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MEMORIA

RAM


La memoria RAM es una coleccin de circuitos integrados que almacenan la informacin
de manera voltil y representada como 0s y 1s

RAM significa Random Access Memory, memoria de acceso aleatorio. El nombre surge por
contraposicin a las memorias magnticas secuenciales, como las cintas, utilizadas para
almacenar informacin de manera permanente desde los aos 50 en adelante, ya que esto
supona, al principio, una caractersticas ms relevantes de su funcionamiento. En cambio, a
posteriori lo ms relevante quizs sea su volatilidad: cuando no tiene alimentacin elctrica se
borra su contenido

Desde el diseo de ordenador realizado por Vonn Neumann, estas mquinas deben tener
una memoria cerca de la CPU en la que reside el o los programas en ejecucin (incluyendo el
sistema operativo) y los datos que se estn procesando en cada preciso instante. Precisamente
la posibilidad de que el programa sea almacenable y sustituible hace que el ordenador sea una
mquina tan verstil.

En un sistema informtico en su conjunto, hay diferentes tipos de memorias, desde las
externas hasta los registros internos del procesador.

Cuanto ms cerca del ncleo del procesador se encuentre una memoria, ms rpida ser y
menos capacidad tendr, por exigencias de la circuitera y tambin resultar ms cara por su
tecnologa. Se suele representar esta relacin como una pirmide y se le denomina jerarqua
de memorias.



Inicialmente los ordenadores slo tenan registros internos y RAM. Posteriormente, y como
estrategia para mejorar el rendimiento del microprocesador, se incluyeron memorias cach de
nivel l1, l2 y l3.

Adems de estas memorias, cabe resear que hay otros componentes hardware que tienen
la suya propia, por ejemplo, la tarjeta grfica o las impresoras

EVOLUCIN DE LAS MEMORIAS RAM



1- Ncleos de ferrita (aos 40-50): eran un entramado de lneas dispuestas en filas y
columnas con un anillo de ferrita en las intersecciones. Como curiosidad, el ENIAC dispona de
4Kbytes de memoria de ncleos de ferrita que ocupaban varios metros cuadrados.

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2- DIP (aos 60-70): Dual In-Line Package, empaquetado de doble fila. Es una memoria
basada en transistores. La llegada de los circuitos integrados supuso un avance en la
construccin de memorias a mediados de los 60. La celda bsica pasa a construirse con un
microcondensador acompaado de un transistor que acta como conmutador para
comunicarlo con la lnea de datos. En los 70 se conectaban los chips directamente a la placa
base, ocupando un rea bastante grande. Poco despus, se comenzaron a colocar en mdulos
que eran insertados en un zcalo.
En esta poca comienza a evidenciarse el desfase de velocidad entre memoria y procesador, ya
que mientras los micros evolucionan segn la Ley de Moore duplicando su velocidad cada 2
aos, la memoria necesitar una dcada para conseguir esa mejora de rendimiento. Con el
tiempo, la diferencia se va acentuando al mismo ritmo.

3- SIPP (aos 80): Single In-line Pin Package (paquete de pines en lnea simple) se montan
varios chips en un mdulo de 30 pines que se encajan en un zcalo. Comienza a usarse a partir
de 1982 en arquitecturas basadas en el micro 80286 de Intel.
Al mismo tiempo, y para evitar el desfase de rendimiento entre procesador y memoria RAM,
comienzan a utilizarse memorias cach, construidas exclusivamente con transistores, que
resultan ms caras pero multiplican por 10 la velocidad de la RAM. Por exigencias funcionales
y comerciales, en lugar de sustituirse la RAM, se disea una arquitectura que permite la
convivencia de ambos tipos de memoria: la memoria basada en condensadores permite una
elevada capacidad de almacenamiento, mientras que la cach acta como elemento acelerador
del rendimiento situndose ms cerca del procesador.

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4- SIMM (aos 80): Single Inline Memory Modules, son una mejora del sistema anterior, y
tienen chips de memoria por un solo lado de la tarjeta o banco. Los primeros fueron de 30
conectores para la arquitectura del 80486 de Intel. A simple vista adems, lo ms llamativo es
la sustitucin de las patillas individuales que daban problemas de deterioro en las SIPP y la
muesca inserta en un lugar determinado del patillaje, que impide que se pueda conectar de
manera incorrecta en el zcalo de la placa. Como almacenaban 8 bits por cada celda de
memoria y la capacidad del bus era de 32 bytes, era necesario colocar 4 mdulos SIMM
entrelazados en anchura para componer un banco de memoria.

Posteriormente aparecen los mdulos de 72 conectores, ms avanzados y que tenan ya el
mismo ancho del bus en un solo mdulo. Llegaron a tener una capacidad de entre 1 y 128
Mbytes.

5- DIMM (aos 90): Dual Inline Memory Modules, tiene chips de memoria por ambos lados. Son
una mejora del anterior para buses de datos de 64 bits, que aparece con la llegada de los
procesadores Pentium de Intel. El nmero de contactos llega a 168, 84 en cada lado, ms del
doble que en el tipo anterior, pues los de una cara se encuentran aislados de los de la otra.



Mdulo SIMM Mdulo DIMM

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Un caso particular son los SoDIMM para porttiles, de menor tamao

Actualmente, los DIMM se encapsulan segn la tecnologa DDR Double Data Rate: con
capacidad de transferir simultneamente datos por dos canales distintos en un mismo ciclo de
reloj. Adems son sncronas con el bus del sistema (Synchronous DRAM), lo cual aunque positivo
en el rendimiento final, hace que la lgica de intercambio de datos de la memoria hacia el exterior
sea ms compleja.

Los parmetros fundamentales de este tipo de memoria que se han intentado mejorar en la
evolucin de una versin a otra son:

Tiempo de acceso, tambin conocida como latencia. Cuanto menor sea, ms rpida
ser la memoria
Velocidad de reloj del bus soportado
Voltaje: cuanto ms bajo sea, menor consumo y temperatura. A veces se puede
conseguir un mejor rendimiento con un mayor voltaje y la memoria necesitar disipador

Y la evolucin ha sido como sigue:



DDR: Double Data Rate:
200-400 Mhz de frecuencia
Capacidad mx. De 1Gbyte.
Trabaja a 2,5v.
Tiene 184 pines.

DDR2: DDR tipo 2:


Tericamente dobla la frecuencia de la anterior, pero tiene mayor latencia.
Capacidad mx. De 2Gbytes.
Trabaja a 1,8v, consume menos.
Tienen 240 pines.

DDR3: DDR tipo 3.
Tericamente duplica la velocidad, pero nuevamente aumenta la latencia.
Se pueden fabricar mdulos de hasta 16Gbyte.
Trabaja a 1,5v.
Tiene 240 pines, pero la muesca est en sitio diferente.
Se crearon para los Dual-core, Quad-core y Hexa-core.

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DDR4: DDR tipo 4.
Tienen 288 pines.
Menor voltaje.
Una capacidad de hasta 64 Gbytes.
Velocidad un 25% mayor, sin tener en cuenta la latencia que, por desgracia, tambin es
mayor

DDR4: DDR tipo 5.


Actualmente en desarrollo, estarn disponibles en 2020
Menor voltaje, pensadas para alargar la batera en porttil
Se espera que tengan una capacidad a partir de 128 Gbytes.
Sern un 20% ms eficientes


EL PROBLEMA DE LA LATENCIA

Si bien la mayora de los parmetros han ido evolucionando de manera muy positiva, hay
uno que se resiste, la latencia.

La latencia es la suma de los retardos producidos en el acceso a los componentes de la
memoria, que influyen de manera determinante en el rendimiento final. En las caractersticas
tcnicas de una memoria aparecen como cuatro cifras separadas por guiones. P. Ej: 5-5-5-15,
que representan ciclos de reloj. Los nmeros corresponden con:

RAS: ciclos transcurridos desde que una fila se activa hasta que se desactiva.
CAS: tiempo que tarda la memoria en colocarse en una columna o celda
RAS TO CAS: retraso entre las seales de columna y fila
RP: ciclos de espera entre dos peticiones de carga de datos. Suele ser aproximadamente
igual a la suma de los 3 anteriores

Para intentar mejorar este parmetro y el de la velocidad de transferencia, se estn
empezando a experimentar los llamados chips tridimensionales o 3d que consisten en apilar
en varias capas (o pisos) de circuitos integrados, tanto para procesadores, como memorias,
as como hbridos (procesador + memoria).

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En un principio se pens que este nuevo tipo de memorias sustituiran a las DDR3, pero su
implantacin se est retrasando, debido sobre todo a que esta tecnologa plantea varios
problemas an sin resolver satisfactoriamente:

Calor: en el corazn del chip 3d es difcil disiparlo


Complejidad del diseo
Cambios radicales en el proceso de produccin de las grandes marcas. Resulta ms
rentable exprimir el modelo ya conocido que innovar de manera radical.

Aqu tenis una direccin que comenta la tecnologa HMC Hybrid Memory Cube

FABRICANTES

Alguno de los fabricantes ms conocidos son: Kingston, Maxtor, Micron Technology , Rambus y
Corsair Memory, especialistas stos ltimos en memorias de alta gama.

VIDEOS

Se recomienda el visionado de los siguientes videos:
Memorias RAM: Montaje de un PC (I)
Memorias RAM: Montaje de un PC (II)
Memorias RAM: Montaje de un PC (III)