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JUNIO 2013
formulario
EXAMEN GENERAL PARA EL EGRESO DE LA LICENCIATURA
EN INGENIERA ELECTRNICA
JUNIO 2013
Este Formulario es un instrumento de apoyo para quienes sustentarn el Examen General
para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO) y est
vigente a partir de marzo de 2013.
D. R. 2013
Centro Nacional de Evaluacin
para la Educacin Superior, A. C. (Ceneval)
[EGEL-IINDU]
Directorio
Direccin General
Mtro. Rafael Vidal Uribe
Dr. Jos Rubn Lagunas Jimnez Dr. Ricardo Oscar Magos Prez
Universidad Autnoma de Campeche Universidad Tecnolgica de Mxico
II = CO + CP + CA
donde:
TMAR = ( * i)n
donde:
TMARmixta = [I1 + PR1 + %I1 + %PR1] + [I2 + PR2 + %I2 + %PR2] ++ [In + PRn + %In + %PRn]
donde:
11
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
n
St
V P N = S0 +
t =1 (1 + i)t
donde:
(1 + i )n 1
V P N = P + A + VS
i (1 + i )n
donde:
n F N En VS
TIR = n
+
1 (1 + i) (1 + i)n
donde:
12
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
UN
ROI =
I
donde:
CF
PE =
CV
1
VT
donde:
Costo beneficio
B B D
=
C C
donde:
13
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Ingeniera econmica
Inters simple
I=niP
Inters compuesto
F
i=n 1
I
Valor futuro pago nico
F = P (1 + i )
n
1
P=F
(1 + i )
n
(1 + i )n 1
F= A
i
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Ingeniera econmica
Inters simple
I=niP
Inters compuesto
F
i=n 1
I
Valor futuro pago nico
n
F = P(F/P,i,n) F = P (1 + I)
P = F(P/F,i,n) P = F(1+I)n
F = A(F/A,i,n)
(1 + i )n 1
A
i
F=
I
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Fondo de amortizacin
i
A =F
(1 + i )n 1
i (1 + i )n
A = P
(1 + i )n 1
1 (1 + I)n
P = A
i
Series de gradiente
1
A=G
in
(1 + i )n 1
m
r
ie f = 1+ 1
m
Capitalizacin continua
m
r
i = l i m 1 + 1 = er 1
m m
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Definicin de e
1
m
i = l i m 1+ = e A
=
( )
er 1
m m F ( )
em 1
A ( e 1)
r
F
= em =
P P (1 e ) m
P (1 e )
P m
= e m
F =
F (
e 1m
)
A ( e 1)
r
= A 1 n
A (
er 1 ) =
G 1 em em 1
Pagos continuos
F
=
(em 1 ) P
=
(e
m
1 )
A r A r em
A r em
A r =
= P em 1
F ( m
e 1 )
Tasa mixta
= (i )/(1 )
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n n
V p = F l u j o(P / F,i, j) V p = F l u j o(F / P,i, j)
j= 0 j= 0
n
V p = F l u j o(P / F,i, j) * ( A / P,i, j )
j= 0
SAUE = - CAUE
Recuperacin de capital
CAUE = - SAUE = RC
(P Vs)(A/P,i,n) + iVs
Retiro y reemplazo
n
V p = F l u j o i n i c i a l + F l u j o(P / F,i, j)
j=1
Periodo de recuperacin
A B S(f l u j o)
Pr =
ingreso por periodo
Razn costo-beneficio
B D
=B
C C
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Radiofrecuencia
Estabilidad
YrYt
C=
2 g1 g 0 Re (YrYt )
2 ( g1 + Gs )( g 0 + GL )
K=
Yr Yt + Re (Yr Yt )
2
Yr
MAG =
4 g1 g 0
donde:
2 2 2
1 S11 S22 +
K= <1
2 S12 S12
donde:
= S11S22 S12 S12
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Teorema de Miller
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
1
RL =
gL
1
r o =
g o
Considere el caso anterior (Respuesta en altas frecuencias de un amplificador emisor comn (BJT)) y
en las expresiones segn la figura.
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r ro
g m RL s 2
Ri + r RL + ro
H (s) =
1 1
s+ s +
Ci ( Ri + r ) Co ( ro + RL )
Los polos del circuito estn dadas por:
1
f p1 =
2 Ci ( Ri + r )
1
f p2 =
2 Co ( ro + RL )
1 ro
g m RL s
Ri Cgs RL + ro
H (s) =
1 Ci + Cgs 1
s + s +
Ri Ci Cgs Co ( ro + RL )
Parmetros de dispersin
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b1 S11 S12 a1
b = S S22 a2
2 21
b1
S11 = Coeficiente de reflexin del puerto 1 (Entrada)
a1 a2 = 0
b2
S21 = Coeficiente de transmisin del puerto 1 al 2 (Ganancia)
a1 a2 =0
b1
S12 = Coeficiente de transmisin del puerto 2 al 1 (Ganancia en inversa)
a2 a1 =0
b2
S22 = Coeficiente de reflexin del puerto 2 (Salida)
a2 a1 =0
Lneas de transmisin
Impedancia caracterstica
2D
Z 0 = 276 log
d
donde:
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1 D D
Z0 = ln 138 r log
2 d r d
donde:
Si t << W
60 8b W
ln +
e W 4b Si W / b < 1
Z0 =
120
Si W / b > 1
e W / b + 1.393 + 0.667 ln (W / d + 1.444 )
donde:
r + 1 r 1 1
e = +
2 2 1 + 12d / W
En otro caso:
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87 5.98b
Z0 = ln
+ 1.41 0.8W + t
r = constante dielctrica
W = ancho de la pista
t = espesor de la pista
h = distancia entre la pista al plano a tierra
60 4d
Z0 = ln
0.67W ( 0.8 + t / b )
Impedancia caracterstica
R + j L
Z0 =
G + jC
Constante de propagacin
= ( R + j L )( G + jC )
Velocidad de propagacin
1
vp =
LC
Tiempo de retardo
td = LC
Ondas estacionarias
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Coeficiente de reflexin
Vr
=
Vi
Z Z0
= L
Z L + Z0
Vmax Vmin
=
Vmax + Vmin
donde:
= Coeficiente de reflexin
Vr = Voltaje reflejado
Vi = Voltaje incidente
V max 1 +
SWR = =
V min 1
y
SWR 1
=
SWR + 1
Si Z L y Z L > Z0 , entonces:
ZL
SWR =
Z0
Si Z L y Z L < Z0 , entonces:
Z0
SWR =
ZL
Impedancia de entrada ( Zin )
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Z L + jZ 0 tan ( l )
Z in = Z 0
Z 0 + jZ L tan ( l )
donde:
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Antenas
Ganancia directiva
Pantena de refecia
G( dB ) = [ dB ]
Pantena de prueba
Resistencia de radiacin
Pradiada
Rr = 2 []
I entrada
2
l
Rr = 790 [ ]
Ancho de banda de la antena
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
fm = f L f H [ Hz ]
Longitud efectiva
292
le = [ m]
f
rea efectiva
Wr
Aef =
Pi
P ( , ) = Re ( E H )
E
=
H
Wr = P ( , ) ds
Directividad
Pmax
D=
Wr
4 r 2
Lbulo
29
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
BWn 2.25BW3dB
30 Dt Pt
E=
d
30
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Conectores
RJ45
31
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
RJ11
32
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
VGA
Pines
33
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
USB
Patillaje
Pin 2 Data-
Pin 3 Data+
Pin 4 Ground
DB9
Se debe tener en cuenta que existen adaptadores DB9-DB25 para convertir fcilmente un enchufe
DB9 en uno DB25 y viceversa.
Pines
34
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
DB-25
Asignaciones de patas el conector D-25 para impresoras: Este conector trabaja para el puerto
paralelo.
35
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
IEEE.488
Terminales
36
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
RS-232 DB9
37
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
RS 422/485 DB 9
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Formulario general
Matemticas
lgebra
Si x < y
x + z < y + z
Si x < y; z > 0 xz < yz
x, y, z
Si x < y; z < 0 xz > yz
Si x < y; y < z x < z
n n
r = r
(
+ k 360 ); k entero
n
( )
ln r e i = ln r + ( + 2 k ) i ; k entero
f(x) ; g(x) 0, existen q(x); r(x); f, g, q, r polinomios tales que: f(x) = g(x) q(x) + r(x), con gr(r) < gr(g)
o r(x) = 0
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Para matrices A y B
(AB )1 = B 1 A 1 ; A y B no singulares
tr(A + B) = tr A + tr B
tr (aA ) = a (tr A )
(AB )T = BT A T
det (A) = det (A T )
det (AB) = det(A) det(B)
A (Adj A ) = (Adj A)A = det(A) I
1
det (A -1 ) = ; A no singular
det (A)
{
Si B = v 1 , v 2 , , v n } es base de un espacio V; x V
y x = 1 v 1 + 2 v 2 + + n v n ; entonces, el vector de coordenadas de x respecto a B es:
(x) B
= ( 1, 2 , , n )
T
( ) ( )
Si u, v, w V (C ) espacio vectorial, entonces f u, v = u | v es producto interno en V si:
( ) ( )
1) u | v = v |u
2) (u | v + w ) = (u | v ) + (u | w )
3) ( u | v) = (u | v )
4) (u | u) > 0 si u 0
( )
12
v = v| v norma de v
(
d u, v = v u ) distancia de u a v
cos =
(u v ) coseno del ngulo entre u y v
u v
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
(v | g ) ;
( v) = ( 1 , 2 , , n )
T
entonces i =
i
i = 1, 2, , n
B
(g | g )
i i
{
Si e 1, e 2 , , e m } es base ortonormal de un subespacio W del espacio V y v V ; entonces, la
m
proyeccin de v sobre W es: ( v | e ) e i i
i=1
T (V ) = T v | v V
{ ( )
re co rrid o d e V }
Para la transformacin lineal T:VW
N (T ) = v V / T v = O
{n u cle o d e T ( ) }
d im V = d im T ( V ) + d im N ( T )
{ }
Para T:VW; A= v 1, v 2 , , v n base de V y B base de W la matriz asociada a T, M BA ( T ) tiene por
columnas a:
()
T v = v con 0 y v 0
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
p an q an = ( p q ) an a m a n = a m+n
am
an
= a mn (a ) = (a )
m n n m
= a mn
n
n 1 an a
a = n n =
a b b
p n a q n a = ( p q) n a n
a b = n a n b
1
n
a n a a n n x
= = a mx = n a m
n
b b b
m
( )
m
n
am = n
a = an
a = i a
( )
2
( 2)
2
No es vlida en algunos casos; p. ej., = +2, 2 = 2
(a b) (a b)
2 3
= a 2 2ab + b 2 = a 3 3a 2b + 3ab 2 b3
(a + b + c) a2 b2 = ( a + b )( a b )
2
= a 2 + 2ab + 2ac + b 2 + 2bc + c 2
a 3 + b3 = ( a + b ) ( a 2 ab + b 2 ) a 3 b3 = ( a b ) ( a 2 + ab + b 2 )
2 b b2 4ac
ax + bx + c = 0 x1,2 =
2a
p p2
(a b + c)
2
x 2 + px + q = 0 x1,2 = q = a 2 2ab + 2ac + b 2 2bc + c 2
2 4
n n 1 n ( n 1) n 2 2 n ( n 1)( n 2 ) n 3 3
(a + b)
n
= an + a b+ a b + a b + + bn
1 1 2 1 2 3
a n + b n = ( a b ) ( a n 1 a n 2b + a n 3b 2 + ab n 2 + b n 1 )
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Logaritmos
x
log ( x y ) = log x + log y log = log x log y
y
1
log x n = n log x log n x = log x
n
log a n = n log a log a a = 1
log1 = 0
Binomio de Newton
n n n n
(a + b)
n
= a n + a n 1 b + a n 2 b 2 + a n 3 b3 +
0 1 2 3
Donde n tiene que ser un nmero entero
n n ( n 1)( n 2 ) n k + 1
=
k 1 2 3 k
n x n ( n 1) x
2
n
(1 + x ) = 1 + + +...
1! 2!
Teorema binomial
n k nk
( x + a )n = k =0
n
x a
k
Permutaciones
Pn = n! = 1 2 3 n
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Combinaciones y ordenaciones
n! n r
Ckn =
( n + k 1)! = n + k 1
Ckn = =
k !( n 1) ! k
k !( n k ) ! k
r con repeticin
( 1)
f ( x ) = (1 x ) = 1 x + x 2 + ...
2!
f ' (a ) f '' ( a )
f ( x) = f (a ) + (x a) + (x a) +
2
1! 2!
Expansin de Taylor
x x 2 x3
ex = 1 + + + +..., < x <
1! 2! 3!
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Clculo diferencial
y'
m = tan =
x '
y
La intensidad media de variacin de la funcin y = f ( x ) es la relacin de los incrementos
x
correspondientes al segmento de curva PP1
y f (x + x) f (x)
=
x x
Cuando x tiende a cero, el punto P1 tiende al punto P, y la secante PP1 , a la tangente a la curva en
P. De manera que la relacin de incrementos se convierte en la relacin de diferenciales, que es la
derivada (o Intensidad de cambio) de la funcin en P:
y dy
y' = lim = = f '(x)
x0 x dx
Si para cada x de una curva se lleva la pendiente (o derivada) correspondiente y' como ordenada, se
obtendr la curva de y ' = f '( x ) , o de la primera derivada de la curva dada y = f ( x ) . Si se deriva la
curva y ' = f '( x ) se obtendr y '' = f ''( x ) o la segunda derivada de la curva dada y = f ( x ) , etc.
(1+ y 2 )3
=
y
45
Formulario para el sustentante del
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1 + y 2
a= x y
y
1 + y 2
b= y+
y
Punto de inflexin
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Crecimiento y decrecimiento
Curvatura
Otros casos
Si para x = a
y '( a ) = y ''( a ) = y '''( a ) = = y ( n 1) ( a ) = 0 , pero y n 0 , pueden presentarse los cuatro casos
siguientes:
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Formulario para el sustentante del
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Tablas de derivadas
d d
( c) = 0 ( cx ) = c
dx dx
d d du dv dw
( cx n ) = ncx n 1 ( u v w) =
dx dx dx dx dx
d du d dv du
( cu ) = c ( uv ) = u + v
dx dx dx dx dx
d
( uvw ) = u v
dw
+uw
dv
+vw
du d u v
=
( du dx) u( dv dx)
dx dx dx dx dx v v2
d n du du 1
( u ) = nu n1 =
dx dx dx dx
du
dF dF du
= (Regla de la cadena)
dx du dx
d v d v ln u d
u = e = ev ln u [ v ln u ] =
dx dx dx d log a e du
log a u = a > 0, a 1
du dv dx u dx
vu v -1 + u v ln u
dx dx
d u du d d 1 du
a = a u ln a ln u = log e u =
dx dx dx dx u dx
d u du
e = eu
dx dx
d du d du
sen u = cos u cot u = csc 2 u
dx dx dx dx
d du d du
cos u = sen u sec u = sec u tan u
dx dx dx dx
d du d du
tan u = sec 2 u csc u = csc u cot u
dx dx dx dx
d 1 du d 1 du
cos1 u = 0 < cos1 u < sen 1 u = 2 < sen 1 u < 2
dx 1 u 2 dx dx 1 u dx
2
d 1 du d 1 du
tan 1 u = 2 < tan 1 u < 2 cot 1 u = 0 < cot 1 u <
dx 1 + u 2 dx dx 1 + u 2 dx
48
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
d 1 du 1 du d 1 du 1 du
sec 1 u = = , csc 1 u = = ,
dx u u 1 dx u u 2 1 dx
2 dx u u 1 dx u u 2 1 dx
2
d du d du
senh u = cosh u coth u = csc h 2 u
dx dx dx dx
d du d du
cosh u = senh u sec h u = sec h u tanh u
dx dx dx dx
d du d du
tanh u = sec h 2 u csc h u = csc h u coth u
dx dx dx dx
d 1 du d 1 du
dx
sen h -1u = tanh 1 u = , [ 1 < u < 1]
u 2 + 1 dx dx 1 u 2 dx
d 1 du
d 1 du cos h -1u = ,
csc h -1u = , dx u 2 1 dx
dx u 1 + u dx
2
49
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Clculo integral
Significado de la integracin
Por integracin se entiende el encontrar una funcin F ( x ) a partir de una funcin dada y = f ( x) de
manera que la derivada F ( x ) sea igual a la original f ( x) . Por lo tanto,
dF ( x )
F ( x ) = = f ( x)
dx
La integral indefinida
f ( x )dx = F ( x ) + C
C es una constante indeterminada que desaparece al derivar, ya que la derivada de una constante es
igual a cero.
Como muestra la figura, hay una infinidad de curvas y = F ( x ) con pendiente o derivada y = F ( x ) .
Todas las curvas y = f ( x ) son iguales pero desplazadas paralelamente y en la direccin del eje y .
La constante C fija una curva determinada. Si la curva debe pasar por el punto x0 , y0 se tendr:
C = y0 F ( x0 )
La integral definida
b
b
f ( x)dx = F ( x) a = F (b) F (a)
a
50
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
En la integral resultante se sustituye primero el lmite superior y luego el inferior, y se resta el segundo
resultado del primero. Desaparece as la constante C.
51
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Reglas de integracin
Formas fundamentales
u dv = uv v du e
u
du = eu + C
1 au
u du = n + 1 u
n n +1
+C n 1 a du = ln a + C
u
du
u
= ln u + C
Formas trigonomtricas
Formas cuadrticas
u 2 a2 du u
a 2 + u 2 du = a + u 2 + ln u + a 2 + u 2 + C 2 2
= sen 1
a
+C
2 2 a u
u 2 a2 du 1 1 u
u 2
a 2 + u2 du =
8
( a + 2u2 ) a 2 + u2 ln u + a 2 + u2 + C
8 a 2 + u 2 = a tan a + C
du 1 u
a 2 + u2
du = a 2 + u 2 a ln
a + a 2 + u2
+C 2 2 = a sec1 a + C
u u u u a
du 1 u+a
du
=
a 2 + u2
+C a 2
u 2 = ln
2a u a
+C
u2 a 2 + u2 a 2u
52
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
du u du 1 ua
= +C u 2 = ln +C
(a 2
+u )
2 3/ 2
a 2 2
a +u 2 2
a 2a u + a
2 2
a +u a 2 + u2 du
1 a 2 + u2 + a
u2
du =
u
+ ln u + a 2 + u 2 + C 2 2 = a ln +C
u a +u u
u a4 u u 2 a2 u
u 2 a 2 u 2 du = 8
( 2 u 2 a 2 ) a 2 u 2 + sen 1 + C
8 a a u du = 2 a u + 2 sen 1 a + C
2 2 2
u 2 du u a2 du
=
2
a 2 + u2
2
ln u + a 2 + u 2 + C 2 2 = ln u + a 2 + u2 + C
a 2 + u2 a +u
u 2 a2 u 2 du u a2 u
2
u a du =
2
2
u a ln u + u 2 a 2 + C
2
2
2 2
=
2
2 2
a u +
2
sen 1 + C
a
a u
a 2 u2 a + a 2 u2 a 2 u2 1 2 u
du = a 2 u 2 a ln +C u 2 du =
u
a u 2 sen 1 + C
a
u u
u 2 2 2 2 a4
1 a + a 2 u2
2 2 = a ln
du
+C u 2
u2 a2 du =
8
( 2u a ) u a ln u + u2 a2 +C
8
u a u u
du 1
=
a 2u
a 2 u2 + C
u2 a 2 a
du = u 2 a 2 a cos1 + C
u2 a 2 u2 u u
u 3a 4 u 2
u a 2 2
u a 2
(a
3
2
u 2 ) 2 du = ( 2u2 5a 2 ) a 2 u2 + sen1 + C du = + ln u + u 2 a 2 + C
8 8 a u 2
u
du u du
3 = +C = ln u + u 2 a 2 + C
( a 2 u2 ) 2 a 2
a 2 u2 2
u a 2
u 2 du u a2 udu 1
=
2
u2 a2 +
2
ln u + u 2 a 2 + C a + bu = b ( a + bu a ln a + bu ) + C
2
u2 a2
du a + bu b( 2 n 3) du u2 a 2
du
u n a + bu = a( n 1) u n 1 2 a( n 1) u n 1 a + bu 2 2 2 = a 2u + C
u u a
u 2 du 1 du u
a + bu = 2b [( a + bu) 3
2
4a ( a + bu ) + 2 a 2 ln a + bu ] + C 2 2 32 = a2 u 2 a2 + C
(u a )
du 1 u
u( a + bu) = a ln a + bu + C u
du
=
1
ln
a + bu a
+ C , si a > 0
a + bu a a + bu + a
2 a + bu
= tan 1 + C , si a < 0
a a
du 1 b a + bu a + bu
u ( a + bu) = au + a
2 2 ln
u
+C du = 2 a + bu + a
du
u u a + bu
53
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udu a 1
( a + bu) = + ln a + bu + C
b ( a + bu) b
2 2
a + bu
2 du =
a + bu b
+
du
u u 2 u a + bu
du 1 1 a + bu udu 2
u( a + bu) 2 = a( a + bu) a 2 ln u + C =
a + bu 3b 2
( bu 2 a ) a + bu
u 2 du 1 a2 u n du 2 u n a + bu 2 na u n 1 du
(a + bu )2
a + =
bu
a + bu
b3
2a ln a + bu + C a + bu
=
b( 2 n + 1)
b( 2 n + 1)
a + bu
2
u a + budu = 15b 2 ( 3bu 2a )( a + bu) 2 + C
3
csc sen
3 2
u du = 12 csc u cot u + 12 ln csc u cot u + C u du = 12 u 14 sen 2u + C
n 1
cos
2
u du = 12 u + 14 sen 2u + C
sen u du = 1n sen n 1 u cos u +
n
sen n 2 u du
n
n 1
cos tan
2
n
u du = n1 cosn 1 u sen u + cosn 2 u du u du = tan u u + C
n
1
cot
2
u du = cot u u + C
tan u du = tan n 1 u tan n 2 u du
n
n 1
1
cot n u du = n 1 cot n1 u cot n 2 u du sen
3
u du = 13 ( 2 + sen 2 u ) cos u + C
1 n2
sec n u du = n 1 tanu sec n 2 u + n 1 sec n2 u du cos
3
u du = 13 ( 2 + cos 2 u ) sen u + C
1 n2
csc n u du = n 1 cot u csc n 2 u + n 1 csc n 2 u du tan
3
u du = 12 tan 2 u + ln cos u + C
sen ( a b ) u sen ( a + b ) u
cot
3
u du = 12 cot 2 u ln sen u + C
sen au sen bu du = 2( a b)
2( a + b)
+C
sen( a b) u sen( a + b) u
sec
3
cos au cos bu du = 2( a b)
+
2( a + b)
+C u du = 12 sec u tan u + 12 ln sec u + tan u + C
cos( a b) u cos( a + b) u
u cos u du = u sen u n u sen u du
n 1
sen au cos bu du =
n n
+C
2( a b) 2( a + b)
u sen u du = sen u u cos u + C sen
n
u cos m u du
sen n 1 u cosm+1 u n 1
=
n+m
+
n+m
sen n2 u cosm u du
sen n +1 u cosm1 u m 1
=
n+m
+
n+m
sen n u cosm2 u du
2u 1 2
u 1 u2 u 2 +1 u
u cos u du = 4 cos u
1 1
4
+C utan u du =
1
2
tan 1 u + C
2
54
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1 n +1 u n+1du
sen
1
u n
sen 1 u du = 1
u du = u sen 1 u + 1 u 2 + C
u sen u , n 1
n + 1 1 u2
1 u n +1du
cos
1
u n cos1 u du = n + 1 u n+1 cos1 u + u du = u cos1 u 1 u 2 + C
, n 1
1 u2
1 n +1 1 u n +1 du tan
1
(
u du = u tan 1 u 12 ln 1 + u 2 + C )
u tan u du = 1+ u 2
n 1
u tan u , n 1
n +1
1
ue au
( au 1) e au + C
du =
a2
ln u du = u ln u u + C
1 n u n +1
u n e au du = a u n e au a u n1e au du u n
ln u du = [ ( n + 1) ln u 1] + C
( n + 1) 2
e au 1
e sen bu du = a 2 + b 2 ( a sen bu b cos bu) + C
au
u ln u du = ln ln u + C
e au
e au
cos bu du =
a + b2
2
( a cos bu + b sen bu ) + C
Formas hiperblicas
ua a2 a u du a u
2au u 2 du =
2
2 au u 2 + cos1
2 a
+ C = cos1
a
2
+ C
2a u u
2u au 3a 2 a3 a u u du a u
u 2au u2 du =
6
2au u2 + cos1
2 a
+ C = 2a u u 2 + a cos1
2 a
+ C
2au u
2a u u 2 a u du 2a u u 2
u 2 du = 2a u u 2 + a cos1
a
+ C =
au
+C
u 2a u u 2
u 2 du (u + 3a ) 3a 2 au 2a u u 2 2 2a u u 2 a u
2au u 2
=
2
2au u 2 +
2
cos 1 +C
a du = cos1 + C
u 2
u a
55
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Regla de Simpson
h
Ai = (
y + 4y1 + y 2
3 0
)
Para curvas de grado mayor que el tercero
h
A= ( )
y + yn + 2 y 2 + y 4 + ... + yn 2 + 4 y1 + y 3 + ... + yn 1
3 0 ( )
Integrales mltiples
b
x=a
f2 ( x )
y = f1 ( x )
F ( x, y ) dydx =
b
x=a { f2 ( x )
y = f1 ( x )
F ( x, y ) dy dx }
Donde y = f1( x) e y = f 2 ( x ) son las ecuaciones de las curvas HPG y PGQ respectivamente, mientras
que a y b son las abscisas de los puntos P y Q. Esta integral tambin se puede escribir as:
d
y =c
g2 ( y )
x = g1 ( y )
F ( x, y ) dxdy =
d
y =c { g2 ( y )
x = g1 ( y )
F ( x , y ) dx dy}
Donde x = g1 ( y) , x = g2 ( y ) son las ecuaciones de las curvas HPG y PGQ, respectivamente, mientras
que c y d son las ordenadas de H y G.
Estas son las llamadas integrales dobles o integrales de rea. Los anteriores conceptos se pueden
ampliar para considerar integrales triples o de volumen as como integrales mltiples en ms de tres
dimensiones.
t
s = s (t ) = r (t ) dt
a
(
Los vectores unitarios t , n , b forman una triada positiva b = t xn , n = b xt , t = nxb )
56
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Recta tangente en t0
r ( ) = r ( t0 ) + r ( t0 )
x x0 y y0 z z0
= =
x0 y0 x0
Plano oscilador( t , n ) en t0
x x0 y y0 z z0
( ) ( )
r r ( t 0 ) r ( t 0 ) xr ( t0 ) = 0 x 0 y 0 z 0 =0
x 0 y 0 z 0
Curvatura y torsin
y r ( t ) xr ( t ) r ( t ) ( r ( t ) xr ( t ) )
= (t) = 3 ( t) = 2
3
r ( t ) r ( t ) xr ( t )
1 + ( y) 2 2
d d d
( s ) =
r (s) T = kN N = B kT B = N
ds ds ds
Plano normal
( r r( t ) ) r( t ) = 0
0 0
x0 ( x x0 ) + y0 ( y y0 ) + z0 ( z z0 ) = 0
Plano rectificante t , b en t0 ( )
Ecuacin vectorial: Ecuacin paramtrica:
x - x0 y - y0 z - z0
( )
r r ( t0 ) n( t0 ) = 0 x 0 y 0 z 0 =0
y 0 z 0 y 0z 0 z 0 x 0 z 0x 0 x 0 y 0 x 0y 0
57
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
. a
a T = a T =
x a
a N =aN =
Propiedades de la divergencia
i) div( F + G) = div( F ) + div(G)
ii) div( F ) = div( F ) + (grad ) F
( ) ( )
iii) div( F + G) = G rot F -F rot G
58
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Geometra
reas
Crculo =
B + b
Trapecio A= h
2
ab sen bh
Tringulo A= =
2 2
Volmenes
Prismas V= SB h
donde SB = rea de la base
SBh
Pirmides V=
3
donde SB = rea de la base
Volumen = 43 r 3
rea de la superficie = 4 r 2
Volumen = r 2h
rea de la superficie lateral = 2 rh
59
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Volumen = 13 r2h
Volumen = 13 h ( a 2 + a b + b 2 )
rea de la superficie lateral
= ( a + b) h2 + ( b a)
2
= ( a + b) l
(x x 1 ) + (y 2 y 1 )
2 2
Distancia entre dos puntos 2
y 2 y1
Pendiente de una recta m=
x 2 x1
m1 m 2
ngulo entre rectas tan =
1 + m1m 2
Parbola
Elipse
( x h) (y k)
2 2
60
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
2b 2 c
a 2 = b2 + c2 ; ;LR =
e = <1
a a
2 2
Ax + Cy + Dx + Ey + F = 0; AC > 0
Hiprbola
( x h) (y k)
2 2
2b 2 c
c2 = a 2 + b2 ; ;LR =
e = >1
a a
2 2
Ax + Cy + Dx + Ey + F = 0; AC < 0
61
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Considerando P1 = ( x1 , y1 , z1 ) y P2 = ( x2 , y2 , z2 )
P1 P2 = (x 2 x 1 ) , ( y 2 y1 ) , ( z 2 z 1 ) = ( l , m , n )
d= (x 2 x1 ) + ( y2 y1 ) + ( z2 z1 ) = l 2 + m2 + n2
2 2 2
Forma paramtrica:
x = x1 + l t y = y1 + mt z = z1 + n t
Forma simtrica:
x x1 y y1 z z1
t= t= t=
l m n
Cosenos directores:
x2 x1 l y2 y1 m z2 z1 n
cos = = cos = = cos = =
d d d d d d
donde , , denotan los ngulos que forman la lnea que une los puntos P1 y P2 con la parte
positiva de los ejes x, y, z, respectivamente.
a 1 ( x x 1 ) + a 2 ( y y 1 ) + a 3 ( z z1 ) = 0
-Forma general:
Ax + By + Cz + D = 0
62
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Ax 0 + By 0 + Cz0 + D
d=
A2 + B 2 + C 2
en la cual el signo debe escogerse de tal manera que la distancia no resulte negativa.
Coordenadas cilndricas:
r = x 2 + y 2
x = r cos
y = r sen ()
= tan x
1 y
z= z z = z
Coordenadas esfricas:
x = sen cos
y = sen sen
z = cos
= x2 + y 2 + z 2
= tan x ()
1 y
z
= cos 2
1
2 2
x +y +z
63
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
m1 m2
ngulo entre dos rectas en el plano tan =
1 + m1m2
i j k
Producto vectorial a x b = a1 a2 a3
b1 b2 b3
a1 a2 a3
Producto mixto [a ]
b c = b1 b2 b3
c1 c2 c3
ab axb
ngulo entre dos vectores cos = ; sen =
a b a b
x = xo + at
Ecuaciones paramtricas de la recta y = y o + bt u = (a, b, c)
z = z + ct
o
x xo y yo z zo
Ecuaciones cartesianas de la recta, en forma = =
a b c
simtrica
u = ( a, b, c)
Po Q x u
Distancia de un punto Q a una recta d=
u
64
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
x = x o + ru x + sv x
Ecuaciones paramtricas de un plano y = y o + ru y + sv y
z = z + ru + sv
o z z
PoQ N
Distancia de un punto Q a un plano d =
N
u N
ngulo entre una recta y un plano sen =
u N
65
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Trigonometra
Representacin:
Unidad de arco:
1 radin (rad) es el ngulo central de una circunferencia de radio unitario que intercepta un arco
tambin unitario. Por lo tanto,
1m
1 rad = = 1(nmero adimensional)
1m
66
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180
360 = 2 rad, 1 rad = = 57.2967
1 = rad = 0.017453 rad
180
= =
180 57.2967
longitud de arco
= arc =
radio
La longitud de un arco (b) es el producto del radio r y el ngulo central (en radianes) de la
circunferencia:
b = r
Funciones trigonomtricas
En un tringulo rectngulo:
cateto opuesto a
sen = =
hipotenusa c
cateto adyacente b
cos = =
hipotenusa c
cateto opuesto a
tan = =
cateto adyacente b
67
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cot A =
cos A sen ( A B ) = sen A cos B cos A sen B
sen A
senAcscA=1 cos ( A B ) = cos A cos B sen A sen B
cosAsecA=1 tan ( A B ) =
tanA tanB
1 tanAtanB
tanAcotA=1 sen
A
=
1 cos A
2 2
sen ( A) = sen A A 1 + cos A
cos =
2 2
cos ( A) = cos A sen Asen B = 1
2 [ cos( A B) cos( A + B)]
tan ( A ) = tan A sen A cos B = 1
[ sen( A B) + sen( A + B)]
2
68
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Las leyes siguientes son vlidas para cualquier tringulo plano ABC de lados a, b, c y de ngulos A,
B, C.
a b c
= =
sen A sen B sen C
c 2 = a 2 + b 2 2 a b cos C
a + b tan 21 ( A + B )
=
a b tan 21 ( A B )
Teorema de Pitgoras
a 2 + b2 = c 2
0 0 1 0 1
1 3 3 2 3
30 3 2
2 2 3 3
2 2
45 1 1 2 2
2 2
3 1 3 2 3
60 3 2
2 2 3 3
90 1 0 0 1
69
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70
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Nmeros complejos
1 y
Se tiene que r = z = ( x, y ) y que = arg( z ) = tan
x
Luego:
y
sin = y = r sin
r
cos = x
x = r cos
r
Por lo tanto:
z = r (cos + i sin ) = r e i
Teorema de De Moivre
[r(cos + isen )]
p
= r p (cos p + isenp )
donde k es un entero positivo. De aqu se pueden obtener las n races n-simas distintas de un
nmero complejo haciendo k = 0,1, 2, , n 1
71
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Anlisis vectorial
Vectores unitarios sobre los ejes OX ,OY ,OZ : i , j , k
Componentes escalares
a x , ay , a z > 0
<
ax = x 2 x 1
ay = y2 y1
az = z 2 z1
Componentes vectoriales
a = ax + ay + az
a = ax i ay j + az k
Magnitud de un vector: a (o bien, a )
| a |= ax2 + ay2 + az2 ( | a | siempre 0 )
, , son los ngulos entre el vector a y los ejes OX ,OY ,OZ . ( , , = 0 180 ) .
a a a
cos = x , cos = y , cos = z
|a | |a | |a |
Clculo de las componentes. Si se conocen | a |, , , ,
ax =| a | cos ; ay =| a | cos ; az =| a | cos
72
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Suma vectorial s de dos vectores libres a y b
s = a + b = s x i + sy j + s z k
sx = ax + bx , sy = ay + by , sz = az + bz
| s |= sx2 + sy2 + sz2
Diferencia vectorial s de dos vectores libres a y b
s = a + (b )
sx = ax bx , sy = ay by , sz = az bz
| s |= sx2 + sy2 + sz2
Suma vectorial s de dos vectores libres a y b , c , etc.:
s = a + b c + = s x i + sy j + s z k
sx = ax + bx cx + , sy = ay + by cy + , sz = az + bz cz +
| s |= sx2 + sy2 + sz2
73
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Si k > 0, entonces c a , por lo que
Si k < 0, entonces c a , por lo que
El producto escalar de dos vectores libres a y b da el escalar k
Smbolo del producto escalar: punto
k = a b = b a = a b cos =| a | | b | cos
k = ax bx + ay by + az bz
a b + a b + a b
= cos 1 x x y y z z
|a | |b |
W = F s cos
74
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El producto vectorial de dos vectores libres a y b da el vector c
Smbolo del producto vectorial: cruz x
(
c = a b = b a
) c
0<<180 b
| c |= ab sin =| a || b | sin <
(c = 0)
c a y c b
>
a , b , c forman una triada derecha
a
cx = aybz azby 180<<360
a
cy = azbx axbz
cz = axby aybx
| c |= cx2 + cy2 + cz2 b c
A B = A B cos 0
A B = A1 B1 + A2 B 2 + A3 B 3
donde:
A = A1 i + A2 j + A3 k
B = B1 i + B2 j+ B3 k
i j k
Producto cruz: A B = A1 A2 A3
B1 B2 B3
= ( A 2 B 3 A 3 B 2 )i + ( A 3 B 1 A1 B 3 )j + ( A1 B 2 A 2 B 1 )k
75
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
= i+ j+ k
x y z
U U U
Gradiente de U grad(U ) = U = i + j + k U = i+ j+ k
x y z x y z
A A A
Divergencia de A div( A) = A = i + j + k ( A1i + A2 j + A3k ) = 1 + 2 + 3
x y z x y z
i j k
rotA = A = i + j + k ( A1i + A2 j + A3k ) = =
Rotacional de A x y z x y z
A1 A2 A3
A3 A2 A1 A3 A2 A1
i + j+ k
y z z x x y
2U 2U 2U
Laplaciano de U 2U = (U ) = + +
x 2 y 2 z 2
76
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Descomposicin
P ( x ) a0 + a1 x + a2 x 2 + ... + am x m
y ( x) = = , donde n y m son enteros y n > m
Q ( x ) b0 + b1 x + b2 x 2 + ... + bn x n
Los coeficientes a , b pueden ser reales o complejos. Si n son las races de Q (x ) , se obtiene la
forma factorizada:
P( x) P ( x)
y( x) = =
Q ( x ) ( x n1 ) ( x n2 ) k 2 ...( x nq ) kq
k1
P ( x) A A12 A1k 1
y ( x) = = 11 + 2
+ ... +
Q ( x ) x n1 ( x n1 ) ( x n1 ) k 1
A21 A22 A2 k 2
+ 2
+ ... + ... +
x n2 ( x n2 ) ( x n2 ) k 2
Aq1 Aq 2 Aqkq
+ 2
+ ... +
x nq ( x nq ) ( x nq ) kq
Si los coeficientes de Q( x) son reales, aparecen races complejas por parejas (races complejas
conjugadas). Para efectuar la descomposicin se agrupan estas parejas en fracciones parciales
reales. Si en b '1, n2 = n1 (compleja conjugada de n1 ) y debido a su aparicin por parejas k1 = k2 = k3 ,
entonces las fracciones parciales de b ' 2 , con las constantes A11 ,..., A2 k 2 pueden agruparse en las
fracciones parciales:
77
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Series de Fourier
a0
f (x) = + an cos ( nx ) + bn s e n ( nx )
2 n =1
1 1
ak = f ( x ) cos ( kx ) dx bk = f ( x ) s e n ( kx ) dx
Funciones pares: f ( x ) = f ( x )
2
ak =
f ( x ) cos ( kx ) dx
0
Para k = 0,1, 2, ,
bk = 0
78
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Funciones impares: f ( x ) = f ( x )
ak = 0
2
bk =
f ( x ) s e n ( kx ) dx
0
Para k = 0,1, 2, ,
2a s e n( ) s e n2( )
y= cos x + cos2x a
2 1 3 o 2 3 x
s e n 3( )
cos 3x + ...
3
y = ax / b para 0 x b
y = a para b x b
y = a ( x ) / b para b x
79
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
4a 1 1
y= s e n b s e n x + 2 s e n(3b)s e n(3x )
b 1 2
3
1
+ 2 s e n(5b)s e n(5x ) + ...
5
ax
y = para 0 < x < 2
2
(
y = f 2 + x )
a a s e n x s e n 2x s e n 3x
y = + + + ...
2 1 2 3
y = 2ax / para 0 x / 2
( )
y = 2a x / para / 2 x
y = f ( + x )
8 s e n 3x s e n 5x
y = a s e n x + ...
2 3 2
5 2
y = ax / para 0 x
( )
y = a 2 x / para < x < 2
y = f ( 2 + x )
a 4a cos x cos 3x cos 5x
y = 2 2 + + + ...
2 1 3 2
5 2
y = a s e n x para 0 x
y = a s e n x para x 2
(
y = f +x )
2a 4a cos 2x cos 4x cos 6x
y = + + + ...
13 35 57
y = 0 para 0 x / 2
y = a s e n(x / 2) para / 2 x 3 / 2
(
y = f 2 + x )
2a 1 cos 2x cos 4x cos 6x
y = cos x + 2 2 +. 2 ...
2 4 2 1 4 17 6 1
y = x 2 para x
( )
y = f x = f 2 + x ( )
2 cos x cos 2x cos 3x
y = 4 2 2
+ 2
...
3 1 2 3
80
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
ax
y= para 0 < x <
(
y = f 2 + x )
a 2a cos x cos 2x cos 3x
y= + + + ...
4 2 12 22 32
a s e n x s e n 2x s e n 3x
+ + ...
1 2 3
81
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Transformada de Fourier
Definiciones:
F {s ( t )} = S ( w ) = s ( t ) e jwt dt; j = 1
1
F1 {S ( w )} = s ( t ) = S ( w ) e dw;
jwt
j = 1
2
Reglas de operacin
Convolucin
s1 ( t ) s2 ( t ) = s1 ( ) s2 ( t ) d = s2 ( ) * s1 ( t ) d
F {s1 ( t ) s2 ( t )} = S1 ( w ) * S2 ( w )
F {s ( t )} = S ( w )
1 w
F {s ( at )} = S , a>0
a a
F {s1 ( t ) + s2 ( t )} = S1 ( w ) + S2 ( w )
Enseguida se indican las densidades espectrales calculadas para algunas importantes funciones del
tiempo.
82
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
( )= 2 2
2
( )=4 (2 )
( )
( )= = ( )= ( ) (Funcin rectngulo)
Funcin tringulo ( ) ( )= 2
2
Rectngulo modulado
( ) ( ) = =
( + ) ( )
( )= +
+
83
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
( )=
Impulso coseno ( ) =
( )= 4
1
2
Impulso cos2 ( ) =
4 1
( )=
4
4 1
4
Impulso exponencial
( )=
+
84
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Transformada de Laplace
Definiciones:
f (t )e
st
L{f (t )} = F (s ) = dt;
0
+
1
F (s)e
-1 st
L {F (s )} = f (t ) = ds; j = 1
2 j
Reglas de operacin
k =0
Integracin L{ f (t ) dt } = s1 F (s )
85
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
f(t) L f(t)}=F(s)
1. 1 1
s
2. tn, n = 1, 2, 3,... n!
s n +1
3. t 1/2
s
4. e at 1
sa
5. senkt k
s + k2
2
6. coskt s
s + k2
2
7. senhkt k
s k2
2
8. coshkt s
s k2
2
9. eat f (t ) F (s a )
10. (t a ), a 0 e as
s
11. f (t a )U (t a ), a 0 e as F (s )
12. t n f (t ), n = 1, 2, 3... dn
(1)n F (s)
dsn
15. (t t0 ), t0 0 e st0
86
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
20. t cos kt s2 k 2
(s 2 + k 2 ) 2
26. kt senkt k3
s2 (s2 + k 2 )
asenbt bsenat 1
27.
ab(a 2 b 2 ) (s 2
+a 2
)( s 2
+ b2 )
cos bt cos at s
28.
a2 b2 (s 2
+a 2
)( s 2
+ b2 )
29.
(t ) 1
t n 1 1
30.
(n 1)! sn
31.
exp(at ) 1 a
s(s a )
87
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
1 exp(t / T ) 1
32. T
1 + Ts
1 sin(kt ) s
33. 2k
(s + k 2 )2
2
1 sin(kt ) +
2k s2
+ 2t cos(kt ) (s 2 + k 2 )2
34.
cos(kt ) s3
k2 t sin(kt ) (s 2 + k 2 )2
35.
ebt eat 1
,b a
36. b a (s a )(s b)
1 e at sin(kt ) 1
37. k
(s + a )2 + k 2
1 1
38. t s
t 1
2
39. s s
1
3 s
40. 2 t 2
3
5 s s
41. 4 t 2
42.
1 at
t
(
e e bt ) ln
s +b
s +a
1 tan 1(a s )
sin(a t )
43. t
a 2
a
e 4t
e a s ; a > 0
44. 2t t
88
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
a 1 a s
erfc e ; a0
45. 2 t s
46. Funcin de Bessel J o (kt ) 1
s2 + k 2
89
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Probabilidad y estadstica
Media
1 n
(varianza 2 conocida) X = Xi X z X + z
n i =1 n n
2 2
Sn21 =
1 n 2 (n 1)Sn21 2
(n 1)Sn21
( Xi X)
n 1 i =1 2 2
, n -1 1 , n-1
2 2
x =
n
i=1 xi
n
x=
n
Media de medias
j=1 x j
m
x=
n
R = Vm a x Vm i n
Media de rangos
j=1R j
m
R=
m
90
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
X 0
H0 : = 0, 2 conocida Z0 =
n
X 0
H0 : = 0, 2 desconocida t0 =
Sn 1
n
H0 : 2 = 02 20 =
(n 1) S2n1
20
Regresin lineal
y = 0 + 1x
= y x
0 1
n n
n yi xi
yi x i i =1
i =1
n
1 = i =1
2
n
n xi
xi
2 i =1
i =1 n
y (x i i
x)
Coeficiente de correlacin de la muestra r= i =1
1/2
n n
i
2
(x x ) (yi y )2
i =1 i =1
n!
Permutaciones Prn =
(n r )!
n n!
Combinaciones =
(
r r ! n r !
)
n!
Permutaciones con objetos similares Pnn,n ,...,n =
1 2 k
n1 ! n2 !...nk !
91
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
P (A B )
Probabilidad condicional P (A B ) =
P (B )
P (Bk )P (A Bk )
Teorema de Bayes P (Bk A) = N
P (B )P(A B )
i =1
i i
92
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
93
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
2 > 2 2 > 4
Erlang r -1 - t
( t ) e r r
(r - 1)! t > 0
2
94
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Fsica
Mecnica
Centroides
Arco de circunferencia
r ( sen ) (180 ) rs
y= =
(
) b
Tringulo
1
y= h
3
Sector de crculo
Trapecio
h a + 2b
y=
3 a+b
2 R3 r 3 sen
y= 2 2
3 R r
2 R3 r 3 s
y= 2 2
3 R r b
Segmento de crculo
s3
y=
12 A
95
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Esttica
Friccin esttica
Ff 1 = F1 = G tan 1
N = G
C < 1(variable) < 0
Valor lmite
Ff 0 = F0 = G tan 0
N = G
0 = tan 0 >
0 = constante >
Friccin dinmica
Ff = F = G tan
N = G
= tan > 0
= constante > 0
0 sen 0
F=G =G
sen - 0 cos sen( - 0 )
tan = tan =
Friccin de chumaceras
De carga radial
M 1 = r rF
96
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
De carga axial
r1 + r2
M f = a F
2
Friccin rodante
f f
F = N G
r r
Condicin de rodamiento
Ff < 0N
(f1 + f2 ) G1 + nf2 G 2
F =
2r
Si f1 = f2 = f y nG < G
2 1
f
F = G
r 1
Friccin en cables
F1 = e aG , Ff = (e a 1)G
F2 = e aG, Ff = (1 e a )G
Mi
Fp = y Fp = F
r
97
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
En movimiento
Fp
F0 = a
1
e
e a
F1 = Fp a
e 1
e a + 1
Fa = Fp a
e 1
En reposo
Fa ( e a + 1)
F0 = F1 =
2( e a 1)
e a + 1
Fa = Fp a
e 1
Cinemtica
dr dv
F = xi + yj + zk v = a =
dt dt
dv v 2
a = u + u v = vut
dt t n
r + ru
v = ru
a = (r r2 )ur + (r + 2r)u
x = vt
x = x 0 + vt
1
(
v = v + v0
2
)
v = v 0 + at
1
(
x = x 0 + v0 + v t
2
)
1
x = x 0 + v 0t + at 2
2
v 2 = v 02 + 2a(x x 0 )
98
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Dinmica
W
F = ma = a W: peso
g
mM
F=G
r2
F = m dV / dt
XB = XB XA
A
VB = VB VA
A
aB = aB a A
A
v= x r
Aceleracin (lineal) , = =
1
Por simplicidad se omite la dependencia del tiempo en las funciones. Por ejemplo: v(t) V.
99
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Aceleracin (angular) , = =
r = r (t ) = xi + yj + zk, v = r = xi
+ yj
+ zk
, a = r = xi
+ yj
+ zk
r = r = xi + yj, v = xi
+ yj
, a = xi
+ yj
r = xi, v = xi
, a = xi
a = ( r ) + r
= +
= + + ( )
v =
n n n
M xy = m z ,
i =1
i i
M xz = m y ,
i =1
i i
M yz = m x
i =1
i i
100
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
n n n
M Xc = mixi ,
i =1
MYc = miyi ,
i =1
M Zc = m z
i =1
i i
I xx = MM xz + MM xy I yy = MM yz + MM xy I zz = MM yz + MM xz
Dinmica de la partcula
Ecuaciones de movimiento
F = ma
F
a=
m
Trabajo y energa
dT = p dr
Energa cintica y su relacin con el trabajo realizado por la fuerza resultante que acta sobre una
partcula
1 2
EC = mv
2
Fdt = (mv)
2
2
(mv )1
101
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
n
F= m a
i =1
i 1
F = Mac
2
n n
1 F dt = i i m i vi
m v
i =1 2 i =1 1
n n
mi i mi i = 0
i =1 2 i =1 1
HCC = ICC
Ecuacin para obtener la suma de los momentos de los elementos mecnicos que actan sobre un
cuerpo rgido.
MCC = ICC
Momento de un sistema de fuerzas y/o pares que actan sobre un cuerpo, con respecto el eje CC.
n
MCC = (
i =1
i
* Fi )
Primera forma de la ecuacin del trabajo y la energa para un cuerpo rgido que realiza un movimiento
plano general.
n n
1 1
F drC + Fi di + Q j d j =
1 2 2
MV 2 + I CC 2
2
i =1
1
j =1
1 2 c 2
2
M CC dt = I CC (2 1 )
1
102
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
+ = 0 con =
+ = con =
= .
= .
.
= = = . P: potencia
= : eficiencia
= =
= K: energa cintica
W = = V: energa potencial
( )=
1
=
2
Impulso e mpetu
I = Fdt
I = p
p = mv p: mpetu
p = p f pi = Fdt p : impulso
103
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Electricidad y magnetismo
q1q2 r qq
F =k 2 F = k 1 22 r = r1 r2
r r r
F
E=
q
q
E = E dA = E : flujo elctrico
0
q
V =k V : potencial electrstatico
r
Ub U a W
b
Vb Va = = ab = E dl
q q a
m i 1 qi q j
U = 4 r U : energa potencial electrosttica
i =1 j =1 0 ij
Capacitancia
q = CV C : capacitancia
A
C = k 0 Capacitor de placas paralelas
d
A
C = =k 0 k: constante dielctrica
d
2 l
C = k 0 Capacitor cilndrico
ln(b / a)
q2 1 1
U= = CV 2 = qV U: energa almacenada en un capacitor
2C 2 2
1
u = k 0 E 2 u: densidad de energa
2
104
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
q
i= i: corriente elctrica
t
i = nqvA
i
j= = ni qi vi j: densidad de corriente, A: rea
A i
E
= : resistividad
j
V l
R= = R: resistencia
i A
R = R0 (1 + t ) Variacin de R con la temperatura
Vab = IR
i = i
ent sal
105
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Magnetismo
F = qv B v: velocidad, B: campo magntico
F = il B l : elemento de longitud
=NiABsen
dl = 0i
B
= B dA
0 i
B= r: distancia
2 r
0 I
B=
2a
Ni
B= 0 N: nmero de vueltas
2 r
I
dB = 0 sen d r: radio
4 a
I
B = 0 (cos1 -cos2 )
4 a
d
=- B : fuerza electromagntica
dt
= -vBl
d
=
dt
106
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Equivalencias
Longitud
m in ft mi
1m 1 39.37 3.281 6.214x10-4
1 in 2.54x10-2 1 8.333x10-2 1.578x10-5
1 ft 0.3048 12 1 1.894x10-4
1 mi 1 609 6.336x104 5 280 1
Masa
Kg uma lb
1 kg 1 6.022x1026 2.205
1 uma 1.661x10-27 1 3.662x10-27
1 lb 0.4536 2.732x1026 1
Fuerza
Presin
atm mm Hg Pa bar
1 atm 1 760 1.013x105 1.013
1 mm Hg 1.316x10-3 1 133.3 1.333x10-3
1 Pa 9.869x10-6 7.501x10-3 1 10-5
1 bar 0.987 750.062 105 1
Campo magntico
gauss T
1 gauss 1 10-4
1 tesla 104 1
107
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Flujo magntico
maxwell Wb
1 maxwell 1 10-8
8
1 weber 10 1
108
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Qumica
Constantes
109
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
110
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Ley de Ohm
V
I=
Z
donde:
I = Corriente [A]
V= Voltaje [V]
Z = Impedancia []
Capacitor
1 dV
C
Vc = Idt Ic = C
dt
1 dI
L
IL = Vdt VL = L
dt
N
1 N
dI l
IL = VL = Ll
Lkl
Vl dt k = 1, 2,3..., N k = 1, 2,3..., N
l =1 l =1 dt
donde:
Divisor de corriente
111
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
RA
IB = If
RA + RB
ZA
IB = If
Z A + ZB
Rrama contraria
I Rx = If
RT
Z rama contraria
I Zx = If
ZT
Divisor de voltaje
RB
VRB = Vf
RA + RB
RA
VRA = Vf
RA + RB
Leyes de Kirchhoff
Vk = 0
k =1
I
k =1
k =0
donde:
112
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Potencia
Potencia activa
P = VI cos ( ) [W ]
V2
P= cos ( ) [W ]
Z
P = I 2 Z cos ( ) [W ]
Potencia reactiva
Q = VI sin ( ) [VAR ]
V2
Q= sin ( ) [VAR ]
Z
Q = I 2 Z sin ( ) [VAR ]
Potencia compleja
S = VI * [VA]
Factor de potencia
f p = cos ( )
113
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
1 Rl2C
fp = 1
2 LC L
R || R p
Qp = s
XL
1
fp =
2 LC
ZTP = Rs || Q 2 Rl
Z
Qp = TP
pL
Entonces, el voltaje eficaz (RMS) en una red excitada con una tensin V ( t ) es:
1 n
Vrms = Vo2 + Vk2 donde k = 1, 2,3,..., n
2 k =1
La corriente eficaz (RMS) en una red en la que circula una corriente I ( t ) es:
1 n
I rms = I o2 + I k2 donde k = 1, 2,3,..., n
2 k =1
1 n
P = Vo I o + Vk I k cos ( k k ) donde k = 1, 2,3,..., n
2 k =1
114
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Impedancia
Z kl
ZT =
cof Z kk
Admitancia
Ykl
YT =
cof Ykk
Teoremas de redes
Teorema de Thevenin
Vth
Z th =
I cc
Teorema de Norton
115
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Vca
ZN =
IN
Teorema de reciprocidad
Si se tiene un circuito formado slo por elementos pasivos, entonces, es posible aplicar el
teorema de reciprocidad. Si este circuito tiene una fuente de corriente o voltaje a la
entrada, entonces, los pasos para aplicar el teorema de intercambio de fuentes son:
Teorema de superposicin
Si el circuito es lineal es posible aplicar este teorema. Los pasos necesarios son:
116
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Parmetros de impedancias(Z)
V1 = Z11 I1 + Z12 I 2
V2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2
V1
Z11 = Impedancia de entrada
I1 I 2 =0
V2
Z 21 = Impedancia de transferencia directa
I1 I 2 =0
V1
Z12 = Impedancia de transferencia inversa
I2 I1 = 0
V2
Z 22 = Impedancia de salida
I2 I1 = 0
I1 = Y11V1 + Y12V2
I 2 = Y21V1 + Y22V2
I1
Y11 = Admitancia de entrada
V1 V =0
2
I2
Y21 = Admitancia de transferencia directa
V1 V =0
2
I1
Y12 = Admitancia de transferencia inversa
V2 V1 = 0
I2
Y22 = Admitancia de salida
V2 I1 = 0
117
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
V1 = h11 I1 + h12V2
I 2 = h21 I1 + h22V2
V1
h11 = Impedancia de entrada con terminales de salida en corto
I1 V =0
2
I2
h21 = Ganancia en corriente
I1 V2 = 0
V1
h12 = Inverso de la ganancia de voltaje
V2 I1 = 0
I2
h22 = Admitancia de salida con terminales de entrada abiertas
V2 I1 = 0
I1 = g11V1 + g12 I 2
V2 = g 21V1 + g 22 I 2
I1
g11 = Admitancia de entrada con terminales de salida abiertas
V1 I 2 =0
V2
g 21 = Ganancia en voltaje
I1 I 2 =0
I1
g12 = Inverso de la ganancia corriente
I2 V1 = 0
V2
g 22 = Impedancia de salida con terminales de entrada en corto circuito
I2 V1 =0
118
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Respuesta transitoria
Elemento Circuito equivalente inicial para t < 0 Circuito equivalente pata t>>0
Cargado Descargado
R Resistencia
L iL(0-) = iL(0+) iL(0+) = 0
Cortocircuito
Fuente ideal de corriente Circuito abierto
C vC(0-) = vC(0+) VC(0+) = 0
Circuito abierto
Fuente ideal de Voltaje Cortocircuito
Para la corriente
( E V ( 0)) e RC
i (t ) =
c
[ A]
R
Para el capacitor
t
VC ( t ) = E + (VC ( 0 ) E ) e RC [V ]
Para la resistencia
t
VR ( t ) = Ri ( t ) = ( E Vc ( 0 ) ) e RC
[V ]
Constante de tiempo
= RC [ s]
donde Vc ( 0 ) es el voltaje inicial en el capacitor.
119
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Respuesta en circuitos RL
La corriente para
E Rt
Rt
i ( t ) = 1 e + i ( 0 ) e L
L
[ A]
R
Para el resistor
Rt
Rt
VR ( t ) = Ri ( t ) = E 1 e + Ri ( 0 ) e L
L
[V ]
Para el inductor
di ( t ) Rt Rt
VL ( t ) = L = Ee Ri ( 0 ) e L
L
[V ]
dt
L
= [ s]
R
t
q ( t ) = EC 1 e RC
E RCt
i (t ) = e
R
t
vR = Ri = Ee RC
1
t
vC = E vR = E = 1 e RC
120
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
E
R
t
i (t ) = 1 e L
R
R
t
v R = E 1 e L
R
t
vL = E e L
Caso I:
Respuesta bajo amortiguada (races complejas conjugadas)
i ( t ) = k1e( + j )t + k2 e( j )t
k1 = k2
vc ( 0 )
k=
2 L
vc ( 0 )
i (t ) = e t sen ( t )
L
Caso II:
Respuesta crticamente amortiguada (races reales y repetidas)
i ( t ) = k1et + k2et
k1 = 0
vc ( 0 )
k2 =
L
121
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
vc ( 0 )
i (t ) = e t
L
Caso III:
Respuesta sobre amortiguada (races reales y diferentes)
i ( t ) = k1e( + j )t + k2 e( + j )t
k1 = k2
vc ( 0 )
k1 =
2 L
vc ( 0 )
k2 =
2 L
vc ( 0 )
i (t ) = e t senh ( t )
L
Funcin de transferencia
Vo ( s )
H (s) = Relacin de voltajes
Vi ( s )
Vo ( s )
H (s) = Impedancia de transferencia
Ii ( s )
Io ( s )
H (s) = Relacin de corrientes
Ii ( s )
Io ( s )
H (s) = Admitancia de transferencia
Vi ( s )
122
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Sistemas acoplados
Factor de acoplamiento
Llk
K kl =
Lkk Lll
Inductancia mutua
donde:
Sistemas trifsicos
La impedancia Z de una carga reactiva que est formada por una resistencia R y una
reactancia en serie es:
Z = R + jX
V = ZI
y
I = YV
Entonces:
VR jVX
I= 2
Z
VR VX
I= 2
j 2
Z Z
123
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
I = I P jI Q
VR
IP = 2
= I cos ( )
Z
VX
IQ = 2
= I sin ( )
Z
Q P Q
= a tan = a cos = a sin
P S S
Si se aplica una tensin V, a una carga reactiva Z y la corriente I que circula en el circuito,
entonces, la potencia compleja S, potencia activa P y potencia reactiva Q estn dadas
por:
ZV 2 2
S = VI * = 2
= I Z
Z
V 2R
P = VI P = 2
Z
V 2X
Q = VI Q = 2
Z
R
fp = cos ( ) =
Z
X
fr = sen ( ) =
Z
124
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Potencia trifsica
Para una carga balanceada conectada en estrella con una tensin de lnea Vlinea y una
corriente de lnea Ilnea :
Vlinea
Vestrella =
3
I estrella = Ilnea
V Vlinea
Z estrella = estrella =
I estrella 3I estrella
Vlinea 2
Sestrella = 3Vestrella I estrella = 3Vlinea I lnea = = 3I lnea 2 Z estrella
Z estrella
Para una carga balanceada conectada en delta con una tensin de lnea Vlinea y una
corriente de lnea Ilnea :
Vdelta = Vlnea
I
I delta = lnea
3
Vdelta V
Z delta = = 3 lnea
I delta I lnea
3Vlnea 2
S delta = 3Vdelta I delta = = I lnea 2 Z delta
Z delta
Note que la equivalencia entre cargas balanceadas conectadas en estrella y delta es:
Zdelta = 3Zestrella
125
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Electrnica Analgica
qVD
I D = I S e nk T 1
donde:
Diodo zener
Rz
Regulacin de lnea =
Rz + Rs
Regulacin de carga = ( Rz Rs )
Rs
Regulacin zener =
Rz + Rs
Vzo = Vz ( Rz I z )
Para RL = 0
Iz =
(Vs Vzo )
( Rz + Rs )
Vo = Vzo + ( Rz I z )
Vs Vzo Rz I z
Rs =
Iz + IL
126
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Pz = Vz I z
Regulacin de voltaje
V
R. lnea = sal 100%
Vent
V V
R. carga = NL FL
VFL
R
Regulacin de carga = sal 100
RFL
127
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
donde:
VNL = Voltaje sin carga
VFL = Voltaje a plena carga
R
Vo = 1 + 2 Vref
R3
Vin
I L( max ) =
RL
t
Vo = on Vin
T
donde:
T = tin + toff
R
VSAL = VREF 1 + 2 + I ADJ R2
R1
VSAL
I L (max) = + IG
R11
128
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Ic
cd =
IB
Ic
cd =
IE
donde:
cd = Ganancia en corriente en CD
cd = Factor de amplificacin de corriente en polarizacin directa
IC = Corriente de colector
IB = Corriente de base
IE = Corriente de emisor
Corrientes en un transistor
I E = IC + I B
VBE 0.7V
Corriente en la base
VCC VBE
IB =
RB
donde:
VCE = VCC IC RC
donde:
129
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
donde:
Condicin de corte
I C ( SAT )
I B( min ) =
cd
Polarizacin
VB = I E RE + VBE
130
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
VC = VCC IC RC
VE = VB VBE
VCC VBE
IE =
RE + ( RB / cd )
IC I E
VC = VCC IC RC
VB = VBE
VE = 0 V
VCC VBE
IC
RC
VCC VBE
IC =
R
RC + B
cd
VCE = VCC IC RC
I E IC
V V
I B = C BE
RB
131
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Polarizacin de base
VB = VBE
VC = VCC IC RC
VE = 0 V
V VBE
I C = cd CC
RB
I E IC
VC VBE
IB =
RB
VCE = VCC IC RC
132
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
VB = VE + VBE
VC = VCC IC RC
VE = VEE + I E RE
VEE VBE
IE
RE
VEE VBE
IE =
R
RE + B
cd
I E IC
VB V
IB = IB = B
RB RB
133
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
R2
VB = VCC
R1 + R2
VC = VCC IC RC
VE = VB VBE
VE
IE =
RE
I E IC
VTH VBE
IE =
R
RE + TH
cd
VB
IB =
cd RE
134
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
25mV
r 'e =
IE
Rin = R1 R2 ( ca r 'in )
Rout RC RL
RC RL
AV =
r 'e
IC
AI =
I in
135
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
RC RL
AV
RE1
Rout = RC RL
25mV
r 'e =
IE
136
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Rin = R1 R2 ( ca + 1) r 'e + ( RE RL )
Rout = ( RE RL ) r 'e + R1 R2 rout ( ca + 1)
Re
AV = 1
r 'e + R e
Ie
Ai =
I in
25mV
r 'e =
IE
R ENT(emisor) = r 'e
RSAL R C
RC
AV
r 'e
Ai 1
donde:
137
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
2
VGS
I D = I DSS 1
V
GS (corte)
Transconductancia
2
VGS
gm = gm0 1
VDS ( corte )
2 I DSS
gm0 =
VGS (corte)
138
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Polarizacin
Polarizacin fija
VGS = VGG
VDD VDS
I DS =
RD
VDD = I DS + VDS
Autopolarizacin
VGS
I DS =
RS
VGS( OFF )
RS =
I DSS
139
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
2
V
I DS = I DSS 1 GS
VGS
( OFF )
VGSQ = 0.382VGSoff
VDD VDS
I DS =
RD + RS
VDD = I DS ( RD + RS ) + VDS
VGG VGS
I DS =
RS
RG = R1 R2
R1
VGG = VDD
R1 + R2
VDD VDS
I DS =
RS + RD
140
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
RG = R1 R2
RL = RC RL
Z i = RG
Z o = rds RD
VL RG
AV = = gm ( rds RD RL )
VS RG + rS
V rDS RD
Ai = L = g m RG
VS rDS RD + RL
2
I R
I D = I DSS 1 D S
VGS
( CORTE )
AV = gmRd
V
R ent = RG GS
I GSS
141
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
2
I R
I D = I DSS 1 D S
V
GS ( corte )
gmRS
AV =
1 + gmRS
V
R ent = RG GS
I GSS
142
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
2
I R
I D = I DSS 1 D S
V
GS ( corte )
AV = gmRD
1
R ent = RS
gm
donde:
143
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
144
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Transistor MOSFET
Curva caracterstica
2
VDS
I D ( Act ) = K (VGS VT ) VDS
2
K +1
(VGS VT )
2
I D ( sat ) =
K0
145
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Amplificadores operacionales
Caractersticas
AV
CMRR =
Amc
A
CMRR = 20 log V
Amc
Vsal
SR =
t
I1 + I 2
I polarizacin =
2
IOS = I1 I 2
SR
f max = AB si AB
2Vp
SR SR
f max = si AB >
2Vp 2Vp
146
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Configuraciones de amplificadores
Amplificador no inversor
Rf
Av = 1 +
Ri
Seguidor de voltaje
AV = 1
Amplificador inversor
Rf
AV =
Ri
Zent Ri
V V V
Vsal = R f ent1 + ent 2 + + entn
R1 R2 Rn
Amplificador restador
R R4 R2
Vsal = 1 + 2 V2 V1
R1 R3 + R4 R1 + R2
Amplificador derivador
dVent
Vsal = RC
dt
147
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Amplificador integrador
1
Vent ( t ) dt + Vc ( 0 )
RC
Vsal =
R2
Vdisparo alto = ( +Vsal max )
R1 + R2
R2
Vdisparo bajo = ( Vsal max )
R1 + R2
Amplificador de histresis
Amplificador de instrumentacin
2R
Acl = 1 +
RG
2R
RG =
Acl 1
Amplificador de aislamiento
Rf 1
Av1 = +1
Ri1
Rf 2
Av 2 = +1
Ri1
Amplificador logartmico
V
Vsal = ( 0.025 ) ln ent
I EBO R1
148
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
V
Vsal = R f I EBO anti ln ent
25mV
Vsal = I i R f
Vent
IL =
R1
Disparador Schmitt
Vsat
RF = R1
Vth
RX = R1 RF
Filtros
AB = fc
AB = fcs fci
f0 = f cs f ci
Filtros Butterworth
2 1
H ( j ) =
1 + 2n
149
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
1
H ( s) =
Bn ( s )
B1 ( s ) = s + 1
B2 ( s ) = s 2 + 1.4142s + 1
B3 ( s ) = s3 + 2s2 + s + 1
Convertidores
v1
f0 =
Vref Rent Cref
donde:
V1 = voltaje de entrada
Vref = voltaje de refencia
Cref = capacitancia de referencia
donde:
B B B B
I s = Vref 0 + 1 + 2 + 3
R0 R1 R2 R3
150
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
B B B B
V0 = RF I F = RFVref 0 + 1 + 2 + 3
R0 R1 R2 R3
donde:
R
R0 = =R
20
R R
R1 = 1 =
2 2
R R
R2 = 2 =
2 4
R R
R3 = 3 =
2 8
Vref RF B0
V0 = para LSB = 1 nico
3R 2 4
Vref RF B3
V0 = para MSB = 1 nico
3R 21
Vref RF B0 B1 B2 B3
V0 = + + + cuando el sistema est completamente activado
3R 24 23 22 21
1 para Va > Vb
Vconv = sgn (Va Vb ) =
0 para Va < Vb
151
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Amplificadores de corriente
La corriente en el colector
IR
I C1 = I C 2 =
2
1+
F
VCC VBE1
R1 =
IR
152
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
I C1
VT ln = I S RE
IS
VCC VBE
donde: I C1 =
R1
R
Z O = hoe12 1 + F E
hie 2 + RE
I E 2 = (1 + F ) I B 2
1 I C1
I E 2 = I C 3 + I B 3 + I B1 = 1 + +
F F
VCC 2VBE
I OUT =
R1
153
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Resistencia de salida
h fe hoe1
Z out =
2
VCC 2VBE
I out =
R1
Z out = h fe hoe1
154
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Si R2 = R4
R2Ve
IS =
RS R1
V + Ve V + RS I S
= +
R4 R1 R2
V2 = V + RS I S
155
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Electrnica digital
Algebra Boole
Propiedades:
a+b =b+a
a b = b a
b) Dentro del lgebra existen dos elementos neutros, el 0 y el 1, que cumplen la propiedad
de identidad con respecto a cada una de dichas operaciones:
0+a = a
1 a = a
a (b + c) = a b + a c
a + ( b c ) = ( a + b) ( a + c )
d) Para cada elemento a del lgebra existe un elemento denominado a tal que:
a + a =1
aa = 0
A+0 = A A0 = 0
A +1 = 1 A 1 = A
A+ A = A A A = A
A+ A =1 A A = 0
Principio de dualidad
A + 0 = A A 1 = A
A A = 0 A + A = 1
156
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Operaciones binarias
Suma binaria
0+0 = 0
0 +1 = 1
1+ 0 = 1
1+1 = 0
Resta binaria
00 = 0
0 1 = 1
1 0 = 1
1 1 = 0
Operaciones lgicas
Suma lgica
0+0 = 0
0 +1 = 1
1+ 0 = 1
1+1 = 1
Producto lgico
00 = 0
0 1 = 0
1 0 = 0
1 1 = 1
Complementacin
0 1
1 0
Propiedades
Propiedad conmutativa
A B C D = D C B A
A+ B +C + D = C + D + A+ B
D C B A + D C A + B C = D C A + C B + D AC B
157
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Propiedad asociativa
A + B + C + D = ( A + B ) + ( C + D)
D C B A = ( D C ) ( B A)
Propiedad distributiva
A ( B + C ) = A B + A C
A + ( B C ) = ( A + B) ( A + C )
Teorema de Shanon
f = ( A + B)C = ( A B) + C
Teorema de De Morgan
A B = A + B
A + B = A B
Mapa de Karnaugh
158
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
A B SALIDA
0 0
0 1
1 0
1 1
159
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
160
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161
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Flip flops
S R Q(t+1) (t+1)
0 0 invalido invalido
0 1 1 0
1 0 0 1
1 1 Q(t) (t)
S R Q(t) (t)
0 0 Q(t) (t)
0 1 0 1
1 0 1 0
1 1 invalido
162
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Q S R Q(t+1)
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 indeterminado
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 indeterminado
Flip flop D
Q D Q (t+1)
0 0 0
0 1 1
1 0 0
1 1 1
163
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Flip flop JK
Q J K Q (t+1)
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 0
Flip flop T
Q T Q (t+1)
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
164
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Electrnica de potencia
Frmulas bsicas
Eficiencia
PCD
=
PCA
Valor efectivo CA
2 2
VCA = Vrms VCD
PCD
TUF =
Vs I s
donde:
1
I S2 I S21 2
THD =
I S2
1
2 T2 2V
VCD =
T 0
Vm sen tdt = m
donde:
VCD
I CD =
R
165
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Vrms
I rms =
R
1
2 T 2 V
Vrms = 2 Vm2 sen 2 tdt = m
T 2
0
2 3 3
VCD =
2 / 6 0
6
3 Vm cos t dt =
m
V
donde:
1 1
2
3 9 3 2
2
Vcd =
6
3 Vm2 cos 2 t dt = + Vm
2 / 6 2 4
0
Dispositivos
nV
VD
I D = I S e T 1
donde:
kT
VT = 25.8 mV
q
donde:
166
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
VT = Voltaje trmico
Q = Carga del electrn (1.6022 x 10-19) [C]
T = Temperatura absoluta [K]
K = Constante de Boltzman 1.3806 x 10-23 [J/K]
Tiempo total de recuperacin inversa (trr)
trr = ta + tb
donde:
di d
I RR = t = 2QRR i
dt dt
donde:
Potencia de salida en CD
Potencia de salida en CA
167
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
UJT
El disparo ocurre entre el emisor y la base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est
dado por la frmula:
Vp = 0.7 + nVB2 B1
donde:
VBB VP V V
> R1 > BB V
IP IV
168
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
PUT
Cuando IG = 0
RB 2
VG = VBB
RB1 + RB 2
VG = nVBB
1 Vs R2
T= = RC ln = RC ln 1 +
f Vs Vp R1
169
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
DIAC
SCR
Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como un diodo comn (ver la
corriente de fuga Is.
Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a
ctodo es menor (VC).
170
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TRIAC
171
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IGBT
172
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GTO
Caracterstica esttica
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo proceso que
en el SCR normal.
Para bloquearlo, ser necesario sacar los transistores de saturacin aplicando una
corriente de puerta negativa:
IA
luego I G >
off
2
off =
1 + 2 1
Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser off lo
mayor posible, para ello debe ser: 2 1 (lo mayor posible) y 1 0 (lo menor posible).
173
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SIT
Curva caracterstica
IG = I A + I CBO
1+
IA
IG =
1 + gmRG
I CBO (1 + gmRG )
IA =
1+ (1 + gmRG )
1+
174
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Teora de control
donde:
Modelos de control
d n y (t ) d n 1 y ( t ) dy ( t )
a0 n
+ a1 n 1
+ ... + an 2 + an 1 y ( t ) + an = k u ( t )
dt dt dt
dy ( t ) 1 k
= y (t ) + u (t )
dt
donde:
Frecuencia amortiguada
d = n 1 2
175
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Tipos de respuesta
Respuesta escaln
t
y (t ) = 1 e
C ( s) n 2
= 2
R ( s ) s + 2n s + n 2
donde:
es el factor de amortiguamiento
es la frecuencia angular
176
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
donde
(
s1 = + 2 1 )
s2 = ( 2 1)
4. No amortiguado = 0 , races
imaginarias puras.
y ( t ) = 1 cos (n t )
Es el tiempo que tarda la respuesta del sistema en alcanzar por primera vez la mitad del
valor final.
Es el tiempo requerido para que la respuesta crezca del 0 al 100% de su valor final o del
10 al 90%.
Tr =
d
d
= tan 1
n
Es el tiempo en el cual la respuesta del sistema alcanza el primer pico del sobreimpulso.
Tp =
d
177
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
2 1
Mp =e
La funcin de transferencia entre una entrada U(s) y una salida Y(s) est dada por:
Y (s) 1
G (s) =
U (s)
=
Gi i
donde:
Kc
178
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Controladores
Controlador Ganancia
P Gc ( s ) = Kc
1
PI Gc ( s ) = Kc 1 +
is
PD Gc ( s ) = Kc (1 + d s )
1
PID Gc ( s ) = Kc 1 + + d s
is
Controladores PID
Estructura ideal
U (s) 1
Gc ( s ) = = Kc 1 + + d s
E (s) is
donde:
E(s)=R(s) - Y(s)
R(s) es la transformada de Laplace de la referencia
Y(s) es la transformada de Laplace de la variable de proceso controlada
U(s) es la transformada de Laplace de la variable de manipulacin
Sintonizacin por criterios integrales para cambios en perturbacin para un PID ideal
Proporcional-Integral
ISE
IAE
ITAE
.
1.305
=
.
0.984
=
179
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
.
0.859
=
.
=
0.492
.
=
0.608
.
=
0.674
Proporcional-Integral-Derivativo
ISE
IAE
ITAE
.
1.495
=
.
1.435
=
.
1.357
=
.
=
01.101
.
=
0.878
.
=
0.842
.
= 0.560
.
= 0.482
.
= 0.381
donde:
Sintonizacin por criterios integrales para cambios en referencia para un PID ideal
Proporcional-Integral
IAE
ITAE
Proporcional-Integral-Derivativo
IAE
ITAE
180
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Comunicaciones
Osciladores
Modo de carga
C1 C
f1 = vC = 1 (VH VL )
IQ IQ
Modo de descarga
C1 C C
f2 = vC = 1 (VL VH ) = 1 (VH VL )
IQ IQ IQ
2C1 (VH VL )
T = f1 + f 2 =
IQ
1 IQ
f0 = =
T 2C1 (VH VL )
IQ = Gm ( vCN + vCO )
donde:
df 0 Gm
KvF = =
dvCN 2C1 (VH VL )
VF ( s ) R 3C 3 s 3
(s) = =
Vo ( s ) R 3C 3 s 3 + 6 R 2C 2 s 2 + 5 RCs + 1
181
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Vo ( s ) RF
A(s) = =
VF ( s ) R1
1
f0 =
2 6 RC
5
RF = R1 2 2 2 1
R C
Osciladores de cuadratura
1
Vf (s) 1
(s) = = Cs =
Vo ( s ) R + 1 1 + RCs
Cs
1
f0 =
2 RC
1
Af = = 2
RVo1
Vo =
1 + RCs
182
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
VF ( s ) RCs
(s) = =
Vo ( s ) 2 2 2
R C s + 3RCs + 1
RF
A(s) = 1+
R1
1
f0 =
2 RC
RF
=2
R1
Oscilador Colpitts
1 A = 0
1
1 C1 + C2 2
f0 =
2 C1C2 L
183
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Oscilador de Harley
1 1 2
f0 =
2 C ( L1 + L2 )
Osciladores de cristal
1 s 2 + s2
Z (s) =
sC p s 2 + p2
1
f0 =
2 LCs
donde:
TA = 0.693 ( Ra + Rb ) C
TB = 0.693RbC
La frecuencia con que la seal de salida oscila est dada por la frmula:
1.44
f0 =
( Ra + 2Rb ) C
184
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
y el perodo es simplemente: T = 1/ f0
555/556 (monoestable)
T = 1.1RaC
185
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Modulacin en amplitud
Seal moduladora
ys ( t ) = As cos (st )
Seal portadora
y p ( t ) = Ap cos ( p t )
Seal modulada
y ( t ) = Ap 1 + mAp xn ( t ) cos ( p t )
donde:
f
v ( t ) = V p sen 2 f p t + cos ( 2 f mt )
fm
f
m=
fm
donde:
mf = ndice de modulacin
f = variacin de la frecuencia de la portadora
Fm = frecuencia de la portadora
Decibel
P
dB = 10 log10 1
P0
186
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
El decibel referenciado a 1 mW
P
P ( dBm ) = 10 log10 1
1 mW
P1
( )
S dBW / m 2 = 10 log10 2
1W / m
Decibel referenciado a V
U
U ( dBV ) = 20 log10 1
1 V
Acoplamiento de impedancias
Decibel en antenas
Decibel en acstica
187
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
donde:
V p = Vd + Va = Vd + nVbb
n = R1 / ( R1 + R2 ) = R1 / Rbb
T = Re Ce ln 1 / (1 n )
Re max = (Vbb V p ) / I p
Vbb = ( Re min ) Iv + Vv
donde:
188
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
189
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Instrumentacin
Valor promedio
T
1
Aprom =
T f ( t ) dt
0
El valor rms
T
1
f (t ) f ( t ) dt
2 2
Arms = =
T 0
Errores en medicin
Error absoluto
Error relativo =
Valor verdadero
190
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Valor promedio
a1 + a2 + ... + an
a prom =
n
donde:
d12 + d 22 + ... + d n2
=
n 1
donde:
= desviacin estndar
di = desviacin de la lectura i-sima con respecto al valor promedio
L a varianza V es el valor de la desviacin estndar elevado al cuadro
Distribucin gaussiana
V =2
191
Formulario para el sustentante del
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Puentes de Wheatstone
Rx R2
=
R3 R1
RTH = ( R1 R2 ) + ( R3 Rx )
R3 R
VTH = V0
2 R3 Rx + R32 + Rx2
Si las cuatro resistencias son iguales el puente esta en equilibrio por lo cual:
RTH = R
R
VTH = V0
4R
Puente de Kelvin
R5 R1
=
R6 R2
192
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En = 4 KTR ( f H f L )
donde:
Amplificador de instrumentacin
193
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
1
I g = (V2 V1 )
R
g
2R
Vintermedio = (V2 V1 ) 1 + 1
Rg
2R R
Vout = (V2 V1 ) 1 + 1 3
Rg R2
2R
Vout = (V2 V1 ) 1 + 1
Rg
R5 R7
= =k
R 4 R6
Termopar
V0 = AT + BT 2
Termistor
1
= A + B ln R + C ( ln R )
3
donde:
T = temperatura (K)
R = resistencia del termistor ()
A,B,C = constantes del ajuste de curva
1 1
T T0
R = R0 e
donde:
194
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Sensores
Sensores resistivos
Potencimetros
R= l (1 ) = (l x )
A A
donde:
Galgas extensomtricas
l
R=
A
dR d dl dA
= +
R l A
F dl
= = E = E
A l
donde:
E = mdulo de Young
= tensin mecnica
= deformacin unitaria
195
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Fotorresistencia
E = hf
donde:
E = energa
h = constante de Planck 6.62 x 10-34 Ws2
f = frecuencia
hc
=
E
donde:
c = velocidad de la luz
h = constante de Plack
E = 1.602E-19 J
Sensores capacitivos
Condensadores variables
A
C 0 r ( n 1)
d
donde:
Los sensores capacitivos no son lineales, su linealidad depende del parmetro que vara y
del tipo de medicin. En un condensador plano, si vara A o r por lo cual:
A
C =
d (1 + )
donde:
d
=
x
196
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Condensador diferencial
A
C1 =
d1 + x
A
C2 =
d2 x
1
di x di x
Vi = V =V
1 1 2d i
+
di + x di x
x
V1 V2 = V
d
Sensores inductivos
d
L=N
di
donde:
M
=
R
197
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
donde:
M = fuerza electromotriz
R = reluctancia
1 1
R=
0 r A
Sensores electromagnticos.
d
e = N
dt
Tacogeneradores
Si es constante
e = NBA cos t
e = Blv
donde:
198
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
VH t
AH =
IB
2 Lnea horizontal 0 db hasta
1 1 n de 0 a -180
40 log = tan =n
2 j 2
2+ +1 n 1 Pendiente -40 dB/dec
en:
n n n para >n
(= ) = 90
199
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Transformada Z
La TZ bilateral de una seal definida en el dominio del tiempo discreto x[n] es una funcin
X (z) que se define:
X ( z ) = Z { x [ n ]} = x [ n] z n
n =
donde:
n = un entero
z = un nmero complejo
200
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Datos prcticos
201
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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
1 1
Material 2 = Material 2 =
mm / m mm / m
Acero dulce 0.13 7.7 Latn Ms 63 0.071 14
Aluminio 0.0278 36 Magnesio 0.0435 23
Antimonio 0.417 2.4 Manganina 0.423 2.37
Cadmio 0.076 13.1 Mercurio 0.941 1.063
Carbn 40 0.025 Nquel 0.087 11.5
Cobre (elc.) 0.0175 57 Niquelina 0.5 2.0
Constantn 0.48 2.08 Oro 0.0222 45
Cromo-Ni-Fe 0.10 10 Plata 0.016 62.5
Estao 0.12 8.3 Plata alemana 0.369 2.71
Hierro fundido 1 1 Platino 0.111 9
Hierro (puro) 0.10 10 Plomo 0.208 4.8
Grafito 8.00 0.125 Tungsteno 0.059 17
Latn Ms 58 0.059 17 Zinc 0.061 16.5
Resistividad de aislantes
Material cm Material cm
Aceite de parafina 1018 Mica 1017
Agua de mar 106 Parafina (pura) 1018
Agua destilada 107 Plexigls 1015
mbar comprimido 1018 Poliestireno 1018
Baquelita 1014 Porcelana 1014
Caucho (hule) duro 1018 Tierra hmeda 108
Mrmol 1010 Vidrio 1015
Material C 1, K 1
o Material C 1, K 1
o
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Constante dielctrica r
(
Serie E 6 6 10 ) (
Serie E 12 12 10 ) (
Serie E 24 24 10 )
1.0 2.2 4.7 1.0 2.2 4.7 1.0 2.2 4.7
1.1 2.4 5.1
1.2 2.7 5.6 1.2 2.7 5.6
1.3 3.0 6.2
1.5 3.3 6.8 1.5 3.3 6.8 1.5 3.3 6.8
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Explicaciones: B25 = 1.53 tesla significa que una induccin o densidad de flujo mnima de
1.53 T se alcanzar con una intensidad de campo de 25 A/cm. Para una lnea de flujo de,
p. ej., 5 cm, se necesitarn: 5 x 25 = 125 A.
Densidad a t=15 C
Temperaturas (o puntos) de fusin y de ebullicin para = 1.0132 bar = 760 Torr
Los valores entre parntesis indican sublimacin, o sea, cambio directo del estado slido
al gaseoso.
Conductividad trmica a 20 C
Capacidad trmica especfica (o calor especfico) para el intervalo de temperaturas 0 < t <
100 C
Puntos de
Conductividad Calor
Densidad Fusin
Ebullicin trmica especfico
Sustancia (soldf.)
k c
kg/dm3 C C W/(mK)(1) kJ/(kgK)(2)
Aceite de colza 0.91(3) -3.5 300 0.17 1.97
Aceite de linaza 0.94(3) -20 316 0.15
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Aceite para
0.92(3) -5 175-350 0.12
calefaccin
Aceite para mquinas 0.91 -5 380-400 0.126 1.67
Aceite para
0.87 -5 170 0.15 1.84
transformadores
Acero 7.85 ~1 350 2 500 47-58 0.46
Acero colado 7.8 ~1 350 52.3 0.502
Acero dulce 7.85 ~1 400 2 500 46.5 0.461
Acero de alta
8.4-9.0 ~1 650 2 600 25.6 0.498
velocidad
Acetona 0.79(3) 56.1
cido actico 1.08 16.8 118
cido cianhdrico 0.7 -15 27
cido clorhdrico 10% 1.05 -14 102 0.50 3.14
cido clorhdrico 40% 1.20
cido fluorhdrico 0.99 -92.5 19.5
cido ntrico 1.56(4) -1.3 86 0.53 2.72
cido sulfrico 1.49(5) -73 -10 1.34
cido sulfrico 50% 1.40
cido sulfrico
1.84 10-0 338 0.5 1.38
concentrado
gata ~2.6 ~1 600 ~2 600 11.20 0.80
Agua 1.0(6) 0 100 0.58 4.183
Alcohol 0.79 -130 78.4 0.17-0.23 2.42
Alcohol etlico 95% 0.82(3) -90 78 0.16
Alcohol metlico 0.8 -98 66 2.51
206
Ceneval, A.C.
Camino al Desierto de los Leones (Altavista) 19,
Col. San ngel, Del. lvaro Obregn, C.P. 01000, Mxico, D.F.
www.ceneval.edu.mx
El Centro Nacional de Evaluacin para la Educacin Superior es una asociacin civil sin
fines de lucro que qued formalmente constituida el 28 de abril de 1994, como consta en
la escritura pblica nmero 87036 pasada ante la fe del notario 49 del Distrito Federal.
Sus rganos de gobierno son la Asamblea General, el Consejo Directivo y la Direccin
General. Su mxima autoridad es la Asamblea General, cuya integracin se presenta a
continuacin, segn el sector al que pertenecen los asociados, as como los porcentajes
que les corresponden en la toma de decisiones:
JUNIO 2013