuit.
Courant de court-circuit de sortie : iSCC -gm.vbe
Courant dentre : iE = uE/Rent -vbe.gm

Conclusion vidente : A sortie court-circuite, AiCC 1 ltage base commune namplifie pas en courant !
3.5 Collecteur commun. +Vcc

Schma structurel :
R2 RC
Linjection seffectue sur la base et le prlvement sur Cdc
lmetteur, travers deux capacits de liaison C1 et C2.
C1
Cest maintenant la rsistance de collecteur RC qui est
dcouple pour lalternatif par la capacit Cdc. C2

uE
R1 RE uS
Schma petits signaux :

Il est toujours obtenu de la mme faon : 0V

On neutralise la source de polarisation VCC,
les condensateurs sont assimils des fils, et Schma dynamique
le transistor est remplac par son modle
iE ib r iS
petits signaux .

vbe
uE R12 RE uS

gmvbe
Performances.
Amplification en tension vide.
Compte tenu des approximations habituelles, uS gm.vbe.RE
et uE = uS + vbe vbe.(gm.RE + 1)
gm R E
Il vient donc: A v0 1
1 + gm R E

Ltage collecteur commun namplifie pas en tension !

Rsistance dentre (pour une sortie vide).

Cest R12 en parallle avec le reste du montage !
A droite de R12 : uE = vbe + gm.vbe.RE vbe..(1 + gm.RE) avec vbe = r.ib, soit Rq = uE/ib r.(1 + gm.RE)

Finalement, Rent { R12 // r.( 1 + gm.RE )} Attention, Rent va dpendre de la rsistance de charge de ltage.

Cette expression est la mme que celle obtenue pour la rsistance dentre de ltage metteur commun rsistance
dmetteur non dcouple ; sa valeur se situe donc aux environs de 1 plusieurs dizaines de k.

Amplification en courant pour une sortie en court-circuit

En court-circuit, iSCC gm.vbe et RentCC = R12 // r = uE/iE avec uE vbe..(1 + gm.RE)
i g .r.R12
Do : A icc = scc m
iE r + R12
Cette valeur est trs suprieure lunit : Ltage collecteur commun amplifie fortement en courant.

Rsistance de sortie.
Supposons une commande de lamplificateur par un gnrateur dimpdance interne RG ; en gnral RG << R12 ;
RS correspond la rsistance quivalente 3 branches en parallle : RE ; r + RG traverses par ib et la source
gm.vbe = .ib. La source de courant quivaut ainsi une rsistance (r + RG)/ .
Finalement, RS { RE // (r + RG)/ } La valeur de RS est de lordre de quelques dizaines dohms.
Ltage collecteur commun sapparente ainsi un tage suiveur de tension.
4 . Amplificateurs de signal transistor JFET.
(Ce sont galement des tages liaisons capacitives)

4.1 Modle petits signaux dun JFET. 0 iD

G D
Le JFET est command par la tension vgs, avec un gm.vgs
courant dentre ngligeable. (jonction polarise
en inverse) : Son modle dentre est donc un vgs vds
circuit ouvert entre grille et source.
Le rseau des caractristiques de sortie dun JFET
est sensiblement identique au rseau de sortie dun S
transistor bipolaire.
Il apparat logique que le modle petits signaux
dun JFET soit le mme, ct sortie : Source de courant commande par vgs et rsistance de sortie leve.

4.2 Etage source commune. +Vdd

Polarisation.
Ltage utilise un systme de polarisation automatique .
La rsistance RG, traverse par aucun courant, porte la RD
C2
grille du transistor au potentiel 0V.
Dans la mesure o un courant de drain circule dans C1
RD et RS, la source est porte un potentiel positif ;
la tension VGS de repos est ainsi rendue ngative.

Schma structurel uS ~
L injection et le prlvement des signaux variables uE ~
seffectuent respectivement sur la grille et le drain du RG RS Cdc
transistor, au travers de capacits de liaison C1 et C2.
La rsistance de source RS est dcouple pour lalternatif
par la capacit Cdc. 0V

Schma dynamique
Schma petits signaux
iE 0 iS
On retrouve un schma analogue celui de ltage
metteur commun transistor bipolaire, si ce nest
la rsistance dentre du transistor, maintenant infinie.
uE RG vgs RD uS
gmvgs
Performances.
Amplification en tension vide
uS
uE = vgs ; vide, uS -gm.vgs.RD do A v 0 = g m .R D
uE
Rsistance dentre.
Il vient trivialement : Rent = RG

Rsistance de sortie
Neutralisons uE = vgs ; la source commande gm.vgs disparat galement et il subsiste Rsort RD

Ordres de grandeur : La pente gm dun JFET est bien plus faible que celle dun transistor bipolaire : Quelques
mA/V. En consquence, ltage source commune amplifie modrment en tension (-2 -20 environ)
Par contre, son intrt rside dans sa rsistance dentre qui peut facilement prendre des valeurs leves (0,5M
5M)
4.3 Drain commun. +Vdd

Schma structurel.
RD Cdec
Cet tage est le pendant de ltage collecteur commun.
Injection sur la grille et prlvement sur la source, via
deux condensateurs de liaison C1 et C2. C1
Cdc assure le dcouplage de RD pour lalternatif.
C2

uE ~
RG RS uS ~

0V
Schma petits signaux .
Schma dynamique
Nous lobtenons grce la mthode habituelle.
iE 0 vgs iS

gmvgs
Performances. uE RG RS uS

Amplification en tension vide.

A vide, uS gm.vgs.RS et uE = uS + vgs vgs.(1 + gmRS)

uS gm RS
Do A v0 = 1
uE 1 + gm RS

Rsistance dentre.
Comme pour ltage source commune, on obtient Rent = RG

Rsistance de sortie.
Si on neutralise uE, la grille se retrouve au potentiel 0V, et la source gm.vgs est alors soumise vgs ; elle est donc
quivalente une rsistance 1/gm.
Vu de la sortie, le diple ainsi constitu quivaut la rsistance Rsort { RS // (1/gm) }

On obtient un comportement dtage suiveur de tension, comme ltage collecteur commun ; la rsistance de sortie
est toutefois ici moins faible ( 50).
5. .Rponse en frquence des tages fondamentaux transistor.

Les tudes menes aux paragraphes 3 et 4 supposaient que les diffrents condensateurs (liaison et dcouplage)
pouvaient tre assimilables des fils pour lalternatif. Cette hypothse ne tient plus aux faibles frquences.
Dautre part, nous navons pas pris en considration les phnomnes capacitifs aux sein des jonctions des
transistors. Ils vont se faire sentir aux frquences leves .

5.1 Comportement aux frquences basses.

C1
Ct entre
Le schma quivalent de lamplificateur doit tenir compte de la capacit de liaison C1 :
Dans ces conditions, C1 et la rsistance dentre de ltage forment un filtre passe haut Rent
uE uE
1
du 1er ordre dont la frquence de coupure basse scrit : f b1 =
2R ent .C1

Ct sortie
Le schma de sortie doit tenir compte de la capacit de liaison C2 : RS C2
La tension de sortie Av0.uE est bien sur modifie par la prsence de
la charge RU de ltage, mais la rsistance de sortie RS, la charge RU
et C2 forment galement un filtre passe haut du 1er ordre, dont la RU
Av0.uE uS
1
frquence de coupure basse scrit : f b 2 =
2( R S + R U ).C 2

Limitation du dcouplage
Prenons lexemple de ltage metteur commun.
g m RC
On a vu que lamplification de ltage chutait de Av0 = - gm.RC A v 0 selon que le dcouplage par
1 + gm R E
Cdc tait idal ou nexistait pas.
Or, leffet du dcouplage varie comme limpdance quivalente lassociation parallle de la rsistance dmetteur
et de la capacit de dcouplage lorsque la frquence dcrot. Il est ainsi possible de dterminer une valeur de
g m .R C
frquence de coupure basse fb3 pour laquelle lamplification en tension vide de ltage vaut
2
Conclusion
Ces 3 phnomnes sont en ralit superposs ; ils contribuent tous 3 lexistence dune frquence de coupure basse
pour un tage amplificateur transistor liaisons capacitives.

5.2 Comportement aux frquences leves.

Du ct des frquences leves, il est galement possible de mettre en vidence lexistence dune frquence de
coupure haute dans la rponse en frquence dun amplificateur transistor : Il faut pour cela faire intervenir le
Thorme de Miller.

Thorme de Miller C
Le schma dun amplificateur, reboucl par
une impdance telle quune capacit C, peut
tre remplac par un schma dans lequel la
capacit C est remplac par 2 capacits, A A
places respectivement lentre et la sortie
de ltage. C(1+A) C(1+1/A)
Ces capacits sont Cent = C(1 + A) et
Csort = C(1 + 1/A), avec A amplification de
ltage.
La capacit ramene lentre est de valeur dautant plus importante que ltage a un gain important.
Si A >> 1, alors Cent A.C et Csort C.
 Application au cas de lmetteur commun.
Si nous faisons intervenir les capacits des jonctions Cbe et Cbc du transistor, le schma dynamique de ltage
devient : Cbc
RG iE iS

R12
eG vbe R C uS RU
r
Cbe
gmvbe

On y a fait figurer le gnrateur de commande et sa rsistance interne RG, ainsi que la rsistance de charge RU.
Lapplication du thorme de Miller permet daboutir au second schma ci-dessous :
RG iE iS

R12
eG vbe RC uS RU
r
Cbe ACbc Cbc
gmvbe

Cot entre, nous observons un circuit RC passe bas du 1er ordre, avec R = {RG // R12 // r} et C = Cbe + A.Cbc
(Rappel : vide, A = |Av0 |= gm.RC pour lmetteur commun)
1
Ce circuit entrane une frquence de coupure haute f h1 =
2{R G // R12 // r}.(C be + AC bc)

Ct sortie, nous observons de mme un circuit RC passe bas, avec R = { // RC // RU} et C = Cbc ;
1
nous pouvons dfinir une seconde frquence de coupure haute f h 2 =
2{ // R C // R U }.C bc
La frquence de coupure haute de lamplificateur est gnralement plus proche de fH1 que de fH2.

5.3 Conclusion.
Un tage amplificateur transistor liaison capacitive est caractris par une rponse passe-bande : La frquence
de coupure basse dpend des capacits de liaison dans une large mesure ; la frquence de coupure haute provient du
transistor et de ses capacits parasites internes.