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ELECTRONICA DIGITAL

LABORATORIO N 06

Memorias RAM

CODIGO DEL CURSO: R66327

Alumno(s) Nota

Rodrguez Rojas Fabricio

Ccallo Saico Jhonny

Cayo Medina Mauricio


Grupo D
Ciclo lV
Fecha de entrega 29/11/17

PROGRAMA DE FORMACIN REGULAR


Nro. DD-106
Electrnica Digital Lab. 06 - Memorias RAM Pgina 1 de 7

I. Objetivos
Identificar circuitos integrados correspondientes a memorias RAM.
Implementar circuitos digitales empleando memorias RAM
Verificar el funcionamiento de circuitos digitales empleando memorias RAM
II. Material y Equipo
Guas de laboratorio. El trabajo se desarrolla de manera GRUPAL.
III. Fundamento terico. Memorias RAM
El dispositivo 6116 es una memoria de acceso aleatorio, RandomAccesMemory (RAM), cuenta con una
capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria esttica de alta velocidad, esta fabricada
con la tecnologa CMOS, opera con una fuente de alimentacin de +5.0 Volts y est dispuesta en una pastilla
de 24 terminales.
CARACTERSTICAS DE LA MEMORIA RAM 6116
Organizacin de la memoria: 2048 X 8
Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
Baja potencia en estado inactivo: 10 uW
Baja potencia en estado activo: 160 mW
RAM completamente esttica: No requiere reloj para su funcionamiento
Temperatura de operacin: 0.75 grados centgrados
Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centgrados.
Potencia de disipacin: 1 Watts
Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la
tecnologa TTL
Es directamente compatible con las memorias de 16K estndar, tipo
RAM 6132
DESCRIPCIN DE LAS TERMINALES

A0-A10: Lineas de direcciones


E/S0-E/S7: Entrada y Salida de datos
CS Habilitador de la pastilla
OE Habilitador de salidas
WE Habilitador para la escritura
Vcc Voltaje de alimentacin +5.0 Volts
GND Terminal de tierra 0.0 Volts
OPERACIN DE LECTURA
Un dato ser ledo del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la aplicacin de un nivel alto en
la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la terminal (OE)', con estas conexiones se
dispone que se pueda leer la memoria RAM 6116, si se coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o (CS)'
las lineas de E/S y/o la pastilla 6116 se ponen en estado de alta impedancia, respectivamente.
(CS)' posee la funcin de controlar la activacin de la pastilla, la cual puede ser usada por un sistema con
microprocesadores para la seleccin del dispositivo.
La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la cual puede ser habilitada
cada vez que el microprocesador requiera leer la memoria.
OPERACIN DE ESCRITURA
Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicacin de un nivel bajo en la terminal (WE)', un
nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la terminal (OE)'.
La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria RAM 6116 se habiliten para
aceptar la informacin, en estas condiciones la terminal (OE)' posee la opcin de ser colocada en estado de
alto bajo, para realizar as la operacin de escritura.
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TIMER 555
CONFIGURACIN COMO ASTABLE

74HC573
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7447

74LS191
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IV. Procedimiento
CIRCUITO ALMACENADOR DE DATOS
LA MEMORIA RAM 6116 El dispositivo 6116 es una memoria de acceso aleatorio, Random
Acces Memory (RAM), cuenta con una capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una
memoria esttica de alta velocidad, est fabricada con la tecnologa CMOS, opera con una
fuente de alimentacin de +5.0 Volts y est dispuesta en una pastilla de 24 terminales.

Describa la funcionalidad del CARACTERSTICAS DE LA MEMORIA RAM 6116


CI 6116. Organizacin de la memoria: 2048 X 8
Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
Baja potencia en estado inactivo: 10 uW.
Baja potencia en estado activo: 160 mW.
RAM completamente esttica: No requiere reloj para su funcionamiento
Temperatura de operacin: 0.75 grados centgrados

Las aplicaciones del 555 son tan numerosas que prcticamente no existe un sistema
electrnico que no lo utilice de alguna forma. Su versatilidad, bajo costo y sencillez de uso lo
hacen imprescindible en muchos casos. Adems sobre el se ha escrito mucha literatura y
existen cientos de libros, artculos y documentos sobre sus aplicaciones reales y potenciales.
CARACTERISTICAS :
Describa la funcionalidad del
La corriente mxima de salida es de 200 mA cuando la terminal (3) de salida
timer555.
se encuentra conectada directamente a tierra.
Los retardos de tiempo de ascenso y descenso son idnticos y tienen un
valor de 100 nseg.
La fuente de alimentacin puede tener un rango que va desde 4.5 Volts
hasta 16 Volts de CD.

El 74HC753 es un pestillo transparente biestable cudruple con salidas complementarias. Dos


los pestillos estn controlados simultneamente por una de las dos entradas de habilitacin
HIGH activas (LE12 y LE34). Cuando LEnn es ALTO, los datos entran en los pestillos y aparecen
en las salidas nQ.
Describa la funcionalidad del CI Las salidas nQ siguen las entradas de datos (nD) siempre que LEnn sea ALTO (transparente).
74HC753
CARACTERISTICAS:
Salidas Q y Q complementarias
VCC y GND en los pines centrales
Disipacin de baja potencia
Cumple con el estndar JEDEC no. 7A
Niveles de entrada:

El circuito integrado 7447 o subfamilia (74LS47, 74F47, 74S47, 74HCT47,..) es un circuito


integrado que convierte el cdigo binario de entrada en formato BCD a niveles lgicos que
Describa la funcionalidad del
permiten activar un display de 7 segmentos de nodo comn en donde la posicin de cada
7447.
barra forma el nmero decodificado.

Circuito Integrado TTL 74LS191. Contadores binarios sincrnicos arriba / abajo de 4 Bits.
El 74LS191 es un circuito plano de 4 bits sncrono / Contador con el control del modo arriba
/ abajo. Tiene una complejidad de 58puertas equivalentes. funcionamiento sncrono se
Describa 74LS191
proporciona por tener todos los flip-flops sincronizados simultneamente, de modo que
las salidas cambian coincidentes entre s cuando as se lo indica la lgica de direccin
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Implementamos el siguiente circuito con los siguientes dispositivos:


Memoria Ram CI 6116, siendo esta una memoria de acceso aleatoria con una organizacin
de memoria de 2048 X
Time555, corriente mxima de 200 Ma, su fuente de alimentacin con un rango de 4.5 v a
16v CD.
Describa la funcionalidad del
Cl 74HC753, con salidas Q Y Q complementarias, disipacin de baja potencia.
siguiente circuito.
Tambien cuenta con Cl 7447, siendo este un circuito que convierte el cdigo binario de
entrada formato BCD a niveles lgicos que permiten activar un display de 7 seg de anodo.
El siguiente circuito tambin cuenta con Cl 74LS191, se denomina Contador binario
arriba/debajo de 4 bit

Elaboracin del circuito


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Implemente el siguiente circuito con Proteus, y explique su funcionamiento.


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OBSERVACIONES:
La memoria RAM, es aquella parte que el procesador usa para almacenar datos y programas en
ejecucin de forma temporal.
Lo ms importante que debemos saber sobre las tarjetas RAM, es que si no se instalan como se
debe, puede quemarse, mientras que en el programa proteus puedes obviar los daos a la
mquina.
Las memorias RAM son sumamente importantes para un PC, por eso, debemos pensar bien en el
tipo de memoria que vamos a utilizar y en cules son las ms actuales.
Con este programa podremos entender mejor el funcionamiento que presenta mediante sus
componentes

CONCLUSIONES

Nos da la seguridad que podemos armar un circuito correctamente

Podemos usar el proteus como un simulador de graficos bien detallado porque podemos ver las
fallas antes de tiempo

Se logr hacer circuitos bien detallados aunque con un funcionamiento simple con el fin de
entender mejor los circuitos.