Final 2-8-2012 Fisica de los semiconductores

1- Una muestra aislada de un semiconductor intrnseco se encuentra sometida a un

campo elctrico externo en la direccin del eje positivo de las x; E= (Ex,0,0). Para el
caso estacionario:
a- Determinar cmo varia la concentracin de portadores mviles con x [n(x) y p(x)].
Graficar cualitativamente
b- Cules son las expresiones de las corrientes de arrastre y difusin para ambos
tipos de portadores?
c- Determinar la relacin de Einstein para ambos tipos de portadores.

Datos:

n=n0.exp[-(Ec-Ef)/kT

p=p0.exp[-(Ef-Ev)/kT

2- Un metal monovalente tiene 3x1022 tomos/cm3

a- Encontrar la posicin de fermi a T=0K
b- A temperatura ambiente, es posible utilizar la aproximacin clsica?

Ayuda: g(E)= (2m)3/2E1/2/223

3- Dibujar las bandas de energa en un transistor pnp

a- No polarizados
b- Polarizado en activo directo
4- En base al mtodos del electrn libre para metales, tomando la profundidad del pozo
en 10V y sabiendo que la funcin trabajo es de 4eV entonces la Ef medida desde el
fondo del pozo ser:
a- 10eV
b- 4eV
c- 6eV
d- 14eV
e- No se puede calcular
5- En qu tipo de material la distribucin de Fermi-Dirac se puede aproximar a la de
Maxuell-Boltzmann? a- aislador b- semiconductor c- conductor. En el
semiconductor, electrones y huecos? Justifique.