Está en la página 1de 208

formulario

EXAMEN GENERAL PARA EL EGRESO DE LA LICENCIATURA


EN INGENIERA ELECTRNICA

Direccin General Adjunta de los EGEL

JUNIO 2013
formulario
EXAMEN GENERAL PARA EL EGRESO DE LA LICENCIATURA
EN INGENIERA ELECTRNICA

Direccin General Adjunta de los EGEL

JUNIO 2013
Este Formulario es un instrumento de apoyo para quienes sustentarn el Examen General
para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO) y est
vigente a partir de marzo de 2013.

El Formulario para el sustentante es un documento cuyo contenido est sujeto a


revisiones peridicas. Las posibles modificaciones atienden a los aportes y crticas que
hagan los miembros de las comunidades acadmicas de instituciones de educacin
superior de nuestro pas, los usuarios y, fundamentalmente, las orientaciones del
Consejo Tcnico del examen.

El Ceneval y el Consejo Tcnico del EGEL-IELECTRO agradecern todos los


comentarios que puedan enriquecer este material. Srvase dirigirlos a:

Direccin General Adjunta de los EGEL


Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Centro Nacional de Evaluacin para la Educacin Superior, A. C.
Av. Revolucin nm. 1570
Col. Guadalupe Inn
Del. lvaro Obregn
C.P. 01020 Mxico, D. F.
Tel: 01 (55) 5322-9200, ext. 5103
http://www.ceneval.edu.mx
Email: eloin.alarcon@ceneval.edu.mx

D. R. 2013
Centro Nacional de Evaluacin
para la Educacin Superior, A. C. (Ceneval)

[EGEL-IINDU]
Directorio

Direccin General
Mtro. Rafael Vidal Uribe

Direccin General Adjunta de los Exmenes


Generales para el Egreso de la Licenciatura (EGEL)
Lic. Jorge Hernndez Uralde

Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura


M. en C. Laura Delgado Maldonado

Coordinacin del Examen General para el Egreso


de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Ing. Elon Alarcn Maldonado
Consejo Tcnico

Representantes de instituciones educativas

M. en C. Rodolfo Fernando Porras


Dr. Omar Jacobo Santos Snchez
Snchez
Universidad Autnoma del Estado de
Benemrita Universidad Autnoma de
Hidalgo
Puebla

Dr. Julio Csar Martnez Romo M. en C. Jos Luis lvarez Flores


Instituto Tecnolgico de Aguascalientes Universidad de Colima

M. en I. Rubisel Tovilla Heredia Mtra. Mnica Judith Durn Gonzlez


Instituto Tecnolgico de Puebla Universidad de Guadalajara

Ing. Jaime Martnez Garza


M. en C. Waldo Cervantes Sols
Instituto Tecnolgico y de Estudios
Universidad Iberoamericana
Superiores de Monterrey

M. en C. Gabriel Domnguez Snchez Ing. Alejandro Sosa Fuentes


Universidad Autnoma de Universidad Nacional Autnoma de
Aguascalientes Mxico

M. en C. Marco Antonio Flix Lozano M. en C. Jos Ivn Orlando Rodrguez


Universidad Autnoma de Baja Martnez
California Universidad Politcnica de Aguascalientes

Dr. Jos Rubn Lagunas Jimnez Dr. Ricardo Oscar Magos Prez
Universidad Autnoma de Campeche Universidad Tecnolgica de Mxico

Dr. Jos Antonio Ruz Hernndez Dr. Enrique A. Morales Gonzlez


Universidad Autnoma del Carmen Universidad Veracruzana

Representantes de Colegios y Organizaciones gremiales


M. en I. Luis A. Haro Ruiz
Consejo de Acreditacin de la
Enseanza de la Ingeniera, A.C.

Representantes del Sector empleador


Ing. Mario Alberto Cavazos Caballero
Comisin Federal de Electricidad
Contenido
Administracin de sistemas electrnicos ......................................................... 11
Operacin y mantenimiento de sistemas electrnicos .................................... 11
Inversin inicial ...............................................................................................................11
Tasa mnima aceptable de rendimiento ..........................................................................11
Tasa mnima aceptable de rendimiento mixta ................................................................11
Valor presente neto (con TMAR) ....................................................................................12
Valor presente neto (con anualidad e inters) ................................................................12
Tasa interna de retorno ..................................................................................................12
Periodo de recuperacin de la inversin ........................................................................13
Punto de equilibrio en ventas .........................................................................................13
Costo beneficio ...............................................................................................................13
Ingeniera econmica .....................................................................................................14
Inters simple .................................................................................................................14
Inters compuesto .................................................................................................................... 14
Valor futuro pago nico............................................................................................................. 14
Valor presente pago nico ........................................................................................................ 14
Cantidad compuesta serie uniforme ......................................................................................... 14
Ingeniera econmica .....................................................................................................15
Inters simple .................................................................................................................15
Inters compuesto .................................................................................................................... 15
Valor futuro pago nico............................................................................................................. 15
Valor presente pago nico ........................................................................................................ 15
Cantidad compuesta serie uniforme ......................................................................................... 15
Fondo de amortizacin ............................................................................................................. 16
Recuperacin del capital de una serie uniforme ...................................................................... 16
Valor presente de una serie uniforme ...................................................................................... 16
Series de gradiente................................................................................................................... 16
Tasa efectiva de inters anual .................................................................................................. 16
Capitalizacin continua ............................................................................................................. 16
Definicin de e .......................................................................................................................... 17
Pagos continuos ....................................................................................................................... 17
Tasa mixta ................................................................................................................................ 17
Mtodos de anlisis de inversiones .......................................................................................... 18
Diseo e integracin de sistemas electrnicos................................................ 19
Construccin e implementacin de sistemas electrnicos............................. 19
Comunicaciones .............................................................................................................19
Radiofrecuencia ........................................................................................................................ 19
Parmetros de dispersin ......................................................................................................... 22
Lneas de transmisin.....................................................................................................23
Impedancia caracterstica ......................................................................................................... 23
Lnea de transmisin de tipo microcinta ................................................................................... 24
Constante de propagacin ....................................................................................................... 25
Velocidad de propagacin ........................................................................................................ 25
Tiempo de retardo .................................................................................................................... 25
Coeficiente de reflexin ............................................................................................................ 26
Relacin de onda estacionaria (SWR) y el coeficiente de reflexin ( ) ................................... 26
Impedancia de entrada ( Zin ).................................................................................................... 26
Tabla de parmetros distribuidos ............................................................................................. 27
Conectores .....................................................................................................................31
RJ45.......................................................................................................................................... 31
RJ11.......................................................................................................................................... 32
VGA .......................................................................................................................................... 33
USB........................................................................................................................................... 34
DB9 ........................................................................................................................................... 34
DB-25 ........................................................................................................................................ 35
IEEE.488 ................................................................................................................................... 36
RS-232 DB9 .............................................................................................................................. 37
RS 422/485 DB 9 ................................................................................................................ 38
Formulario general .............................................................................................. 39
Matemticas ...................................................................................................................39
lgebra...................................................................................................................................... 39
Clculo diferencial .................................................................................................................... 45
Clculo integral ......................................................................................................................... 50
Geometra ................................................................................................................................. 59
Geometra analtica plana......................................................................................................... 60
Geometra analtica del espacio ............................................................................................... 62
Trigonometra ........................................................................................................................... 66
Nmeros complejos .................................................................................................................. 71
Anlisis vectorial ....................................................................................................................... 72
Funcin de fracciones racionales ............................................................................................. 77
Series de Fourier ...................................................................................................................... 78
Transformada de Fourier .......................................................................................................... 82
Transformada de Laplace ......................................................................................................... 85
Probabilidad y estadstica ......................................................................................................... 90
Fsica ..............................................................................................................................95
Mecnica .................................................................................................................................. 95
Electricidad y magnetismo ...................................................................................................... 104
Qumica ........................................................................................................................109
Anlisis de circuitos elctricos ......................................................................................111
Ley de Ohm ............................................................................................................................ 111
Voltaje y corriente en elementos reactivos ............................................................................. 111
Divisor de corriente ................................................................................................................. 111
Divisor de voltaje .................................................................................................................... 112
Leyes de Kirchhoff .................................................................................................................. 112
Potencia .................................................................................................................................. 113
Resonancia RLC serie ............................................................................................................ 113
Resonancia RLC paralelo ....................................................................................................... 114
Circuitos excitados con seales senoidales de diferentes frecuencias ................................. 114
Impedancia y admitancia de una red pasiva de dos terminales............................................. 115
Teoremas de redes................................................................................................................. 115
Parmetros de dos puertos .................................................................................................... 117
Respuesta transitoria .............................................................................................................. 119
Funcin de transferencia ........................................................................................................ 122
Sistemas acoplados................................................................................................................ 123
Sistemas trifsicos .................................................................................................................. 123
Potencia trifsica .................................................................................................................... 125
Electrnica Analgica ...................................................................................................126
Diodo de propsito general .................................................................................................... 126
Diodo zener ............................................................................................................................ 126
Rectificadores de media onda y onda completa (fuentes de alimentacin) ........................... 127
Transistor de unin bipolar (BJT) ........................................................................................... 129
Transistor de efecto de campo (FET) ..................................................................................... 138
Transistor MOSFET ................................................................................................................ 145
Amplificadores operacionales ................................................................................................. 146
Filtros ...................................................................................................................................... 149
Convertidores ......................................................................................................................... 150
Amplificadores de corriente .................................................................................................... 152
Electrnica digital ..........................................................................................................156
Algebra Boole ......................................................................................................................... 156
Mapa de Karnaugh ................................................................................................................. 158
Conversin de decimal a BCD natural, BCD Aiken y BCD exceso 3 ..................................... 160
Conversin de Decimal a Binario, Hexadecimal .................................................................... 160
Circuitos digitales bsicos ...................................................................................................... 161
Flip flops .............................................................................................................................. 162
Electrnica de potencia ................................................................................................165
Frmulas bsicas.................................................................................................................... 165
Dispositivos ............................................................................................................................. 166
Teora de control...........................................................................................................175
Terminologa de la ingeniera de control ................................................................................ 175
Modelos de control ................................................................................................................. 175
Tipos de respuesta ................................................................................................................. 176
Regla de Mason...................................................................................................................... 178
Controladores ......................................................................................................................... 179
Comunicaciones ...........................................................................................................181
Osciladores ............................................................................................................................. 181
Modulacin y demodulacin AM-FM ...................................................................................... 186
Decibel .................................................................................................................................... 186
Oscilador de relajacin UJT ................................................................................................... 188
Oscilador de relajacin PUT ................................................................................................... 188
Instrumentacin ............................................................................................................190
Valor promedio ....................................................................................................................... 190
El valor rms ............................................................................................................................. 190
Errores en medicin................................................................................................................ 190
Desviacin estndar y varianza .............................................................................................. 191
Distribucin gaussiana............................................................................................................ 191
Puentes de Wheatstone ......................................................................................................... 192
Puente de Kelvin..................................................................................................................... 192
Ruido trmico o ruido de Jhonson .......................................................................................... 193
Amplificador de instrumentacin ............................................................................................ 193
Termopar ................................................................................................................................ 194
Termistor ................................................................................................................................. 194
Sensores ................................................................................................................................. 195
Transformada Z ...................................................................................................................... 200
Datos prcticos .............................................................................................................201
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Administracin de sistemas electrnicos

Operacin y mantenimiento de sistemas electrnicos


Inversin inicial

II = CO + CP + CA

donde:

II: Inversin inicial


CO: Costos de operacin
CP: Costos de produccin
CA: Costos de administracin y ventas

Tasa mnima aceptable de rendimiento

TMAR = ( * i)n

donde:

TMAR: Tasa mnima aceptable de rendimiento


: Monto
i: Tasa de inters
n: Nmero de periodos a considerar

Tasa mnima aceptable de rendimiento mixta

TMARmixta = [I1 + PR1 + %I1 + %PR1] + [I2 + PR2 + %I2 + %PR2] ++ [In + PRn + %In + %PRn]

donde:

TMARmixta: Tasa mnima aceptable de rendimiento mixta


In: Inflacin
PRn: Premio al riesgo
%In: Inflacin 100
%PRn: Premio al riesgo 100

11
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Valor presente neto (con TMAR)

n
St
V P N = S0 +
t =1 (1 + i)t

donde:

VPN = Valor presente neto


SO = Inversin Inicial
St = flujo de efectivo neto del periodo t
n = nmero de periodos de la vida del proyecto
i = tasa de recuperacin mnima atractiva

Valor presente neto (con anualidad e inters)

(1 + i )n 1
V P N = P + A + VS
i (1 + i )n

donde:

VPN: Valor presente neto


P: Inversin inicial
A: Anualidad
i: Tasa de inters
VS: Valor de salvamento al final del periodo n
n: Nmero de periodos

Tasa interna de retorno

n F N En VS
TIR = n
+
1 (1 + i) (1 + i)n

donde:

TIR: Tasa interna de retorno


FNE: Flujo neto de efectivo del periodo n, o beneficio neto despus de impuesto ms depreciacin
VS: Valor de salvamento al final del periodo n
i: Tasa de inters
n: Nmero de periodos

12
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Periodo de recuperacin de la inversin

UN
ROI =
I

donde:

ROI: Periodo de recuperacin de la inversin


UN: Utilidad neta
I: Inversin

Punto de equilibrio en ventas

CF
PE =
CV
1
VT

donde:

PE: Punto de equilibrio


CF: Costos fijos
CV: Costos variables
VT: Ventas totales

Costo beneficio

B B D
=
C C

donde:

B: Beneficios asociados al proyecto


C: Costo neto del proyecto
D: Valor de las desventajas

13
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Ingeniera econmica

Glosario de trminos para ingeniera econmica

I: Inversin A : Factor de pago continuo


n: Periodo RC: Factor de recuperacin de capital
i: Tasa de inters Vs: Valor de salvamento
P: Valor presente : Tasa mixta
F: Valor futuro Pr: Periodo de recuperacin
A: Serie uniforme B: Beneficio
G: Gradiente C: Costo
Ief: Tasa efectiva D: Desventaja
R: Tasa de inters divisible e: Base de logaritmos neperianos
m: Periodo de intervalo

Inters simple

I=niP

Inters compuesto

F
i=n 1
I
Valor futuro pago nico

F = P (1 + i )
n

Valor presente pago nico

1
P=F
(1 + i )
n

Cantidad compuesta serie uniforme

(1 + i )n 1
F= A
i

14
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Ingeniera econmica

Glosario de trminos para ingeniera econmica

I: Inversin A : Factor de pago continuo


n: Periodo RC: Factor de recuperacin de capital
i: Tasa de inters Vs: Valor de salvamento
P: Valor presente : Tasa mixta
F: Valor futuro Pr: Periodo de recuperacin
A: Serie uniforme B: Beneficio
G: Gradiente C: Costo
Ief: Tasa efectiva D: Desventaja
R: Tasa de inters divisible e: Base de logaritmos neperianos
m: Periodo de intervalo

Inters simple

I=niP

Inters compuesto

F
i=n 1
I
Valor futuro pago nico

n
F = P(F/P,i,n) F = P (1 + I)

Valor presente pago nico

P = F(P/F,i,n) P = F(1+I)n

Cantidad compuesta serie uniforme

F = A(F/A,i,n)

(1 + i )n 1
A
i
F=
I

15
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Fondo de amortizacin

i
A =F
(1 + i )n 1

Recuperacin del capital de una serie uniforme

i (1 + i )n
A = P
(1 + i )n 1

Valor presente de una serie uniforme

1 (1 + I)n
P = A
i

Series de gradiente



1
A=G
in

(1 + i )n 1

Tasa efectiva de inters anual

m
r
ie f = 1+ 1
m

Capitalizacin continua

m
r
i = l i m 1 + 1 = er 1
m m

16
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Definicin de e

1
m
i = l i m 1+ = e A
=
( )
er 1
m m F ( )
em 1

A ( e 1)
r
F
= em =
P P (1 e ) m

P (1 e )
P m
= e m
F =
F (
e 1m
)
A ( e 1)
r

= A 1 n
A (
er 1 ) =
G 1 em em 1

Pagos continuos

F
=
(em 1 ) P
=
(e
m
1 )
A r A r em
A r em
A r =
= P em 1
F ( m
e 1 )
Tasa mixta

= (i )/(1 )

17
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Mtodos de anlisis de inversiones

Valor presente Valor futuro

n n
V p = F l u j o(P / F,i, j) V p = F l u j o(F / P,i, j)
j= 0 j= 0

Costo anual uniforme equivalente (CAUE)

n
V p = F l u j o(P / F,i, j) * ( A / P,i, j )
j= 0

Serie uniforme equivalente

SAUE = - CAUE

Recuperacin de capital

CAUE = - SAUE = RC

(P Vs)(A/P,i,n) + iVs

Retiro y reemplazo

CAUE (j) = RC(j) + A(j)

Tasa interna de retorno

n
V p = F l u j o i n i c i a l + F l u j o(P / F,i, j)
j=1

Periodo de recuperacin

A B S(f l u j o)
Pr =
ingreso por periodo

Razn costo-beneficio

B D
=B
C C

Nota: El ROI no se maneja en este contexto ya que es un indicador financiero.

18
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Diseo e integracin de sistemas electrnicos

Construccin e implementacin de sistemas electrnicos


Comunicaciones

Radiofrecuencia

Estabilidad

YrYt
C=
2 g1 g 0 Re (YrYt )

S C < 1 el transistor es incondicionalmente estable


Si C > 1 el transistor es potencialmente inestable

Factor de estabilidad de Stern

2 ( g1 + Gs )( g 0 + GL )
K=
Yr Yt + Re (Yr Yt )

Ganancia mxima disponible en el transistor (MAG)

2
Yr
MAG =
4 g1 g 0

donde:

Yr = La admitancia de transferencia inversa


Yt = La admitancia de transferencia directa
g1 = La conductancia de entrada
g2 = La conductancia de salida
Re = La parte real del nmero complejo
Gs = La conductancia de la fuente
GL = La conductancia de la carga

Criterio de estabilidad incondicional en trminos de los parmetros S

2 2 2
1 S11 S22 +
K= <1
2 S12 S12
donde:
= S11S22 S12 S12

19
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Teorema de Miller

Cent ( Miller ) = Cbo (1 + Av ) Capacitancia de entrada Miller, donde C = Cbo

1 + Av Capacitancia de salida Miller, donde C = Cbo


Csal ( Miller ) = Cbo
Av

donde: Cbo es la capacitancia entre la entrada y la salida amplificador.

Respuesta en frecuencia de un amplificador

Modelo de seal pequea del BJT

Modelo de seal pequea del FET

Respuesta en altas frecuencias de un amplificador emisor comn (BJT)

Modelo equivalente de seal pequea del amplificador

20
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Los polos del circuito son:


1
f p1 =
R
2 r o C + C (1 + g m RL ) + L ( C + CL )
r o
C g + C ( g m + g o + g L ) + CL g o gm
f p2 = L
2 C ( C + CL ) + C C + CL
donde:

1
RL =
gL
1
r o =
g o

Respuesta en altas frecuencia de un amplificador fuente comn (FET)

Considere el caso anterior (Respuesta en altas frecuencias de un amplificador emisor comn (BJT)) y
en las expresiones segn la figura.

Respuesta en bajas frecuencias de un amplificador emisor comn (BJT)


Si Ci >> C: y C es despreciable:

La funcin de transferencia est dada por:

21
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

r ro
g m RL s 2
Ri + r RL + ro
H (s) =
1 1
s+ s +
Ci ( Ri + r ) Co ( ro + RL )
Los polos del circuito estn dadas por:
1
f p1 =
2 Ci ( Ri + r )
1
f p2 =
2 Co ( ro + RL )

Respuesta en bajas frecuencias de un amplificador fuente comn (FET)


Si C es despreciable:

La funcin de transferencia est dada por:

1 ro
g m RL s
Ri Cgs RL + ro
H (s) =
1 Ci + Cgs 1
s + s +
Ri Ci Cgs Co ( ro + RL )

y los polos del circuito son:


1
f p1 =
Ci C gs
2 R1
Ci + C gs
1
f p2 =
2 Co ( ro + RL )

Parmetros de dispersin

22
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

b1 S11 S12 a1
b = S S22 a2
2 21

b1
S11 = Coeficiente de reflexin del puerto 1 (Entrada)
a1 a2 = 0

b2
S21 = Coeficiente de transmisin del puerto 1 al 2 (Ganancia)
a1 a2 =0

b1
S12 = Coeficiente de transmisin del puerto 2 al 1 (Ganancia en inversa)
a2 a1 =0

b2
S22 = Coeficiente de reflexin del puerto 2 (Salida)
a2 a1 =0

Lneas de transmisin

Impedancia caracterstica

2D
Z 0 = 276 log
d

donde:

D = distancia entre conductores o dimetro exterior


d = dimetro del conductor o dimetro interior

Impedancia caracterstica para cable coaxial:

23
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

1 D D
Z0 = ln 138 r log
2 d r d

donde:

D = distancia entre conductores o dimetro exterior


d = dimetro del conductor o dimetro interior
r y r es la permeabilidad relativa y la permitividad relativa del material aislante, respectivamente.

Lnea de transmisin de tipo microcinta

Si t << W
60 8b W
ln +
e W 4b Si W / b < 1
Z0 =
120
Si W / b > 1
e W / b + 1.393 + 0.667 ln (W / d + 1.444 )

donde:

r + 1 r 1 1
e = +
2 2 1 + 12d / W
En otro caso:

24
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

87 5.98b
Z0 = ln
+ 1.41 0.8W + t
r = constante dielctrica
W = ancho de la pista
t = espesor de la pista
h = distancia entre la pista al plano a tierra

Impedancia caracterstica de lneas de microcinta paralelas

60 4d
Z0 = ln
0.67W ( 0.8 + t / b )

Impedancia caracterstica

R + j L
Z0 =
G + jC

Constante de propagacin

= ( R + j L )( G + jC )
Velocidad de propagacin

1
vp =
LC

Tiempo de retardo

td = LC

Ondas estacionarias

25
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Coeficiente de reflexin

Vr
=
Vi
Z Z0
= L
Z L + Z0

Si Vmax = 1 + y Vmin = 1 , entonces,

Vmax Vmin
=
Vmax + Vmin

donde:

= Coeficiente de reflexin
Vr = Voltaje reflejado
Vi = Voltaje incidente

Relacin de onda estacionaria (SWR) y el coeficiente de reflexin ( )

V max 1 +
SWR = =
V min 1
y
SWR 1
=
SWR + 1

Si Z L y Z L > Z0 , entonces:

ZL
SWR =
Z0
Si Z L y Z L < Z0 , entonces:
Z0
SWR =
ZL
Impedancia de entrada ( Zin )

26
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Z L + jZ 0 tan ( l )
Z in = Z 0
Z 0 + jZ L tan ( l )
donde:

= es el nmero angular de onda


l = es la longitud de la lnea

Para una lnea de transmisin de / 2


Zin = Z L

Para una lnea de transmisin de / 4


Z 02
Z in =
ZL

Tabla de parmetros distribuidos

27
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Antenas

Ganancia directiva

Pantena de refecia
G( dB ) = [ dB ]
Pantena de prueba

Resistencia de radiacin

Pradiada
Rr = 2 []
I entrada
2
l
Rr = 790 [ ]

Ancho de banda de la antena

28
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

fm = f L f H [ Hz ]
Longitud efectiva

292
le = [ m]
f
rea efectiva

Wr
Aef =
Pi

Densidad de potencia radiada

P ( , ) = Re ( E H )

Impedancia caracterstica del medio

E
=
H

Potencia total radiada

Wr = P ( , ) ds

Directividad

Pmax
D=
Wr
4 r 2

Lbulo

29
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Ancho del haz principal

BWn 2.25BW3dB

Intensidad del campo

30 Dt Pt
E=
d

30
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Conectores

RJ45

31
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

RJ11

32
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

VGA

Pines

Un conector DE15 hembra.

Pin 1 RED Canal rojo

Pin 2 GREEN Canal verde

Pin 3 BLUE Canal azul

Pin 4 N/C Sin contacto

Pin 5 GND Tierra (HSync)

Pin 6 RED_RTN Vuelta rojo

Pin 7 GREEN_RTN Vuelta verde

Pin 8 BLUE_RTN Vuelta azul

Pin 9 +5 V +5 V (Corriente continua)

Pin 10 GND tierra (Sincr. Vert, corriente continua)

Pin 11 N/C Sin contacto

Pin 12 SDA IC datos

Pin 13 HSync Sincronizacin horizontal

Pin 14 VSync Sincronizacin vertical

Pin 15 SCL I2Velocidad reloj

33
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

USB

Patillaje

The standard USB A plug (left) and B plug (right)

Pin 1 VCC (+5 V)

Pin 2 Data-

Pin 3 Data+

Pin 4 Ground

DB9

Se debe tener en cuenta que existen adaptadores DB9-DB25 para convertir fcilmente un enchufe
DB9 en uno DB25 y viceversa.

Pines

Nmero de clavija Nombre


1 CD: Detector de transmisin
2 RXD: Recibir datos
3 TXD: Transmitir datos
4 DTR: Terminal de datos lista
5 GND: Seal de tierra
6 DSR: Ajuste de datos listo
7 RTS: Permiso para transmitir
8 CTS: Listo para enviar
9 RI: Indicador de llamada
Proteccin

34
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

DB-25

Asignaciones de patas el conector D-25 para impresoras: Este conector trabaja para el puerto
paralelo.

Pata Seal E/S Definicin


1 STB# E/S Estrobo
2 PD0 E/S Bit 0 de datos de impresora
3 PD1 E/S Bit 1 de datos de impresora
4 PD2 E/S Bit 2 de datos de impresora
5 PD3 E/S Bit 3 de datos de impresora
6 PD4 E/S Bit 4 de datos de impresora
7 PD5 E/S Bit 5 de datos de impresora
8 PD6 E/S Bit 6 de datos de impresora
9 PD7 E/S Bit 7 de datos de impresora
10 ACK# E Reconocimiento
11 BUSY E Ocupado
12 PE E Fin del papel
13 SLCT E Seleccionar
14 AFD# S Avance automtico
15 ERR# E Error
16 INIT# S Iniciar impresora
17 SLIN# S Seleccionar
1825 GND N/D Tierra de seal

35
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

IEEE.488

Terminales

Conector hembra IEEE-488

Pin 1 DIO1 Entrada de dato / bit de salida


Pin 2 DIO2 Entrada de dato / bit de salida.
Pin 3 DIO3 Entrada de dato / bit de salida
Pin 4 DIO4 Entrada de dato / bit de salida
Pin 5 EOI Final o identificacin
Pin 6 DAV Validacin de datos
Pin 7 NRFD No est listo para recibir dato
Pin 8 NDAC No se acepta el dato
Pin 9 IFC Interfaz limpia
Pin 10 SRQ Servicio
Pin 11 ATN Atencin de datos
Pin 12 SHIELD
Pin 13 DIO5 Entrada de dato / bit de salida
Pin 14 DIO6 Entrada de dato / bit de salida
Pin 15 DIO7 Entrada de dato / bit de salida
Pin 16 DIO8 Entrada de dato / bit de salida
Pin 17 REN Remoto activado
Pin 18 GND (emparejado con DAV)
Pin 19 GND (emparejado con NRFD)
Pin 20 GND (emparejado con NDAC)
Pin 21 GND (emparejado con IFC)
Pin 22 GND (emparejado con SRQ)

36
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

RS-232 DB9

PIN 1: Detector de acarreo


PIN 2: Recibe dato
PIN 3: Transmite dato
PIN 4: Terminal de dato lista
PIN 5: Tierra
PIN 6: Dato listo
PIN 7: Requisita para mandar
PIN 8: Limpia para enviar
PIN 9: Indicador

Convertidor RS-232 a DB-25

37
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

RS 422/485 DB 9

PIN 1: Salida auxiliar +


PIN 2: Dato de salida +
PIN 3: Tierra
PIN 4: Entrada de dato +
PIN 5: Salida auxiliar +
PIN 6: Salida auxiliar
PIN 7: Salida de dato
PIN 8: Entrada de dato
PIN 9: Entrada auxiliar

38
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Formulario general
Matemticas

lgebra

Si x < y
x + z < y + z
Si x < y; z > 0 xz < yz
x, y, z
Si x < y; z < 0 xz > yz
Si x < y; y < z x < z

(r1 1 )(r2 2 ) = r1 r2 ( 1 + 2 ) Nota: = cos + i sen

n n
r = r
(
+ k 360 ); k entero
n

( )
ln r e i = ln r + ( + 2 k ) i ; k entero

f(x) ; g(x) 0, existen q(x); r(x); f, g, q, r polinomios tales que: f(x) = g(x) q(x) + r(x), con gr(r) < gr(g)
o r(x) = 0

f ( x) = an xn + an1xn1 + ... + a1x + a0 ; an 0 ; a0 0 las races racionales de f son de la forma p


q
donde p es factor de a0 y q de an.

39
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Para matrices A y B

(AB )1 = B 1 A 1 ; A y B no singulares

tr(A + B) = tr A + tr B

tr (aA ) = a (tr A )

(AB )T = BT A T

det (A) = det (A T )


det (AB) = det(A) det(B)

A (Adj A ) = (Adj A)A = det(A) I

1
det (A -1 ) = ; A no singular
det (A)

{
Si B = v 1 , v 2 , , v n } es base de un espacio V; x V
y x = 1 v 1 + 2 v 2 + + n v n ; entonces, el vector de coordenadas de x respecto a B es:

(x) B
= ( 1, 2 , , n )
T

( ) ( )
Si u, v, w V (C ) espacio vectorial, entonces f u, v = u | v es producto interno en V si:

( ) ( )
1) u | v = v |u

2) (u | v + w ) = (u | v ) + (u | w )

3) ( u | v) = (u | v )

4) (u | u) > 0 si u 0

( )
12
v = v| v norma de v

(
d u, v = v u ) distancia de u a v

cos =
(u v ) coseno del ngulo entre u y v
u v

40
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Si B = {g 1 , g 2 , , g n } es base ortogonal de un espacio V; v V y

(v | g ) ;
( v) = ( 1 , 2 , , n )
T
entonces i =
i
i = 1, 2, , n
B
(g | g )
i i

{
Si e 1, e 2 , , e m } es base ortonormal de un subespacio W del espacio V y v V ; entonces, la
m
proyeccin de v sobre W es: ( v | e ) e i i
i=1

T (V ) = T v | v V
{ ( )
re co rrid o d e V }
Para la transformacin lineal T:VW
N (T ) = v V / T v = O

{n u cle o d e T ( ) }
d im V = d im T ( V ) + d im N ( T )

{ }
Para T:VW; A= v 1, v 2 , , v n base de V y B base de W la matriz asociada a T, M BA ( T ) tiene por
columnas a:

[ T(v )] , [ T(v )] , , [ T(v )]


1
B
2
B
n
B

para T:VV, v V es vector caracterstico de T si:

()
T v = v con 0 y v 0

41
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Frmulas para potencia y races

p an q an = ( p q ) an a m a n = a m+n

am
an
= a mn (a ) = (a )
m n n m
= a mn

n
n 1 an a
a = n n =
a b b

p n a q n a = ( p q) n a n
a b = n a n b
1
n
a n a a n n x
= = a mx = n a m
n
b b b
m

( )
m
n
am = n
a = an
a = i a

( )
2
( 2)
2
No es vlida en algunos casos; p. ej., = +2, 2 = 2

Nota: Los exponentes para potencias y races deben ser escalares

Transformacin de expresiones algebraicas usuales

(a b) (a b)
2 3
= a 2 2ab + b 2 = a 3 3a 2b + 3ab 2 b3

(a + b + c) a2 b2 = ( a + b )( a b )
2
= a 2 + 2ab + 2ac + b 2 + 2bc + c 2

a 3 + b3 = ( a + b ) ( a 2 ab + b 2 ) a 3 b3 = ( a b ) ( a 2 + ab + b 2 )

2 b b2 4ac
ax + bx + c = 0 x1,2 =
2a
p p2
(a b + c)
2
x 2 + px + q = 0 x1,2 = q = a 2 2ab + 2ac + b 2 2bc + c 2
2 4
n n 1 n ( n 1) n 2 2 n ( n 1)( n 2 ) n 3 3
(a + b)
n
= an + a b+ a b + a b + + bn
1 1 2 1 2 3

a n + b n = ( a b ) ( a n 1 a n 2b + a n 3b 2 + ab n 2 + b n 1 )

42
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Logaritmos

x
log ( x y ) = log x + log y log = log x log y
y
1
log x n = n log x log n x = log x
n
log a n = n log a log a a = 1
log1 = 0

Binomio de Newton

n n n n
(a + b)
n
= a n + a n 1 b + a n 2 b 2 + a n 3 b3 +
0 1 2 3
Donde n tiene que ser un nmero entero

n n ( n 1)( n 2 ) n k + 1
=
k 1 2 3 k

Teorema del binomio (de Newton)

n x n ( n 1) x
2
n
(1 + x ) = 1 + + +...
1! 2!

Teorema binomial

n k nk
( x + a )n = k =0
n
x a
k

Permutaciones

Nmero de permutaciones de n elementos

Pn = n! = 1 2 3 n

43
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Combinaciones y ordenaciones

Nmero de combinaciones sin Nmero de combinaciones con


repeticin repeticin

n! n r
Ckn =
( n + k 1)! = n + k 1
Ckn = =
k !( n 1) ! k
k !( n k ) ! k
r con repeticin

Nmero de ordenaciones sin repeticin Nmero de ordenaciones con repeticin


n n!
Okn = C kn Pk = k ! = r
Okn = n k
k ( n k )!
donde:

C: nmero de combinaciones posibles


n: nmero de elementos dados
k: nmero de elementos seleccionados de entre n elementos dados
O: nmero de ordenaciones posibles

Serie binmica o binomial

( 1)
f ( x ) = (1 x ) = 1 x + x 2 + ...
2!

es un nmero cualquiera, positivo o negativo, entero o fraccionario


( 1)( 2 )( 3) ( n + 1)
=
n n!

Serie de Taylor (serie de McLaurin)

f ' (a ) f '' ( a )
f ( x) = f (a ) + (x a) + (x a) +
2

1! 2!

Forma de McLaurin, cuando a = 0

f ' (0) f '' ( 0 ) 2


f ( x ) = f (0) + x+ x +
1! 2!

Expansin de Taylor

x x 2 x3
ex = 1 + + + +..., < x <
1! 2! 3!

44
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Clculo diferencial

Relacin de cambio: Derivada

Pendiente en un punto. Relacin (o intensidad) de cambio

Pendiente de una curva

En una curva y = f ( x ) , la pendiente m vara en cada punto. La pendiente de la curva en un punto P


es tambin la pendiente de su tangente en dicho punto:

y'
m = tan =
x '

Relacin media de cambio (cociente incremental)

y
La intensidad media de variacin de la funcin y = f ( x ) es la relacin de los incrementos
x
correspondientes al segmento de curva PP1

y f (x + x) f (x)
=
x x

Derivada (cociente diferencial)

Cuando x tiende a cero, el punto P1 tiende al punto P, y la secante PP1 , a la tangente a la curva en
P. De manera que la relacin de incrementos se convierte en la relacin de diferenciales, que es la
derivada (o Intensidad de cambio) de la funcin en P:

y dy
y' = lim = = f '(x)
x0 x dx

Interpretacin geomtrica de la derivada

Curvas de derivadas sucesivas

Si para cada x de una curva se lleva la pendiente (o derivada) correspondiente y' como ordenada, se
obtendr la curva de y ' = f '( x ) , o de la primera derivada de la curva dada y = f ( x ) . Si se deriva la
curva y ' = f '( x ) se obtendr y '' = f ''( x ) o la segunda derivada de la curva dada y = f ( x ) , etc.

Radio de curvatura en un punto dado x.

(1+ y 2 )3
=
y

45
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Coordenadas del centro de curvatura C correspondiente a un radio

1 + y 2
a= x y
y
1 + y 2
b= y+
y

Determinacin de los valores mximos, mnimos y puntos de inflexin

Valores mximos y mnimos

Hgase y ' = 0 y sea a el valor obtenido de x . Sustityase ahora x = a en y ''

Si y ''(a) > 0 habr un mnimo en x = a


Si y ''(a) < 0 habr un mximo en x = a

Punto de inflexin

Hgase y '' = 0 y sea a el valor obtenido de x . Sustityase ahora x = a en y ''

Si y ''(a) 0 habr un punto de inflexin en x = a

Forma de la curva y = f (x)

46
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Crecimiento y decrecimiento

y '(x) > 0 y(x) crece si aumenta x


y '(x) < 0 y(x) decrece si aumenta x
y '(x) = 0 y(x) tiene en x una tangente paralela al eje x

Curvatura

y''(x) > 0 y(x) ser cncava hacia arriba


y''(x) < 0 y(x) ser cncava hacia abajo
y''(x) = 0 con cambio de signo y(x) tendr en x un punto de inflexin
sin cambio de signo y(x) tendr en x un mximo o un mnimo

Otros casos

Si para x = a
y '( a ) = y ''( a ) = y '''( a ) = = y ( n 1) ( a ) = 0 , pero y n 0 , pueden presentarse los cuatro casos
siguientes:

47
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Tablas de derivadas

d d
( c) = 0 ( cx ) = c
dx dx
d d du dv dw
( cx n ) = ncx n 1 ( u v w) =
dx dx dx dx dx
d du d dv du
( cu ) = c ( uv ) = u + v
dx dx dx dx dx
d
( uvw ) = u v
dw
+uw
dv
+vw
du d u v
=
( du dx) u( dv dx)
dx dx dx dx dx v v2
d n du du 1
( u ) = nu n1 =
dx dx dx dx
du
dF dF du
= (Regla de la cadena)
dx du dx

Derivadas de las funciones exponenciales y logartmicas

d v d v ln u d
u = e = ev ln u [ v ln u ] =
dx dx dx d log a e du
log a u = a > 0, a 1
du dv dx u dx
vu v -1 + u v ln u
dx dx
d u du d d 1 du
a = a u ln a ln u = log e u =
dx dx dx dx u dx
d u du
e = eu
dx dx

Derivadas de las funciones trigonomtricas y de las trigonomtricas inversas

d du d du
sen u = cos u cot u = csc 2 u
dx dx dx dx
d du d du
cos u = sen u sec u = sec u tan u
dx dx dx dx
d du d du
tan u = sec 2 u csc u = csc u cot u
dx dx dx dx
d 1 du d 1 du
cos1 u = 0 < cos1 u < sen 1 u = 2 < sen 1 u < 2
dx 1 u 2 dx dx 1 u dx
2

d 1 du d 1 du
tan 1 u = 2 < tan 1 u < 2 cot 1 u = 0 < cot 1 u <
dx 1 + u 2 dx dx 1 + u 2 dx

48
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

d 1 du 1 du d 1 du 1 du
sec 1 u = = , csc 1 u = = ,
dx u u 1 dx u u 2 1 dx
2 dx u u 1 dx u u 2 1 dx
2

+ si 0 < sec 1 u < 2 si 0 < csc 1 u < 2



si 2 < sec u <
1

+ si 2 < csc 1 u < 0

Derivadas de las funciones hiperblicas y de las hiperblicas recprocas

d du d du
senh u = cosh u coth u = csc h 2 u
dx dx dx dx
d du d du
cosh u = senh u sec h u = sec h u tanh u
dx dx dx dx
d du d du
tanh u = sec h 2 u csc h u = csc h u coth u
dx dx dx dx
d 1 du d 1 du
dx
sen h -1u = tanh 1 u = , [ 1 < u < 1]
u 2 + 1 dx dx 1 u 2 dx
d 1 du
d 1 du cos h -1u = ,
csc h -1u = , dx u 2 1 dx
dx u 1 + u dx
2

+ si cosh 1 u > 0, u > 1


[ si u > 0, + si u < 0] 1
si cosh u < 0, u < 1
d 1 du
sec h -1u = , d 1 du
dx u u 2 1 dx coth 1 u = ,
dx 1 u 2 dx
si sec h 1u > 0, 0 < u < 1
1 [u > 1 u < 1]
+ si sec h u < 0, 0 < u < 1

49
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Clculo integral

Significado de la integracin

Por integracin se entiende el encontrar una funcin F ( x ) a partir de una funcin dada y = f ( x) de
manera que la derivada F ( x ) sea igual a la original f ( x) . Por lo tanto,

dF ( x )
F ( x ) = = f ( x)
dx

La integral indefinida

f ( x )dx = F ( x ) + C
C es una constante indeterminada que desaparece al derivar, ya que la derivada de una constante es
igual a cero.

Significado geomtrico de la integral indefinida.

Como muestra la figura, hay una infinidad de curvas y = F ( x ) con pendiente o derivada y = F ( x ) .
Todas las curvas y = f ( x ) son iguales pero desplazadas paralelamente y en la direccin del eje y .
La constante C fija una curva determinada. Si la curva debe pasar por el punto x0 , y0 se tendr:

C = y0 F ( x0 )

La integral definida

La integral definida tiene la forma:

b

b
f ( x)dx = F ( x) a = F (b) F (a)
a

50
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

En la integral resultante se sustituye primero el lmite superior y luego el inferior, y se resta el segundo
resultado del primero. Desaparece as la constante C.

51
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Reglas de integracin

Formas fundamentales

u dv = uv v du e
u
du = eu + C

1 au
u du = n + 1 u
n n +1
+C n 1 a du = ln a + C
u

du
u
= ln u + C

Formas trigonomtricas

sen u du = cos u + C csc u cot u du = csc u + C


cos u du = sen u + C tan u du = ln sec u + C
sec cot u du = ln sen u + C
2
u du = tan u + C

csc sec u du = ln sec u + tan u + C


2
u du = cot u + C

sec u tan u du = sec u + C csc u du = ln csc u cot u + C

Formas cuadrticas

u 2 a2 du u
a 2 + u 2 du = a + u 2 + ln u + a 2 + u 2 + C 2 2
= sen 1
a
+C
2 2 a u
u 2 a2 du 1 1 u
u 2
a 2 + u2 du =
8
( a + 2u2 ) a 2 + u2 ln u + a 2 + u2 + C
8 a 2 + u 2 = a tan a + C
du 1 u

a 2 + u2
du = a 2 + u 2 a ln
a + a 2 + u2
+C 2 2 = a sec1 a + C
u u u u a
du 1 u+a

du
=
a 2 + u2
+C a 2
u 2 = ln
2a u a
+C
u2 a 2 + u2 a 2u

52
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

du u du 1 ua
= +C u 2 = ln +C
(a 2
+u )
2 3/ 2
a 2 2
a +u 2 2
a 2a u + a
2 2
a +u a 2 + u2 du
1 a 2 + u2 + a
u2
du =
u
+ ln u + a 2 + u 2 + C 2 2 = a ln +C
u a +u u
u a4 u u 2 a2 u
u 2 a 2 u 2 du = 8
( 2 u 2 a 2 ) a 2 u 2 + sen 1 + C
8 a a u du = 2 a u + 2 sen 1 a + C
2 2 2

u 2 du u a2 du
=
2
a 2 + u2
2
ln u + a 2 + u 2 + C 2 2 = ln u + a 2 + u2 + C
a 2 + u2 a +u

u 2 a2 u 2 du u a2 u
2
u a du =
2
2
u a ln u + u 2 a 2 + C
2
2
2 2
=
2
2 2
a u +
2
sen 1 + C
a
a u

a 2 u2 a + a 2 u2 a 2 u2 1 2 u
du = a 2 u 2 a ln +C u 2 du =
u
a u 2 sen 1 + C
a
u u

u 2 2 2 2 a4
1 a + a 2 u2
2 2 = a ln
du
+C u 2
u2 a2 du =
8
( 2u a ) u a ln u + u2 a2 +C
8
u a u u

du 1
=
a 2u
a 2 u2 + C
u2 a 2 a
du = u 2 a 2 a cos1 + C
u2 a 2 u2 u u
u 3a 4 u 2
u a 2 2
u a 2
(a
3
2
u 2 ) 2 du = ( 2u2 5a 2 ) a 2 u2 + sen1 + C du = + ln u + u 2 a 2 + C
8 8 a u 2
u
du u du
3 = +C = ln u + u 2 a 2 + C
( a 2 u2 ) 2 a 2
a 2 u2 2
u a 2

u 2 du u a2 udu 1
=
2
u2 a2 +
2
ln u + u 2 a 2 + C a + bu = b ( a + bu a ln a + bu ) + C
2
u2 a2
du a + bu b( 2 n 3) du u2 a 2
du
u n a + bu = a( n 1) u n 1 2 a( n 1) u n 1 a + bu 2 2 2 = a 2u + C
u u a
u 2 du 1 du u
a + bu = 2b [( a + bu) 3
2
4a ( a + bu ) + 2 a 2 ln a + bu ] + C 2 2 32 = a2 u 2 a2 + C
(u a )
du 1 u
u( a + bu) = a ln a + bu + C u
du
=
1
ln
a + bu a
+ C , si a > 0
a + bu a a + bu + a
2 a + bu
= tan 1 + C , si a < 0
a a
du 1 b a + bu a + bu
u ( a + bu) = au + a
2 2 ln
u
+C du = 2 a + bu + a
du
u u a + bu

53
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

udu a 1
( a + bu) = + ln a + bu + C
b ( a + bu) b
2 2
a + bu
2 du =
a + bu b
+
du
u u 2 u a + bu
du 1 1 a + bu udu 2
u( a + bu) 2 = a( a + bu) a 2 ln u + C =
a + bu 3b 2
( bu 2 a ) a + bu

u 2 du 1 a2 u n du 2 u n a + bu 2 na u n 1 du
(a + bu )2
a + =
bu
a + bu
b3
2a ln a + bu + C a + bu
=
b( 2 n + 1)

b( 2 n + 1)
a + bu

2
u a + budu = 15b 2 ( 3bu 2a )( a + bu) 2 + C
3

Otras formas trigonomtricas

csc sen
3 2
u du = 12 csc u cot u + 12 ln csc u cot u + C u du = 12 u 14 sen 2u + C
n 1
cos
2
u du = 12 u + 14 sen 2u + C
sen u du = 1n sen n 1 u cos u +
n
sen n 2 u du
n

n 1
cos tan
2
n
u du = n1 cosn 1 u sen u + cosn 2 u du u du = tan u u + C
n
1
cot
2
u du = cot u u + C
tan u du = tan n 1 u tan n 2 u du
n

n 1
1
cot n u du = n 1 cot n1 u cot n 2 u du sen
3
u du = 13 ( 2 + sen 2 u ) cos u + C
1 n2
sec n u du = n 1 tanu sec n 2 u + n 1 sec n2 u du cos
3
u du = 13 ( 2 + cos 2 u ) sen u + C

1 n2
csc n u du = n 1 cot u csc n 2 u + n 1 csc n 2 u du tan
3
u du = 12 tan 2 u + ln cos u + C

sen ( a b ) u sen ( a + b ) u
cot
3
u du = 12 cot 2 u ln sen u + C
sen au sen bu du = 2( a b)

2( a + b)
+C

sen( a b) u sen( a + b) u
sec
3
cos au cos bu du = 2( a b)
+
2( a + b)
+C u du = 12 sec u tan u + 12 ln sec u + tan u + C

cos( a b) u cos( a + b) u
u cos u du = u sen u n u sen u du
n 1
sen au cos bu du =
n n
+C
2( a b) 2( a + b)
u sen u du = sen u u cos u + C sen
n
u cos m u du
sen n 1 u cosm+1 u n 1
=
n+m
+
n+m
sen n2 u cosm u du
sen n +1 u cosm1 u m 1
=
n+m
+
n+m
sen n u cosm2 u du

u cos u du = cos u + u sen u + C u sen u du = u n cos u + n u n 1 cos u du


n

2u 1 2
u 1 u2 u 2 +1 u
u cos u du = 4 cos u
1 1
4
+C utan u du =
1

2
tan 1 u + C
2

54
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

1 n +1 u n+1du
sen
1
u n
sen 1 u du = 1
u du = u sen 1 u + 1 u 2 + C
u sen u , n 1
n + 1 1 u2
1 u n +1du
cos
1
u n cos1 u du = n + 1 u n+1 cos1 u + u du = u cos1 u 1 u 2 + C
, n 1
1 u2
1 n +1 1 u n +1 du tan
1
(
u du = u tan 1 u 12 ln 1 + u 2 + C )
u tan u du = 1+ u 2
n 1
u tan u , n 1
n +1

Formas exponenciales y logartmicas

1
ue au
( au 1) e au + C
du =
a2
ln u du = u ln u u + C
1 n u n +1
u n e au du = a u n e au a u n1e au du u n
ln u du = [ ( n + 1) ln u 1] + C
( n + 1) 2
e au 1
e sen bu du = a 2 + b 2 ( a sen bu b cos bu) + C
au
u ln u du = ln ln u + C
e au
e au
cos bu du =
a + b2
2
( a cos bu + b sen bu ) + C

Formas hiperblicas

senh u du = cosh u + C sech u du = ln tan u + C 1


2

cosh u du = senh u + C sech u du = tanh u + C


2

tanh u du = ln cosh u + C csch u du = coth u + C


2

coth u du = ln senh u + C sech u tanh u du = sech u + C


sech u du = tan senh u + C csch u coth u du = csch u + C
1

Otras formas cuadrticas

ua a2 a u du a u
2au u 2 du =
2
2 au u 2 + cos1
2 a
+ C = cos1
a
2
+ C
2a u u

2u au 3a 2 a3 a u u du a u
u 2au u2 du =
6
2au u2 + cos1
2 a
+ C = 2a u u 2 + a cos1
2 a
+ C
2au u

2a u u 2 a u du 2a u u 2
u 2 du = 2a u u 2 + a cos1
a
+ C =
au
+C
u 2a u u 2

u 2 du (u + 3a ) 3a 2 au 2a u u 2 2 2a u u 2 a u
2au u 2
=
2
2au u 2 +
2
cos 1 +C
a du = cos1 + C
u 2
u a

55
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Regla de Simpson

Para curvas hasta de tercer grado

h
Ai = (
y + 4y1 + y 2
3 0
)
Para curvas de grado mayor que el tercero

h
A= ( )
y + yn + 2 y 2 + y 4 + ... + yn 2 + 4 y1 + y 3 + ... + yn 1
3 0 ( )
Integrales mltiples

b

x=a
f2 ( x )

y = f1 ( x )
F ( x, y ) dydx =
b

x=a { f2 ( x )

y = f1 ( x )
F ( x, y ) dy dx }
Donde y = f1( x) e y = f 2 ( x ) son las ecuaciones de las curvas HPG y PGQ respectivamente, mientras
que a y b son las abscisas de los puntos P y Q. Esta integral tambin se puede escribir as:

d

y =c
g2 ( y )

x = g1 ( y )
F ( x, y ) dxdy =
d

y =c { g2 ( y )

x = g1 ( y )
F ( x , y ) dx dy}
Donde x = g1 ( y) , x = g2 ( y ) son las ecuaciones de las curvas HPG y PGQ, respectivamente, mientras
que c y d son las ordenadas de H y G.

Estas son las llamadas integrales dobles o integrales de rea. Los anteriores conceptos se pueden
ampliar para considerar integrales triples o de volumen as como integrales mltiples en ms de tres
dimensiones.

t
s = s (t ) = r (t ) dt
a

Es la longitud de curva correspondiente al intervalo paramtrico a , t .

En parmetro arbitrario: En parmetro s:



r (t )
Vector tangente unitario t (t ) = t ( s ) = r ( s )
r (t )

r( s)
Vector normal principal n(t ) = b (t ) t (t ) n ( s) =
r( s)

r r (t ) r ( s )
r ( s)
Vector binormal b (t ) = b (s) =
r r (t )
r (s)



(
Los vectores unitarios t , n , b forman una triada positiva b = t xn , n = b xt , t = nxb )
56
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Recta tangente en t0

Ecuacin vectorial: Ecuacin paramtrica


r ( ) = r ( t0 ) + r ( t0 )
x x0 y y0 z z0
= =
x0 y0 x0

Plano oscilador( t , n ) en t0

Ecuacin vectorial Ecuacin paramtrica

x x0 y y0 z z0

( ) ( )
r r ( t 0 ) r ( t 0 ) xr ( t0 ) = 0 x 0 y 0 z 0 =0
x 0 y 0 z 0

Curvatura y torsin

y r ( t ) xr ( t ) r ( t ) ( r ( t ) xr ( t ) )
= (t) = 3 ( t) = 2
3
r ( t ) r ( t ) xr ( t )
1 + ( y) 2 2

d d d
( s ) =
r (s) T = kN N = B kT B = N
ds ds ds

Plano normal

Ecuacin vectorial: Ecuacin paramtrica:

( r r( t ) ) r( t ) = 0
0 0
x0 ( x x0 ) + y0 ( y y0 ) + z0 ( z z0 ) = 0

Plano rectificante t , b en t0 ( )
Ecuacin vectorial: Ecuacin paramtrica:
x - x0 y - y0 z - z0

( )
r r ( t0 ) n( t0 ) = 0 x 0 y 0 z 0 =0
y 0 z 0 y 0z 0 z 0 x 0 z 0x 0 x 0 y 0 x 0y 0

Componentes tangencial y normal de la aceleracin

57
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura


. a
a T = a T =


x a
a N =aN =

Propiedades de la divergencia

i) div( F + G) = div( F ) + div(G)

ii) div( F ) = div( F ) + (grad ) F

( ) ( )
iii) div( F + G) = G rot F -F rot G

58
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Geometra

reas

Crculo =

B + b
Trapecio A= h
2

ab sen bh
Tringulo A= =
2 2

Volmenes

Prismas V= SB h
donde SB = rea de la base

SBh
Pirmides V=
3
donde SB = rea de la base

Volumen = 43 r 3

rea de la superficie = 4 r 2

Volumen = r 2h
rea de la superficie lateral = 2 rh

59
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Volumen = 13 r2h

rea de la superficie lateral = r r 2 + h 2 = r l

Volumen = 13 h ( a 2 + a b + b 2 )
rea de la superficie lateral
= ( a + b) h2 + ( b a)
2

= ( a + b) l

Geometra analtica plana

(x x 1 ) + (y 2 y 1 )
2 2
Distancia entre dos puntos 2

y 2 y1
Pendiente de una recta m=
x 2 x1

Ecuacin de una recta y y1 = m( x x1 ); Ax + By + C = 0

m1 m 2
ngulo entre rectas tan =
1 + m1m 2

Circunferencia ( x h)2 + ( y k )2 = r 2 ; Ax2 + Ay 2 + Dx + Ey + F = 0

Parbola

Eje vertical ( x h)2 = 4 p( y k ); Ax2 + Dx + Ey + F = 0


( y k ) 2 = 4 p( x h); By 2 + Dx + Ey + F = 0
Eje horizontal
LR = 4 p e =1

Elipse
( x h) (y k)
2 2

Eje focal horizontal + = 1 ; a> b


a2 b2
( x h) (y k)
2 2

Eje focal vertical + =1 ; a> b


b2 a2

60
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

2b 2 c
a 2 = b2 + c2 ; ;LR =
e = <1
a a
2 2
Ax + Cy + Dx + Ey + F = 0; AC > 0

Hiprbola
( x h) (y k)
2 2

Eje focal horizontal =1


a2 b2
(y k) ( x h)
2 2

Eje focal vertical =1


a2 b2

2b 2 c
c2 = a 2 + b2 ; ;LR =
e = >1
a a
2 2
Ax + Cy + Dx + Ey + F = 0; AC < 0

61
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Geometra analtica del espacio

Considerando P1 = ( x1 , y1 , z1 ) y P2 = ( x2 , y2 , z2 )

Vector que une P1 y P2:

P1 P2 = (x 2 x 1 ) , ( y 2 y1 ) , ( z 2 z 1 ) = ( l , m , n )

Distancia entre dos puntos:

d= (x 2 x1 ) + ( y2 y1 ) + ( z2 z1 ) = l 2 + m2 + n2
2 2 2

Recta que pasa por dos puntos:

Forma paramtrica:

x = x1 + l t y = y1 + mt z = z1 + n t

Forma simtrica:

x x1 y y1 z z1
t= t= t=
l m n

Cosenos directores:

x2 x1 l y2 y1 m z2 z1 n
cos = = cos = = cos = =
d d d d d d

donde , , denotan los ngulos que forman la lnea que une los puntos P1 y P2 con la parte
positiva de los ejes x, y, z, respectivamente.

Ecuacin del plano:



- Que pasa por un punto P1(x1, y1, z1) y tiene vector normal a = a1 ,a2 ,a3 :

a 1 ( x x 1 ) + a 2 ( y y 1 ) + a 3 ( z z1 ) = 0

-Forma general:
Ax + By + Cz + D = 0

cos 2 + cos 2 + cos 2 = 1 o l 2 + m2 + n2 = 1

62
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Distancia del punto P0(x0, y0, z0) al plano Ax + By + Cz + D = 0

Ax 0 + By 0 + Cz0 + D
d=
A2 + B 2 + C 2

en la cual el signo debe escogerse de tal manera que la distancia no resulte negativa.

Coordenadas cilndricas:

r = x 2 + y 2
x = r cos
y = r sen ()
= tan x
1 y

z= z z = z

Coordenadas esfricas:

x = sen cos

y = sen sen
z = cos



= x2 + y 2 + z 2

= tan x ()
1 y


z
= cos 2
1
2 2
x +y +z

63
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Definiciones geomtricas importantes

m1 m2
ngulo entre dos rectas en el plano tan =
1 + m1m2

Producto escalar para a y b que pertenecen a


a b = a1b1 + a2b2 + a3 b3
R3

i j k
Producto vectorial a x b = a1 a2 a3
b1 b2 b3
a1 a2 a3
Producto mixto [a ]
b c = b1 b2 b3
c1 c2 c3

ab axb
ngulo entre dos vectores cos = ; sen =
a b a b

Ecuacin vectorial de la recta p = p o + tu

x = xo + at

Ecuaciones paramtricas de la recta y = y o + bt u = (a, b, c)
z = z + ct
o

x xo y yo z zo
Ecuaciones cartesianas de la recta, en forma = =
a b c
simtrica
u = ( a, b, c)

Po Q x u
Distancia de un punto Q a una recta d=
u

Distancia entre dos rectas d=


PP (
1 2 u1 x u2 )
u1 x u 2

Ecuacin vectorial de un plano p = p o + ru + sv

64
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

x = x o + ru x + sv x

Ecuaciones paramtricas de un plano y = y o + ru y + sv y
z = z + ru + sv
o z z

Ecuacin cartesiana de un plano en forma Ax + By + Cz + D = 0


general N = ( A, B, C)

Ecuacin normal de un plano PoP N = 0 ; N = ( A , B, C )

PoQ N
Distancia de un punto Q a un plano d =
N

u N
ngulo entre una recta y un plano sen =
u N

65
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Trigonometra

Medida de ngulos planos

Representacin:

La medida de un ngulo puede expresarse en unidades comunes (grados) o en unidades de arco


(radianes). Se representa a veces, respectivamente, por y .

Unidades comunes (sexagesimales): grado (), minuto ('), segundo (").

1 = 60'; 1' = 60"

Unidad de arco:

1 radin (rad) es el ngulo central de una circunferencia de radio unitario que intercepta un arco
tambin unitario. Por lo tanto,

1m
1 rad = = 1(nmero adimensional)
1m

Con frecuencia no se indica especficamente la unidad, como en la siguiente tabla.

0 30 45 60 75 90 180 270 360


0 /6 /4 /3 5 / 12 /2 3 / 2 2

0 0.52 0.78 1.05 1.31 1.57 3.14 4.71 6.28

66
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Equivalencias. Por definicin:

180
360 = 2 rad, 1 rad = = 57.2967


1 = rad = 0.017453 rad
180

= =
180 57.2967
longitud de arco
= arc =
radio

La longitud de un arco (b) es el producto del radio r y el ngulo central (en radianes) de la
circunferencia:

b = r

Funciones trigonomtricas

En un tringulo rectngulo:

cateto opuesto a
sen = =
hipotenusa c
cateto adyacente b
cos = =
hipotenusa c
cateto opuesto a
tan = =
cateto adyacente b

67
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Operaciones con funciones trigonomtricas

sen2 A + cos2 A = 1 sen 2 A = 1


2 21 cos 2 A

sec2 A tan2 A = 1 cos 2 A = 1


2 + 21 cos 2 A

csc2 A cot2 A = 1 sen2A = 2senAcosA


sen A cos2 A = cos2 A sen2 A
tan A =
cos A

cot A =
cos A sen ( A B ) = sen A cos B cos A sen B
sen A
senAcscA=1 cos ( A B ) = cos A cos B sen A sen B

cosAsecA=1 tan ( A B ) =
tanA tanB
1 tanAtanB
tanAcotA=1 sen
A
=
1 cos A
2 2
sen ( A) = sen A A 1 + cos A
cos =
2 2
cos ( A) = cos A sen Asen B = 1
2 [ cos( A B) cos( A + B)]
tan ( A ) = tan A sen A cos B = 1
[ sen( A B) + sen( A + B)]
2

cos Acos B = 21 [ cos( A B) + cos( A + B)]

68
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Las leyes siguientes son vlidas para cualquier tringulo plano ABC de lados a, b, c y de ngulos A,
B, C.

Ley de los senos

a b c
= =
sen A sen B sen C

Ley de los cosenos

c 2 = a 2 + b 2 2 a b cos C

Los otros lados y ngulos estn relacionados en forma


similar

Ley de las tangentes

a + b tan 21 ( A + B )
=
a b tan 21 ( A B )

Los otros lados y ngulos estn relacionados en forma similar

Teorema de Pitgoras

a 2 + b2 = c 2

Valores de las funciones de ngulos importantes

sen cos tan cot sec csc

0 0 1 0 1

1 3 3 2 3
30 3 2
2 2 3 3
2 2
45 1 1 2 2
2 2
3 1 3 2 3
60 3 2
2 2 3 3

90 1 0 0 1

69
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Relaciones entre ngulo simple, ngulo doble y mitad de ngulo:

sin = cos = tan = cot =


cos(90 ) s e n(90 ) cot(90 ) tan(90 )
1 1
1 cos2 1 s e n2
cot tan
se n cos
2 se n cos cos2 s e n2
2 2 2 2 cos se n
tan cot se n cos
1 + tan 2 1 + cot2 1 s e n2 1 cos2
1 1
cos2 cos 2 1 2 s e n2 1 1
2 cos2 s e n2
1 1
1 + cot2 1 + tan 2

2 tan 1 tan2 2 tan cot2 1
2 2 2 2

1 + tan2 1 + tan2 1 tan2 2 cot
2 2 2 2
s e n 2 = cos 2 = tan 2 = cot2 =
2 tan cot2 1
cos 2 s e n 2
1 tan2 2 cot
2 s e n cos
2 cos 2 1 2 1 1
cot tan
1 2sen 2
cot tan 2 2

se n = cos = tan = cot =
2 2 2 2
se n se n
1 + cos 1 cos
1 cos 1 + cos
1 cos 1 + cos
se n se n
2 2
1 cos 1 + cos
1 + cos 1 cos

70
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Nmeros complejos

Forma trigonomtrica o polar de un nmero complejo

1 y
Se tiene que r = z = ( x, y ) y que = arg( z ) = tan
x

Luego:

y
sin = y = r sin
r

cos = x
x = r cos
r

Por lo tanto:

z = ( x, y ) = x + yi = r cos + i r sin = r (cos + i sin )

Forma exponencial de un nmero complejo

Sea z = r (cos + i sin ) un nmero complejo donde r es su mdulo y su argumento. Entonces


mediante el empleo de la frmula de Euler se obtiene:

z = r (cos + i sin ) = r e i

Teorema de De Moivre

Siendo p un nmero real cualquiera, el teorema de De Moivre establece que

[r(cos + isen )]
p
= r p (cos p + isenp )

Sea n cualquier entero positivo y p = 1 , entonces


n

[cos +2kn + isen +2kn ]


1
[r(cos + isen )]
1
n
=r n

donde k es un entero positivo. De aqu se pueden obtener las n races n-simas distintas de un
nmero complejo haciendo k = 0,1, 2, , n 1

71
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Anlisis vectorial

Magnitud, direccin y componentes de vectores.

Vector: Representacin de una cantidad fsica con magnitud y direccin.



Coordenadas del punto inicial A del vector a : x1, y1, z1

Coordenadas del punto final B del vector a : x 2, y2, z2


Vectores unitarios sobre los ejes OX ,OY ,OZ : i , j , k

Componentes escalares

a x , ay , a z > 0
<
ax = x 2 x 1
ay = y2 y1
az = z 2 z1

Componentes vectoriales

a = ax + ay + az

a = ax i ay j + az k


Magnitud de un vector: a (o bien, a )


| a |= ax2 + ay2 + az2 ( | a | siempre 0 )

Cosenos directores de un vector: cos , cos , cos


, , son los ngulos entre el vector a y los ejes OX ,OY ,OZ . ( , , = 0 180 ) .
a a a
cos = x , cos = y , cos = z
|a | |a | |a |

Clculo de las componentes. Si se conocen | a |, , , ,

ax =| a | cos ; ay =| a | cos ; az =| a | cos

72
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Observacin: Operaciones vectoriales como la determinacin de magnitudes, cosenos directores,


sumas y productos se llevan a cabo con las componentes de los vectores a lo largo de los ejes
OX ,OY ,OZ .

Adicin y sustraccin de vectores


Suma vectorial s de dos vectores libres a y b

s = a + b = s x i + sy j + s z k
sx = ax + bx , sy = ay + by , sz = az + bz

| s |= sx2 + sy2 + sz2


Diferencia vectorial s de dos vectores libres a y b

s = a + (b )
sx = ax bx , sy = ay by , sz = az bz

| s |= sx2 + sy2 + sz2

Valores 0; 360 90 180 270


importantes
| a || b | |a | + |b | | a |2 + | b |2 |a | |b | | a |2 + | b |2
| s | para 2
vectores
| a |=| b | 2 |a | |a | 2 0 |a | 2


Suma vectorial s de dos vectores libres a y b , c , etc.:

s = a + b c + = s x i + sy j + s z k
sx = ax + bx cx + , sy = ay + by cy + , sz = az + bz cz +

| s |= sx2 + sy2 + sz2

73
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Producto de un escalar por un vector

Escalar: Magnitud fsica sin direccin.



El producto escalar k con el vector a da el vector c

c = k a

cx = k ax ; cy = k ay ; cz = k az ; c = k | a |


Si k > 0, entonces c a , por lo que


Si k < 0, entonces c a , por lo que

Productos de dos vectores libres


El producto escalar de dos vectores libres a y b da el escalar k
Smbolo del producto escalar: punto

k = a b = b a = a b cos =| a | | b | cos
k = ax bx + ay by + az bz
a b + a b + a b
= cos 1 x x y y z z
|a | |b |

Valores 0; 360 90 180 270


importantes
| a | | b | cos + | a || b | 0 | a || b | 0

Ejemplo: Trabajo W de una fuerza F en el


desplazamiento s

W = Fuerza Desplazamiento = F s

W = F s cos

74
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura


El producto vectorial de dos vectores libres a y b da el vector c
Smbolo del producto vectorial: cruz x



(
c = a b = b a

) c
0<<180 b
| c |= ab sin =| a || b | sin <
(c = 0)
c a y c b


>
a , b , c forman una triada derecha
a
cx = aybz azby 180<<360
a
cy = azbx axbz
cz = axby aybx

| c |= cx2 + cy2 + cz2 b c

Valores 0; 360 90 180 270


importantes
| a | | b | sin 0 + | a || b | 0 | a || b |

A B = A B cos 0

donde es el ngulo formado por A y B

A B = A1 B1 + A2 B 2 + A3 B 3

donde:

A = A1 i + A2 j + A3 k

B = B1 i + B2 j+ B3 k

Son resultados fundamentales:


i j k
Producto cruz: A B = A1 A2 A3
B1 B2 B3

= ( A 2 B 3 A 3 B 2 )i + ( A 3 B 1 A1 B 3 )j + ( A1 B 2 A 2 B 1 )k

Magnitud del producto cruz A B = A B sen

El operador nabla se define as:

75
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura


= i+ j+ k
x y z

En las frmulas siguientes se asume que U = U ( x, y, z ) y A = A( x, y, z ) tienen derivadas parciales.

U U U
Gradiente de U grad(U ) = U = i + j + k U = i+ j+ k
x y z x y z

A A A
Divergencia de A div( A) = A = i + j + k ( A1i + A2 j + A3k ) = 1 + 2 + 3
x y z x y z

i j k

rotA = A = i + j + k ( A1i + A2 j + A3k ) = =
Rotacional de A x y z x y z
A1 A2 A3
A3 A2 A1 A3 A2 A1
i + j+ k
y z z x x y

2U 2U 2U
Laplaciano de U 2U = (U ) = + +
x 2 y 2 z 2

76
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Funcin de fracciones racionales

Descomposicin

P ( x ) a0 + a1 x + a2 x 2 + ... + am x m
y ( x) = = , donde n y m son enteros y n > m
Q ( x ) b0 + b1 x + b2 x 2 + ... + bn x n

Los coeficientes a , b pueden ser reales o complejos. Si n son las races de Q (x ) , se obtiene la
forma factorizada:

P( x) P ( x)
y( x) = =
Q ( x ) ( x n1 ) ( x n2 ) k 2 ...( x nq ) kq
k1

En esta expresin pueden representarse races de multiplicidad k1 , k2 , ..., kq de Q ( x ) , que pueden


ser reales o complejas; es un factor constante.

Descomposicin de fracciones parciales

Para lograr un manejo ms sencillo de y ( x ) es conveniente descomponerla en fracciones parciales:

P ( x) A A12 A1k 1
y ( x) = = 11 + 2
+ ... +
Q ( x ) x n1 ( x n1 ) ( x n1 ) k 1
A21 A22 A2 k 2
+ 2
+ ... + ... +
x n2 ( x n2 ) ( x n2 ) k 2
Aq1 Aq 2 Aqkq
+ 2
+ ... +
x nq ( x nq ) ( x nq ) kq

Si los coeficientes de Q( x) son reales, aparecen races complejas por parejas (races complejas
conjugadas). Para efectuar la descomposicin se agrupan estas parejas en fracciones parciales
reales. Si en b '1, n2 = n1 (compleja conjugada de n1 ) y debido a su aparicin por parejas k1 = k2 = k3 ,
entonces las fracciones parciales de b ' 2 , con las constantes A11 ,..., A2 k 2 pueden agruparse en las
fracciones parciales:

B11 x + C11 B x + C12 B x + C1k


2
+ 2 12 2
+ ... + 2 1k
x + ax + b ( x + ax + b ) ( x + ax + b ) k

77
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Series de Fourier

Toda funcin peridica f(x), que puede descomponerse en el intervalo de periodicidad x en


un nmero finito de intervalos continuos, podr descomponerse en ese intervalo en una serie
convergente de la forma:

a0
f (x) = + an cos ( nx ) + bn s e n ( nx )
2 n =1

Los coeficientes de cada trmino se forman como sigue:


1 1
ak = f ( x ) cos ( kx ) dx bk = f ( x ) s e n ( kx ) dx

Funciones pares: f ( x ) = f ( x )


2
ak =
f ( x ) cos ( kx ) dx
0
Para k = 0,1, 2, ,

bk = 0

78
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Funciones impares: f ( x ) = f ( x )

ak = 0

2
bk =
f ( x ) s e n ( kx ) dx
0
Para k = 0,1, 2, ,

Tablas de desarrollo en series de Fourier

y = a para 0 < x <


y = a para < x < 2
4a se n(3x ) se n(5x )
y = se n x + + + ...
3 5

y = a para < x <


y = a para + < x < 2
4a 1
y= cos s e n x + cos(3 )s e n(3x )
3
1
+ cos(5 )s e n(5x ) + ...
5
y = a para < x < 2
(
y = f 2 + x ) y

2a s e n( ) s e n2( )
y= cos x + cos2x a

2 1 3 o 2 3 x
s e n 3( )
cos 3x + ...
3

y = ax / b para 0 x b
y = a para b x b
y = a ( x ) / b para b x

79
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

4a 1 1
y= s e n b s e n x + 2 s e n(3b)s e n(3x )

b 1 2
3
1
+ 2 s e n(5b)s e n(5x ) + ...
5
ax
y = para 0 < x < 2
2
(
y = f 2 + x )
a a s e n x s e n 2x s e n 3x
y = + + + ...
2 1 2 3
y = 2ax / para 0 x / 2
( )
y = 2a x / para / 2 x

y = f ( + x )
8 s e n 3x s e n 5x
y = a s e n x + ...
2 3 2
5 2
y = ax / para 0 x
( )
y = a 2 x / para < x < 2
y = f ( 2 + x )
a 4a cos x cos 3x cos 5x
y = 2 2 + + + ...
2 1 3 2
5 2

y = a s e n x para 0 x
y = a s e n x para x 2
(
y = f +x )
2a 4a cos 2x cos 4x cos 6x
y = + + + ...
13 35 57
y = 0 para 0 x / 2
y = a s e n(x / 2) para / 2 x 3 / 2
(
y = f 2 + x )
2a 1 cos 2x cos 4x cos 6x
y = cos x + 2 2 +. 2 ...
2 4 2 1 4 17 6 1
y = x 2 para x
( )
y = f x = f 2 + x ( )
2 cos x cos 2x cos 3x
y = 4 2 2
+ 2
...
3 1 2 3

80
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

ax
y= para 0 < x <

(
y = f 2 + x )
a 2a cos x cos 2x cos 3x
y= + + + ...
4 2 12 22 32
a s e n x s e n 2x s e n 3x
+ + ...

1 2 3

81
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Transformada de Fourier

Definiciones:


F {s ( t )} = S ( w ) = s ( t ) e jwt dt; j = 1

1
F1 {S ( w )} = s ( t ) = S ( w ) e dw;
jwt
j = 1
2

Reglas de operacin

Desplazamiento en tiempo F {s ( t )} = S ( w ) e jwt

Convolucin

s1 ( t ) s2 ( t ) = s1 ( ) s2 ( t ) d = s2 ( ) * s1 ( t ) d

F {s1 ( t ) s2 ( t )} = S1 ( w ) * S2 ( w )
F {s ( t )} = S ( w )
1 w
F {s ( at )} = S , a>0
a a
F {s1 ( t ) + s2 ( t )} = S1 ( w ) + S2 ( w )

Enseguida se indican las densidades espectrales calculadas para algunas importantes funciones del
tiempo.

Funcin tiempo ( ) Densidad espectral ( )


Funcin rectngulo ( ) ( )=2 ( )/

82
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Funcin tiempo ( ) Densidad espectral ( )


Funcin rectngulo con cambio de signo

( )= 2 2
2

( )=4 (2 )

( )
( )= = ( )= ( ) (Funcin rectngulo)

Funcin tringulo ( ) ( )= 2
2

Rectngulo modulado

( ) ( ) = =

( + ) ( )
( )= +
+

83
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Funcin tiempo ( ) Densidad espectral ( )


Impulso de Gauss

( )=

Impulso coseno ( ) =

( )= 4
1
2

Impulso cos2 ( ) =

4 1
( )=
4
4 1
4

Impulso exponencial

( )=
+

84
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Transformada de Laplace

Definiciones:

f (t )e
st
L{f (t )} = F (s ) = dt;
0
+
1
F (s)e
-1 st
L {F (s )} = f (t ) = ds; j = 1
2 j

Reglas de operacin

Linealidad L{f1(t ) + f2 (t )} = F1(s ) + F2 (s )


L{c f1(t )} = cF1(s )
Teorema de traslacin
L{f (t a )} = e as F (s )
Teorema de convolucin t t
f1(t ) f2 (t ) = f1( ) f2 (t )d = f2 ( ) f1(t )d
0 0
L{f1(t ) f2 (t )} = F1(s ) F2 (s )
Cambio de variable L{a1 f (at )} = F (a s )
Diferenciacin L{f '(t )} = sF (s ) f (0)
L{f ''(t )} = s 2F (s ) sf (0) f '(0)
n 1
L{f (n )
(t )} = s F (s ) f (k )(0)s n k 1
n

k =0
Integracin L{ f (t ) dt } = s1 F (s )

85
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Tabla de transformadas de Laplace:

f(t) L f(t)}=F(s)
1. 1 1
s

2. tn, n = 1, 2, 3,... n!
s n +1

3. t 1/2
s

4. e at 1
sa

5. senkt k
s + k2
2

6. coskt s
s + k2
2

7. senhkt k
s k2
2

8. coshkt s
s k2
2

9. eat f (t ) F (s a )

10. (t a ), a 0 e as
s

11. f (t a )U (t a ), a 0 e as F (s )

12. t n f (t ), n = 1, 2, 3... dn
(1)n F (s)
dsn

13. f n (t ), n = 1, 2, 3... s n F (s ) s n 1 f (0) ... f (n 1)(0)


t
14. f ( ) g (t )d
0
F (s )G (s )

15. (t t0 ), t0 0 e st0

16. t neat , n = 1, 2, 3... n!


( s a)n +1

86
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

17. eat senkt k


( s a)2 + k 2

18. eat cos kt sa


( s a)2 + k 2

19. tsenkt 2ks


( s + k 2 )2
2

20. t cos kt s2 k 2
(s 2 + k 2 ) 2

21. senkt kt cos kt 2k 3


(s + k 2 )2
2

22. senkt + kt cos kt 2ks 2


(s 2
+ k2 )
2

23. senhkt senkt 2k 3


s4 k 4
24. cosh kt cos kt 2k 2 s
s4 k 4
25. 1 cos kt k2
s (s2 + k 2 )

26. kt senkt k3
s2 (s2 + k 2 )

asenbt bsenat 1
27.
ab(a 2 b 2 ) (s 2
+a 2
)( s 2
+ b2 )

cos bt cos at s
28.
a2 b2 (s 2
+a 2
)( s 2
+ b2 )

29.
(t ) 1

t n 1 1

30.
(n 1)! sn

31.
exp(at ) 1 a
s(s a )

87
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

1 exp(t / T ) 1
32. T
1 + Ts
1 sin(kt ) s
33. 2k
(s + k 2 )2
2

1 sin(kt ) +
2k s2
+ 2t cos(kt ) (s 2 + k 2 )2
34.
cos(kt ) s3
k2 t sin(kt ) (s 2 + k 2 )2
35.

ebt eat 1
,b a
36. b a (s a )(s b)
1 e at sin(kt ) 1
37. k
(s + a )2 + k 2

1 1
38. t s

t 1
2
39. s s
1
3 s
40. 2 t 2

3
5 s s
41. 4 t 2

42.
1 at
t
(
e e bt ) ln
s +b
s +a
1 tan 1(a s )
sin(a t )
43. t
a 2
a
e 4t
e a s ; a > 0
44. 2t t

88
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

a 1 a s
erfc e ; a0
45. 2 t s
46. Funcin de Bessel J o (kt ) 1
s2 + k 2

89
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Probabilidad y estadstica

Parmetro Estimador Intervalo de confianza


puntual (1-) 100%

Media

1 n
(varianza 2 conocida) X = Xi X z X + z
n i =1 n n
2 2

Varianza 2 (de una distribucin normal)

Sn21 =
1 n 2 (n 1)Sn21 2
(n 1)Sn21
( Xi X)
n 1 i =1 2 2
, n -1 1 , n-1
2 2

Desviacin estndar de distribucin de medias


x =
n

Valor promedio (media)

i=1 xi
n

x=
n

Media de medias

j=1 x j
m

x=
n

Intervalo o rango de valores

R = Vm a x Vm i n

Media de rangos

j=1R j
m

R=
m

90
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Hiptesis nula Estadstico de prueba

X 0
H0 : = 0, 2 conocida Z0 =

n
X 0
H0 : = 0, 2 desconocida t0 =
Sn 1
n

H0 : 2 = 02 20 =
(n 1) S2n1
20

Regresin lineal

y = 0 + 1x
= y x
0 1

n n
n yi xi
yi x i i =1
i =1

n
1 = i =1
2
n
n xi
xi
2 i =1

i =1 n

y (x i i
x)
Coeficiente de correlacin de la muestra r= i =1
1/2
n n

i
2
(x x ) (yi y )2
i =1 i =1

n!
Permutaciones Prn =
(n r )!

n n!
Combinaciones =
(
r r ! n r !
)
n!
Permutaciones con objetos similares Pnn,n ,...,n =
1 2 k
n1 ! n2 !...nk !

91
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

P (A B )
Probabilidad condicional P (A B ) =
P (B )

P (Bk )P (A Bk )
Teorema de Bayes P (Bk A) = N

P (B )P(A B )
i =1
i i

92
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Tabla de distribucin de probabilidad normal estndar

z 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09


0 0.5 0.504 0.508 0.512 0.516 0.5199 0.5239 0.5279 0.5319 0.5359
0.1 0.5398 0.5438 0.5478 0.5517 0.5557 0.5596 0.5636 0.5675 0.5714 0.5753
0.2 0.5793 0.5832 0.5871 0.591 0.5948 0.5987 0.6026 0.6064 0.6103 0.6141
0.3 0.6179 0.6217 0.6255 0.6293 0.6331 0.6368 0.6406 0.6443 0.648 0.6517
0.4 0.6554 0.6591 0.6628 0.6664 0.67 0.6736 0.6772 0.6808 0.6844 0.6879
0.5 0.6915 0.695 0.6985 0.7019 0.7054 0.7088 0.7123 0.7157 0.719 0.7224
0.6 0.7257 0.7291 0.7324 0.7357 0.7389 0.7422 0.7454 0.7486 0.7517 0.7549
0.7 0.758 0.7611 0.7642 0.7673 0.7704 0.7734 0.7764 0.7794 0.7823 0.7852
0.8 0.7881 0.791 0.7939 0.7967 0.7995 0.8023 0.8051 0.8078 0.8106 0.8133
0.9 0.8159 0.8186 0.8212 0.8238 0.8264 0.8289 0.8315 0.834 0.8365 0.8389
1 0.8413 0.8438 0.8461 0.8485 0.8508 0.8531 0.8554 0.8577 0.8599 0.8621
1.1 0.8643 0.8665 0.8686 0.8708 0.8729 0.8749 0.877 0.879 0.881 0.883
1.2 0.8849 0.8869 0.8888 0.8907 0.8925 0.8944 0.8962 0.898 0.8997 0.9015
1.3 0.9032 0.9049 0.9066 0.9082 0.9099 0.9115 0.9131 0.9147 0.9162 0.9177
1.4 0.9192 0.9207 0.9222 0.9236 0.9251 0.9265 0.9279 0.9292 0.9306 0.9319
1.5 0.9332 0.9345 0.9357 0.937 0.9382 0.9394 0.9406 0.9418 0.9429 0.9441
1.6 0.9452 0.9463 0.9474 0.9484 0.9495 0.9505 0.9515 0.9525 0.9535 0.9545
1.7 0.9554 0.9564 0.9573 0.9582 0.9591 0.9599 0.9608 0.9616 0.9625 0.9633
1.8 0.9641 0.9649 0.9656 0.9664 0.9671 0.9678 0.9686 0.9693 0.9699 0.9706
1.9 0.9713 0.9719 0.9726 0.9732 0.9738 0.9744 0.975 0.9756 0.9761 0.9767
2 0.9772 0.9778 0.9783 0.9788 0.9793 0.9798 0.9803 0.9808 0.9812 0.9817
2.1 0.9821 0.9826 0.983 0.9834 0.9838 0.9842 0.9846 0.985 0.9854 0.9857
2.2 0.9861 0.9864 0.9868 0.9871 0.9875 0.9878 0.9881 0.9884 0.9887 0.989
2.3 0.9893 0.9896 0.9898 0.9901 0.9904 0.9906 0.9909 0.9911 0.9913 0.9916
2.4 0.9918 0.992 0.9922 0.9925 0.9927 0.9929 0.9931 0.9932 0.9934 0.9936
2.5 0.9938 0.994 0.9941 0.9943 0.9945 0.9946 0.9948 0.9949 0.9951 0.9952
2.6 0.9953 0.9955 0.9956 0.9957 0.9959 0.996 0.9961 0.9962 0.9963 0.9964
2.7 0.9965 0.9966 0.9967 0.9968 0.9969 0.997 0.9971 0.9972 0.9973 0.9974
2.8 0.9974 0.9975 0.9976 0.9977 0.9977 0.9978 0.9979 0.9979 0.998 0.9981
2.9 0.9981 0.9982 0.9982 0.9983 0.9984 0.9984 0.9985 0.9985 0.9986 0.9986
3 0.9987 0.9987 0.9987 0.9988 0.9988 0.9989 0.9989 0.9989 0.999 0.999
3.1 0.999 0.9991 0.9991 0.9991 0.9992 0.9992 0.9992 0.9992 0.9993 0.9993
3.2 0.9993 0.9993 0.9994 0.9994 0.9994 0.9994 0.9994 0.9995 0.9995 0.9995
3.3 0.9995 0.9995 0.9995 0.9996 0.9996 0.9996 0.9996 0.9996 0.9996 0.9997
3.4 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9998
3.5 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998
3.6 0.9998 0.9998 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999
3.7 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999
3.8 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999
3.9 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

93
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Modelos probabilsticos comunes

Nombre Distribucin Rango Media Varianza Funcin


generatriz de
momentos
Binomial
n x n - x
p q x = 0,1, . . n np npq (q + p e )n
x
Geomtrica 1 q p e
p qx-1 x = 1,2, . . .
1 - q e
2
p p
De Pascal r
(Binomial x 1 r x r r rq pe
negativa) p q x = r, r + 1, .
r 1 p p2
1 qe
De Poisson
(t ) x e- t x = 0,1,2, . .
t t et(e -1)
x!
Uniforme
1 a + b eb - ea
2
(b - a )
a x b
b - a 2 12 (b - a)
Exponencial 1
1
e - x x 0
-
2

Normal 2
1 x-
-
1 2 - < x <
2
e +
1 2 2

2
e
2
Ji-cuadrada v
x > 0 2 (1 - 2 ) 2
t de Student
- < x < 0 , > 2
- 2
F (de
Fisher) 2 222(1 + 2 - 2)
, 2
2 - 2 1(2 - 2) (2 - 4)
0 < x <

2 > 2 2 > 4
Erlang r -1 - t
( t ) e r r
(r - 1)! t > 0
2

94
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Fsica

Mecnica

Centroides

Arco de circunferencia
r ( sen ) (180 ) rs
y= =
(
) b

Tringulo

1
y= h
3

Sector de crculo

2r ( sen ) (180 ) 2rs


y= =
3 (
) 3b

Trapecio

h a + 2b
y=
3 a+b

Segmento de corona circular

2 R3 r 3 sen
y= 2 2
3 R r

2 R3 r 3 s
y= 2 2
3 R r b

Segmento de crculo

s3
y=
12 A

95
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Esttica

Fuerza aplicada paralelamente al plano de deslizamiento

Friccin esttica

Ff 1 = F1 = G tan 1
N = G
C < 1(variable) < 0

Valor lmite

Ff 0 = F0 = G tan 0
N = G
0 = tan 0 >
0 = constante >

Friccin dinmica

Ff = F = G tan
N = G
= tan > 0
= constante > 0

Fuerza aplicada oblicuamente respecto al plano de deslizamiento

0 sen 0
F=G =G
sen - 0 cos sen( - 0 )

Rozamiento en un plano inclinado

tan = tan =

Friccin de chumaceras

De carga radial

M 1 = r rF

96
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

De carga axial

r1 + r2
M f = a F
2

Friccin rodante

Rodamiento de un cilindro macizo

f f
F = N G
r r

Condicin de rodamiento

Ff < 0N

Movimiento de una placa sobre rodillos

(f1 + f2 ) G1 + nf2 G 2
F =
2r

Si f1 = f2 = f y nG < G
2 1
f
F = G
r 1

Friccin en cables

Fuerza de traccin para subir la carga G

F1 = e aG , Ff = (e a 1)G

Fuerza de traccin para bajar la carga G

F2 = e aG, Ff = (1 e a )G

Transmisin de banda o correa

Mi
Fp = y Fp = F
r

97
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

En movimiento

Fp
F0 = a
1
e
e a
F1 = Fp a
e 1
e a + 1
Fa = Fp a
e 1

En reposo

Fa ( e a + 1)
F0 = F1 =
2( e a 1)
e a + 1
Fa = Fp a
e 1

Cinemtica

dr dv
F = xi + yj + zk v = a =
dt dt
dv v 2
a = u + u v = vut
dt t n

r + ru
v = ru

a = (r r2 )ur + (r + 2r)u

Movimiento en una dimensin

x = vt
x = x 0 + vt
1
(
v = v + v0
2
)
v = v 0 + at
1
(
x = x 0 + v0 + v t
2
)
1
x = x 0 + v 0t + at 2
2
v 2 = v 02 + 2a(x x 0 )

98
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Dinmica

W
F = ma = a W: peso
g
mM
F=G
r2
F = m dV / dt
XB = XB XA
A
VB = VB VA
A
aB = aB a A
A

Caractersticas cinemticas de puntos y segmentos rectilneos

Conceptos lineales y angulares1

Se tiene que son conceptos lineales:

r = posicin, v= velocidad, a = aceleracin, t = tiempo

Se tiene que son conceptos angulares:

= posicin, = velocidad,= aceleracin, t = tiempo

Expresin que relaciona ambos conceptos:

v= x r

Conceptos correspondientes a puntos y partculas en movimiento

Smbolo(s) ms Relacin con otra(s)


Concepto
comn(es) funcin(es)
Vector de posicin (lineal)
Velocidad (lineal) , =

Aceleracin (lineal) , = =

1
Por simplicidad se omite la dependencia del tiempo en las funciones. Por ejemplo: v(t) V.

99
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Conceptos correspondientes a segmentos rectilneos que modifican su direccin durante el


movimiento, y de cuerpos rgidos que contengan ese tipo de segmentos

Smbolo(s) ms Relacin con otra(s)


Concepto
comn(es) funcin(es)
Vector de posicin (angular)
Velocidad (angular) , =

Aceleracin (angular) , = =

Componentes cartesianas de los vectores de posicin, velocidad y aceleracin lineales para


movimientos en el espacio, en un plano y rectilneos.

r = r (t ) = xi + yj + zk, v = r = xi
+ yj
+ zk
, a = r = xi
+ yj
+ zk

Entonces, si P se mueve en el plano xy tenemos:

r = r = xi + yj, v = xi
+ yj
, a = xi
+ yj

Si P realiza un movimiento rectilneo cualquiera en el eje x se tienen:

r = xi, v = xi
, a = xi

Relaciones entre conceptos lineales y angulares.

a = ( r ) + r

Cinemtica del cuerpo rgido

= +
= + + ( )

Ecuaciones aplicables a cualquier tipo de movimiento del cuerpo rgido.

Centro y eje instantneo de rotacin.

v =

donde es un vector perpendicular al eje instantneo de rotacin.

Primeros momentos de la masa de un sistema de partculas.

Con respecto a los planos xy, xz, yz tenemos:

n n n
M xy = m z ,
i =1
i i
M xz = m y ,
i =1
i i
M yz = m x
i =1
i i

100
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Primeros momentos de la masa de un cuerpo rgido.

M xy = zdM , M xz = ydM , M yz = xdM


V V V

Ecuaciones escalares de centro de masa.

n n n
M Xc = mixi ,
i =1
MYc = miyi ,
i =1
M Zc = m z
i =1
i i

Para cuerpos rgidos tenemos:

M Xc = xdM , MYc = ydM , M Zc = zdM


V V V

Momentos de inercia de la masa de un cuerpo rgido.

I xx = MM xz + MM xy I yy = MM yz + MM xy I zz = MM yz + MM xz

Dinmica de la partcula

Ecuaciones de movimiento
F = ma
F
a=
m

Trabajo y energa
dT = p dr

Energa cintica y su relacin con el trabajo realizado por la fuerza resultante que acta sobre una
partcula

1 2
EC = mv
2

Impulso y cantidad de movimiento lineales

Fdt = (mv)
2
2
(mv )1

Ecuacin del impulso y la cantidad de movimiento lineales

Ecuacin diferencial de movimiento para sistemas de partculas

101
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

n
F= m a
i =1
i 1

Ecuacin fundamental para el estudio de la dinmica del cuerpo rgido.

F = Mac
2
n n
1 F dt = i i m i vi
m v
i =1 2 i =1 1

Ecuacin de impulso y cantidad de movimiento lineales para sistemas de partculas

Principio de la conservacin de la cantidad de movimiento lineal para sistemas de partculas.

n n
mi i mi i = 0
i =1 2 i =1 1

Ecuacin para obtener la cantidad de movimiento angular de un cuerpo rgido.

HCC = ICC

Ecuacin para obtener la suma de los momentos de los elementos mecnicos que actan sobre un
cuerpo rgido.

MCC = ICC

Momento de un sistema de fuerzas y/o pares que actan sobre un cuerpo, con respecto el eje CC.

n
MCC = (
i =1
i
* Fi )

Primera forma de la ecuacin del trabajo y la energa para un cuerpo rgido que realiza un movimiento
plano general.

n n
1 1
F drC + Fi di + Q j d j =
1 2 2
MV 2 + I CC 2
2
i =1
1
j =1
1 2 c 2

Ecuacin del impulso y la cantidad de movimiento angulares.

2
M CC dt = I CC (2 1 )
1

102
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Modelo matemtico correspondiente a las vibraciones libres con un grado de libertad.

+ = 0 con =

Modelo matemtico correspondiente a las vibraciones forzadas con un grado de libertad.

+ = con =

Trabajo, energa y conservacin de la energa

= .
= .
.
= = = . P: potencia
= : eficiencia
= =
= K: energa cintica
W = = V: energa potencial
( )=
1
=
2

Impulso e mpetu

I = Fdt

I = p

p = mv p: mpetu

p = p f pi = Fdt p : impulso

103
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Electricidad y magnetismo


q1q2 r qq
F =k 2 F = k 1 22 r = r1 r2
r r r

F
E=
q
q
E = E dA = E : flujo elctrico
0
q
V =k V : potencial electrstatico
r
Ub U a W
b
Vb Va = = ab = E dl
q q a
m i 1 qi q j
U = 4 r U : energa potencial electrosttica
i =1 j =1 0 ij

Capacitancia

q = CV C : capacitancia
A
C = k 0 Capacitor de placas paralelas
d
A
C = =k 0 k: constante dielctrica
d
2 l
C = k 0 Capacitor cilndrico
ln(b / a)
q2 1 1
U= = CV 2 = qV U: energa almacenada en un capacitor
2C 2 2
1
u = k 0 E 2 u: densidad de energa
2

104
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Corriente, resistencia y fuerza electromagntica

q
i= i: corriente elctrica
t
i = nqvA
i
j= = ni qi vi j: densidad de corriente, A: rea
A i
E
= : resistividad
j
V l
R= = R: resistencia
i A
R = R0 (1 + t ) Variacin de R con la temperatura
Vab = IR
i = i
ent sal

Elevaciones de potencial = Cadas de potencial v i =0


V2
P = Vi = Ri 2 = P: potencia elctrica
R

105
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Magnetismo

F = qv B v: velocidad, B: campo magntico

F = il B l : elemento de longitud
=NiABsen

dl = 0i
B

= B dA
0 i
B= r: distancia
2 r
0 I
B=
2a
Ni
B= 0 N: nmero de vueltas
2 r
I
dB = 0 sen d r: radio
4 a
I
B = 0 (cos1 -cos2 )
4 a
d
=- B : fuerza electromagntica
dt
= -vBl
d
=
dt

106
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Equivalencias

Longitud

m in ft mi
1m 1 39.37 3.281 6.214x10-4
1 in 2.54x10-2 1 8.333x10-2 1.578x10-5
1 ft 0.3048 12 1 1.894x10-4
1 mi 1 609 6.336x104 5 280 1

Masa

Kg uma lb
1 kg 1 6.022x1026 2.205
1 uma 1.661x10-27 1 3.662x10-27
1 lb 0.4536 2.732x1026 1

Fuerza

dina N lbf kgf


1 dina 1 10-5 2.248x10-6 1.020x10-6
1N 105 1 0.2248 0.1020
1 lbf 4.448x105 4.448 1 0.4536
1 kgf 9.807x105 9.807 2.205 1

Presin

atm mm Hg Pa bar
1 atm 1 760 1.013x105 1.013
1 mm Hg 1.316x10-3 1 133.3 1.333x10-3
1 Pa 9.869x10-6 7.501x10-3 1 10-5
1 bar 0.987 750.062 105 1

Energa, trabajo, calor

Btu HPh J cal kWh eV


1 Btu 1 3.929x10-4 1 055 252 2.930x10-4 6.585x1021
1 HPh 2 545 1 2.385x106 6.413x105 0.7457 1.676x1025
1J 9.481x10-4 3.725x10-7 1 0.2389 2.778x10-7 6.242x1018
1 cal 3.969x10-3 1.560x10-6 4.186 1 1.163x10-6 2.613x1019
1 kWh 3 413 1.341 3.600x106 8.600x105 1 2.247x1025
1 eV 1.519x10-22 5.967x10-26 1.602x10-19 3.827x10-20 4.450x10-26 1

Campo magntico

gauss T
1 gauss 1 10-4
1 tesla 104 1

107
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Flujo magntico
maxwell Wb
1 maxwell 1 10-8
8
1 weber 10 1

1 rpm = 6.283 rad/min

108
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Qumica

Constantes

Carga del electrn = -1.6021 x 10-19 C


Carga del protn = 1.6021 x 10-19 C
Masa electrn = 9.1094 x 10-31 kg
Masa protn = 1.673 x 10-27 kg
Constante de Boltzmann = 1.3805 x 10-23 J/K
Constante de Planck = 6.6261 x 10-34 J s
Constante gravitacional G = 6.67384 x 10-11 Nm2/kg2
Constante dielctrica o = 8.8542 x 10-12 F/m
Constante de permeabilidad = 4 x 10-7 H/m = 1.2566 x 10-6 H/m
Electrn-volt (eV) = 1.6021 x 10-19 J
Radio medio de la Tierra = 6.378 x 106 m
Distancia de la Tierra a la Luna = 3.844 x 108 m
Masa de la Tierra = 5.972 x 1024 kg
Masa de la Luna = 7.349 x 1022 kg
Aceleracin en la superficie de la:
Luna 1.62 m/s2
Tierra g = 9.81 m/s2
Cu = 1.71 x 10-8 .m
Al = 2.82 x 10-8 .m
Ag = 1.62 x 10-8 .m
Fe = 9.71 x 10-8 .m
Cu = 8.96 x 103 kg/m3
Al = 2.7 x 103 kg/m3
madera = 0.6 - 0.9 x 103 kg/m3

109
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

110
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Anlisis de circuitos elctricos

Ley de Ohm

V
I=
Z
donde:

I = Corriente [A]
V= Voltaje [V]
Z = Impedancia []

Voltaje y corriente en elementos reactivos

Capacitor

1 dV
C
Vc = Idt Ic = C
dt

Inductor libre de acoplamientos magnticos

1 dI
L
IL = Vdt VL = L
dt

Inductor con acoplamientos magnticos

N
1 N
dI l
IL = VL = Ll
Lkl
Vl dt k = 1, 2,3..., N k = 1, 2,3..., N
l =1 l =1 dt

donde:

Lkl = Inductancia mutua entre el inductor k y el inductor l.


N = nmero total de inductores que se encuentren acoplados

Divisor de corriente

Si el circuito est integrado slo por dos elementos:

111
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

RA
IB = If
RA + RB
ZA
IB = If
Z A + ZB

Si el circuito se encuentra formado por ms de una resistencia por rama:

Rrama contraria
I Rx = If
RT
Z rama contraria
I Zx = If
ZT

donde Rrama contraria es la resistencia de toda la rama y RT es la suma de las resistencias


de cada una de las ramas.

Divisor de voltaje

RB
VRB = Vf
RA + RB
RA
VRA = Vf
RA + RB

Leyes de Kirchhoff

Ley de Kirchhoff de voltaje Ley de Kirchhoff de corriente


Ne Ni

Vk = 0
k =1
I
k =1
k =0

donde:

Ne = Nmero de caidas o elevaciones de tensin en una malla cerrada


Ni = Nmero de corrientes que entran o salen a un nodo

112
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Potencia

Potencia activa

P = VI cos ( ) [W ]
V2
P= cos ( ) [W ]
Z
P = I 2 Z cos ( ) [W ]
Potencia reactiva

Q = VI sin ( ) [VAR ]
V2
Q= sin ( ) [VAR ]
Z
Q = I 2 Z sin ( ) [VAR ]

Potencia compleja

S = VI * [VA]

Factor de potencia

f p = cos ( )

Resonancia RLC serie


1
s =
LC
1
fs =
2 LC
1 L
Qs =
R C
BW3dB = f2 f1
1 R 1 R
2
4
f1 = + +
2 2L 2 L LC

1 R 1 4
2
R
f2 = + +
2 2 L 2 L LC

113
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Resonancia RLC paralelo

1 Rl2C
fp = 1
2 LC L
R || R p
Qp = s
XL
1
fp =
2 LC
ZTP = Rs || Q 2 Rl
Z
Qp = TP
pL

Circuitos excitados con seales senoidales de diferentes frecuencias

Sea V ( t ) una funcin de la forma:

V ( t ) = Vo + V1sen (1t + 1 ) + V2 sen (2t + 2 ) + ... + Vn sen (nt + n )

Entonces, el voltaje eficaz (RMS) en una red excitada con una tensin V ( t ) es:

1 n
Vrms = Vo2 + Vk2 donde k = 1, 2,3,..., n
2 k =1

Sea I ( t ) una funcin de la forma:

I ( t ) = I o + I1sen (1t + 1 ) + I 2 sen (2t + 2 ) + ... + I n sen (nt + n )

La corriente eficaz (RMS) en una red en la que circula una corriente I ( t ) es:

1 n
I rms = I o2 + I k2 donde k = 1, 2,3,..., n
2 k =1

La potencia media es:

1 n
P = Vo I o + Vk I k cos ( k k ) donde k = 1, 2,3,..., n
2 k =1

114
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Impedancia y admitancia de una red pasiva de dos terminales

Impedancia

Z kl
ZT =
cof Z kk

Admitancia

Ykl
YT =
cof Ykk

Teoremas de redes

Teorema de Thevenin

Pasos para obtener el circuito equivalente de Thevenin

Identificar los nodos A y B dentro del circuito donde se desea encontrar el


circuito equivalente de Thevenin.
Desconectar del circuito original el circuito del que se desea obtener su
equivalente. Entre los nodos A y B debe considerarse un circuito abierto.
Calcular el voltaje en los puntos A y B ( Vth ).
Poner en cortocircuito los nodos A y B y calcular la corriente de corto circuito (
Icc ).
Calcular la impedancia de Thevenin como:

Vth
Z th =
I cc

Construir el circuito equivalente de Thevenin.


El teorema de Thevenin se puede aplicar para redes que cuenten con
acoplamientos magnticos, siempre y cuando, ste no se encuentre dentro por
completo dentro del circuito al que se desea encontrar el equivalente.

Teorema de Norton

Pasos para obtener el circuito equivalente de Norton

Identificar los nodos A y B dentro del circuito donde se desea encontrar el


circuito equivalente de Norton.
Desconectar del circuito original el circuito del que se desea obtener su
equivalente. Entre los nodos A y B debe considerarse un corto circuito.
Calcular la corriente de Norton que circula entre los nodos A y B ( I N ).

115
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Considerar entre los nodos A y B u circuito abierto y calcular el voltaje de


circuito abierto ( Vca ).
Calcular la impedancia de Norton como:

Vca
ZN =
IN

Construir el circuito equivalente de Norton.


El teorema de Norton se puede aplicar para redes que cuenten con
acoplamientos magnticos, siempre y cuando, ste no se encuentre dentro por
completo dentro del circuito al que se desea encontrar el equivalente.

Teorema de reciprocidad

Si se tiene un circuito formado slo por elementos pasivos, entonces, es posible aplicar el
teorema de reciprocidad. Si este circuito tiene una fuente de corriente o voltaje a la
entrada, entonces, los pasos para aplicar el teorema de intercambio de fuentes son:

Identificar los nodos A y B donde se va a aplicar el teorema de reciprocidad.


Calcular el voltaje o corriente entre A y B.
Desconectar la fuente de entrada y conectarla entre A y B.
Si la fuente es de voltaje, la entrada se cortocircuita. Si la fuente es de
corriente, la entrada se pone en circuito abierto.
La corriente o el voltaje, segn sea el caso, a la entrada del circuito es la
misma que en el caso original.

Teorema de superposicin

Si el circuito es lineal es posible aplicar este teorema. Los pasos necesarios son:

Identificar el nmero de fuentes que se encuentran en el circuito.


Seleccionar una de ellas y con el resto de las fuentes debe considerarse lo
siguiente: si es una fuente de voltaje, sta debe substituirse por un corto
circuito y si es una fuente de corriente, sta debe substituirse por un circuito
abierto.
Obtener los voltajes y corrientes en el circuito.
Repetir el proceso segn el nmero de fuentes que haya en el circuito
seleccionando en cada iteracin una fuente diferente.
Sumar los voltajes y corrientes obtenidos para cada una de las fuentes dadas
en el circuito.

116
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Parmetros de dos puertos

Parmetros de impedancias(Z)

V1 = Z11 I1 + Z12 I 2
V2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2

Los parmetros de impedancias estn dados por:

V1
Z11 = Impedancia de entrada
I1 I 2 =0

V2
Z 21 = Impedancia de transferencia directa
I1 I 2 =0

V1
Z12 = Impedancia de transferencia inversa
I2 I1 = 0

V2
Z 22 = Impedancia de salida
I2 I1 = 0

Parmetros de admitancias (Y)

I1 = Y11V1 + Y12V2
I 2 = Y21V1 + Y22V2

I1
Y11 = Admitancia de entrada
V1 V =0
2

I2
Y21 = Admitancia de transferencia directa
V1 V =0
2

I1
Y12 = Admitancia de transferencia inversa
V2 V1 = 0

I2
Y22 = Admitancia de salida
V2 I1 = 0

117
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Parmetros hbridos directos

V1 = h11 I1 + h12V2
I 2 = h21 I1 + h22V2

V1
h11 = Impedancia de entrada con terminales de salida en corto
I1 V =0
2

I2
h21 = Ganancia en corriente
I1 V2 = 0

V1
h12 = Inverso de la ganancia de voltaje
V2 I1 = 0

I2
h22 = Admitancia de salida con terminales de entrada abiertas
V2 I1 = 0

Parmetros hbridos inversos

I1 = g11V1 + g12 I 2
V2 = g 21V1 + g 22 I 2

I1
g11 = Admitancia de entrada con terminales de salida abiertas
V1 I 2 =0

V2
g 21 = Ganancia en voltaje
I1 I 2 =0

I1
g12 = Inverso de la ganancia corriente
I2 V1 = 0

V2
g 22 = Impedancia de salida con terminales de entrada en corto circuito
I2 V1 =0

118
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Respuesta transitoria

Condiciones iniciales y finales de los elementos

Elemento Circuito equivalente inicial para t < 0 Circuito equivalente pata t>>0
Cargado Descargado
R Resistencia
L iL(0-) = iL(0+) iL(0+) = 0
Cortocircuito
Fuente ideal de corriente Circuito abierto
C vC(0-) = vC(0+) VC(0+) = 0
Circuito abierto
Fuente ideal de Voltaje Cortocircuito

Respuesta libre en circuitos RC

Para la corriente

( E V ( 0)) e RC
i (t ) =
c
[ A]
R

Para el capacitor

t
VC ( t ) = E + (VC ( 0 ) E ) e RC [V ]
Para la resistencia

t
VR ( t ) = Ri ( t ) = ( E Vc ( 0 ) ) e RC
[V ]
Constante de tiempo

= RC [ s]
donde Vc ( 0 ) es el voltaje inicial en el capacitor.

119
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Respuesta en circuitos RL

La corriente para

E Rt
Rt
i ( t ) = 1 e + i ( 0 ) e L
L
[ A]
R

Para el resistor

Rt
Rt
VR ( t ) = Ri ( t ) = E 1 e + Ri ( 0 ) e L
L
[V ]

Para el inductor

di ( t ) Rt Rt
VL ( t ) = L = Ee Ri ( 0 ) e L
L
[V ]
dt

La constante de tiempo es:

L
= [ s]
R

Respuesta forzada en un circuito RC


t

q ( t ) = EC 1 e RC

E RCt
i (t ) = e
R
t

vR = Ri = Ee RC


1
t
vC = E vR = E = 1 e RC

120
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Respuesta forzada en un circuito RL

E
R
t
i (t ) = 1 e L

R


R
t
v R = E 1 e L


R
t
vL = E e L

Respuesta libre de un circuito RLC

Caso I:
Respuesta bajo amortiguada (races complejas conjugadas)

i ( t ) = k1e( + j )t + k2 e( j )t

k1 = k2

vc ( 0 )
k=
2 L

vc ( 0 )
i (t ) = e t sen ( t )
L

Caso II:
Respuesta crticamente amortiguada (races reales y repetidas)

i ( t ) = k1et + k2et
k1 = 0
vc ( 0 )
k2 =
L

121
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

vc ( 0 )
i (t ) = e t
L

Caso III:
Respuesta sobre amortiguada (races reales y diferentes)

i ( t ) = k1e( + j )t + k2 e( + j )t
k1 = k2
vc ( 0 )
k1 =
2 L
vc ( 0 )
k2 =
2 L
vc ( 0 )
i (t ) = e t senh ( t )
L

Funcin de transferencia

Vo ( s )
H (s) = Relacin de voltajes
Vi ( s )

Vo ( s )
H (s) = Impedancia de transferencia
Ii ( s )

Io ( s )
H (s) = Relacin de corrientes
Ii ( s )

Io ( s )
H (s) = Admitancia de transferencia
Vi ( s )

donde I o ( s ) y Vo ( s ) son la corriente y el voltaje en la salida, respectivamente. I i ( s ) y


Vi ( s ) son la corriente y el voltaje en la entrada, respectivamente.

122
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Sistemas acoplados

Factor de acoplamiento

Llk
K kl =
Lkk Lll

Inductancia mutua

Lkl = K kl Lkk Lll

donde:

Kkl = factor de acoplamiento entre los inductores k y l


Lkl = inductancia mutua entre los inductores k y l
Lll = inductancia propia del inductor l
Lkk = inductancia propia del inductor k

Sistemas trifsicos

Resistencia y reactancia en serie

La impedancia Z de una carga reactiva que est formada por una resistencia R y una
reactancia en serie es:

Z = R + jX

Convirtindola a su admitancia equivalente Y:


R jX
Y= 2
Z
donde
Z = R2 + X 2
Segn la ley de Ohm:

V = ZI
y
I = YV
Entonces:

VR jVX
I= 2
Z
VR VX
I= 2
j 2
Z Z

123
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

I = I P jI Q

donde I P e IQ son las corrientes activa y reactiva, respectivamente.

La corriente activa IP y la corriente reactiva IQ son:

VR
IP = 2
= I cos ( )
Z
VX
IQ = 2
= I sin ( )
Z

donde est dada por:

Q P Q
= a tan = a cos = a sin
P S S

Si se aplica una tensin V, a una carga reactiva Z y la corriente I que circula en el circuito,
entonces, la potencia compleja S, potencia activa P y potencia reactiva Q estn dadas
por:

ZV 2 2
S = VI * = 2
= I Z
Z

V 2R
P = VI P = 2
Z
V 2X
Q = VI Q = 2
Z

El factor de potencia ( fp ) y el factor reactivo ( fr ) son:

R
fp = cos ( ) =
Z
X
fr = sen ( ) =
Z

124
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Potencia trifsica

Para una carga balanceada conectada en estrella con una tensin de lnea Vlinea y una
corriente de lnea Ilnea :

Vlinea
Vestrella =
3
I estrella = Ilnea
V Vlinea
Z estrella = estrella =
I estrella 3I estrella
Vlinea 2
Sestrella = 3Vestrella I estrella = 3Vlinea I lnea = = 3I lnea 2 Z estrella
Z estrella

Para una carga balanceada conectada en delta con una tensin de lnea Vlinea y una
corriente de lnea Ilnea :

Vdelta = Vlnea
I
I delta = lnea
3
Vdelta V
Z delta = = 3 lnea
I delta I lnea
3Vlnea 2
S delta = 3Vdelta I delta = = I lnea 2 Z delta
Z delta

Note que la equivalencia entre cargas balanceadas conectadas en estrella y delta es:

Zdelta = 3Zestrella

125
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Electrnica Analgica

Diodo de propsito general

Ecuacin de Shockley del diodo

qVD
I D = I S e nk T 1

donde:

ID = Corriente a travs del diodo [A]


Is = Corriente de saturacin (10-12 A)
VD = Voltaje de polarizacin directo [V]
q = Carga del electrn (1.6022E-19)
n = Constante para Ge = 1 y para Si = 1.1 y 1.8
k = Constante de Boltzman 1.3806E-23 [J/K]
T = Temperatura absoluta [K]

Diodo zener

Rz
Regulacin de lnea =
Rz + Rs

Regulacin de carga = ( Rz Rs )

Rs
Regulacin zener =
Rz + Rs

Vzo = Vz ( Rz I z )

Para RL = 0

Iz =
(Vs Vzo )
( Rz + Rs )

El voltaje de salida est dado por:

Vo = Vzo + ( Rz I z )

Vs Vzo Rz I z
Rs =
Iz + IL

126
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

En caso de conocer los rangos de VS e IL

Vs (max) Vzo Rz I z (max)


Rs =
I z (max) + I L (min)

Vs (min) Vzo Rz I z (min)


Rs =
I z (min) + I L (max)

Pz = Vz I z

Rectificadores de media onda y onda completa (fuentes de alimentacin)

Rectificador de media Rectificador de onda


onda completa
Voltaje de rizo pico-pico Vm Vm
Vr ( pp ) = Vr ( pp ) =
f RL C 2 f RL C
Voltaje de salida VO V ( 2 f RLC 1) V ( 4 f RLC 1)
VO ( cd ) = m VO ( cd ) = m
2 f RL C 4 f RL C
Voltaje rizo rms Vm Vm
Vr ( rms ) = Vr ( rms ) =
2 2 f RL C 4 2 f RL C
Factor de rizo 1 1
FR = FR =
2 ( 2 f RL C 1) 2 ( 4 f RL C 1)
Clculo del capacitor 1 1 1 1
C= 1+ C= 1 +
2 f RL 2 RF 4 f RL 2 RF
Vrms 1
Relacin Vrms y VL 0.0024
VL 420

Regulacin de voltaje

V
R. lnea = sal 100%
Vent

V V
R. carga = NL FL
VFL

R
Regulacin de carga = sal 100
RFL

127
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

donde:
VNL = Voltaje sin carga
VFL = Voltaje a plena carga

Regulador bsico en serie con OA

R
Vo = 1 + 2 Vref
R3

Reguladores en paralelo lineales bsico

Vin
I L( max ) =
RL

Reguladores de conmutacin bsicos

t
Vo = on Vin
T

donde:

T = tin + toff

Reguladores de voltaje en circuito integrado

R
VSAL = VREF 1 + 2 + I ADJ R2
R1

VSAL
I L (max) = + IG
R11

128
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Transistor de unin bipolar (BJT)

Parmetros de corriente directa

Ic
cd =
IB

Ic
cd =
IE

donde:

cd = Ganancia en corriente en CD
cd = Factor de amplificacin de corriente en polarizacin directa
IC = Corriente de colector
IB = Corriente de base
IE = Corriente de emisor

Corrientes en un transistor

I E = IC + I B

Voltaje entre la base y el emisor

VBE 0.7V

Corriente en la base

VCC VBE
IB =
RB

donde:

VBB = Voltaje de polarizacin en la base


VBE = Voltaje base emisor
RB = Resistencia de base

Voltaje en el colector con respecto al emisor

VCE = VCC IC RC

donde:

VCC = Voltaje de polarizacin en el colector

129
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

VCE = Voltaje colector emisor


RC = Resistencia de colector

Voltaje en el colector con respecto a la base

VCB = VCE VBE

donde:

VCB = Voltaje colector base


VCE = Voltaje colector emisor
RC = Resistencia de colector

Condicin de corte

VCE ( corte) = VCC

Corriente de saturacin en el colector

VCC VCE ( SAT )


I C ( SAT ) =
RC

Corriente de base mnima para saturacin

I C ( SAT )
I B( min ) =
cd

Polarizacin

Polarizacin con realimentacin del emisor

VB = I E RE + VBE

130
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

VC = VCC IC RC

VE = VB VBE

VCC VBE
IE =
RE + ( RB / cd )

IC I E

Polarizacin con realimentacin del colector

VC = VCC IC RC

VB = VBE
VE = 0 V

VCC VBE
IC
RC

VCC VBE
IC =
R
RC + B
cd

VCE = VCC IC RC

I E IC
V V
I B = C BE
RB

131
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Polarizacin de base

VB = VBE

VC = VCC IC RC

VE = 0 V

V VBE
I C = cd CC
RB

I E IC

VC VBE
IB =
RB

VCE = VCC IC RC

132
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Polarizacin del emisor

VB = VE + VBE

VC = VCC IC RC

VE = VEE + I E RE

VEE VBE
IE
RE

VEE VBE
IE =
R
RE + B
cd

I E IC

VB V
IB = IB = B
RB RB

133
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Polarizacin con divisor de voltaje

R2
VB = VCC
R1 + R2

VC = VCC IC RC

VE = VB VBE

VE
IE =
RE

I E IC

VTH VBE
IE =
R
RE + TH
cd

VB
IB =
cd RE

134
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Parmetros de corriente alterna (amplificador)

Amplificador emisor comn

Ecuaciones considerando el modelo T en seal pequea de primer orden

25mV
r 'e =
IE

Rin = R1 R2 ( ca r 'in )

Rout RC RL

RC RL
AV =
r 'e

IC
AI =
I in

135
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificador con compensacin para variacin de temperatura

RC RL
AV
RE1

Rout = RC RL

Rin = R1 R2 ( ca + 1) ( r 'e + RE1 )

Amplificador colector comn

Ecuaciones considerando el modelo T en seal pequea de primer orden

25mV
r 'e =
IE

136
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Rin = R1 R2 ( ca + 1) r 'e + ( RE RL )
Rout = ( RE RL ) r 'e + R1 R2 rout ( ca + 1)

Re
AV = 1
r 'e + R e

Ie
Ai =
I in

Amplificador en base comn

Ecuaciones considerando el modelo T en seal pequea de primer orden

25mV
r 'e =
IE

R ENT(emisor) = r 'e

RSAL R C

RC
AV
r 'e

Ai 1

donde:

re = Resistencia interna de CA en el emisor


Rent = Resistencia de entrada
Rsal = Resistencia de salida
Av = Ganancia en voltaje
Ai = Ganancia en corriente

137
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Transistor de efecto de campo (FET)

Parmetros de corriente directa

Caractersticas de transferencia de un JFET

2
VGS
I D = I DSS 1
V
GS (corte)

Transconductancia

2
VGS
gm = gm0 1
VDS ( corte )

Transconductancia con VGS = 0

2 I DSS
gm0 =
VGS (corte)

Caracterstica de transferencia de E MOSFET

I D = K (VGS VGS (umbral) 2 )

138
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Polarizacin

Polarizacin fija

VGS = VGG

VDD VDS
I DS =
RD

VDD = I DS + VDS

Autopolarizacin

VGS
I DS =
RS

VGS( OFF )
RS =
I DSS

139
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

2
V
I DS = I DSS 1 GS
VGS
( OFF )

I DS = K1I DSS K1 = 0.382

VGSQ = 0.382VGSoff

VDD VDS
I DS =
RD + RS

VDD = I DS ( RD + RS ) + VDS

Polarizacin por divisor de voltaje

VGG VGS
I DS =
RS

RG = R1 R2

R1
VGG = VDD
R1 + R2

VDD VDS
I DS =
RS + RD

140
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificador fuente comn

RG = R1 R2
RL = RC RL

Z i = RG
Z o = rds RD

VL RG
AV = = gm ( rds RD RL )
VS RG + rS
V rDS RD
Ai = L = g m RG
VS rDS RD + RL

2
I R
I D = I DSS 1 D S
VGS
( CORTE )

AV = gmRd
V
R ent = RG GS
I GSS

141
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Parmetros de corriente alterna (amplificador)

Amplificador drenaje comn

Caracterstica Drenaje comn


Zi RG
Zo r
Rs ds
+1
VL RS RL
AV 1 =
Vin + 1 R R + rds
S L
+1
IL Z
AI 1 = AV 1 = in
I in RL

2
I R
I D = I DSS 1 D S
V
GS ( corte )

gmRS
AV =
1 + gmRS

V
R ent = RG GS
I GSS

142
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificador en compuerta comn

Caracterstica Compuerta comn


Zi r + RD RL
RS ds
+1
Zo RD rds + ( + 1)( RS ra )
VL +1
AV 1 = g m ( rds RD RL )
Vin rds
1+
RD RL
IL Z in
AI 1 = AV 1
I in RL

2
I R
I D = I DSS 1 D S
V
GS ( corte )

AV = gmRD

1
R ent = RS
gm

donde:

ID = Corriente a travs de un FET autopolarizado


Av = Ganancia en voltaje
Rent = Resistencia de entrada
IDSS = Corriente en drenaje
VGS = Voltaje en la compuerta
RS = Resistencia en la fuente
IGSS = Corriente de fuga en inversa

143
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Capacitancia Compuerta comn Drenaje comn


1
1
Ci F
2 ( FL )( ra + Zin ) 2 L ( ra + Z in )
10
1
1
Co f
2 L ( rL + Z out ) 2 ( f L + Z o )
10

144
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Transistor MOSFET

Curva caracterstica

Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su regin lineal:

2
VDS
I D ( Act ) = K (VGS VT ) VDS
2

donde: = en la que b es el ancho del canal, n la movilidad de los electrones, es la


permitividad elctrica de la capa de xido, L la longitud del canal y W el espesor de capa
de xido.

Cuando el transistor opera en la regin de saturacin, la frmula pasa a ser la siguiente:

K +1
(VGS VT )
2
I D ( sat ) =
K0

145
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificadores operacionales

Caractersticas

Razn de rechazo de modo comn

AV
CMRR =
Amc

A
CMRR = 20 log V
Amc

Rapidez de variacin de voltaje (slew-rate)

Vsal
SR =
t

Corriente de polarizacin de entrada

I1 + I 2
I polarizacin =
2

Desequilibrio de corriente de entrada

IOS = I1 I 2

Voltaje de error de salida

Vsal( error ) = Av Ios Rent

Frecuencia mxima de operacin

SR
f max = AB si AB
2Vp
SR SR
f max = si AB >
2Vp 2Vp

146
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Configuraciones de amplificadores

Amplificador no inversor

Rf
Av = 1 +
Ri

Seguidor de voltaje

AV = 1

Amplificador inversor

Rf
AV =
Ri

Zent Ri

Amplificador sumador de n entradas

Vsal = (Vent1 + Vent 2 + + Ventn )

Amplificador sumador con ganancia de n entradas

V V V
Vsal = R f ent1 + ent 2 + + entn
R1 R2 Rn

Amplificador restador

R R4 R2
Vsal = 1 + 2 V2 V1
R1 R3 + R4 R1 + R2

Amplificador derivador

dVent
Vsal = RC
dt

147
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificador integrador

1
Vent ( t ) dt + Vc ( 0 )
RC
Vsal =

Amplificador de disparo alto

R2
Vdisparo alto = ( +Vsal max )
R1 + R2

Amplificador de disparo bajo

R2
Vdisparo bajo = ( Vsal max )
R1 + R2

Amplificador de histresis

VH = Vdisparo alto Vdisparo bajo

Amplificador de instrumentacin

2R
Acl = 1 +
RG

2R
RG =
Acl 1

Amplificador de aislamiento

Rf 1
Av1 = +1
Ri1
Rf 2
Av 2 = +1
Ri1

Amplificador logartmico

V
Vsal = ( 0.025 ) ln ent
I EBO R1

148
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificador anti logartmico

V
Vsal = R f I EBO anti ln ent
25mV

Convertidor de voltaje a corriente

Vsal = I i R f

Convertidor de corriente a voltaje

Vent
IL =
R1

Disparador Schmitt

Vsat
RF = R1
Vth

RX = R1 RF

Filtros

Ancho de banda de un filtro pasa bajas

AB = fc

Ancho de banda de un filtro pasa banda

AB = fcs fci

Frecuencia central de un filtro pasa banda

f0 = f cs f ci

Filtros Butterworth

La magnitud de la funcin de transferencia al cuadrado es:

2 1
H ( j ) =
1 + 2n

149
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

La funcin de transferencia para un filtro Butterworth se expresa como:

1
H ( s) =
Bn ( s )

Los polinomios normalizados para los filtros Butterworth son:

B1 ( s ) = s + 1
B2 ( s ) = s 2 + 1.4142s + 1
B3 ( s ) = s3 + 2s2 + s + 1

Convertidores

Convertidores de voltaje a frecuencia

v1
f0 =
Vref Rent Cref

donde:

V1 = voltaje de entrada
Vref = voltaje de refencia
Cref = capacitancia de referencia

Convertidores de frecuencia a voltaje

V0 = Vref Rint Cref f ent

donde:

f ent = frecuencia de entrada en Hz


| V ref | = voltaje de referencia en V
Rint = resistencia del integrador interno
C ref = capacitancia de referencia

Convertidores digital analgico

B B B B
I s = Vref 0 + 1 + 2 + 3
R0 R1 R2 R3

150
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

B B B B
V0 = RF I F = RFVref 0 + 1 + 2 + 3
R0 R1 R2 R3

donde:

R
R0 = =R
20
R R
R1 = 1 =
2 2
R R
R2 = 2 =
2 4
R R
R3 = 3 =
2 8

Convertidor digital analgico con red de escalera R 2R

Vref RF B0
V0 = para LSB = 1 nico
3R 2 4

Vref RF B3
V0 = para MSB = 1 nico
3R 21

Vref RF B0 B1 B2 B3
V0 = + + + cuando el sistema est completamente activado
3R 24 23 22 21

Convertidor analgico digital de aproximaciones sucesivas

1 para Va > Vb
Vconv = sgn (Va Vb ) =
0 para Va < Vb

Proceso de aproximaciones sucesivas

Paso Vb B3 B2 B1 B0 Comparaciones Respuesta


1 8V 1 0 0 0 Es Va > 8 V? S
2 12 V 1 1 0 0 Es Va > 12 V? No
3 10 V 1 0 1 0 Es Va > 10 V? S
4 11 V 1 0 1 1 Es Va > 11 V? No
10 V 1 0 1 0 Leer salida

151
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificadores de corriente

Fuentes de corriente con BJT

VBE1 = VBE 2 = VCE1 = 0.7V

La corriente en el colector

IR
I C1 = I C 2 =
2
1+
F

VCC VBE1
R1 =
IR

Fuente de corriente con Widlar

152
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

La suma de las tensiones en la base de los transistores

VBE1 VBE2 IC2 RE = 0

Para el anlisis de esta fuente de corriente es preciso utilizar la ecuacin de Ebers-Moll


simplificada de un transistor en la regin lineal que relaciona la IC con la tensin VBE:

I C1
VT ln = I S RE
IS
VCC VBE
donde: I C1 =
R1

La resistencia de salida de esta fuente es:

R
Z O = hoe12 1 + F E
hie 2 + RE

Fuente de corriente de Wilson

I E 2 = (1 + F ) I B 2

Si los transistores son idnticos

1 I C1
I E 2 = I C 3 + I B 3 + I B1 = 1 + +
F F

VCC 2VBE
I OUT =
R1

153
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Resistencia de salida

h fe hoe1
Z out =
2

Fuente de corriente Cascode

VCC 2VBE
I out =
R1

Z out = h fe hoe1

Fuentes de corriente controlada con voltaje

154
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Si R2 = R4

R2Ve
IS =
RS R1

Para que el operacional est en equilibrio se debe de cumplir que:

V + Ve V + RS I S
= +
R4 R1 R2

Para la polarizacin del transistor

V2 = V + RS I S

155
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Electrnica digital

Algebra Boole

Propiedades:

a) Ambas operaciones son conmutativas, es decir si a y b son elementos del lgebra, se


verifica:

a+b =b+a
a b = b a

b) Dentro del lgebra existen dos elementos neutros, el 0 y el 1, que cumplen la propiedad
de identidad con respecto a cada una de dichas operaciones:

0+a = a
1 a = a

c) Cada operacin es distributiva con respecto a la otra:

a (b + c) = a b + a c
a + ( b c ) = ( a + b) ( a + c )

d) Para cada elemento a del lgebra existe un elemento denominado a tal que:

a + a =1
aa = 0

Leyes del algebra de Boole

A+0 = A A0 = 0
A +1 = 1 A 1 = A
A+ A = A A A = A
A+ A =1 A A = 0

Principio de dualidad

A + 0 = A A 1 = A
A A = 0 A + A = 1

156
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Operaciones binarias

Suma binaria

0+0 = 0
0 +1 = 1
1+ 0 = 1
1+1 = 0

Resta binaria

00 = 0
0 1 = 1
1 0 = 1
1 1 = 0

Operaciones lgicas

Suma lgica

0+0 = 0
0 +1 = 1
1+ 0 = 1
1+1 = 1
Producto lgico

00 = 0
0 1 = 0
1 0 = 0
1 1 = 1
Complementacin

0 1
1 0

Propiedades

Propiedad conmutativa

A B C D = D C B A
A+ B +C + D = C + D + A+ B
D C B A + D C A + B C = D C A + C B + D AC B

157
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Propiedad asociativa

A + B + C + D = ( A + B ) + ( C + D)
D C B A = ( D C ) ( B A)

Propiedad distributiva

A ( B + C ) = A B + A C
A + ( B C ) = ( A + B) ( A + C )

Teorema de Shanon

Indica que cualquier expresin booleana negada es equivalente a la misma expresin en


la que todas las variables son negadas y se sustituyen las operaciones (+) por () y
viceversa.

f = ( A + B)C = ( A B) + C

Teorema de De Morgan

Primer teorema de De Morgan

El complemento de un producto de variables es igual a la suma de los complementos de


las variables. Frmula para expresar el teorema para dos variables:

A B = A + B

Segundo teorema de De Morgan

El complemento de una suma de variables es igual al producto de los complementos de


las variables. Frmula para expresar el teorema para dos variables:

A + B = A B

Mapa de Karnaugh

Reglas para simplificar una funcin mediante el mapa Karnaugh

Determinar el nmero de varias involucradas


Ejemplo: A y B
Realizar un mapa que cumpla con la relacin 2N. Donde N representa el nmero
de variables y 2N el nmero de combinaciones posibles
Ejemplo: Si N es igual a 2 entonces 22 = 4 combinaciones posibles

158
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

A B SALIDA
0 0
0 1
1 0

1 1

Debe de existir un cuadro para cada combinacin de entrada

Introducir el valor lgico de cada minitrmino en su cuadro correspondiente.


Ejemplo: F(A,B)= m( 0,1 )

Buscar encerrar 2N cuadros adyacentes. Hacer encierros de 1,2,4,8, etc.

Determinar la funcin de salida correspondiente:


Ejemplo: Salida = /B
Aspectos a considerar
a) Tratar de hacer el mximo encierro posible
b) Buscar que no exista redundancia en los encierros seleccionados

159
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Conversin de decimal a BCD natural, BCD Aiken y BCD exceso 3

Decimal BCD natural BCD Aiken BCD exceso 3


8 4 2 1 2 4 2 1
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1
1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0
2 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1
3 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0
4 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1
5 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0
6 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 1
7 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0
8 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1
9 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0

Conversin de Decimal a Binario, Hexadecimal

Decimal Binario Hexadecimal


0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 1 1
2 0 0 1 0 2
3 0 0 1 1 3
4 0 1 0 0 4
5 0 1 0 1 5
6 0 1 1 0 6
7 0 1 1 1 7
8 1 0 0 0 8
9 1 0 0 1 9
10 1 0 1 0 A
11 1 0 1 1 B
12 1 1 0 0 C
13 1 1 0 1 D
14 1 1 1 0 E
15 1 1 1 1 F

160
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Circuitos digitales bsicos

Compuerta Funcin Tabla de verdad


B A f
0 0 0
OR f = A+ B 0 1 1
1 0 1
1 1 1
B A f
0 0 0
AND f = A B 0 1 0
1 0 0
1 1 1
A f
NOT f =A 0 1
1 0
B A f
0 0 1
NOR f = A+B 0 1 0
1 0 0
1 1 0
B A f
0 0 1
NAND f = AB 0 1 1
1 0 1
1 1 0
B A f
0 0 0
XOR f = A B 0 1 1
1 0 1
1 1 0
B A f
0 0 1
XNOR f = A B 0 1 0
1 0 0
1 1 1

161
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Flip flops

Flip flop SR bsico con compuerta NAND

S R Q(t+1) (t+1)
0 0 invalido invalido
0 1 1 0
1 0 0 1
1 1 Q(t) (t)

Flip flop bsico con compuerta NOR

S R Q(t) (t)
0 0 Q(t) (t)
0 1 0 1
1 0 1 0
1 1 invalido

162
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Flip flop RS Temporizado

Q S R Q(t+1)
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 indeterminado
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 indeterminado

Flip flop D

Q D Q (t+1)
0 0 0
0 1 1
1 0 0
1 1 1

163
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Flip flop JK

Q J K Q (t+1)
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 0

Flip flop T

Q T Q (t+1)
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0

164
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Electrnica de potencia

Frmulas bsicas

Eficiencia

PCD
=
PCA

Valor efectivo CA

2 2
VCA = Vrms VCD

El factor de utilizacin del transformador

PCD
TUF =
Vs I s

donde:

VS = Voltaje rms en el secundario del transformador [V]


IS = Corriente rms en el secundario del transformador [A]

Distorsin armnica total THD

1
I S2 I S21 2
THD =
I S2
1

Rectificador monofsico de onda completa

2 T2 2V
VCD =
T 0
Vm sen tdt = m

donde:

Vm = Voltaje mximo inverso [V]

Corriente promedio de carga es

VCD
I CD =
R

165
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Corriente rms de salida

Vrms
I rms =
R

Voltaje rms salida

1
2 T 2 V
Vrms = 2 Vm2 sen 2 tdt = m
T 2
0

Rectificador trifsico en puente


2 3 3
VCD =
2 / 6 0
6
3 Vm cos t dt =
m
V

donde:

Vm = Voltaje mximo [V]

El voltaje rms de salida es:

1 1
2
3 9 3 2
2
Vcd =
6
3 Vm2 cos 2 t dt = + Vm
2 / 6 2 4
0

Dispositivos

Ecuacin del Diodo Schockley

nV
VD

I D = I S e T 1

donde:

ID = Corriente a travs del diodo [A]


VD = Voltaje de polarizacin directo [V]
IS = Corriente de fuga [A]
n = Constante para Ge = 1 y para Si = 1.1 y 1.8

kT
VT = 25.8 mV
q

donde:

166
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

VT = Voltaje trmico
Q = Carga del electrn (1.6022 x 10-19) [C]
T = Temperatura absoluta [K]
K = Constante de Boltzman 1.3806 x 10-23 [J/K]
Tiempo total de recuperacin inversa (trr)

trr = ta + tb

donde:

ta = Tiempo de almacenamiento de carga en la regin de agotamiento [s]


tb = Tiempo de almacenamiento de carga en el cuerpo del semiconductor [s]

Corriente inversa pico (IRR)

di d
I RR = t = 2QRR i
dt dt

donde:

QRR = carga de recuperacin inversa [C]

Rectificadores monofsicos de media onda

Potencia de salida en CD

PCD = VCD ICD

Potencia de salida en CA

PCA = Vrms Irms

167
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

UJT

El disparo ocurre entre el emisor y la base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est
dado por la frmula:

Vp = 0.7 + nVB2 B1

donde:

n = intrinsic stand off radio (dato del fabricante)


VB2B1 = Voltaje entre las dos bases

Condicin para encendido y apagado

VBB VP V V
> R1 > BB V
IP IV

168
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

PUT

Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0

RB 2
VG = VBB
RB1 + RB 2
VG = nVBB

donde: n = RB2 / (RB1+RB2)

El periodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por:

1 Vs R2
T= = RC ln = RC ln 1 +
f Vs Vp R1

Circuito de disparo para un PUT

169
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

DIAC

Si (+V) o (- V) es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito


abierto
Si (+V) o (- V) es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito

Circuito equivalente del DIAC

SCR

Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como un diodo comn (ver la
corriente de fuga Is.

En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo


comn, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E.

Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a
ctodo es menor (VC).

170
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje


nodo-ctodo VB y VA).

Circuito equivalente del SCR

TRIAC

171
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Circuito equivalente al TRIAC

IGBT

172
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

GTO

Caracterstica esttica

Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo proceso que
en el SCR normal.

Para bloquearlo, ser necesario sacar los transistores de saturacin aplicando una
corriente de puerta negativa:

IA
luego I G >
off

donde es la ganancia de corriente en el momento del corte y vendr expresada por:

2
off =
1 + 2 1

Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser off lo
mayor posible, para ello debe ser: 2 1 (lo mayor posible) y 1 0 (lo menor posible).

173
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

SIT

Curva caracterstica

Nota: A=D y K=S


IG = I A + I CBO
1+

IA
IG =
1 + gmRG

I CBO (1 + gmRG )
IA =

1+ (1 + gmRG )
1+

174
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Teora de control

Terminologa de la ingeniera de control

donde:

r = seal de referencia o set point


e = seal de error (e = r y)
u = accin de control (variable manipulada)
y= seal de salida (variable controlada)
C = controlador
P= Proceso

Modelos de control

Los modelos clsicos de control clsico comprenden ecuaciones diferenciales de orden n.

d n y (t ) d n 1 y ( t ) dy ( t )
a0 n
+ a1 n 1
+ ... + an 2 + an 1 y ( t ) + an = k u ( t )
dt dt dt

Modelo diferencial de primer orden

dy ( t ) 1 k
= y (t ) + u (t )
dt
donde:

u(t) = variable de entrada


y(t) = variable de salida
= Constante de tiempo
k= ganancia del sistema

Modelo diferencial de segundo orden

Frecuencia amortiguada

d = n 1 2

175
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Tipos de respuesta

Respuesta escaln

La respuesta escaln es la variacin, respecto al tiempo, de la variable de salida de un


elemento de transferencia, cuando la variable de entrada es una funcin escaln
r (t ) = c, c = cte.

Respuesta al escaln de sistemas de primer orden

t

y (t ) = 1 e

Respuesta al escaln de sistemas de segundo orden

Forma estndar del sistema de segundo orden:

C ( s) n 2
= 2
R ( s ) s + 2n s + n 2

donde:

es el factor de amortiguamiento
es la frecuencia angular

1. Subamortiguado 0 < < 1 , races


complejas conjugadas.

y ( t ) = 1 e nt cos (n t ) + sen (n t )
2 1

2. Crticamente amortiguado = 1 , races
reales e iguales.
y ( t ) = 1 ent n tent
3. Sobreamortiguado > 1 , races reales
y diferentes.
n e s1t n te s2t
y (t ) = 1 +
2 2 1 s1 s2

176
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

donde
(
s1 = + 2 1 )
s2 = ( 2 1)
4. No amortiguado = 0 , races
imaginarias puras.
y ( t ) = 1 cos (n t )

Parmetros de la respuesta transitoria

Tiempo de retardo (Td)

Es el tiempo que tarda la respuesta del sistema en alcanzar por primera vez la mitad del
valor final.

Tiempo de crecimiento (Tr)

Es el tiempo requerido para que la respuesta crezca del 0 al 100% de su valor final o del
10 al 90%.


Tr =
d
d
= tan 1
n

Tiempo pico (Tp)

Es el tiempo en el cual la respuesta del sistema alcanza el primer pico del sobreimpulso.


Tp =
d

177
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Mximo sobreimpulso (Mp)

Es el valor pico mximo de la respuesta medido desde la unidad.



2 1
Mp =e

Tiempo de establecimiento (Ts)

Es el tiempo requerido por la curva de respuesta para alcanzar y mantenerse dentro de


determinado rango alrededor del valor final especificado en porcentaje absoluto del valor
final. Se usa generalmente el 5% o 2%
4
Para un criterio de 2%, Ts =
n
3
Para un criterio de 5%, Ts =
n
Regla de Mason

La funcin de transferencia entre una entrada U(s) y una salida Y(s) est dada por:

Y (s) 1
G (s) =
U (s)
=

Gi i
donde:

Gi = ganancia de la trayectoria directa i-sima entre y


entrada y ysalida

= determinante del sistema = 1 - (ganancia de todos los lazos individuales) +


(productos de las ganancias de todas las combinaciones posibles de dos lazos que no se
tocan) - (productos de las ganancias de todas las combinaciones posibles de tres
lazos que no se tocan) +...
i = el valor de para aquella parte del diagrama de bloques que no toca la k-sima
trayectoria directa

Tabla 1. Frmulas para sintonizacin por el mtodo de ganancia ltima


Ganancia Tiempo Tiempo
Tipo de controlador
proporcional integral derivativo
Proporcional P Ku/2 -- --
Proporcional-Integral PI Ku/2.2 Tu/1.2 --
Proporcional-Integral-Derivativo
Ku/1.7 Tu/2 TU/8
PID

Kc

178
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Controladores

Races en el plano complejo

Controlador Ganancia
P Gc ( s ) = Kc
1
PI Gc ( s ) = Kc 1 +
is
PD Gc ( s ) = Kc (1 + d s )
1
PID Gc ( s ) = Kc 1 + + d s
is

Controladores PID

Estructura ideal

U (s) 1
Gc ( s ) = = Kc 1 + + d s
E (s) is

donde:

E(s)=R(s) - Y(s)
R(s) es la transformada de Laplace de la referencia
Y(s) es la transformada de Laplace de la variable de proceso controlada
U(s) es la transformada de Laplace de la variable de manipulacin

Sintonizacin por criterios integrales para cambios en perturbacin para un PID ideal

Proporcional-Integral
ISE
IAE
ITAE
.
1.305
=
.
0.984
=

179
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
.
0.859
=
.
=
0.492
.
=
0.608
.
=
0.674
Proporcional-Integral-Derivativo
ISE
IAE
ITAE
.
1.495
=
.
1.435
=
.
1.357
=
.
=
01.101
.
=
0.878
.
=
0.842
.
= 0.560
.
= 0.482
.
= 0.381

donde:

K = la ganancia del proceso de primer orden


= constante de tiempo
to = tiempo muerto

Sintonizacin por criterios integrales para cambios en referencia para un PID ideal

Proporcional-Integral
IAE
ITAE

Proporcional-Integral-Derivativo
IAE
ITAE

180
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Comunicaciones

Osciladores

Oscilidor controlado por voltaje

Modo de carga

Tiempo de carga en el capacitor

C1 C
f1 = vC = 1 (VH VL )
IQ IQ

Modo de descarga

C1 C C
f2 = vC = 1 (VL VH ) = 1 (VH VL )
IQ IQ IQ

2C1 (VH VL )
T = f1 + f 2 =
IQ

La frecuencia de oscilacin es:

1 IQ
f0 = =
T 2C1 (VH VL )

IQ = Gm ( vCN + vCO )

donde:

Gm = Transconductancia de la fuente de corriete, en A/V


VCN = voltaje de control aplicado, en V
VCO = voltaje constante

df 0 Gm
KvF = =
dvCN 2C1 (VH VL )

Oscilador de corrimiento de fase

La funcin de transferencia del oscilador es:

VF ( s ) R 3C 3 s 3
(s) = =
Vo ( s ) R 3C 3 s 3 + 6 R 2C 2 s 2 + 5 RCs + 1

181
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

La ganancia de voltaje de lazo cerrado es:

Vo ( s ) RF
A(s) = =
VF ( s ) R1

La frecuencia de oscilacin es:

1
f0 =
2 6 RC

La resistencia de retroalimentacin es:

5
RF = R1 2 2 2 1
R C

Osciladores de cuadratura

La funcin de transferencia es:

1
Vf (s) 1
(s) = = Cs =
Vo ( s ) R + 1 1 + RCs
Cs

La frecuencia de oscilacin es:

1
f0 =
2 RC

La ganancia en lazo cerrado es:

1
Af = = 2

El voltaje en la salida es:

RVo1
Vo =
1 + RCs

182
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Osciladores de Puente Wien

La funcin de transferencia es:

VF ( s ) RCs
(s) = =
Vo ( s ) 2 2 2
R C s + 3RCs + 1

La ganancia en voltaje de lazo cerrado es:

RF
A(s) = 1+
R1

La frecuencia de oscilacin es:

1
f0 =
2 RC

La condicin para la oscilacin es:

RF
=2
R1

Oscilador Colpitts

La ganancia de lazo cerrado es:

1 A = 0

La frecuencia de oscilacin es:

1
1 C1 + C2 2
f0 =
2 C1C2 L

183
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Oscilador de Harley

La frecuencia de oscilacin es:

1 1 2
f0 =
2 C ( L1 + L2 )

Osciladores de cristal

La impedancia del cristal esta dada por:

1 s 2 + s2
Z (s) =
sC p s 2 + p2

La frecuencia de oscilacin es:

1
f0 =
2 LCs

555/556 (Multivibrador astable)

donde:

TA = 0.693 ( Ra + Rb ) C
TB = 0.693RbC

La frecuencia con que la seal de salida oscila est dada por la frmula:

1.44
f0 =
( Ra + 2Rb ) C

184
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

y el perodo es simplemente: T = 1/ f0

555/556 (monoestable)

El tiempo o periodo es igual a:

T = 1.1RaC

La especificacin mnima de muestras por segundo de una tarjeta DAQ

frecuencia mnima de muestreo = 2*fmax

185
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Modulacin y demodulacin AM-FM

Modulacin en amplitud

Seal moduladora

ys ( t ) = As cos (st )

Seal portadora

y p ( t ) = Ap cos ( p t )

Seal modulada

y ( t ) = Ap 1 + mAp xn ( t ) cos ( p t )

donde:

y(t) = seal modulada


xn(t) = seal moduladora normalizada con respecto a su amplitud = ys(t) / As
m = ndice de modulacin (suele ser menor que la unidad)=As / Ap

La expresin matemtica de la seal modulada en frecuencia est dada por:

f
v ( t ) = V p sen 2 f p t + cos ( 2 f mt )
fm

El ndice de modulacin es:

f
m=
fm
donde:

mf = ndice de modulacin
f = variacin de la frecuencia de la portadora
Fm = frecuencia de la portadora

Decibel

P
dB = 10 log10 1
P0

186
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

El decibel referenciado a 1 mW

P
P ( dBm ) = 10 log10 1
1 mW

Densidad de flujo (W/m2)

P1
( )
S dBW / m 2 = 10 log10 2
1W / m

Decibel referenciado a V

U
U ( dBV ) = 20 log10 1
1 V

Acoplamiento de impedancias

Decibel en antenas

dBi = Ganancia de una antena referenciada a una antena isotrpica


dBd = Ganancia de una antena referenciada a una antena dipolo
dBq = Ganancia de una antena referenciada a una antena de un cuarto longitud de onda

Decibel en acstica

dB(SPL) = Nivel de presin del sonido relativo a 20 Pa


dB(PA) = dB relativo a un pascal
dB SIL = intensidad de nivel de sonido referenciado a 10 E - 12 W/m2
dB SWL = Nivel de potencia del sonido referenciado a 10 E 12 W

187
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Oscilador de relajacin UJT

donde:

V p = Vd + Va = Vd + nVbb
n = R1 / ( R1 + R2 ) = R1 / Rbb
T = Re Ce ln 1 / (1 n )
Re max = (Vbb V p ) / I p
Vbb = ( Re min ) Iv + Vv

Oscilador de relajacin PUT

donde:

Vg = Vbb Rb1 / ( Rb1 + Rb 2 ) = nVbb

188
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Vak = V p = Vd + Vg = 0.7 + nVbb


T = RC ln (1 + Rb1 / Rb 2 )
Rmax = (Vbb V p ) / I p
Rmin = (Vbb Vv ) Iv

189
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Instrumentacin

Valor promedio

rea bajo la curva


Aprom =
longitud del periodo

Siendo A prom el valor promedio de la onda

T
1
Aprom =
T f ( t ) dt
0

El valor rms

T
1
f (t ) f ( t ) dt
2 2
Arms = =
T 0

Seal senoidal Rectificador de media onda


APROM = 0 APROM = 0.31A0
Arms = 0.7071A0 Arms = 0.5 A0
Rectificador de onda completa Seal triangular
APROM = 0.636 A0 APROM = 0
Arms = 0.7071A0 A03
Arms =
3
Seal cuadrada Seal senoidal desplazada con
CD
A0 APROM = A1
APROM =
2 1
( A0 A1 )
2
A Arms = A12 +
Arms = 0 2
2

Errores en medicin

Error absoluto = Resultado - Valor verdadero

Error absoluto
Error relativo =
Valor verdadero

190
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Valor promedio

a1 + a2 + ... + an
a prom =
n

donde:

aprom = valor promedio


an = valor de cada lectura
n = nmero de lecturas

Desviacin estndar y varianza

d12 + d 22 + ... + d n2
=
n 1

donde:

= desviacin estndar
di = desviacin de la lectura i-sima con respecto al valor promedio
L a varianza V es el valor de la desviacin estndar elevado al cuadro

Distribucin gaussiana

V =2

191
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Puentes de Wheatstone

Rx R2
=
R3 R1

Puente ligeramente desbalanceado

RTH = ( R1 R2 ) + ( R3 Rx )

R3 R
VTH = V0
2 R3 Rx + R32 + Rx2

Si las cuatro resistencias son iguales el puente esta en equilibrio por lo cual:

RTH = R
R
VTH = V0
4R

Puente de Kelvin

R5 R1
=
R6 R2

192
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Ruido trmico o ruido de Jhonson

En = 4 KTR ( f H f L )

donde:

K = constante de Boltzman = 1.38E-23 J/K


T = temperatura (K)
R = Valor de la resistencia ()
fH = frecuencia mxima de operacin (Hz)
fL = frecuencia mnima de operacin (Hz)

Amplificador de instrumentacin

193
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

1
I g = (V2 V1 )
R
g
2R
Vintermedio = (V2 V1 ) 1 + 1
Rg

2R R
Vout = (V2 V1 ) 1 + 1 3
Rg R2

2R
Vout = (V2 V1 ) 1 + 1
Rg

El rechazo de modo comn es mximo cuando:

R5 R7
= =k
R 4 R6

Termopar

La relacin de temperatura voltaje es:

V0 = AT + BT 2

Termistor

El cambio de resistencia de los termistores en respuesta a cambios en la temperatura

1
= A + B ln R + C ( ln R )
3

donde:

T = temperatura (K)
R = resistencia del termistor ()
A,B,C = constantes del ajuste de curva

La proximacin de la resistencia se obtiene con:

1 1

T T0
R = R0 e

donde:

R = resistencia a la temperatura T (K)


R0 = resistencia a T0 (K)

194
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

= constante del ajuste de curva

Sensores

Sensores resistivos

Potencimetros


R= l (1 ) = (l x )
A A

donde:

x = distancia recorrida desde un punto fijo


= fraccin de longitud correspondiente en un punto fijo
= coeficiente de resistividad del material
l = longitud del material
A = seccin transversal del material

Galgas extensomtricas

Las galgas extensomtricas se basan en la variacin de la resistencia de un conductor o


un semiconductor cuando es sometido a un esfuerzo mecnico.

l
R=
A

Si se somete a un esfuerzo en la direccin longitudinal R cambia.

dR d dl dA
= +
R l A

El cambio de longitud que resulta se determina a travs de la ley de Hooke

F dl
= = E = E
A l

donde:

E = mdulo de Young
= tensin mecnica
= deformacin unitaria

195
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Fotorresistencia

Energa de la radiacin ptica

E = hf

donde:

E = energa
h = constante de Planck 6.62 x 10-34 Ws2
f = frecuencia

Para la longitud de onda de radiacin

hc
=
E

donde:

c = velocidad de la luz
h = constante de Plack
E = 1.602E-19 J

Sensores capacitivos

Condensadores variables

A
C 0 r ( n 1)
d

donde:

A = rea de las placas


d = distancia entre pares de placas
r = constante dielctrica relativa
0 = 8.85 pF/m

Los sensores capacitivos no son lineales, su linealidad depende del parmetro que vara y
del tipo de medicin. En un condensador plano, si vara A o r por lo cual:

A
C =
d (1 + )

donde:
d
=
x

196
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Condensador diferencial

A
C1 =
d1 + x

A
C2 =
d2 x

1
di x di x
Vi = V =V
1 1 2d i
+
di + x di x

Por lo cual, para el caso en que d1 y d2, se tiene:

x
V1 V2 = V
d

Sensores inductivos

La inductancia se expresa como:

d
L=N
di

donde:

N = nmero de vuelas del circuito


I = corriente
= flujo magntico

El flujo magntico se obtiene con:

M
=
R

197
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

donde:

M = fuerza electromotriz
R = reluctancia

Para una bobina de seccin A y de longitud l, la reluctancia es:

1 1
R=
0 r A

Sensores electromagnticos.

Sensor basados en la ley de Faraday

d
e = N
dt

Tacogeneradores

La tensin inducida por el generador es:

e = NBA sen tdt

Si es constante

e = NBA cos t

Sensores de velocidad lineal

e = Blv

donde:

L = longitud del conductor


v = velocidad lineal

198
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Sensores de efecto Hall

VH t
AH =
IB

Aportacin de magnitud y fase para cada trmino de la funcin de transferencia

Trmino Magnitud ngulo de fase Magnitud logartmica ngulo de


logartmica fase
K 20 log K = 0 20log K = 0
Lnea diagonal con
j 20log = 90 pendiente 20 dB/dec que = 90
cruza el punto (w=1,db=0)
1 Lnea diagonal con
20log = 90 pendiente 20 dB/dec que = -90
j cruza el punto (w=1,db=0)
0 db, hasta la frecuencia de
corte. de 0 a 90
j + 1 20log = tan 1
(=1/ Pendiente 20 dB/dec en (=1/) = 45
a partir de >1/
0 db, hasta la frecuencia de
corte
1 (=1/
de 0 a 90
20log = tan 1
j + 1 en (=1/) = 45
Pendiente - 20 dB/dec a
partir de >1/

2 Lnea horizontal 0 db hasta
2
j 1 n =n de 0 a 180
+ + 1 40 log = tan 2
n n
2
n 1
Pendiente 40 dB/dec para en (= ) = 90
n
>n


2 Lnea horizontal 0 db hasta
1 1 n de 0 a -180
40 log = tan =n
2 j 2
2+ +1 n 1 Pendiente -40 dB/dec
en:
n n n para >n
(= ) = 90

e jt0 0 = 57.3t0 0 = -57.3 to

199
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Transformada Z

La TZ bilateral de una seal definida en el dominio del tiempo discreto x[n] es una funcin
X (z) que se define:


X ( z ) = Z { x [ n ]} = x [ n] z n

n =

donde:

n = un entero
z = un nmero complejo

200
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Datos prcticos

Sistema de unidades elctricas. Frmulas fundamentales en CD

Magnitud Sistema Frmulas ms


utilizadas para su
clculo
MKSI CGSEM
Unidad Smbolo Unidad Smbolo
Desplazamiento o I, Ampere A I=V/R
induccin i
Cantidad de Q Coulomb Q Q=It
electricidad
d.d.p. o tensin U Volt V V=RI
Resistencia R Ohm R=V/I
Capacidad C Farad F C=Q/V
Campo elctrico y E V/m -- E=F/Q
gradiente de
potencia
Desplazamiento o D Q/m2 -- D=E
induccin
electrosttica
Induccin B Tesla W/m2 Gauss Gs =1,25 N I /L
magntica (Gs)
Campo magntico H A/m -- Oersted Oe H=1,25 N I/L
(Oe)
Permeabilidad -- -- =/H
Flujo magntico Weber Wb Maxwell Mx =1,25NIS/L
(mx)
Fuerza Ampere At, A Gisbert Gb =1,25 N I
magnetomotriz
Inductancia L Henry H L=N/108I
Reluctancia R At/Wb R=I/S
Intensidad luminosa I Candela Cd I=/
Flujo luminoso Lumen lm =Q/t
Cantidad de luz Q lm/s -- --
Iluminacin E Lux lx E=/S
Brillo Stilb sb Sb=1 cd/1 cm2
1 nit= 1 cd/1 m2

201
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Resistividad y conductividad de conductores (a 20 C)

1 1
Material 2 = Material 2 =
mm / m mm / m
Acero dulce 0.13 7.7 Latn Ms 63 0.071 14
Aluminio 0.0278 36 Magnesio 0.0435 23
Antimonio 0.417 2.4 Manganina 0.423 2.37
Cadmio 0.076 13.1 Mercurio 0.941 1.063
Carbn 40 0.025 Nquel 0.087 11.5
Cobre (elc.) 0.0175 57 Niquelina 0.5 2.0
Constantn 0.48 2.08 Oro 0.0222 45
Cromo-Ni-Fe 0.10 10 Plata 0.016 62.5
Estao 0.12 8.3 Plata alemana 0.369 2.71
Hierro fundido 1 1 Platino 0.111 9
Hierro (puro) 0.10 10 Plomo 0.208 4.8
Grafito 8.00 0.125 Tungsteno 0.059 17
Latn Ms 58 0.059 17 Zinc 0.061 16.5

Resistividad de aislantes

Material cm Material cm
Aceite de parafina 1018 Mica 1017
Agua de mar 106 Parafina (pura) 1018
Agua destilada 107 Plexigls 1015
mbar comprimido 1018 Poliestireno 1018
Baquelita 1014 Porcelana 1014
Caucho (hule) duro 1018 Tierra hmeda 108
Mrmol 1010 Vidrio 1015

Coeficiente trmico de resistencia 20 (a 20 C)

Material C 1, K 1
o Material C 1, K 1
o

Acero dulce + 0.00660 Manganina +/- 0.00001


Aluminio + 0.00390 Mercurio + 0.00090
Carbn - 0.00030 Nquel + 0.00400
Cobre + 0.00380 Niquelina + 0.00023
Constantn - 0.00003 Plata + 0.00377
Estao + 0.00420 Plata alemana + 0.00070
Grafito - 0.00020 Platino + 0.00390
Latn + 0.00150 Zinc + 0.00370

202
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Constante dielctrica r

Material aislante r Material aislante r Material aislante r


Aceite de oliva 3 Caucho (hule) duro 4 Papel Kraft 4.5
Aceite de parafina 2.2 Caucho (hule) suave 2.5 Papel pescado 4
Aceite de ricino 4.7 Compuesto 2.5 Parafina 2.2
(compound)
Aceite mineral para 2.2 Cuarzo 4.5 Petrleo 2.2
transformadores
Aceite vegetal para 2.5 Ebonita 2.5 Pizarra 4
transformadores
Agua 80 Esteatita 6 Plexigls 3.2
Aire 1 Fibra vulcanizada 2.5 Poliamida 5
Aislamiento para 4.2 Gutapercha 4 Polistireno 3
cable alta tensin
Aislamiento para 1.5 Laca (Shellac) 3.5 Porcelana 4.4
cable telefnico
Araldita 3.6 Mrmol 8 Resina fenlica 8
Baquelita 3.6 Mica 6 Tefln 2
Cartn comprimido 4 Micanita 5 Tela 4
Papel 2.3 Trementina 2.2
(aguarrs)
Papel impregnado 5 Vidrio 5

Serie de potenciales electroqumicos


Diferencia de potencial referida a electrodo de hidrgeno

Material Volts Material Volts Material Volts


Aluminio -1.66 Hidrgeno 0.00 Platino +1.20
Berilio -1.85 Hierro -0.41 Plomo -0.13
Cadmio -0.40 Magnesio -2.37 Potasio -2.93
Calcio -2.87 Manganeso -1.19 Sodio -2.71
Cobalto -0.28 Mercurio +0.85 Tungsteno -0.58
Cobre +0.34 Nquel -0.23 Zinc -0.76
Cromo -0.74 Oro +1.50
Estao -0.14 Plata +0.80

Nmeros estandarizados mediante una razn progresiva

(
Serie E 6 6 10 ) (
Serie E 12 12 10 ) (
Serie E 24 24 10 )
1.0 2.2 4.7 1.0 2.2 4.7 1.0 2.2 4.7
1.1 2.4 5.1
1.2 2.7 5.6 1.2 2.7 5.6
1.3 3.0 6.2
1.5 3.3 6.8 1.5 3.3 6.8 1.5 3.3 6.8

203
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

1.6 3.6 7.5


1.8 3.9 8.2 1.8 3.9 8.2
2.0 4.3 9.1
10 22 47 10 22 47 10 22 47
etc. etc. etc.

Intensidad de campo h y permeabilidad relativa r en funcin de la induccin


magntica b deseada

Induccin o densidad Hierro fundido Acero fundido y Lmina de acero


de flujo lmina tipo aleado
dynamo Fe10 = 1.3W / Kg
Fe10 = 3.6W / Kg
B H r H r H r
Tesla Gauss(Gs) A/m A/m A/m
(T=Vs/m2)
0.1 1 000 440 181 30 2 650 8.5 9 390
0.2 2 000 740 215 60 2 650 25 6 350
0.3 3 000 980 243 80 2 980 40 5 970
0.4 4 000 1 250 254 100 4 180 65 4 900
0.5 5 000 1 650 241 120 3 310 90 4 420
0.6 6 000 2 100 227 140 3 410 125 3 810
0.7 7 000 3 600 154 170 3 280 170 3 280
0.8 8 000 5 300 120 190 3 350 220 2 900
0.9 9 000 7 400 97 230 3 110 280 2 550
1.0 10 000 10 300 77 295 2 690 355 2 240
1.1 11 000 14 000 63 370 2 360 460 1 900
1.2 12 000 19 500 49 520 1 830 660 1 445
1.3 13 000 29 000 36 750 1 380 820 1260
1.4 14 000 42 000 26 1 250 890 2 250 495
1.6 16 000 3 500 363 8 500 150
1.7 17 000 7 900 171 13 100 103
1.8 18 000 12 000 119 21 500 67
1.9 19 000 19 100 79 39 000 39
2.0 20 000 30 500 52 115 000 14
2.1 21 000 50 700 33
2.2 22 000 130 000 13
2.3 23 000 218 000 4

204
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Valores para lmina tipo dynamo (de la norma din 46 400)

Clase Lmina Lmina de aleacin


normal Baja Mediana Alta
Tipo I 3.6 II 3.0 III 2.3 IV 1.5 IV 1.3
Tamao 1 000 x 2 000 750 x 1 500
mm x mm
Espesor, mm 0.5 0.35
Densidad, kg/dm3 7.8 7.75 7.65 7.6
Valor mximo Fe10 3.6 3.0 2.3 1.5 1.3
de las prdidas,
W/kg Fe10 8.6 7.2 5.6 3.7 3.3
Valor B25 Tesla 1.53 1.50 1.47 1.43
mnimo Gauss 15 300 15 300 14 700 14 300
de la B50 Tesla 1.63 1.60 1.57 1.55
induccin Gauss 16 300 16 000 15 700 15 500
B100 Tesla 1.73 1.71 1.69 1.65
Gauss 17 300 17 100 16 900 16 500
B300 Tesla 1.98 1.95 1.93 1.85
Gauss 19 800 19 500 19 300 18 500

Explicaciones: B25 = 1.53 tesla significa que una induccin o densidad de flujo mnima de
1.53 T se alcanzar con una intensidad de campo de 25 A/cm. Para una lnea de flujo de,
p. ej., 5 cm, se necesitarn: 5 x 25 = 125 A.

Fe10 Prdidas magnticas por unidad de masa 10 000 Gs = 1.0 tesla


con las inducciones de:
Fe15 15 000 Gs = 1.5 tesla

Los valores corresponden a las siguientes condiciones:

Densidad a t=15 C
Temperaturas (o puntos) de fusin y de ebullicin para = 1.0132 bar = 760 Torr
Los valores entre parntesis indican sublimacin, o sea, cambio directo del estado slido
al gaseoso.
Conductividad trmica a 20 C

Capacidad trmica especfica (o calor especfico) para el intervalo de temperaturas 0 < t <
100 C

Puntos de
Conductividad Calor
Densidad Fusin
Ebullicin trmica especfico
Sustancia (soldf.)
k c
kg/dm3 C C W/(mK)(1) kJ/(kgK)(2)
Aceite de colza 0.91(3) -3.5 300 0.17 1.97
Aceite de linaza 0.94(3) -20 316 0.15

205
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Aceite para
0.92(3) -5 175-350 0.12
calefaccin
Aceite para mquinas 0.91 -5 380-400 0.126 1.67
Aceite para
0.87 -5 170 0.15 1.84
transformadores
Acero 7.85 ~1 350 2 500 47-58 0.46
Acero colado 7.8 ~1 350 52.3 0.502
Acero dulce 7.85 ~1 400 2 500 46.5 0.461
Acero de alta
8.4-9.0 ~1 650 2 600 25.6 0.498
velocidad
Acetona 0.79(3) 56.1
cido actico 1.08 16.8 118
cido cianhdrico 0.7 -15 27
cido clorhdrico 10% 1.05 -14 102 0.50 3.14
cido clorhdrico 40% 1.20
cido fluorhdrico 0.99 -92.5 19.5
cido ntrico 1.56(4) -1.3 86 0.53 2.72
cido sulfrico 1.49(5) -73 -10 1.34
cido sulfrico 50% 1.40
cido sulfrico
1.84 10-0 338 0.5 1.38
concentrado
gata ~2.6 ~1 600 ~2 600 11.20 0.80
Agua 1.0(6) 0 100 0.58 4.183
Alcohol 0.79 -130 78.4 0.17-0.23 2.42
Alcohol etlico 95% 0.82(3) -90 78 0.16
Alcohol metlico 0.8 -98 66 2.51

206
Ceneval, A.C.
Camino al Desierto de los Leones (Altavista) 19,
Col. San ngel, Del. lvaro Obregn, C.P. 01000, Mxico, D.F.
www.ceneval.edu.mx

El Centro Nacional de Evaluacin para la Educacin Superior es una asociacin civil sin
fines de lucro que qued formalmente constituida el 28 de abril de 1994, como consta en
la escritura pblica nmero 87036 pasada ante la fe del notario 49 del Distrito Federal.
Sus rganos de gobierno son la Asamblea General, el Consejo Directivo y la Direccin
General. Su mxima autoridad es la Asamblea General, cuya integracin se presenta a
continuacin, segn el sector al que pertenecen los asociados, as como los porcentajes
que les corresponden en la toma de decisiones:

Asociaciones e instituciones educativas (40%):


Asociacin Nacional de Universidades e Instituciones de Educacin Superior, A.C.
(ANUIES); Federacin de Instituciones Mexicanas Particulares de Educacin Superior,
A.C. (FIMPES); Instituto Politcnico Nacional (IPN); Instituto Tecnolgico y de Estudios
Superiores de Monterrey (ITESM); Universidad Autnoma del Estado de Mxico (UAEM);
Universidad Autnoma de San Luis Potos (UASLP); Universidad Autnoma de Yucatn
(UADY); Universidad Nacional Autnoma de Mxico (UNAM); Universidad Popular
Autnoma del Estado de Puebla (UPAEP); Universidad Tecnolgica de Mxico (UNITEC).

Asociaciones y colegios de profesionales (20%):


Barra Mexicana Colegio de Abogados, A.C.; Colegio Nacional de Actuarios, A.C.; Colegio
Nacional de Psiclogos, A.C.; Federacin de Colegios y Asociaciones de Mdicos
Veterinarios y Zootecnistas de Mxico, A.C.; Instituto Mexicano de Contadores Pblicos, A.C.

Organizaciones productivas y sociales (20%):


Academia de Ingeniera, A.C.; Academia Mexicana de Ciencias, A.C.; Academia Nacional
de Medicina, A.C.; Fundacin ICA, A.C.

Autoridades educativas gubernamentales (20%):


Secretara de Educacin Pblica.

Ceneval, A.C., EXANI-I, EXANI-II son marcas registradas ante la Secretara de


Comercio y Fomento Industrial con el nmero 478968 del 29 de julio de 1994. EGEL,
con el nmero 628837 del 1 de julio de 1999, y EXANI-III, con el nmero 628839 del 1
de julio de 1999.
Inscrito en el Registro Nacional de Instituciones Cientficas y Tecnolgicas del Consejo
Nacional de Ciencia y Tecnologa con el nmero 506 desde el 10 de marzo de 1995.
Organismo Certificador acreditado por el Consejo de Normalizacin y Certificacin de
Competencia Laboral (CONOCER) (1998).
Miembro de la International Association for Educational Assessment.
Miembro de la European Association of Institutional Research.
Miembro del Consortium for North American Higher Education Collaboration.
Miembro del Institutional Management for Higher Education de la OCDE.
Direccin General Adjunta de los EGEL

JUNIO 2013

También podría gustarte