UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL BUENOS AIRES

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

SERIE DE PROBLEMAS N 1

MATERIALES SEMICONDUCTORES
 UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL BUENOS AIRES
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
SERIE DE PROBLEMAS N 1

Problema 1.1
Calcular la energa que separa EF de EV en una muestra de Si tipo P, con una concentracin de
tomos aceptores Na=5.1014 cm-3, a T=300K.

Problema 1.2
Determinar la ubicacin del nivel de Fermi en silicio intrnseco a 300K con respecto de la mxima
energa de la banda de valencia, y con respecto a la mnima energa de la banda de conduccin, ambas
medidas en eV.

Problema 1.3
Calcular la energa que separa EF de EV en una muestra de AsGa tipo P, con una
concentracin de tomos aceptores, Na=5.1015 cm-3, a una temperatura de T=300K .

Problema 1.4
Calcule la densidad de portadores intrnsecos en Ge, Si y AsGa a una T=350K.

Problema 1.5
Determine la posicin del nivel de Fermi con respecto a la banda de valencia en AsGa a T=300K con
las siguientes concentraciones: Na=5.1016 cm-3, Nd=4.1015cm-3

Problema 1.6
Se tiene una muestra de Si a 300K con una concentracin de impurezas aceptoras de Na=1016 cm-3.
Determine la concentracin de impurezas donoras a agregar de forma tal que el Si se convierta en Tipo
N y la Energa de Fermi se encuentre 0,2eV por debajo de la banda de conduccin.

Problema 1.7
Calcular la concentracin de impurezas donoras en Si, necesaria para obtener una resistencia de 100
en un volumen de semiconductor de 0,1mm de longitud y una seccin de 0,02mm x 0,01mm.
Suponiendo que se aplica un potencial de 0,5V sobre la resistencia, calcular la corriente de los
electrones y de huecos que se establecern sobre dicho elemento.

Problema 1.8
Determinar la conductividad de una barra semiconductora de Ge, que est sometida a una
temperatura de 375K. El material est contaminado con impurezas donoras, con un Nd=1014cm-3.
Calcular dicha conductividad , teniendo en cuenta que la variacin real de la movilidad respecto de
la temperatura para el Ge es:

n 0 ,39. T
300
1,66 m2

y p 0 ,19. T
300
2 ,33 m2

V .s V .s
Calcular adems el porcentaje de la conductividad debida a los electrones (n) respecto de la total ().

Problema 1.9
En una muestra de Silicio que tiene una concentracin de donores ND=1015cm-3, se aplica un campo
elctrico en la direccin +x, de magnitud E=103V/cm. Se pide:
a) Hallar la velocidad de arrastre de los electrones en magnitud y signo.
b) Hallar la densidad de corriente de arrastre de los electrones en magnitud y signo.
 c) Calcular el tiempo que le insumir a un electrn desplazarse por arrastre, en promedio, una
distancia de 1m.
d) Cuantas colisiones ocurren mientras se est desplazando? Puede suponer que el tiempo
medio entre colisiones es c=0.1pseg.

Problema 1.10

que el In est uniformemente distribuido y que todos los tomos de impureza estn ionizados (dSi =
2,33 g/cm3; PaIn = 114,8g/mol)
Solucin:
Como el In es aceptor, el material resultante de la contaminacin ser tipo P. Vamos a suponer que p o>>no a los
efectos de una primer aproximacin; si esto se verifica, podremos decir que:

= 1/ = q.(nno+ p.po) ~ q.p.po por lo tanto: po = 1/( .q.p)

Reemplazando valores:
po = 1/(10 cm.1,6.10-19C.480cm2/Vs) = 1,3.1015cm-3

Como el material es Silicio, en donde ni = 1,5.10 10cm-3, se verifica que no ser del orden de 1,3.105cm-3, o sea
que la suposicin hecha es correcta.
Como trabajamos a temperatura ambiente, supondremos que todos los tomos estn ionizados, con lo que se
verificar que:
no = ND = 1015 cm-3
Calcularemos ahora el Volumen de Si de la muestra:

VSi = MSi/dSi = 100g/(2,33g.cm-3) = 42,9cm3

El nmero total de tomos de In que debemos agregar ser:

no In = VSi.Na = 42,9cm3. 1,3.1015cm3 = 5,58.1016 tomos

Finalmente calculamos a cuntos gramos de In corresponde esa cantidad de tomos, lo hacemos a partir de una
regla de tres simple:
No/PaIn = no In/x
Donde:
No = Nm. de Avogadro
PaIn = peso en g de 1 mil
no In = nmero de tomos de In
x = peso de la cantidad de tomos no In

Despejando x, se obtiene que se necesitarn agregar 1,064.10 -5 gramos de In a los 100 gramos de Silicio.

Problema 1.11
Una muestra de Si tipo N tiene una resistividad de 1,25cm. Se pide:
a) Hallar las densidades de corriente de electrones y huecos producidas por un campo elctrico
E=5V/cm.
b) Hallar la masa de P por cm3 de Si que se deber agregar para obtener la conductividad dada.

Problema 1.12
Un trozo de Ge tipo P tiene una conductividad de 1(cm)-1. Calcular:
a) La concentracin de impurezas aceptoras en el material.
b) La conductividad que tendra si se contamina con la misma concentracin de impurezas
donoras en vez de aceptoras.

Problema 1.13
En t=0seg se ilumina una muestra de silicio dopado en forma uniforme con tomos donores.
Asumiendo que ND=1015cm-3, p=10-6seg, y los pares electrn-hueco generados por la luz en el
semiconductor son 1017/cm3seg.
Determinar pn(t) para t > 0.
Problema 1.14
Una muestra de Si, que puede considerarse infinita, se ilumina como se muestra en la figura. La
muestra est dopada con tomos donores ND=1015cm-3, y la luz genera un exceso de huecos
pn0=1010/cm3 en x=0.
La longitud de onda es tal que la luz no penetra en el interior de la muestra (x>0).
Determine pn(x).

Luz Si

Problema 1.15
En una muestra de Si se establece un gradiente de concentracin de electrones minoritarios en la
regin x 0, que esta dado por:

n(x)=(1015cm-3).e - x / 2m

Donde x es la coordenada en la direccin del gradiente de concentracin. La concentracin de

aceptores en la muestra es NA=1017cm-3.
a) Encuentre la magnitud y signo de la densidad de corriente de difusin de electrones en x = 0.
b) Grafique la densidad de corriente de difusin de electrones en el intervalo 0 < x < 10m.

Problema 1.16
Se tienen dos regiones en una oblea de silicio a T=300K. Una est dopada con una concentracin
ND1=1013cm-3 y la otra con una concentracin ND2=1018cm-3.
a) Qu tipo de material es cada regin?
b) Calcule la concentracin de electrones y huecos en cada una de las regiones.
c) Cul es la diferencia de potencial entre cada regin?