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Memorias de

Semiconductor

Departamento de Electrnica
Curso 2010/11
2010/11
ndice
 Introduccin
 Clasificacin de las memorias
 El chip de memoria
 Estructura interna de una
memoria  Memorias RAM estticas
 Cronogramas de acceso
 Memorias RAM dinmicas
 Memorias ROM
 Memorias PROM
 Memorias E/EEPROM  Expansin de memorias
 Memorias FLASH  Mapas de memoria
 Gestin de la memoria
 Ordenacin de datos en
memoria
Introduccin: Concepto

 Concepto: Elemento de un sistema digital que almacena


informacin binaria en grandes cantidades (datos o
instrucciones).
 Puede verse como un conjunto de M registros de
almacenamiento (palabras) de n bits.
Dn-1 Dn-2 D1 D0
Palabra 0
Palabra 1

Palabra M-1

3
Introduccin: Capacidad

 Capacidad de la memoria: Viene determinada por el nmero


de palabras que es capaz de almacenar (M) y el tamao de
cada palabra (n), en el formato Mxn.
 Ejemplos: Memoria de 128x1 bits

Memoria de 512x8 bits (o 512 bytes)


Memoria de 1024x16 bits (o 1Kx16 bits)
Memoria de 64Mbytes
Introduccin: Buses (I/II)

 Acceso a la memoria: Requiere indicar sobre qu palabra se


desea operar, el tipo de operacin, y disponer de un canal
para el flujo de datos 3 buses distintos

Bus de direcciones

A[m-1:0] Bus de datos


m
MEMORIA D[n-1:0]

Bus de control n

R/W, CS,
OE

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Introduccin: Buses (II/II)

 Bus de direcciones: m lneas de entrada (siendo 2m=M) para


seleccionar la palabra.
 Bus de datos: n lneas, una por cada bit de la palabra,
bidireccionales, salvo que la memoria sea de slo lectura.
 Bus de control: Lneas auxiliares para llevar a cabo la
operacin de lectura o escritura en la memoria.
 R/W: Tipo de operacin: lectura o escritura.
 CS: Seal de habilitacin del chip.
 OE: Seal de habilitacin de salida.
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Introduccin: Escritura

 Operacin de escritura:
 Se sita en el bus de direcciones la posicin donde se quiere escribir.
 Se introduce el dato por el bus de datos.
 Se aplica la orden de escritura mediante las lneas de control.
Registro de Registro de
direccin datos
101 Matriz de memoria 10001101
organizada en bytes
0 1 1 0 0 0 0 1 0
1 1 0 1 0 0 0 1 1
Decodificador

2 0 1 0 0 1 0 1 0
3 1 1 0 0 0 0 0 1
4 1 1 1 0 1 0 0 0
5 1 0 0 0 1 1 0 1
Bus de 6 0 1 1 1 0 0 1 0 Bus de datos
direcciones 7 1 0 0 0 0 0 0 0

CS Escritura

7
Introduccin: Lectura

 Operacin de lectura:
 Se sita en el bus de direcciones la posicin de donde se quiere leer.
 Se aplica la orden de lectura.
 En el bus de datos se dispone de la informacin almacenada.
Registro de Registro de
direccin datos
011 Matriz de memoria 11000001
organizada en bytes
0 1 1 0 0 0 0 1 0
1 1 0 1 0 0 0 1 1
Decodificador

2 0 1 0 0 1 0 1 0
3 1 1 0 0 0 0 0 1
4 1 1 1 0 1 0 0 0
5 1 0 0 0 1 1 0 1
Bus de 6 0 1 1 1 0 0 1 0 Bus de datos
direcciones 7 1 0 0 0 0 0 0 0

Lectura CS

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Introduccin: Caractersticas

 Capacidad de la memoria: Cantidad de informacin que se


puede almacenar, expresada de la forma Mxn.

 Volatilidad: Permanencia de la informacin almacenada en


ausencia de alimentacin.

 Cronogramas de acceso: Diagrama temporal de activacin


de las seales para realizar una correcta operacin en la
memoria.

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Clasificacin de las memorias

Memorias de Memorias de
acceso aleatorio desplazamiento

Voltiles No voltiles Registros de Dispositivos de


(RAM) desplazamiento acoplo de carga

ROM
Estticas
PROM

EPROM
Dinmicas
EEPROM

FLASH

NVRAM

PLDs

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Clasificacin de las memorias: RAM (I/IV)

 Tipos de memorias RAM


Memoria
de acceso
aleatorio
(RAM)

RAM
RAM dinmica
Esttica
(DRAM)
(SRAM)

SRAM DRAM DRAM EDO DRAM


SRAM DRAM
de rfaga Con modo salida datos en rfaga
asncrona sncrona
sncrona pgina rpido extendida (BEDO
(ASRAM) (SDRAM)
(SB SRAM) (FPM DRAM) (EDO DRAM) DRAM)

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Clasificacin de las memorias: RAM (II/IV)

 Se clasifican en:
 Memorias estticas (SRAM):
 El elemento de almacenamiento en un flip-flop.
 Almacena datos de forma indefinida siempre que exista alimentacin.
 Ventajas: Alta velocidad de acceso y bajo consumo.
 Inconveniente: Poca capacidad.
 Memorias dinmicas (DRAM):
 El elemento de almacenamiento en un condensador.
 Es necesario recargar los condensadores, en caso contrario se pierde la
informacin. Este proceso se denomina refresco. Requiere un CI adicional.
 Ventajas: Integracin grande y bajo precio.
 Inconveniente: Necesidad de refresco.

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Clasificacin de las memorias: RAM (III/IV)
 Memorias SRAM: Ms rpida que la Celdas de
DRAM. Menor almacenamiento
capacidad que la mediante flip-flop
 SRAM asncrona: DRAM. Se emplea a
menudo como
 Su funcionamiento no est sincronizado con memoria cach
el reloj del sistema. SRAM
SRAM SRAM
 SRAM sncrona de rfaga: asncrona sncrona de
 Est sincronizada con la seal de reloj del No sincronizada rfagas
con reloj del Sincronizada con
sistema para operar ms rpidamente. sistema reloj del sistema
 Las seales (direcciones, datos, control) se
capturan en unos registros internos
sincronizados con la seal de reloj.
 Existen dos subtipos: de flujo directo (sin
registro en lneas de datos) y con pipeline
(Con registro en las lneas de datos).
 Modo rfaga: permite leer hasta 4 posiciones
de memoria consecutivas.

13
Clasificacin de las memorias: RAM (IV/IV)
 Memorias DRAM:
Ms lenta que la Celdas de
 FPM DRAM (Fast Page Mode): SRAM. Mayor almacenamiento
 Se basa en la mayor probabilidad que existe de acceder capacidad que la mediante
a posiciones consecutivas. SRAM. Se emplea condensador. Debe
como memoria refrescarse
 La direccin de fila se fija, y se incrementa la de principal
columna.
 El acceso es ms rpido que en modo aleatorio puro. DRAM

 EDO DRAM (Extended Data Output): FPM DRAM SDRAM


 Similar a la FPM DRAM. Modo pgina Sncrona
rpido
 Permite acceder a la siguiente columna antes de que el Asncrona
sistema externo acepte los datos vlidos actuales.
 BEDO DRAM (Burst Extended Data Output): EDO DRAM
Salida de datos
 Acceso en modo rfaga. extendida
 Genera internamente direcciones consecutivas. Asncrona

 SDRAM (Synchronous): BEDO DRAM


 Sincronizada con la seal de reloj. EDO de rfagas
Asncrona
 Permite que el microprocesador realice otras tareas
mientras que la memoria est lista.
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Clasificacin de las memorias: ROM (I/II)

 Tipos de memorias ROM

ROM
Memoria
de slo
lectura

PROM
PROM
ROM Borrable
ROM Borrable
programable mediante luz
de mscara elctricamente
(PROM) ultravioleta
(EEPROM)
(UV EPROM)

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Clasificacin de las memorias: ROM (II/II)
 ROM de mscara:
 Se graba en el momento de fabricarla.
 Bajo precio para grandes series.
 La clula de memoria es un transistor.
 PROM (Programmable):
 Programable en el laboratorio.
 No se puede reprogramar.
 EPROM (Erasable Programmable):
 PROM en la que se puede borrar su contenido y volver a programarla.
 Existen dos tipos:
 UV EPROM (Ultra Violet EPROM): Hay que extraerlas del circuito final para borrarlas y
reprogramarlas.
 EEPROM (Electrically EPROM): Se pueden programar elctricamente, incluso en el
mismo circuito final.

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El chip de memoria: Terminales de una memoria

Vcc GND

A0 D0
A1 D1

Bus de MEMORIA Bus de


direcciones datos

Am-2 Dn-2
Am-1 Dn-1
CS
R/W
OE

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El chip de memoria: Control del chip
Interior del chip Exterior

Circuito de lectura

Terminal
Circuito de escritura de datos
Di
CS
OE

R/W CS R/W OE Buf. entrada Buf. salida Estado

L L X On Triestate Escritura

L H L Triestate On Lectura

H L H Triestate Triestate Bloqueada

H X X Triestate Triestate Bloqueada

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Estructura interna de una memoria (I/IV)
Elementos: Opcionalmente:
 Matriz de clulas bsicas  Lgica de seleccin
 Organizacin por filas y columnas  Circuitos adicionales que conectados al
 Facilita el diseo con muchas clulas bus de direcciones permiten seleccionar
(activar) otros chips a travs de CS
 Decodificadores de filas y columnas
 Permiten la seleccin de una posicin  Terminales de E/S

 A veces se usan multiplexores  Usan buffers bidireccionales triestado


 Circuitos de lectura/escritura  Permiten reducir el nmero de
terminales
 Por donde salen/entran los datos
 Estado de alta impedancia si el chip no
 Buffers de entrada y de salida
est activado (CS)

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Estructura interna de una memoria (II/IV)

 RAM 64Kx1 DI

(CY7C187)
INPUT BUFFER

A12

ROW DECODER

SENSE AMPS
A13
A14
A15 256x256
A0 ARRAY DO
A1
A2
A3

CE
POWER
COLUMNDECODER DOWN

WE
A10
A4
A5
A6
A7
A8
A9

A11

20
Estructura interna de una memoria (III/IV)

 RAM 256Kx4
(CY7C106B)

INPUT BUFFER

A1
ROW DECODER

A2 I/O3

SENSE AMPS
A3
A4 I/O2
A5 512 x 512 x 4
A6 ARRAY
A7 I/O1
A8
A9 I/O0

POWER
COLUMN DOWN
DECODER CE

WE
A 10

A 12
A 13
A 14
A 15
A 16
A 17
A0

A 11

OE
21
Estructura interna de una memoria (IV/IV)

 RAM 2Kx8
(CY7C128A)

I/O0
INPUTBUFFER

I/O1
A10
A9
ROW DECODER

I/O2
A8

SENSE AMPS
A7 I/O3
128x16x8
A6 ARRAY

A5 I/O4
A4 I/O5

CE I/O6
POWER
WE COLUMN
DOWN
DECODER
OE I/O7

A3 A2 A1 A0
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Cronogramas de acceso: notacin
 Notacin:

 Seal compuesta por varia lneas

Alta impedancia
 Estado de alta impedancia

 Valor de la seal irrelevante

 Representacin del 0 y 1 lgicos 0 1 0

 Instante de cambio no determinado

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Cronogramas de acceso: lectura (RAM/ROM)
 Tiempo de acceso de lectura: tiempo mnimo desde que se inicia la
lectura hasta que el dato est en los terminales.
 Tiempo de ciclo de lectura/escritura: tiempo mnimo entre dos inicios
de lectura/escritura.
 Tiempo acceso de lectura Tiempo de ciclo lectura
Tiempo de ciclo de lectura

Bus direcciones Direccin salida

Tacc control por CS


CPU Entrada CS

Entrada R/W - OE Tacc control por OE

Memoria Bus Datos Dato vlido

24
Cronogramas de acceso: escritura (RAM)
 Tiempo de acceso de escritura: tiempo mnimo desde inicio de
operacin hasta que el dato se almacena.
Tiempo de ciclo de escritura (tWC)

Bus direcciones Direccin vlida

Tacc control por CS


Entrada CS tAW tWR
tAW tW tWR
CPU
Tacc control por WE
Entrada R/W - WE

Bus Datos Dato vlido

tWC Tiempo del ciclo de escritura


tW Tiempo del pulso de escritura tDW tDH
tDW Tiempo de escritura (set-up)
tDH Tiempo de mantenimiento (hold)
tAW Tiempo de establecimiento de la direccin
tWR Tiempo de liberacin de escritura

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Memorias RAM estticas: el chip (I/II)

 La celda bsica de almacenamiento es un biestable flip/flop.

 Mantiene la informacin mientras exista alimentacin.


 La celda se selecciona con un nivel alto.
 Los terminales de datos son tanto de entrada como de salida.
Seleccin de bit

+Vcc

Datos Datos

26
Memorias RAM estticas: el chip (II/II)
 Ejemplo de estructura de
Seleccin de fila 0

celdas 4xn.
Seleccin de fila 1
 Las celdas de la misma fila
Seleccin de fila 2
comparten la lnea de
seleccin.
 La seal R/W indica el Seleccin de fila n

sentido de la operacin.
R/W Buffers de entrada/salida de datos y control

Bit 0 Bit 1 Bit 2 Bit 3

27
Memorias RAM estticas: estructura
 Ejemplo de estructura de SRAM sncrona de rfaga

28
Memorias RAM dinmicas: el chip (I/III)

 La celda bsica de almacenamiento es un condensador

 La informacin se pierde debido a fugas de corriente

 El transistor acta de interruptor

 Muy alto nivel de integracin


Columna (lnea de bit)

Fila

29
Memorias RAM dinmicas: el chip (II/III)

 Ejemplo de escritura de un 1 y un 0 en la celda

30
Memorias RAM dinmicas: el chip (III/III)

 Ejemplo de lectura de un 1 y refresco de un 1 en la celda

31
Memorias RAM dinmicas: estructura
 Estructura de
una memoria
DRAM.
 Las lneas de
direcciones van
multiplexadas.
 RAS: validacin de
direccin de fila.
 CAS: validacin de
direccin de columna.
 Ciclos de lectura,
escritura, modo
pgina y refresco.

32
Memorias RAM dinmicas: cronograma (I/III)

 Ciclo de lectura

33
Memorias RAM dinmicas: cronograma (II/III)

 Ciclo de escritura

34
Memorias RAM dinmicas: cronograma (III/III)

 Ciclo del modo pgina

35
Memorias RAM dinmicas: refresco (I/IV)

 Tpicamente hay que refrescar cada 8-16 ms.


 Una operacin de lectura refresca automticamente toda la fila
seleccionada
 Refresco a rfagas: Todas las filas se refrescan en cada
periodo de refresco.
 Refresco distribuido: Cada fila se refresca a intervalos
entremezclados con los ciclos de lectura y escritura.
 Ejemplo: Si hay 1024 filas y el ciclo de refresco es de 8 ms, hay que
refrescar una fila cada 7,8 s.

36
Memorias RAM dinmicas: refresco (II/IV)
 Refresco a rfagas y distribuido:
2 ms

0 1 2 253 254 255 0

Ciclo de refresco Tiempo disponible para R/W

Refresco

0 1 2 3 254 255 0

Tiempos disponibles para R/W

37
Memorias RAM dinmicas: refresco (III/IV)
Tipos de refresco:

 Refresco slo RAS: Se activa RAS para almacenar la fila,


pero no CAS. Se utiliza un contador externos para
proporcionar las direcciones de fila.

 Refresco CAS antes de RAS: CAS se activa primero y a


continuacin RAS. Se habilita un contador interno que genera
la direccin de fila a refrescar.

38
Memorias RAM dinmicas: refresco (IV/IV)
Factor de calidad de memorias DRAM:
 Porcentaje de tiempo que se dedica a la operacin de refresco. Mejor
cuanto ms bajo.
N ciclos _ de _ refresco _ en _ un _ periodo _ de _ refresco
Factor _ calidad = 100
N ciclos _ de _ memoria _ totales _ en _ un _ periodo _ de _ refresco

 Ejemplo:
 Periodo de refresco: 2 ms
 DRAM de 256 filas
 Ciclo de memoria: 200 ns
256
Factor _ calidad = 100 = 2,56%
2 10 3 / 200 10 9

39
Memorias ROM: el chip

 Programada en el momento de fabricacin.

 Costes fijos elevados.

 Normalmente se emplea en grandes tiradas.

 La clula de memoria es un transistor.


 La presencia o ausencia de conexin en la base representa un 1 o
0, respectivamente. Columna Columna

Fila Fila
+VDD +VDD

40
Memorias ROM: estructura (I/II)

 Ejemplo de esquema
de ROM de 16x8 bits

41
Memorias ROM: estructura (II/II)

 Ejemplo estructura de
una ROM de 256x4 bits A0
32
A1 Decodific. Matriz de memoria
Direccin lneas
A2 de filas a 1
de fila
A3 32 de 32 x 32
A4 filas

A5
Direccin Decodificadores de columnas (4
A6
de columna decodificadores 1 a 8) y circuitos de E/S
A7

Habilitacin E0
de chip E1
Buffers
de salida

O3 O1 O2 O0
42
Memorias PROM: el chip

Programmable Read Only Memory


 Las programa el usuario, ya que salen de fbrica con
todos los bits a 1.
 Se basan en fusibles que se funden en el proceso de
programacin.
 La programacin de un 0 (fundir un fusible aplicando la
corriente necesaria) es irreversible.
 Los fusibles pueden ser de metal, silicio y uniones pn.

43
Memorias PROM: estructura

 Ejemplo de matriz
PROM

44
Memorias EPROM: el chip (I/II)
Erasable Programmable Read Only Memory
 Son programadas por el usuario

 Se puede volver a programar borrando previamente su


contenido de dos formas:
 Por luz ultravioleta UV EPROM (Ultraviolet EPROM)
 Elctricamente EEPROM (Electrically EPROM)
 La celda tiene la puerta aislada y puede almacenar una
carga elctrica por tiempo indefinido.
 El borrado consiste en eliminar dicha carga.
45
Memorias EPROM: el chip (II/II)

 UV EPROM:
 Tiene una ventana de cuarzo en el encapsulado.
 Exponindola a luz ultravioleta durante unos minutos se elimina
la carga de las puertas de los transistores.
 Con el paso del tiempo la luz ambiente puede borrarla.
 Necesario extraerla del circuito para borrarla y reprogramarla.

 EEPROM:
 Se borran mediante impulsos elctricos.
 Se pueden reprogramar en el propio circuito final.

46
Memorias EPROM: estructura

 Ejemplo de una UV EPROM: 27C16B, 2Kbytes


 Para leer OE y CE/PGM deben estar a nivel bajo
 Para programar:
 Vpp a un valor alto de tensin A0 0
A1 O0
 OE a nivel alto A2 O1
A3 O2
 Se coloca el dato a programar en bits datos A4 O3
 Se selecciona direccin a programar A5 0
A2047 O4
A6 O5
 Se aplica un pulso a nivel alto en CE/PGM A7 O6
A8 O7
A9
A10 10

CE/PMG
Vcc = +5V
&
EN VPP= +5V
OE Vss= Gnd
Memorias EPROM: cronograma

 Cronograma de programacin de una EPROM


Programacin

A0-A10 Direccin n n+1


th(A)

OE tS(A)
th(E)
tS(E)
th(D)
tS(VPP
CE/PGM )

tS(D)

VPP

O0-O7 Dato a programar

48
Memorias Flash: el chip (I/IV)
 Son memorias de lectura/escritura, de alta densidad, no voltiles.

 Se emplean en los pen drive, entre otras aplicaciones.

 Celda de memoria: transistor con puerta de control y puerta flotante


 La puerta flotante almacena carga si se aplica tensin en la puerta de control
 Cuando hay carga almacena un 0. Sin carga almacena un 1.
 Despus de un borrado todas las celdas estn a 1.
Puerta de Drenador
control

Fuente

Muchos e- = almacena un 0 Pocos e- = almacena un 1

49
Memorias Flash: el chip (II/IV)

 Escritura en una celda


 Se aplica tensin positiva alta a la puerta de control.
 Esto atrae por la fuente y se almacenan en la puerta flotante.
 La carga se mantiene durante unos 100 aos.
Puerta +VD +VD
flotante

+VPRO
G

0V
Para almacenar un 1 no se
aaden cargas

50
Memorias Flash: el chip (III/IV)

 Lectura de una celda


 Se aplica tensin positiva a la puerta de control.
 Si hay un 0 (puerta cargada) esta tensin no es suficiente para
hacerlo conducir.
 Si hay almacenado un 1 (carga baja) esta tensin es suficiente
para hacerlo conducir.
+VD +VD

+VREAD
+VRead I

0V 0V

51
Memorias Flash: el chip (IV/IV)

 Las memorias Flash siempre se borran antes de volver a


ser programadas
 Borrado de una celda
 Se aplica una tensin positiva a la fuente respecto de la puerta
de control.
 La carga almacenada se elimina.
0V

+VERASE

52
Memorias Flash: estructura
 Slo se accede a una lnea en
+V +V
cada acceso
Carga activa
 Si el transistor tiene un 1,
Comparador
conduce y la corriente provoca Referencia
cada de tensin en la carga Lnea de bit

activa Seleccin
fila 0 Lnea de bit
 La tensin se compara con una
de referencia.
Seleccin
fila 1

Seleccin
fila n

Seleccin Seleccin
columna 0 columna m
53
Memorias Flash: comparacin
 Tabla comparativa de las memorias Flash respecto a RAM Y ROM

Tipo memoria Voltil Alta densidad Celda de un solo Reescribible en


transistor sma. final
Flash No Si Si Si
SRAM Si No No Si
DRAM Si Si Si Si
ROM No Si Si No
EPROM No Si Si No
EEPROM No No No Si

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