Tabulacin de datos:

Voltaje D(V) Intensidad (mA) Voltaje D(V) Intensidad(mA)

0.249 0.001 0.544 0.46
0.353 0.005 0.55 0.51
0.378 0.01 0.554 0.56
0.394 0.015 0.558 0.61
0.406 0.02 0.564 0.69
0.414 0.025 0.57 0.77
0.422 0.03 0.576 0.87
0.429 0.035 0.581 0.97
0.433 0.04 0.586 1.07
0.438 0.045 0.59 1.17
0.442 0.05 0.598 1.37
0.445 0.055 0.605 1.57
0.45 0.06 0.611 1.77
0.454 0.065 0.615 1.97
0.457 0.07 0.62 2.17
0.46 0.075 0.624 2.37
0.463 0.08 0.628 2.57
0.466 0.085 0.634 2.87
0.468 0.09 0.638 3.17
0.47 0.095 0.642 3.47
0.473 0.1 0.646 3.77
0.476 0.105 0.652 4.27
0.477 0.11 0.657 4.77
0.481 0.12 0.661 5.27
0.484 0.13 0.666 5.77
0.488 0.14 0.67 6.27
0.491 0.15 0.673 6.77
0.495 0.16 0.676 7.2
0.497 0.17 0.679 7.77
0.5 0.18 0.682 8.27
0.502 0.19 0.684 8.77
0.507 0.21 0.687 9.27
0.511 0.23 0.69 9.77
0.515 0.25 0.692 10.27
0.518 0.27 0.694 10.77
0.522 0.29 0.696 11.28
0.528 0.33 0.698 11.77
0.534 0.37 0.699 12.27
0.539 0.41 0.7 12.77
Anlisis Y Discusin De Resultados

Grafica01: VOLTAJE VS INTENSIDAD (en un diodo)

14

12

10

8
ID(mA)

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
VD(V)

En la grfica de observa que hay una parte en que la corriente es casi cero, y
esta va aumentando, pero este aumento es mnimo hasta que se va acercando
ms a 0.7v la corriente empieza a subir ms an. Este grafico se distingue mucho
en la segunda aproximacin para un diodo ideal, en el que se considera que no
hay corriente hasta que aparecen 0.7v en el diodo, momento en que el diodo
empieza a conducir. A partir de ese momento solo puede haber 0.7v en el diodo,
independientemente del valor de la corriente.
En la tercera aproximacin de un diodo se incluye la resistencia interna R.
Despus de que el diodo de silicio comienza a conducir, la tensin aumenta
linealmente con los incrementos de corriente. Cuanto mayor sea la corriente,
mayor ser la tensin en el diodo, debido a la cada de tensin en la resistencia
interna.

= 0,7 + .

A menudo, la resistencia interna es menor a 1 ohmio, por lo que podemos

ignorarla en los clculos. Una regla til es Ignorar la resistencia interna cuando: R<
0,01Rth, esto quiere decir que se puede ignorar la resistencia interna cuando sea
la centsima parte de la resistencia de Thevenin que ve el diodo. Si se satisface
esta condicin, el error es menor que el 1%, raramente se emplean la tercera
aproximacin, porque los diseadores de circuitos normalmente satisfacen la
ecuacin (R< 0,01Rth).

Grafica 02:VOLTAJE VS INTENSIDAD (en un diodo)

14

12

10

8
ID(mA)

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
VD(V)

Cuando en un circuito un diodo est polarizado directamente, con esta

conexin, el circuito est tratando de empujar huecos y electrones libres hacia la
unin. Como podemos observar la grfica nos muestra la regin directa de un
diodo, en la que se representa la corriente del diodo en funcin de la tensin del
diodo. En la realidad el dispositivo no conduce inmediatamente cuando se
polariza directamente, sino que ms bien la corriente en el diodo para esta
polarizacin aumenta en forma exponencial a partir de cierto nivel de tensin
conocido como voltaje de conduccin como se ve en la grfica. La corriente es
aproximadamente cero (no es significativa) hasta que la tensin del diodo se
aproxima a la barrera potencial. En las proximidades de o.6 y o7v, la corriente del
diodo aumenta. Aunque los puntos exactos de corriente y de tensin son
diferentes de un diodo a otro, la grfica de cualquier diodo es similar a la nuestra,
obtenida en la experiencia en el laboratorio. Todos los diodos de silicio tienen una
tensin umbral de aproximadamente 0.7v.

Cuando el circuito se conecta inversamente, Se observa que a travs del diodo

fluye una pequea corriente, denominada de fugas o corriente inversa de
saturacin del diodo. Esta corriente es muy pequea.
 Grafica 02:VOLTAJE VS INTENSIDAD (en el diodo)
14

14
12
12

10

8
10
6

4.5 4

8 4 2
ID(mA)

3.5
0
3 0.65 0.7 0.75

6 0.6 2.5
0.09 2
0.08 0.5
1.5
0.07
0.4 1
4 0.06
0.05 0.3 0.5
0.04 0
0.2
0.03 0.5 0.6 0.7
2 0.02 0.1
0.01
0
0.00
0.45 0.5 0.55 0.6
0 0.2 0.4 0.6
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
VD(V)