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DISPOSITIVOS

ELECTRNICOS
Y CIRCUITOS
Jimmie J.Cathey
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Y CIRCUITOS
DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS
Y CIRCUITOS

Jimmie L. G t e y , Ph.D.
Profesor graduado en Ingeniera Elctrica
Universidad de Kentuchky

Graciela Bruriesca Correa


Ingeniero Mecngco-Electricista, UNAM
Profesora, Faculpd de Ingeniera, UNAM

REVISIN TCNICA:
Roberto Maclas Prez
Ingeniero Mecnico Electricista, UNAM
Jefe del Departamento de Comunicaciones
y Electrnica
Facultad Ingeniera, UNAM

McGRAW-HILL
MXICO BOGOT BUENOS AIRES CARACAS GUATEMALA LISBOA
MADRID NUEVA YORK PANAM SAN JUAN SANTIAGO SAO PAULO
AUCKLAND HAMBURGO LONDRES MILN MONTREAL NUEVA DELHI
PARS SAN FRANCISCO SINGAPUR ST. LOUIS
SIDNEY TOKIO TORONTO
Jimmie J. Cathey obtuvo su Doctorado de la Universidad de Texas A
y M., y tiene 13 aos de experiencia en la industria, en el diseo y desarrolle
de sistemas de fuerza elctrica.

Desde 1980 est incorporado a la Universidad de Kentucky, y su inters


sobre la investigacin y enseanza se centra en la potencia electrnica,
mquinas elctricas y robtica. l est reqistrado como Ingeniero Profesional

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS Y CIRCUITOS

Prohibida la reproduccin total o parcial de esta obra,


por cualquier medio, sin autorizacin escrita del editor

DERECHOS RESERVADOS 1991 respecto a a primera edicin en espaol poi


McGRAW-HILL INTERAMERICANA DE MXICO, S. A. de C. V.
ATLACOMULCO 499-501, Fracc. Industrial San Andrs Atoto
53500 Naucalpan de Jurez, Edo. de Mxico
Miembro de la Cmara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Nm. 1890

ISBN 968-422-243-2

Traducido de la primera edicin en ingls de


SCHAUM'S OUTLINE OF ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUITS
Copyright (c) MCMLXXXIX by McGraw-Hill, inc. U.S.A.

Esta obra se termin de


imprimir en octubre de 1990
en Impresora y Editora Xalco S.A
Jos Mara Martnez s/n
Col. San Miguel Jacalones
Chalco Edo. Mx.
Se tiraron 5000 ejemplares
A Phillip y Julia

con el deseo de que no se aparten nunca del buen camino


Prefacio
El tema de la electrnica puede dividirse en dos grandes categoras; la aplicacin de las propiedades fsicas
de los materiales en el desarrollo de dispositivos electrnicos de control y la utilizacin de estos dispositivos en
las aplicaciones a los circuitos. En este libro se hace hincapi en la segunda categora, comenzando con las
categoras terminales de los dispositivos electrnicos de control. Nos ocupamos de otros temas slo cuando son
necesarios para entender esas caractersticas.
Este libro tiene por objeto complementar las obras para un curso introductorio de circuitos electrnicos
destinado a ingenieros. Servir adems como repaso para los que ya hayan tomado ese curso. Los estudiantes
de ingeniera que se inscriben en un curso de circuitos electrnicos dirigido a quienes no siguen esta carrera se
darn cuenta que algunas partes de los captulos 1 a 6, 10 y 11 ofrecen un valioso complemento a su estudio.
Cada captulo contiene un breve repaso de los temas pertinentes, junto con las ecuaciones y las leyes que se
aplican en cada caso. Tambin se incluyen ejemplos para aclarar y poner de relieve los principios en el momento
que se explican. Como en las otras obras de la serie Schaum, la solucin de problemas constituye la parte medular
del libro: con tal fin, se incluyen ms de 640 problemas resueltos.
Deseo agradecer a mi esposa Mary Ann por su incansable labor en la mecanografa del manuscrito. Un
agradecimiento especial al Editor Ed Millman por sus valiosas sugerencias y meticulosa revisin del material.
Acepto la responsabilidad de los errores que se me hayan escapado y deseo ofrecer mis disculpas desde ahora.

JlMMIE J. CATHEY
Captulo 1 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 1
1.1 Introduccin 1.2 Elementos de circuitos 1.3 Leyes de circuitos
1.4 Circuitos en estado estable 1.5 Teoremas de redes 1.6 Redes
de dos puertos 1.7 Valores instantneos, valores promedio y valores RMS

Captulo 2 DIODOS SEMICONDUCTORES 24


2.1 Introduccin 2.2 El diodo ideal 2.3 Caractersticas del diodo 2.4 Anlisis
grfico 2.5 Anlisis del circuito equivalente 2.6 Amplificaciones
del diodo como rectificador 2.7 Filtracin de forma de ondas
2.8 Operaciones de recorte y sujecin 2.9 El diodo Zener

Captulo 3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 62


3.1 Construccin de TBJ y sus smbolos 3.2 Caractersticas terminales
de la base comn 3.3 Caractersticas terminales del emisor comn
3.4 Relaciones de corriente 3.5 Lneas de polarizacin y de carga
para cd 3.6 Capacitores de ca y lneas de carga

Captulo 4 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 92


4.1 Introduccin 4.2 Construccin de JFET y sus smbolos
4.3 Caractersticas terminales del JFET 4.4 Lnea de polarizacin JFET
y lnea de carga 4.5 Anlisis grfico para JFET 4.6 Construccin del
MOSFET y sus smbolos 4.7 Caractersticas terminales del MOSFET
4.8 Polarizacin del MOSFET y lneas de carga

Captulo 5 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 115


5.1 Introduccin 5.2 Incertidumbre de p y efectos de temperatura en el BJT
5.3 Anlisis del factor de estabilidad 5.4 Estabilizacin de elementos
no lineales de circuitos BJT 5.5 Polarizacin de lmites del punto Q para el FET

Capitulo 6 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 140


6.1 Introduccin 6.2 Modelos de parmetros hbridos 6.3 El circuito T
equivalente 6.4 Conversin de parmetros 6.5 Medidas
de bondad en amplificadores 6.6 Anlisis del amplificador EC
6.7 Anlisis del amplificador BC 6.8 Anlisis del amplificador CC
Captulo 7 AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 176
7.1 Introduccin 7.2 Circuitos equivalentes de seal pequea para el FET
7.3 Anlisis del amplificador FC 7.4 Anlisis del amplificador DC 7.5 Anlisis
del amplificador GC

Captulo 8 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 195


8.1 Introduccin 8.2 Grficas de Bode y respuesta en frecuencia 8.3 Efecto de baja
frecuencia de los capacitores de paso y acoplamiento 8.4 Modelos del FET de alta
frecuencia 8.5 Modelos del FET de alta frecuencia 8.6 Capacitancia de Miller

Captulo 9 AMPLIFICADORES DE POTENCIA 226


9.1 Clasificacin y caractersticas del amplificador 9.2 Potencia y eficiencia
de los amplificadores 9.3 Especificaciones y consideraciones trmicas
9.4 Amplificador clase A con acoplamiento directo 9.5 Amplificador clase A
acoplado con inductor 9.6 Amplificador clase A con acoplamiento por
transformador 9.7 Amplificadores de contrafase 9.8 Amplificadores
de simetra complementaria

Capitulo 10 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 250


10.1 Introduccin 10.2 Amplificadores operacionales ideales y prcticos
10.3 Amplificador inversor 10.4 Amplificador no inversor 10.5 Razn
de rechazo de modo comn 10.6 Amplificador sumador 10.7 Amplificador
de diferenciacin 10.8 Amplificador integrador 10.9 Amplificador logartmico
10.10 Aplicaciones en los filtros 10.11 Generadores de funcin
y acondicionadores de seal

Captulo 11 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 279


11.1 El concepto de retroalimentacin 11.2 Efecto de la retroalimentacin
en la ganancia y en la respuesta en frecuencia 11.3 Efecto de la
retroalimentacin en las mpedancias de entrada y salida
11.4 Retroalimentacin de voltaje-serie 11.5 Retroalimentacin
de corriente-serie 11.6 Retroalimentacin de voltaje-paralelo
11.7 Retroalimentacin de corriente-paralelo

Captulo 12 CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS 313


12.1 Introduccin 12.2 Modelos de conmutacin para el BJT 12.3 Modelos de
conmutacin para el FET 12.4 Lgica digital y lgebra Booleana
12.5 Diagramas de bloques de lgica digital 12.6 Multivibradores biestables

Captulo 13 TUBOS DE VACIO 331


13.1 Introduccin 13.2 Diodos de vaco 13.3 Construccin de un triodo
de vaco y smbolos 13.4 Caractersticas terminales del triodo
13.5 Polarizacin y anlisis grfico de los amplificadores con triodo
13.6 Circuito equivalente del triodo 13.7 Tubos de rejilla de control mltiple

NDICE 347
Anlisis de circuitos: desde
el punto de vista de puertos
1.1 INTRODUCCIN
Los dispositivos electrnicos se describen por sus caractersticas no lineales de voltaje/corriente entre sus
terminales. Los circuitos que contienen dispositivos electrnicos son analizados y diseados mediante grficas
con caractersticas medidas experimentalmente o mediante Idealizacin de sus caractersticas voltaje/corriente.
Segn su aplicacin, este ltimo enfoque permite formular las ecuaciones que se utilizan para pequeas
perturbaciones y que son vlidas para variaciones alrededor de un punto de operacin, as como un conjunto de
ecuaciones lineales por partes. El conjunto de ecuaciones lineales describe el circuito en trminos de elementos
pasivos nterconectados, y fuentes de voltaje y d corriente independientes o controladas; la formulacin, as como
la solucin requieren el conocimiento de anlisis de circuitos y los principios de reduccin de los mismos,
estudiados en este captulo.

1.2 ELEMENTOS DE CIRCUITOS


Los elementos invariantes en el tiempo (o de valor constante) mostrados en la figura 1-1a) a c) (el resistor,
inductor y capacitor, respectivamente) se llaman elementos pasivos, puesto que ninguno de ellos puede suminis-
trar energa continuamente a un circuito. Para un voltaje y corriente tenemos las siguientes relaciones: Para
el resistor,

v = Ri o i=Gv (1.1)
donde R es su resistencia en ohms (Q) y G = MR es su conductancia en siemens (S). La ecuacin (1.1) se conoce
como ley de Ohm. Para el inductor,

(1.2)
donde L es su inductancia en henrys (H). Para el capacitor,

o (1.3)
donde C es su capacitancia en farads (F). Si R, L y C son independientes del voltaje y la corriente (as como del
tiempo) se dice que los elementos son lineales: La multiplicacin de la corriente que circula por cada uno de ellos
por una constante da por resultado la multiplicacin de su voltaje terminal por la misma constante. (Problemas 1.1
y 1.3.)
Los elementos de la figura 1-1d) a h) se llaman elementos activos debido a que cada uno es capaz de
suministrar energa continuamente a una red. La fuente ideal de voltaje de la figura-1-1d) proporciona un voltaje
v entre sus terminales que es independiente de la corriente que circula a travs de sta. La fuente ideal de
corriente mostrada en la figura 1-1e) proporciona una corriente independiente del voltaje a travs de sus
terminales. Sin embargo, la fuente de voltaje controlada (o dependiente) de la figura 1 -1 f) tiene un voltaje terminal
que depende del voltaje ^travs o la corriente que circula por algn otro elemento de la red. De manera-anloga,
2 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

Figura 1-1

la fuente de corriente controlada (o dependiente), que se observa en la figura 1.1 g) proporciona una corriente cuya
magnitud depende del voltaje entre las terminales o de la corriente que atraviesa algn otro elemento de la red.
Si la relacin de dependencia para el voltaje o la corriente de una fuente controlada es de primer grado, entonces
la fuente es una fuente controlada lineal (o dependiente). La batera o fuente de voltaje de cd que se indican en la
figura 1-1/7) es una clase especial de la fuente de voltaje independiente.

1.3 LEYES DE CIRCUITOS


Refirindonos a las tres relaciones de voltaje/corriente dadas de (7.7) a (7.3), las leyes de Kirchhoff son
suficientes para formular las ecuaciones simultneas necesarias para conocer todas las corrientes y voltajes de
una red. (Utilizamos el trmino red para indicar cualquier arreglo de los elementos del circuito.)
La ley de voltajes de Kirchhoff (LVK) determina que la suma algebraica de todos los voltajes alrededor de
cualquier malla cerrada en un circuito es cero; esto se expresa en forma matemtica como

(1.4)

donde n es el nmero total de voltajes de los elementos pasivos y activos alrededor de la malla considerada.
La ley de corrientes de Kirchhoff (LCK) determina que la suma algebraica de todas las corrientes en cada
nodo (unin de elementos) debe ser cero; esto es,

(1.5)

donde m es el nmero total de corrientes que fluyen hacia dentro del nodo considerado.

1.4 CIRCUITOS EN ESTADO ESTABLE


En un tiempo (suficientemente grande) despus de energizar un circuito que contiene solamente elementos
lineales, los voltajes y las corrientes llegan a ser independientes de las condiciones iniciales y la variacin en el
tiempo de las cantidades de un circuito se vuelven idnticas a las de las fuentes independientes; se dice entonces
que el circuito est operando en estado estable. Si todas las fuentes no dependientes en una red son independien-
tes del tiempo, al estado estable de la red se le llama estado estable de cd. Por otro lado, si la magnitud de cada
fuente no independiente puede escribirse como donde K es una constante, entonces al estado
estable resultante se le conoce como estado estable sinusoidal y los mtodos del dominio de la frecuencia o
mtodos fasoriales se aplican en su anlisis. En general, el anlisis de los circuitos electrnicos es una
ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 3

combinacin del anlisis de cd y del anlisis en el estado estable sinusoidal, utilizando el principio de superposicin
que estudiaremos en la siguiente seccin.

1.5 TEOREMAS DE REDES


Una red lineal (o circuito lineal) est 'orrnada por la interconexin de las terminales de fuentes independientes
(esto es, no dependientes), fuentes controladas lineaimente y tambin por elementos lineales pasivos que forman
una o ms trayectorias cerradas. El teorema de superposicin establece que en una red lineal que contiene
mltiples fuentes, el voltaje a travs o la corriente que atraviesa cualquier elemento pasivo puede determinarse
como la suma algebraica de los voltajes o corrientes individuales debidos a la accin aislada de cada una de las
fuentes, desactivando las otras fuentes independientes.
Una fuente de voltaje ideal se desactiva colocndola en cortocircuito. Una fuente de corriente ideal se desactiva
colocndola en circuito abierto. En general, las fuentes controladas permanecen activas cuando se aplica el
teorema de superposicin.

Ejemplo 1.1 Es la red de la figura 1-2 un circuito lineal?


La definicin de un circuito lineal se cumple si la fuente controlada es lineaimente controlada; esto es, si a es
una constante.

Figura 1-2

Ejemplo 1.2 Encuentre la corriente 4 utilizando el teorema de superposicin. Para el circuito mostrado en la
figura 1 -2 si tenemos que: = 10 sen =
Primero desactivamos Vb ponindola en cortocircuito y utilizamos un smbolo prima para denotar una
respuesta debida slo a Utilizando el mtodo de voltajes de nodo con una incgnita y sumando las corrientes
en el nodo superior, tenemos

Sustituyendo los valores dados y despejando obtenemos

Por consiguiente, por la ley de Ohm,


4 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

Ahora bien, desactivando y utilizando un signo de doble prima para sealar una respuesta debida slo a
tenemos

donde

de manera que

Por lo tanto, por la divisin de la corriente,

Finalmente, por el teorema de superposicin,

Las terminales en una red normalmente se consideran en pares. Un puerto es un par de terminales a travs
de las cuales puede identificarse un voltaje, y la corriente de entrada de una terminal es igual a la corriente de
salida de la otra terminal. En la figura 1-3, si entonces las terminales 1 y 2 forman un puerto. Por otra parte,
si se observa a la izquierda de las terminales 1,2, la red A es una red de un puerto. Del mismo modo, si se observa
al lado derecho de las terminales 1, 2, la red B es una red de un solo puerto.
El teorema de Thvenin establece que una red de un puerto arbitrariamente lineal, como la red A que se
observa en la figura 1-3a), puede reemplazarse en las terminales 1,2 por una fuente equivalente de voltaje
conectada en serie con una impedancia ZTh como se observa en la figura 1-3b). VTh es el voltaje en
circuito abierto entre las terminales 1,2 de la red A y es la razn del voltaje de circuito abierto entre la corriente

Red
Red Red Red
lineal
B B B
A

Figura 1-3

de cortocircuito de la red A determinada entre las terminales 1,2 con la red B desconectada. Si la red A o la B
contienen una fuente controlada, entonces su variable de control debe estar en esa misma red. Por el contrario,
ZTh es la impedancia equivalente mirando hacia dentro de la red A a travs de las terminales 1,2, con todas las
otras fuentes independientes desactivadas. Si la red A contiene una fuente controlada, ZTh se determina como la
impedancia en el punto de excitacin (Ejemplo 1.4).

Ejemplo 1.3 Encuentre el voltaje equivalente VTh y la impedancia para la red al lado izquierdo de las terminales
1,2. En el circuito mostrado en la figura 1 -4, VA =4 V, IA
ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

Figura 1-4

La corriente no fluye a travs de R2 con las terminales 1,2 en circuito abierto; as pues, por KVL,

La impedancia de Thvenin se determina como la impedancia equivalente para el circuito a la izquierda de las
terminales 1,2, con las fuentes independientes desactivadas (esto significa que VA se sustituye por un cortocircuito
y IA por un circuito abierto):

Ejemplo 1.4 En el circuito que se observa en la figura 1-5a), Encuentre


el voltaje equivalente y la impedancia de Thvenin para la red a la izquierda de las terminales 1,2.

a) b)

Figura 1-5

La corriente no fluye a travs de R2 con las terminales 1,2 en circuito abierto. Pero la variable de control
para la fuente dependiente controlada por voltaje est todava contenida en la red a la izquierda de las terminales
1,2. La aplicacin de LVK da

de manera que

Puesto que la red a la izquierda de las terminales 1,2 contiene una fuente controlada, ZTh se determina como
la impedancia en el punto de excitacin con la red a la derecha de las terminales 1,2 de la figura 1-5a)
sustituida por la fuente en el punto de excitacin que se indica en la figura 1 -5b) y desactivada VA (en corto circuito).
Despus de estos cambios, LCK aplicada en el nodo a da
6 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 1

(1.6)
La aplicacin de LVK alrededor de la malla exterior de este circuito (con VA todava desactivado) da
(1.7)
La sustitucin de (1.6) en (17) da la solucin

El teorema de Norton establece que una red arbitraria y lineal de un puerto como la red A mostrada en la
figura 1-3a) se puede sustituir en las terminales 1,2 por una fuente de corriente equivalente y una admitancia
YN conectadas en paralelo como se observa en la figura 1-3c). IN es la corriente en cortocircuito que fluye de la
terminal 1 a la terminal 2 debida a la red A, y YN es la razn de la corriente del cortocircuito entre voltaje del
circuito abierto entre las terminales 1,2 con la red B desconectada. Si la red A o B contienen una fuente controlada,
su variable de control debe estar en la misma red. Es obvio que as pues, cualquier mtodo para
determinar ZTh es igualmente vlido para encontrar YN.

Ejemplo 1.5 Obtenga la corriente IN y la admitancia YN equivalentes de Norton para el circuito que se ve en la
figura 1 -4 con valores como los del ejemplo 1.3.
La corriente de Norton se determina como la corriente de cortocircuito de la terminal 1 a la 2 mediante
superposicin; esto es
corriente debida a corriente debida a

La admitancia de Norton se encuentra a partir del resultado del ejemplo 1.3 como

Algunas veces denotamos los voltajes y corrientes con un subndice doble para sealar cules terminales
son de ms inters. De esta manera, V13 es el voltaje a travs de las terminales 1 y 3, donde la terminal 1 est a
potencial ms alto que el de la terminal 3. De manera anloga, /,3 es la corriente que fluye de la terminal 1 a la
terminal 3. Por ejemplo, VL en la figura 1-5a) puede etiquetarse como V,2 (pero no como V21).
Obsrvese tambin que un elemento activo (independiente o controlado) est restringido a su corriente o
voltaje asignado o indicado, sin importar lo que ocurra en el resto del circuito. As la fuente controlada en la figura
1 -5a) proporcionar a VL A, sin importar qu voltaje se requiera ni qu cambios sucedan en otras partes del circuito.

1.6 REDES DE DOS PUERTOS


La red de la figura 1-6 es una red de dos puertos si se cumple que Puede caracterizarse
mediante las cuatro variables slo dos de las cuales pueden ser independientes. Si se supone que
son variables independientes y que la red es lineal y contiene fuentes no independientes, las variables
independientes y dependientes se relacionan mediante los parmetros de impedancia de circuito abierto (o,
simplemente, tos parmetros con el conjunto de ecuaciones

Figura 1-6
ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

(1.8)
(1.9)
Se puede evaluar cada uno de los parmetros z mediante el establecimiento de la corriente apropiada a cero (o,
en forma equivalente mediante un circuito abierto en un puerto apropiado de la red). Estos parmetros son:

(1.10)

(1.11)

(1.12)

(1.13)
De manera similar, si se supone que V, y l2 son variables independientes resulta una caracterizacin de la
red de dos puertos por medio de los parmetros hbridos (o, simplemente, los parmetros se obtiene
(1.14)
(1.15)
Dos de los parmetros h se determinan mediante el puerto 2 en cortocircuito, mientras que los dos restantes se
determinan mediante el puerto 1 en circuito abierto:

(1.16)

(1.17)

(1.18)

(1.19)

Ejemplo 1.6 Encuentre los parmetros z para la red de dos puertos que se observa en la figura 1 -7.
Con el puerto 2 (a la derecha) en circuito abierto, /2 =0 y usando (1.10) da

Asimismo, la corriente IR2 descendiente a travs de se obtiene por medio de la ecuacin de la divisora de corriente

Pero, por la ley de Ohm,


8 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

Por tanto, mediante (1.12),

De manera anloga, con el circuito abierto en el puerto conducen a

El uso de la divisin de la corriente para encontrar la corriente descendente a travs de da

Y la ley de Ohm da

As que, por (1.11)

Ejemplo 1.7 Encuentre los parmetros h para la red de dos puertos de la figura 1-7.
Con el puerto 2 en cortocircuito,

Mediante la divisin de corriente,

de manera que, por (1.18),

Si el punto 1 est en un circuito abierto, la divisin de voltaje y (1.17) conducen a

Finalmente, es la admitancia en el punto 2, dada en (1.19):

1.7 VALORES INSTANTNEOS, VALORES PROMEDIO Y VALORES RMS


Los valores instantneos de una cantidad son el valor de ella en un tiempo determinado. A menudo queremos
conocer el valor promedio de una cantidad que tiene variaciones en el tiempo. Pero, obviamente, el valor promedio
ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 9

de una funcin sinusoidal en un periodo es cero. Por lo tanto, para sinusoides existe otro concepto que es ms
til, el del valor cuadrtico medio (rms): Para cualquier funcin con variacin de tiempo f(t) con un periodo T, el
valor promedio en un periodo est dado por

(1.20)

y el valor rms correspondiente est definido como

(1.21)
donde, por supuesto, F0 y F son independientes de f0. El motivo por el cual se introducen los valores rms se puede
comprender con el ejemplo 1.9.

Ejemplo 1.8 Puesto que el valor promedio de una funcin del tiempo sinusoidal es cero, el valor promedio de
medio ciclo de dicha funcin no es cero y se utiliza con frecuencia. Encuentre el valor promedio de me-
dio ciclo de la seal sinusoidal de corriente que pasa a travs de la resistencia R, la cual est conectada
directamente a una fuente de (ca) de seal peridica
Por medio de la ley de Ohm,

y de (1.20), aplicada a la mitad del ciclo desde

(1.22)

Ejemplo 1.9 Suponga que tenemos una resistencia R conectada directamente a una fuente de voltaje de cd. La
potencia absorbida por R es

(1.23)

Ahora reemplace por una fuente de voltaje de ca, La potencia instantnea est dada por

(1.24)

Por tanto, la potencia promedio en un periodo es, mediante (1.20),

(1.25)

Comparando (1.23) y (1.25) vemos que, en lo que se refiere a la disipacin de la potencia, una fuente de ca de
amplitud Vm es equivalente a otra de cd de magnitud

(1.26)

Por este motivo al valor rms de un sinusoide, se le llama su valor eficaz.


Desde este punto de vista, a menos que se haga una declaracin explcita de lo contrario, todas las corrientes
10 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

y voltajes que estn en el dominio de la frecuencia (fasores) utilizarn valores rms en vez de valores mximos.
As pues, el voltaje en el dominio del tiempo se indicar en el dominio de la frecuencia como

Problemas resueltos
1.1 Pruebe que el elemento inductor de la figura 1 -1 b) es un elemento lineal, demostrando que (1.2) satisface
la proposicin del teorema de superposicin.
Sean dos corrientes que fluyen a travs de los inductores. Entonces mediante (1.2) los voltajes
a travs del inductor para estas corrientes son, respectivamente,

(1)

Ahora bien, suponga que son constantes arbitrarias diferentes. Entonces por
(1.2) y (1),

(2)
Puesto que (2) se cumple para cualquier par de constantes la superposicin se satisface y el
elemento es lineal.

1.2 Encuentre la corriente / mediante el teorema de superposicin. Si


3 A en el circuito que se observa en la figura.

Figura 1-8

Con desactivada (circuito abierto), LVK y la ley de Ohm da la componente de . debida a Vs como

Con . desactivada (cortocircuito), la divisin de la corriente determina la componente debida a /s;

Por superposicin, la corriente total es


1 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 11

1.3 Suponga que todos los valores del circuito son como el del problema 1-2 y la figura 1-8, excepto que R2
=0.25/ 2. Determine la corriente / utilizando el mtodo de voltajes de nodo.
Por (1.1), la relacin voltaje/corriente para es

de modo que
(1)

Aplicando el mtodo de voltajes de nodo en a y utilizando (1), obtenemos

Reordenando y sustituyendo los valores dados obtenemos

Haciendo x2 =vab y aplicando la frmula cuadrtica, obtenemos

La raz negativa es un nmero que no tiene significado, puesto que el valor resultante de no satisface
LVK; por consiguiente, se toma el valor positivo

Observe que, debido a que la resistencia R2 es una funcin de la corriente, el circuito no es lineal y no se
puede aplicar al teorema de superposicin.

1.4 Para el circuito que se observa en la figura 1-9, encuentre si a) k =0 y b) k =0.01. No use teoremas
de redes para simplificar el circuito anterior a la solucin.

Figura 1-9

a) Para k =0, la corriente / puede determinarse inmediatamente con la ley de Ohm:

Puesto que la salida de la fuente de corriente controlada fluye a travs de la combinacin en paralelo
de dos resistores de 100 , tenemos

(1)
12 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 1

b) Con es necesario resolver dos ecuaciones simultneas con las incgnitas Alrededor de
la malla del lado izquierdo, LVK da
(2)
Con como incgnita, (1) se convierte en

(3)
Resolviendo (2) y (3) simultneamente mediante la regla de Cramer nos conduce a

1.5 Para el circuito de la figura 1-10, encuentre iL por el mtodo de voltajes de nodo si

a) Con como incgnitas y sumando las corrientes en el nodo c, obtenemos

(1)

Pero (2)

Sustituyendo (2) en (7) y reordenando da

(3)

Ahora bien, la suma de corrientes en el nodo a da

(4)

Sustituyendo (2) en (4) y reordenando se obtiene

(5)
ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 13

La sustitucin de los valores dados en (3) y (5) y la aplicacin de la regla de Cramer finalmente dan

y por la ley de Ohm,

b) Con los valores dados (incluyendo a =0) sustituidos en (3) y (5), se utiliza la regla de Cramer para
determinar

Entonces se obtiene de nuevo con la ley de Ohm:

1.6 Encuentre el equivalente de Thvenin para la red a la izquierda de las terminales a, b. Si V, = 10 V, V2 =


15 V, en el circuito mostrado en la figura 1-11.
Con las terminales a, b en circuito abierto, slo fluye la corriente de malla /. Por lo tanto, mediante
LVK,

de modo que,

Figura 1-11

El voltaje equivalente de Thvenin es entonces


14 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

Desactivando (poniendo en cortocircuito) las fuentes de voltaje independientes V, y V2 se obtiene la


impedancia de Thvenin a la izquierda de las terminales a, b como

se conectan como se indica en la figura 1 -3b) para obtener el circuito equivalente de Thvenin.

1.7 Encuentre el equivalente de Norton de la red a la izquierda de las terminales a, b, para el circuito y los
valores del problema 1.6.
Con las terminales a, b en cortocircuito, el componente de la corriente U debido a V, nicamente es

De manera anloga, la componente debida slo a V es

En consecuencia, por superposicin,

Ahora bien, con Rn como en el problema 1.6,

N y YN se conectan como se muestra en la figura 1 -3c) para producir el circuito equivalente de Norton.

1.8 Encuentre la impedancia de Thvenin, as como la razn del voltaje de circuito abierto entre la corriente
de cortocircuito. Para ilustrar la equivalencia de los resultados, utilice el circuito ^>s voltajes de los
problemas 1.6 y 1.7.
El voltaje de circuito abierto es VJh como se determin en el problema 1.6 y la corriente en cortocircuito
es IN del problema 1.7. Por tanto,

lo cual concuerda con el resultado del problema 1.6.

1.9 Los teoremas de Thvenin y Norton se aplican tambin a circuitos diferentes de los de cd en estado
estable. Para el circuito en el "dominio de la frecuencia" que s observa en la figura 1-12 (donde s es la
frecuencia), encuentre a) el equivalente de Thvenin y b) el equivalente de Norton del circuito a la derecha
de las terminales a, b.
a) Con las terminales a,b en circuito abierto, slo fluye la corriente de malla /(s); mediante LVK y la ley
de Ohm, con todas las corrientes y voltajes como funciones de s, tenemos
ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 15

Despus LVK da

Con las fuentes independientes desactivadas, la impedancia de Thvenin se puede determinar como

b) La corriente de Norton se puede encontrar con

y la admitancia de Norton con

b Figura 1-12

1.10 Determine los parmetros z para la red de dos puertos que se observa en la figura 1-13.
Cuando /2 =0, mediante la ley de Ohm,

Asimismo, en el nodo b, LCK da

(1)

As pues, segn (1.10),

Adems, nuevamente por la ley de Ohm,

(2)

La sustitucin de (2) en (1) da

de modo que, segn (1.12),


16 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

En seguida con /, =0. aplicando LCK en el nodo a nos da


(3)
La aplicacin de LVK entonces conduce a

de esta manera, mediante (1.11),

Ahora bien, la sustitucin de (2) en (3) da

Portante, de (1.13),

1.11 Determine los parmetros h para la red de dos puertos que se indica en la figura 1-13.
Para de esta manera, /, =V, /10 y, segn (1.16),

Adems, l2 =-/i y, mediante (1.18),

Ahora bien, Con h =0, la LVK da

y, de (1.17),

Finalmente, aplicando LCK en el nodo a da

de modo que, segn (1.19),


ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 17

1.12 Utilice (7.8), (7.9), y (7.76) a (7.79) para encontrar los parmetros h en trminos de los parmetros z.
Estableciendo V2 =0 en (7.9) da

de lo cual obtenemos

La sustitucin anterior de (7) en (7.8) y el uso de (7.76) da

Ahora bien, con /, =0. (7.8) y (7.9) se convierte en

de modo que, de (7.77),

y, de (7.79),

1.13 Los parmetros h de la red de dos puertos mostrada en la figura 1-14 son y
Encuentre la ganancia de voltaje

Por la ley de Ohm, de modo que (1. 15) puede escribirse como

Despejando /, y sustituyndolo en (7.14) da

con lo cual podemos despejar la ganancia de voltaje:


18 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

1.14 Determine el voltaje y la impedancia equivalentes de Thvenin a la derecha del puerto 1 del circuito que
se advierte en la figura 1-14.
El voltaje de Thvenin es V, de (1.8) con el puerto 1 en circuito abierto:

(1)
Ahora bien, por la ley de Ohm,

(2)
Pero, con /1 =0, la expresin (1.9) se reduce a

(3)
Restando (2) de (3) da

(4)
Puesto que en general, concluimos de (4) que
Sustituyendo (2) en (1.8) y (7.9) da

(5)

(6)

V, se encuentra despejando V2 y sustituyendo el resultado en (5):

Despus ZTh se calcula como la impedancia en el punto de excitacin

1.15 Encuentre el voltaje y la impedancia equivalentes de Thvenin en el puerto 1 del circuito que se indica en
la figura 1-14 si RL se reemplaza por una fuente de voltaje controlada por corriente de tal manera que V2
es una constante.
Como en el problema 1.14

Pero si /1 =0, la expresin (1.9) y las relaciones definidas para la fuente controlada conducen a

de lo cual l2 =0 y, por tanto, VTh =0.


Ahora sea V1 =VI)PI de modo que /, =/dp, y determinamos ZTh como la impedancia en el punto de
excitacin. De (1.8), (1.9), y las relaciones definidas para la fuente controlada, tenemos

(1)
(2)
Despejando /2 en (2) y sustituyendo el resultado en (1) da
ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 19

de lo cual la impedancia de Thvenin se encuentra con

1.16 La forma de onda de la corriente peridica mostrada en la figura 1-15 est compuesta por segmentos de
una sinusoide. Encuentre (a) el valor promedio de la corriente y (b) el valor de rms (eficaz) de la corriente.
a) Debido a que i(t) =0 cuando el valor promedio de la corriente es, de acuerdo a (1.20),

6) Segn (1.21) y la identidad

de modo que

Figura 1-15 Figura 1-16


1.17 Suponga que la forma de onda peridica que se indica en la figura 1-16 es una corriente (en vez de un
voltaje). Encuentre a) el valor promedio de la corriente y b) el valor rms de la corriente.
a) La integral indicada en (1.20) es simplemente el rea bajo la curva f(t) para un periodo. Podemos,
por lo tanto, encontrar el promedio de la corriente como

6) De manera anloga, la integral en (1.21) no es ms que el rea bajo la curva Por tanto,

1.18 Calcule el promedio y los valores rms de la corriente


Puesto que i(t) tiene periodo la expresin (1.20) da
20 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

Este resultado se esperaba, puesto que el valor promedio de una sinusoide en un ciclo es cero.
La ecuacin (1.21) y la identidad proporcionan el valor rms de (t):

de modo que

1.19 Encuentre el valor rms (o eficaz) de una corriente que consta de la suma de dos funciones que varan
sinusoidalmente con frecuencias cuya razn es un entero.
Sin prdida de generalidad, podemos escribir

donde k es un entero. Aplicando (1.21) y retomando


obtenemos

Realizando la integracin indicada y evaluando en los lmites resulta

1.20 Encuentre el valor promedio de la potencia entregada a una red de un puerto con una convencin de
signos pasivos (que es; la corriente que se dirige de la terminal positiva a la negativa)

El flujo de la potencia instantnea en el puerto est dado por

Segn (1.20),

Despus de realizar la integracin y evaluar sus lmites, el resultado es


ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 21

Problemas complementarios
1.21 Pruebe que el elemento capacitivo que se indica en la figura 1-1c) es un elemento lineal que satisface el
postulado del teorema de superposicin. (Sugerencia: vea el problema 1.1)

1.22

1.23 En la figura 1 -17, a) encuentre el voltaje y la impedancia equivalentes de Thvenin para ia red a la izquierda
de las terminales a, b y b) use el circuito equivalente de Thvenin para determinar la corriente lL.
Resp. a)

Figura 1-17 Figura 1-18

1.24 En el circuito mostrado en la figura 1-12, y la carga


es un resistor de a) Determine el equivalente de Thvenin para la red a la derecha de las terminales
a,b. b) Use el equivalente de Thvenin para encontrar la corriente de carga (Sugerencia: Los resultados
del problema 1.9 pueden utilizarse aqu, con s =/2.)

1.25 Encuentre el equivalente de Thvenin en el circuito puente como se ve a travs del resistor de carga RL
que se observa en la figura 1-18.

1.26 Suponga que el circuito puente mostrado en la figura 1-18 se equilibra mediante
Encuentre los elementos del circuito equivalente de Norton. Resp.

1.27 Para el circuito que se indica en la figura 1-19, a) determine el equivalente de Thvenin del circuito
a la izquierda de las terminales a,b, y b) use el equivalente de Thvenin para encontrar la corriente de
carga
22 ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS

Figura 1-19

1.28 En el circuito que se observa en la figura 1-20, sea , =RZ=RC = 1 Q y determine el equivalente de
Thvenin para el circuito a la derecha de las terminales a,b a) si vc =0.5/,, y b) si vc =0.5/2.

Figura 1-20

1.29 Encuentre el equivalente de Thvenin para la red a la izquierda de las terminales a,b, mostrada en la figura
a) si k =0, y b) si k =0.1. Use el equivalente de Thvenin para verificar los resultados del problema 1

1.30 Encuentre el equivalente de Thvenin para el circuito a la izquierda de las terminales a,b que se observa
en la figura 1-10, y selo para verificar los resultados del problema 1.5.

1.31 Otra solucin del problema 1.3 incluye la determinacin de un circuito equivalente de Thvenin el cual,
cuando est conectado a travs de la R2 =0.25i no lineal, permite el establecimiento de una ecuacin
cuadrtica para la corriente i mediante LVK. Encuentre los elementos del circuito de Thvenin y la corriente
resultante.

1.32 Use las ecuaciones (1.10) a (7.75) para encontrar los parmetros z en trminos de los parmetros n.

1.33 Para la red de dos puertos que se advierte en la figura 1-14, (a) obtenga la razn de la ganancia de voltaje
V2/V1 en trminos de los parmetros z, y luego evale dicha razn utilizando los valores de los parmetros
h dados en el problema 1.13 y los resultados del problema 1.32.
ANLISIS DE CIRCUITOS: DESDE EL PUNTO DE VISTA DE PUERTOS 23

1.34 Obtenga en trminos de los parmetros h, la razn de ganancia de corriente I2 /I1 para la red de dos puertos
mostrada en la figura 1-14:

1.35 Encuentre la razn de ganancia de corriente I2 /I1, para la red de dos puertos que vemos en la figura 1-14
en trminos de los parmetros z.

1.36 Determine el voltaje y la impedancia equivalentes de Thvenin, en trminos de los parmetros z,


observando hacia la derecha del puerto 1 de la red de dos puertos mostrada en la figura 1-14, si RL se
reemplaza por una fuente de voltaje independiente de cd Vd1, conectada de modo que V2 =V2.

1.37 Encuentre el voltaje y la impedancia equivalentes de Thvenin en trminos de los parmetros h, que se
ven a la derecha del puerto 1 de la red que vemos en la figura 1-14 si RL se reemplaza por una fuente de
corriente controlada por voltaje tal que y se supone que los parmetros h son
positivos.

1.38 Determine la impedancia en el punto de excitacin (la impedancia de entrada con todas las fuentes
independientes desactivadas) de la red de dos puertos que se advierte en la figura 1-14.

1.39 Evale los parmetros z de la red mostrada en la figura 1-10.

1.40 Encuentre la corriente /1 que se ve en la figura 1 -2


V.

1.41 Para una red de un puerto con una convencin de signos pasivos (Problema 1.20),
Calcule a) la potencia instantnea que fluye en la red y b) su potencia promedio.
Diodos
semiconductores

2.1 INTRODUCCIN
Los diodos se encuentran entre los dispositivos electrnicos ms viejos y ms ampliamente usados. Un diodo
puede definirse como un conductor casi unidireccional en el cual el estado de conductividad se determina mediante
la polaridad del voltaje entre sus terminales. El tema de este captulo es el diodo semiconductor, el cual est
formado por la unin metalrgica de materiales de tipo p y n. (Un material del tipo p es un elemento del grupo IV
impurificado con una pequea cantidad de material del tipo V; el material del tipo n es un elemento base del grupo
IV impurificado con un material del grupo III.)

2.2 EL DIODO IDEAL


El smbolo del rectificador comn o diodo se observa en la figura 2-1. El dispositivo tiene dos terminales
llamadas nodo (tipo p) y ctodo (tipo n), con lo cual queda claro su nombre. Cuando el voltaje terminal es no
negativo se dice que el diodo tiene polarizacin directa o est "encendido"; la corriente positiva que fluye
se llama corriente directa. Cuando se dice que el diodo est en polarizacin inversa o "apagado",
y la corriente negativa pequea correspondiente recibe el nombre de corriente inversa.

El diodo ideal es un dispositivo perfecto con dos estados que muestra una impedancia cero cuando la
polarizacin es directa y una impedancia infinita cuando la polarizacin es inversa (Figura 2-2). Obsrvese que,
como la corriente o voltaje es cero en cualquier instante, no existe potencia disipada en un diodo ideal. En muchas
aplicaciones de circuitos, la cada de voltaje directo del diodo y la corriente inversa son pequeos en comparacin
con otras variables del circuito; por eso, se obtienen resultados suficientemente exactos si el diodo real se
representa como ideal.
DIODOS SEMICONDUCTORES 25

El procedimiento del anlisis del diodo ideal es como sigue:

Paso 1: Supngase que es directo, y reemplcese el diodo ideal con un cortocircuito.


Paso 2: Evalese la corriente del diodo utilizando cualquier tcnica de anlisis para circuito lineal.
Paso 3:
Paso 4:
= 0, y despjese las cantidades del circuito deseadas utilizando cualquier mtodo en su anlisis. El
voltaje se determina y debe tener un valor negativo.

Ejemplo 2.1 Encuentre el voltaje en el circuito que se indica en la figura 2-3a), donde D es un diodo ideal.
El anlisis se simplifica si se encuentra el equivalente de Thvenin para el circuito a la izquierda de las
terminales a,b; el resultado es

Figura 2-3

Paso 1: Despus de reemplazar la red al lado izquierdo de las terminales a,b con el equivalente de Thvenin,
supngase que est polarizado directamente y reemplcese el diodo D con un cortocircuito, como se
ve en la figura 2-36).
Paso 2: Por la ley de Ohm,

Paso 3:
26 DIODOS SEMICONDUCTORES

Paso 4: Si y el resultado del paso 3 es invlido. El diodo D debe reemplazarse por un


circuito abierto como se ilustra en la figura 2-3c), y el anlisis se realiza de nuevo. Puesto que ahora iD
se verifica que el diodo est polarizado inversamente.

(Vase el problema 2-4 para la extensin de este procedimiento a un circuito multidiodo.)

2.3 CARACTERSTICAS DEL DIODO


El uso de la funcin de probabilidad de Fermi-Dirac para predecir cambios en la neutralizacin permite obtener
la ecuacin esttica (sin variacin en el tiempo) para la corriente del diodo de unin:

(2.1)

donde kT/q, V
VD voltaje entre las terminales del diodo, V
lo s corriente de saturacin de temperatura dependiente, A
T m temperatura absoluta de unin p-n, K
23
k * constante de Boltzmann (1.38 x 10- J/K)
19
q carga del electrn (1.6 x 10- C)
T) * constante emprica, 1 para Ge y 2 para Si

Ejemplo 2.2 Encuentre el valor de VT en (2.1) a 20 C.


Recordando que el valor del cero absoluto es -273 C, escribimos

En tanto que (2.1) sirve como modelo til del diodo de unin en cuanto a su resistencia dinmica, la figura
2-4 presenta regiones de inexactitud:

1. La cada real del voltaje directo (medido) es mayor que la que se obtiene de la ecuacin (2.1) (debida a la
resistencia hmica de los contactos entre el metal y el material semiconductor).
2. La corriente inversa real para es mayor que la calculada con (2.1) (debida a la corriente de fuga
s a lo largo de la superficie del material semiconductor).
3. La corriente real inversa se incrementa a valores significativamente grandes que los obtenidos con la ecuacin
(2.1) para (debido a un fenmeno complejo llamado disrupcin en avalancha).

En los diodos que se encuentran en el mercado, la impurificacin apropiada (adicin de impurezas) del material
base produce las diferentes caractersticas estticas para cada diodo. En la figura 2-5 se ve una comparacin de
las caractersticas del diodo de Si y para el de Ge. ambos tipos de diodos muestran una
corriente inversa casi constante /fl. En general, mientras que para
S en el caso de los diodos de nivel de seal (especificaciones de corriente directa menores que 1 A). En un diodo
con polarizacin directa, el voltaje de conduccin para entrar a la regin de resistencia baja est entre 0.2 y 0.3
V para Ge, y entre 0.6 y 0.7 v para Si.
En ambos diodos Ge y Si, la corriente de saturacin / se duplica con un incremento de temperatura de 10
C; en otras palabras, la razn de la corriente de saturacin en la temperatura T2 a la temperatura 7, es

(2.2)
DIODOS SEMICONDUCTORES 27

Figura 2-4

Figura 2-5

Ejemplo 2.3 Encuentre el porcentaje de incremento de la corriente de saturacin inversa de un diodo si la


temperatura se incrementa de 25 a 50 X).
Mediante (2.2)
28 DIODOS SEMICONDUCTORES

la unin p-n en polarizacin inversa; en una unin p-n polarizada en directo una capacitancia de difusin algo ms
grande (en general de varios cientos de picofarads), directamente proporcional a la corriente directa, se debe
incluir en el modelo (Problema 2.25.)

2.4 ANLISIS GRFICO


Una solucin grfica supone necesariamente que el diodo es una resistencia y, por consiguiente, que est
instantneamente caracterizada por su curva esttica iD en funcin de El balance de la red en estudio debe
ser lineal de modo que exista el equivalente de Thvenin para ella (Figura 2-6). Por eso, las dos ecuaciones
simultneas que se deben resolver grficamente para son la caracterstica del diodo.

(2.3)

y la lnea de carga

(2.4)

Ejemplo 2.4 En el circuito que se indica en la figura 2-3a), Determine grficamente


utilizando la caracterstica del diodo de la figura 2-7.
El circuito puede reducirse al que se muestra en la figura 2.6, con

En consecuencia, con esos valores la lnea de carga (2.4) debe sobreponerse a la caracterstica del diodo, como
se ve en la figura 2-7. La solucin deseada, est dada por el punto de interseccin de las
dos grficas.

Ejemplo 2.5 Si todas las fuentes varan con el tiempo en la parte original de una red lineal, entonces es
tambin una fuente de variacin con el tiempo. En forma reducida [Figura 2-8a)], cada una de las redes tiene un
voltaje de Thvenin el cual es una onda triangular con una cresta de 2 V. Determine en esta red.
En este caso no existe un valor nico de iD que satisfaga las ecuaciones simultneas (2.3) y (2.4); ms bien,
aqu existe un valor de iD correspondiente a cada valor que toma Una solucin aceptable para iD puede
encontrarse considerando un nmero finito de valores de Puesto que es repetitivo, iD ser repetitivo tambin
(con el mismo periodo), as que slo se necesita considerar un ciclo.
Como se indica en la figura 2-86), comenzamos trazando una grfica escalada de en funcin del tiempo,
con el eje de paralelo al eje de la caracterstica del diodo. Luego seleccionamos un punto en la grfica
tal que Considerando que el tiempo se detiene en construimos una lnea de carga para
este valor en la grfica de la caracterstica del diodo; sta interseca el eje
0.5/50 =10 mA. Determinamos el valor D en el cual esta lnea de carga interseca la caracterstica, y trazamos el
punto en un sistema coordenado de iD en funcin del tiempo elaborado a la izquierda de la curva caracterstica
del diodo. Despus aumentamos el tiempo para algn nuevo valor, y repetimos ntegramente el proceso. Y
continuamos hasta que se acomplete un ciclo de Puesto que la lnea de carga est cambiando continuamente,
se le llama lnea de carga dinmica. La solucin de una grfica de iD difiere drsticamente de la forma de una
grfica de debido a la no linealidad del diodo.
DIODOS SEMICONDUCTORES 29
30 DIODOS SEMICONDUCTORES

Ejemplo 2.6 Si se presentan ambas fuentes una de cd y otra con variacin en el tiempo, en la parte lineal original
de una red, entonces es una combinacin en serie de una fuente de cd y una que vara con el tiempo. Suponga
que la fuente de Thvenin de una red particular combina una batera de 0.7 V y una fuente sinusoidal con una
cresta de 0.1 V, como la que se observa en la figura 2-9a). Encuentre para la red.
Trazamos una grfica escalada de con el eje paralelo al eje vD de la curva caracterstica del diodo.
Luego consideramos el componente ca de para estar momentneamente en cero (f =0) y graficamos una
lnea de carga para este instante en la caracterstica del diodo. Esta lnea de carga particular se llama lnea de
carga de cd, y su interseccin con la curva caracterstica del diodo se denomina punto esttico o punto Q. Los
valores de en el punto Q se l l a m a n r e s p e c t i v a m e n t e , en la figura 2-9b).
En general, se necesitan varias lneas de carga dinmicas para terminar el anlisis de iD en un ciclo de
Sin embargo, en el caso de la red en estudio se requieren solamente las lneas de carga dinmicas para los valores
mximos y mnimos de La razn es que la caracterstica del diodo es casi una lnea recta cercana al punto Q
[de a a b en la figura 2-9b)], de modo que habr una distorsin despreciable en la componente ca de As
pues, ser de la misma forma que (por ejemplo, sinusoidal), y sta puede ser fcilmente trazada una vez que
los extremos de variacin hayan sido determinados. La solucin de iD es

donde /dm es la amplitud del trmino sinusoidal.


sen

2.5 ANLISIS DEL CIRCUITO EQUIVALENTE


Tcnicas lineales por secciones

En el anlisis lineal por secciones, la curva caracterstica del diodo se aproxima con los segmentos de una
lnea recta. Aqu usaremos slo las tres aproximaciones mostradas en la figura 2-10, en la cual se reemplaza el
diodo real por las combinaciones de diodos ideales, resistores y bateras. El modelo ms simple que se observa
en la figura 2-1 Oa) trata el diodo real como una resistencia infinita para y como una batera ideal si tiende
a ser ms grande que VF. El VF se selecciona normalmente de 0.6 a 0.7 V para un diodo de Si y de 0.2 a 0.3 V
para un diodo de Ge.
Si se requiere mayor precisin en la aplicacin del intervalo de conduccin directa se introduce un resistor
RF, como se indica en la figura 2-10b). Si la corriente inversa del diodo (/D <0) no puede despreciarse, entonces
se introduce un refinamiento adicional (RR ms un diodo ideal) como se ve en la figura 2-1 Oc).

Tcnicas de seales pequeas


El anlisis de seales pequeas se puede aplicar al circuito del diodo mostrado en la figura 2-9 si la amplitud
de la seal de ca es suficientemente pequea como para que la curvatura de la caracterstica del diodo pueda
despreciarse en el intervalo de operacin (de b a a). Entonces el voltaje del diodo y la corriente pueden escribirse
como la suma de una seal de cd y una seal de ca sin deformacin. Adems, la razn del voltaje de ca del
diodo a la corriente id de ca del diodo sern constantes e iguales a

(2.5)

donde rd se conoce como resistencia dinmica del diodo. Se deduce (de un argumento de circuitos lineales) que
los componentes de la seal de ca pueden determinarse mediante el anlisis del circuito de "seal pequea" que se
advierte en la figura 2-11; si la frecuencia de la seal de ca es grande, puede colocarse un capacitor en paralelo
2 DIODOS SEMICONDUCTORES 31

Figura 2-9
DIODOS SEMICONDUCTORES
DIODOS SEMICONDUCTORES 33

con rd para simular el agotamiento o la capacitancia de difusin como se estudi en la seccin 2.3. Generalmente
los componentes de cd o de seal en reposo deben determinarse por mtodos grficos puesto que la caracterstica
del diodo no es lineal.

Ejemplo 2.7 Para el circuito que se observa en la figura 2-9, determine /D.
La corriente /DQ en el punto Q se ha determinado como 36 mA (Ejemplo 2.6). La resistencia dinmica del diodo
en el punto Q puede evaluarse grficamente:

Ahora el circuito para seal pequea mostrado en la figura 2-11 puede analizarse para encontrar /d:

La corriente total del diodo se obtiene por superposicin y coincide bien con lo que se encontr en el ejemplo 2.6:

Ejemplo 2.8 Para el circuito que se indica en la figura 2-9, determine y la capacitancia de
difusin es 5000 pF.
Del ejemplo 2.7, La capacitancia de difusin Cd acta en paralelo con rd para proporcionar la
siguiente impedancia equivalente del diodo como se vio en la seal de ca:

En el dominio de la frecuencia, del circuito de seal pequea (Figura 2-11) se obtiene

En el dominio del tiempo, con /DQ como se descubri en el ejemplo 2.6, tenemos

2.6 APLICACIONES DEL DIODO COMO RECTIFICADOR


Los circuitos rectificadores son recles de dos puertos en las que se aprovecha la conduccin unilateral del
diodo: Un voltaje de ca se aplica en el puerto de entrada y aparece un voltaje de cd en el puerto de salida.
El circuito rectificador ms simple (Figura 2-12) contiene un diodo sencillo. Se le llama comnmente
rectificador de media onda debido a que el diodo conduce durante las mitades positiva o negativa de la forma de
onda del voltaje de entrada.
34 DIODOS SEMICONDUCTORES

Figura 2-12

Ejemplo 2.9 y el diodo es ideal. Calcule el valor promedio de


Se necesita considerar slo un ciclo de Para el medio ciclo positivo, y, mediante la divisin del voltaje,

Para el medio ciclo negativo, el diodo est en polarizacin inversa, iD =0 y =0. Por tanto,

Aunque el rectificador de media onda da una salida de cd, la corriente fluye a travs de RL slo la mitad del
tiempo y el valor promedio del voltaje de salida es apenas veces el valor mximo del voltaje sinusoidal
de entrada. El voltaje de salida puede mejorarse mediante un rectificador de onda completa (vanse los problemas
2.27 y 2.48).
Cuando se utilizan los rectificadores como fuentes de potencia de cd, conviene que el valor promedio del
voltaje de salida permanezca casi constante aun cuando vare la carga. El grado de constancia se mide como
regulacin del voltaje.

(2.6)
lo cual se expresa normalmente como porcentaje. Observe que la regulacin de 0 por ciento significa un voltaje
constante de salida.

Ejemplo 2.10 Encuentre la regulacin del voltaje del rectificador de media onda indicado en la figura 2-12.
Del ejemplo 2.9, sabemos que

(2.7)

Suponiendo que para cuando no hay carga, podemos escribir

As pues, la regulacin del voltaje es

2.7 FILTRACIN DE FORMA DE ONDAS


La salida de un solo rectificador no es suficiente para suministrar potencia, debido a su variacin con respecto
al tiempo. La situacin se mejora colocando un filtro entre el rectificador y la carga. El filtro acta como supresor
DIODOS SEMICONDUCTORES 35

de las armnicas de la forma de onda del rectificador y conserva la componente de cd. El factor de ondulacin es
una medida de bondad de la forma de ondas rectificadas filtradas y no filtradas.
variacin mxima en el voltaje de salida
(2.8)
valor mximo en el voltaje de salida
Normalmente se dice que un valor pequeo es alcanzable y prctico.

Ejemplo 2.11 Calcule el factor de ondulacin para el rectificador de media onda del ejemplo 2.9a) sin un filtro y
b) con un filtro de capacitor en paralelo como se muestra en la figura 2-13a).
a) Para el circuito del ejemplo 2.9,

Figura 2-13

b) El capacitor que se observa en la figura 2-13 almacena energa, mientras que el diodo permite que la corriente
fluya, y entrega energa a la carga cuando el flujo de la corriente est bloqueado. El voltaje de carga real
que resulta con el filtro insertado est trazado en la figura 2-13b), para el cual suponemos que sen
y que D es un diodo ideal. En el caso de D es un capacitor de polarizacin directa y C se carga
al valor es menor que la polarizacin inversa de D provoca que ste acte como un
circuito abierto. Durante este intervalo el capacitor se descarga a travs de dando
(2.9)
En el intervalo el diodo D se polariza en directo y se carga nuevamente el capacitor a un valor
Entonces cae por debajo del valor de y ocurre otro ciclo de descarga idntico al primero.
Es obvio que, si la constante de tiempo RLC es suficientemente grande (comparada con T) se produce
una disminucin del voltaje VL como el indicado en la figura 2-13b), se habr logrado una reduccin mxima
en y un incremento mximo en relacionados con el rectificador no filtrado. La introduccin de dos
aproximaciones totalmente razonables conduce a establecer frmulas simples para y, por tanto,
para F,. Esas frmulas son lo suficientemente exactas para el diseo y el trabajo de anlisis.
36 DIODOS SEMICONDUCTORES

1. Si es pequeo, entonces mostrado en la figura 2-13b)

2. Si es suficientemente pequeo, entonces (2.9) puede representarse en el i n t e r v a l o p o r una lnea


recta con una pendiente de magnitud

La lnea punteada llamada "Aproximacin "que se ve en la figura 2-136) realiza estas dos aproximaciones.
Del tringulo recto abc,

donde f es la frecuencia de Puesto que, en esta aproximacin,

y es supuestamente grande,

(2.10)

2.8 OPERACIONES DE RECORTE Y SUJECIN


Los circuitos de recorte del diodo separan una seal de entrada con un nivel particular de cd y llegan a la
salida sin distorsin, la parte superior deseada o inferior de la forma de onda original. Se utilizan para eliminar el
ruido de amplitud o para fabricar nuevas formas de ondas de una seal existente.

Ejemplo 2.12 La figura 2-14a muestra un circuito recortador positivo, el cual recorta una parte de la seal de
entrada que es ms grande que Vb y pasa como seal de salida a cualquier parte de que sea menor que
DIODOS SEMICONDUCTORES 37

Vb. Como puede verse, es negativo cuando provocando que el diodo ideal acte como circuito abierto.
El valor de aparece en las terminales de salida como sin trayectoria para que la corriente fluya a travs de R.
Sin embargo, cuando el diodo conduce actuando como cortocircuito y haciendo que se cumpla que
La grfica de transferencia o caracterstica de transferencia para el circuito en la figura 2-14b) contiene las
relaciones entre el voltaje de entrada tomado de aqu como y el voltaje de salida.

Sujecin, es un proceso de fijacin de las crestas positiva o negativa de una forma de onda de entrada de ca
a un nivel especfico de cd, sin importar cualquier variacin en dichas crestas.

Ejemplo 2.13 Un circuito ideal de sujecin se indica en la figura 2-15b) y una forma de onda triangular de entrada
de ca, en la figura 2-15a). Si el capacitor C est descargado inicialmente, el diodo ideal D est polarizado
directamente para y acta como un cortocircuito, mientras que el capacitor se carga a En
D opera como un circuito abierto lo que interrumpe la nica trayectoria posible de descarga del capacitor. As
pues, el valor se conserva; puesto que nunca puede excederse de permanece en polarizacin
inversa para toda d a n d o L a funcin se traza como se ve en la figura 2-15c); todas las
crestas positivas son ajustadas a cero, y el valor promedio se cambia de 0 a

2.9 EL DIODO ZENER


El diodo Zener o diodo de referencia, cuyo smbolo se indica en la figura 2-16a), tiene su uso principal como
un regulador de voltaje o referencia. La caracterstica de conduccin directa de un diodo Zener es muchas veces
la misma que la de un diodo rectificador; sin embargo, ste opera normalmente con polarizacin inversa, en cuyo
caso su caracterstica es radicalmente diferente. Observe, en la figura 2-16b) que:

1. La ruptura de voltaje inverso es ms bien abrupta, el voltaje de ruptura puede controlarse a travs del proceso
de manufacturacin por lo que tiene un valor razonablemente predecible.
2. Cuando un diodo Zener est en ruptura inversa, su voltaje permanece extremadamente cerca del valor de la
ruptura, mientras que la corriente vara de la corriente nominal (/z) a 10 por ciento o menos de la corriente
nominal lz.

Un regulador Zener debe disearse de modo que para asegurar que permanezca constante.
38 DIODOS SEMICONDUCTORES

b
fl)
Figura 2-16 )

Ejemplo 2.14 Encuentre el voltaje en el diodo Zener indicado en la figura 2-16a) y se conoce
que
Puesto que la operacin est en la regin segura y pronosticable del diodo Zener. Por tanto,

Frecuentemente Rz se desprecia en el diseo de los reguladores Zener. El problema 2.29 ilustra la tcnica
del diseo.

Problemas resueltos
2.1 A una temperatura de unin de 25 C, para qu intervalo de fluctuacin en la cada de voltaje la
ecuacin (2.1) puede aproximarse como con menos del 1 por ciento de error para un diodo
Ge?
De (2.1) con el error ser menor del 1 por ciento si Para este intervalo,

2.2 Un diodo de Ge descrito por (2.1) se opera a una temperatura de unin de 27 C. Para una corriente directa
de 10 mA, se encuentra que es 0.3 V. a) Si calcule la corriente directa, b) Encuentre la
corriente de saturacin Inversa.
a) Formamos la razn
DIODOS SEMICONDUCTORES 39

Despus

b) Segn (2.7),

2.3 Para el circuito que se ve en la figura 2-17a), trace las formas de onda de si el voltaje de la fuente
es como el que se indica en la figura 2-17b). El diodo es ideal, y
Si conduce de modo que

Si D obstruye de modo que como se indica en la figura 2-17c).

2.4 Ample el procedimiento del anlisis del diodo ideal de la seccin 2.2 para el caso de diodos mltiples
despejando la corriente iL en el circuito de la figura 2-18a). Suponga que son ideales. Y adems
es una onda cuadrada de 10 V de un periodo de 1 ms.

Paso 1; Suponga que ambos diodos estn polarizados directamente, y reemplace cada uno con un cortocircuito
como se muestra en la figura 2-18b).
Paso 2: Puesto que D, est "encendido", o en el estado de impedancia cero, la divisin de corriente requiere
que

Por tanto, segn la ley de Ohm,

(2)

Paso 3: Observe que cuando segn (2) t e n e m o s , A s i m i s m o , mediante (1),


As todas las corrientes del diodo son ms grandes o iguales que cero, y el anlisis es vlido.
Sin embargo, cuando tenemos, p o r y e l anlisis n o e s vlido.
Paso 4: Reemplace D, con un circuito abierto como se observa en la figura 2-18c). Ahora obviamente
segn la ley de Ohm,

Adems, la divisin del voltaje requiere que


40 DIODOS SEMICONDUCTORES

Figura 2-17

Figura 2-18

de modo que verificando que D1, realmente es el diodo con polarizacin inversa. Observe
que, si D2 hubiera sido reemplazado con un circuito abierto, podramos haber encontrado que
realmente no habra estado en polarizacin inversa.
DIODOS SEMICONDUCTORES 41

2.5 En el circuito que se ve en la figura 2-19, los diodos D1 y D2 son ideales. Encuentre /D, y /D2.

Debido a las polaridades de D1 y D2, es necesario que As pues, Pero


V1; as pues, y t a m b i n a pesar de las condiciones en ia malla del lado derecho. Esto conduce

Figura 2-19
42 DIODOS SEMICONDUCTORES

a 02 = s- Ahora usando el procedimiento del anlisis de la seccin 2.2, suponemos que D2 est en
polarizacin inversa y lo reemplazamos por un cortocircuito. Segn LVK,

Puesto que est, en efecto, polarizado directamente y el anlisis es vlido

2.6 La compuerta lgica OR puede utilizarse para fabricar formas de ondas compuestas. Trace la salida
de la compuerta indicada en la figura 2-20a) si las tres seales de la figura 2-20b) estn presentes en las
terminales de entrada. Suponga que los diodos son ideales.
Para este circuito, LVK da

por ejemplo, los voltajes del diodo tienen el mismo orden que los voltajes de entrada. SuDonga que es
positivo y que excede a Entonces O, debe estar en polarizacin directa, c o n y , por lo tanto,
En consecuencia, D2 y D3 obstruyen, mientras que pasa como En general, esto es
as: La compuerta lgica OR establece que la seal de entrada positiva ms grande se pasa com<
mientras que se obstruye el resto de las seales de entrada. Si todas las seales de entrada son negativas,
La aplicacin de esta lgica da el trazo de mostrado en la figura 2-20c).

2.7 El diodo en el circuito que se observa en la figura 2-21a) tiene la caracterstica terminal no lineal de la
figura 2-21 b). Encuentre en forma analtica

El circuito equivalente de Thvenin a la izquierda de las terminales a,b de la red que se indica en la
figura 2-21a) tiene

El diodo se puede modelar como en la figura 2-1 Ob), con

El circuito equivalente de Thvenin junto con el modelo del diodo se representan en el circuito que se ve
en la figura 2-21 c). Ahora, por la ley de Ohm,
DIODOS SEMICONDUCTORES 43

2.8 Resuelva grficamente para iD el problema 2.7.

El circuito equivalente de Thvenin ya ha sido determinado en el problema 2.7. Segn (2.4), la lnea
de carga de cd est dada por

(1)
En la figura 2-22, (1) ha sido superpuesto en la caracterstica del diodo, regraficando de la figura 2-21 b).
Como en el ejemplo 2.6, las escalas de tiempo equivalentes para son colocadas adyacentes a la
curva caracterstica. Puesto que la caracterstica del diodo es lineal cerca del punto Q en la fluctuacin
de operacin, slo necesitan dibujarse las lneas de carga dinmicas correspondientes al mximo y
mnimo. Una vez que son construidas paralelamente a la lnea de carga de cd, iD puede trazarse.

Figura 2-22

2.9 Use la tcnica de seal pequea mostrada en la seccin 2.5 para encontrar en el problema 2.7.
El circuito equivalente de Thvenin del problema 2.7 es vlido aqu. Adems, la Interseccin de la
lnea de carga de cd y la caracterstica del diodo que se ve en la figura 2-22 dan
V. Segn (2.5) la resistencia dinmica es, pues,
44 DIODOS SEMICONDUCTORES

Tenemos ahora todos los valores necesarios para el anlisis utilizando el circuito de seal pequea
mostrado en la figura 2.11. Por la Ley de Ohm.

2.10 Una fuente de voltaje, se coloca directamente a travs de un diodo caracterizado


por la figura 2-21 b). La fuente no tiene impedancia interna y su polaridad es apropiada para la polarizacin
directa del diodo, a) Trace la corriente resultante del diodo /D. o) Determine el valor de la corriente de
reposo ID.

a) Una grfica escalada de se ha colocado en forma adyacente al eje de la caracterstica del diodo indicada
en la figura 2-23. Con una resistencia cero entre la fuente de voltaje ideal y el diodo, la lnea de carga tiene
DIODOS SEMICONDUCTORES 45

una pendiente infinita y As iD se encuentra proyectando punto por punto de sobre la caracterstica
del diodo, seguida por la reflexin a travs del eje de iD. Observe que i'D est extremadamente distorsionada,
presentando un pequeo parecido con

2.11 En el circuito mostrado en la figura 2-3a) suponga que


El diodo es ideal, con una corriente de saturacin inversa y una clasificacin de voltaje inverso
de pico (VIP) d a) Fallar el diodo por la ruptura de avalancha? b) Si el diodo fallara, existe
un valor de RL para el cual no ocurrir la falla?
a) Del ejemplo 2.1.

El circuito se analiza como se indica en la figura 2-3c); los instantes de inters son
. . . , en cuyos tiempos est en su valor ms negativo.
Una aplicacin de LVK da

(1)
Puesto que , ocurre la falla de avalancha
6) De (7), queda manifiesto que s

Figura 2-24

2.12 En el circuito de la figura 2-24, un generador de onda rectangular de 10 V con un periodo de


.Trace para los dos primeros ciclos si el capacitor ; inicialmente est descargado
y el diodo es ideal.
En el intervalo

Para
46 DIODOS SEMICONDUCTORES

Y para , D nuevamente obstruye y el voltaje del capacitor permanece en

Las formas de onda de se trazan en la figura 2-25.

Figura 2-25

2.13 El circuito indicado en la figura 2-26a) es un regulador de voltaje "inexpansivo"; todos los diodos son
idnticos y tienen la caracterstica sealada en la figura 2-21 b). Encuentre la regulacin de cuando
se incrementa de su valor nominal de 4 V al valor 6 V. Suponga que

Determinamos en el problema 2.7 que cada diodo puede modelarse como una batera, ,y
un resistor, , en serie. Combinando las cadenas de los diodos entre los puntos a y b y entre los
puntos b y c se obtiene el circuito que se ve en la figura 2-26b), donde

Segn LVK,

de donde

y (2.6) da
DIODOS SEMICONDUCTORES 47

2.14 El circuito que vemos en la figura 2-17a) se usa como fuente de potencia de cd que alimenta una carga
RL que flucta entre es una onda cuadrada de 10 V. Determine el cambio en el valor
promedio de en porcentaje para el intervalo de variacin de la carga, y comente la calidad de regulacin
mostrada por este circuito.
Sea T el periodo de cuando

y as

Este valor grande de regulacin es prohibitivo en la mayora de las aplicaciones. Ningn otro circuito o
una red filtradora seran necesarios para hacer que esta potencia suministrada fuera til.

2.15 El circuito de la figura 2-27 agrega un nivel de cd (un voltaje de polarizacin) a una seal cuyo valor
promedio es cero. SI es una onda cuadrada de 10 V de periodo y el diodo es ideal,
encuentre el valor promedio de
48 DIODOS SEMICONDUCTORES

Figura 2-27

Si D est con polarizacin directa y tiene polarizacin inversa y

As pues,

En algunas seales de entrada simtricas, este tipo de circuito podra destruir la simetra de la entrada.

2.16 Dimensione el capacitor de filtro en el circuito rectificador mostrado en la figura 2-13 de modo que el voltaje
de ondulacin sea aproximadamente de 5 por ciento del valor promedio del voltaje de salida. El diodo es
ideal, Calcule el valor promedio de para este filtro.

Por tanto, utilizando la aproximacin de (2.10), tenemos

2.17 En el circuito recortador positivo que se ve en la figura 2-14a), el diodo es ideal y es una onda triangular
de 10 V con un periodo T. Trace un ciclo del voltaje de salida

El diodo obstruye (acta como un circuito abierto) para d a n d o e l diodo


est en conduccin directa, recortando v para efectuar La forma de onda del voltaje de salida
resultante est trazada en la figura 2-28.

2.18 Dibuje una caracterstica de transferencia relacionando con para la red recortadora positiva del
problema 2.17. Asimismo, trace un ciclo de la forma de onda de salida si
DIODOS SEMICONDUCTORES 49

E l diodo obstruye para y conduce para A s p u e s , c o n


La caracterstica de transferencia se muestra en la figura 2-29a). Para la seal de entrada dada,
la salida es una onda sinusoidal con la cresta positiva recortada en 6V, como se indica en la figura 2-29/b).

Figura 2-29

2.19 Invierta el diodo que se indica en la figura 2-14a) para crear una red recortadora negativa, a) Sea
V, y dibuje las caractersticas de la red de transferencia, b) Trace un ciclo de la forma de onda de salida
si
50 DIODOS SEMICONDUCTORES

a) El diodo conduce para y obstruye cuando . Por tanto,


V cuando La caracterstica de transferencia se dibuja en la figura 2-30a).
b) Con el recortador negativo, la salida concuerda con las crestas positivas de arriba de 6 V
y es de 6 V en caso contrario. La figura 2-30 seala la forma de onda de la salida.

Figura 2-30
DIODOS SEMICONDUCTORES 51

2.20 Se aplica una seal al circuito de fijacin de la figura 2-15b). Tratando el diodo en forma
ideal, trace la forma de onda de salida para Inicialmente, el capacitor est descargado.
Cuando el diodo est con polarizacin directa, dando como los cambios en
y as el diodo permanece en el modo de obstruccin, produciendo

La forma de onda de salida est trazada en la figura 2-31.

Figura 2-32

2.21 Los diodos en el circuito que se observa en la figura 2-32 son ideales. Trace la caracterstica de
transferencia para
La inspeccin del circuito muestra que /2 puede no tener una componente por la batera de 10 V
debido a que D2 tiene la peculiaridad de conduccin en un solo sentido. As pues, D, est "apagado" para
V, <0; entonces vD2 =-10 V y V =0.
Ahora O, est "encendido" sin embargo, D2 est "apagado" si El principio de
conduccin para D2 ocurre cuando Vab = 10 V con / 2 = 0 o cuando, por medio del divisor de voltaje,

Por lo tanto, (1)


As pues, si est "encendido" y Pero, si est "apagado",
estn dados en funcin de segn (1). La figura 2-33 indica el resultado compuesto.

Figura 2-33
52 DIODOS SEMICONDUCTORES

2.22 Suponga que el diodo D2 se invierte en el circuito mostrado en la figura 2r32. Trace la caracterstica de
transferencia resultante para
El diodo D2 est ahora "encendido" y hasta que V1 se incrementa lo suficiente como para
que , el punto en que . Esto es, ' hasta que

(1)

o hasta que

Para l y (1) permanece vlido. La caracterstica de transferencia resultante se observa con


lnea punteada en la figura 2-33.

2.23 Suponga que se agrega un resistor a travs de las terminales c,d del circuito que se ve en la
figura 2-32. Describa los cambios que se presentan en la caracterstica de transferencia del problema
2.21.
Aqu no hay cambio en la caracterstica de transferencia si . Sin embargo, D2 permanece
"apagado" hasta que sea s e incrementa y . E n e l umbral d e conduccin para D2, l a corriente
a travs de D2 es cero; as,

Por lo tanto, por la ley de Ohm,

As pues, ' cuando y el punto de ruptura mostrado en el problema 2.21 en


se ha movido a . La caracterstica de transferencia p a r a s e traza y se muestra en
la figura 2-33.

2.24 Trace la caracterstica de entrada de la red que se observa en la figura 2-34a) cuando a) el interruptor
est abierto y b) cuando est cerrado.

Fiaura 2-34

La solucin se encuentra ms fcilmente si la fuente de corriente y resistor se reemplazan por los equivalentes
de Thvenin
DIODOS SEMICONDUCTORES 53

a)LVK d a l a cual e s l a ecuacin d e una lnea recta que s e interseca con e l e j e y e l


La pendiente de la lnea es Se traza la caracterstica mostrada en la figura 2-34b).
b) El diodo est polarizado en inversa y acta como un circuito abierto cuando Se deduce que la
caracterstica de aqu es idntica a la del interruptor abierto si Pero si el diodo est con
polarizacin directa y acta como un cortocircuito. En consecuencia, nunca puede alcanzar los
valores negativos y la corriente i puede incrementarse negativamente sin lmite. La grfica corres-
pondiente se incluye en la figura 2-34c).

2.25 En el circuito de seal pequea que se ve en la figura 2-35, el capacitor modela la capacitancia de difusin
del diodo, de modo que se conoce por ser de frecuencia As pues,
Encuentre el ngulo de fase a) entre id, y y b) entre
a) La capacitancia de difusin produce una reactancia

As pues, id adelanta a mediante un ngulo de fase de 26.57.


b) Sea la impedancia vista a la derecha de entonces

Por lo tanto, adelanta a mediante un ngulo de 26.57-4.76 =21.81.

Figura 2-35

2.26 Utilizando diodos ideales, resistores y bateras, sintetice un circuito generador de una funcin que
conduzca a la caracterstica de i-v indicada en la figura 2-36a).
Puesto que la caracterstica tiene dos puntos de corte, se requieren dos diodos. Ambos diodos deben
estar orientados de modo que la corriente no fluya para Adems, un diodo debe moverse a
polarizacin directa en el primer punto de ruptura, y el segundo diodo debe comenzar la
conduccin en Observe tambin que la pendiente de la grfica es la recproca de la re-
sistencia del equivalente de Thvenin de la parte activa de la red.
El circuito que se observa en la figura 2-36b) producir la grfica dada
Estos valores se obtienen como sigue:
1. S i s o n negativos, ambos diodos obstruyen y n o fluye corriente.
2. Si tiene polarizacin directa y acta como un cortocircuito, mientras que es
negativo y provoca que D2 acte como un circuito abierto, se encuentra como el recproco de la
pendiente en ese rango:
54 DIODOS SEMICONDUCTORES

3. S ambos diodos tienen polarizacin directa,

a) b)
Figura 2-36
2.27 Encuentre para el circuito del rectificador de onda completa mostrado en la figura 2-37a), tratando al
transformador y a los diodos como ideales.
Los dos voltajes llamados indicados en la figura 2-37a) son idnticos en magnitud y fase. El
transformador ideal y la fuente de voltaje pueden, pues, ser reemplazados por dos fuentes de voltaje
idnticas, como se ve en la figura 2-37b), sin alterar el comportamiento elctrico del balance de la red.
Cuando es positivo, D, tiene polarizacin directa y conduce pero D2 tiene polarizacin inversa y
obstruye. A la inversa, cuando es negativa, D2 conduce y D, obstruye. En resumen,

Segn LCK

y as

2.28 El diodo Zener en el circuito regulador de voltaje de la figura 2-38 tiene un voltaje inverso de ruptura
constante para . Si , dimensiones Rs de modo que se regula
a (mantiene en) 8.2 V, mientras aue Vb vara entre por ciento de su valor nominal 12 V.
DIODOS SEMICONDUCTORES 95

Figura 2-37

Segn la ley de Ohm,

Ahora una aplicacin de la LVK da

(1)

Figura 2-38

y usamos (1) para calcular fls para tener una corriente mxima del Zener l2 en el valor ms alto de

Ahora revisamos si en el valor ms bajo de Vb:

Puesto que y se conserva la regulacin.

2.29 Un diodo Zener tiene las especificaciones Suponga a) Encuentre la


corriente mxima disponible cuando el diodo Zener est actuando como regulador, b) Si un circuito de
slo una malla consta de una fuente ideal de cd de 15 V, un resistor variable R y el diodo Zener descrito,
encuentre el intervalo de valores de R para los cuales el diodo Zener permanece en ruptura constante
inversa sin riesgo de fallar.

a)
56 DIODOS SEMICONDUCTORES

b) Segn LVK,

De la seccin 2.9, sabemos que la regulacin se conserva si

La falla por sobrecorriente se evita si

As pues, necesitamos

2.30 Un diodo emisor de luz (LED) tiene una cada de voltaje directo ms grande que un diodo comn de seal.
Un LED comn puede modelarse como una cada de voltaje constante directo de Su intensidad
luminosa vara directamente con la corriente directa y se describe por

Un circuito en serie consta de un LED, un resistor limitador de corriente R y una fuente V, de cd de 5 V.


Encuentre el valor de fi tal que la intensidad luminosa sea 1 mcd.
Segn (), debemos tener

De LVK, tenemos

de modo que

2.31 El voltaje de ruptura inverso del LED del problema 2.30 est garantizado por el fabricante para que sea
menor que 3 V. Conociendo que la fuente de cd de 5 V puede aplicarse inadvertidamente de modo que
polarice al LED en forma inversa, deseamos agregar un diodo Zener para asegurarnos de que la ruptura
inversa del LED nunca pueda ocurrir. Un diodo Zener est disponible tiene y una
cada directa de 0.6 V. Describa la conexin apropiada del Zener en el circuito para proteger al LED y
determine el valor de la intensidad luminosa que resultar si R est inalterado respecto del problema 2.31.

El diodo Zener y el LED deben conectarse en serie de modo que el nodo de un dispositivo se conecte
al ctodo del otro. Por consiguiente, aun cuando la fuente de 5 V se conecta al revs, el voltaje inverso
a travs del LED ser menor de Cuando la fuente de cd se conecta al LED en
polarizacin directa, tendremos

de modo que
DIODOS SEMICONDUCTORES 57

Problemas complementarios
2.32 Un diodo de Si tiene una corriente de saturacin a) Encuentre la corriente directa
iD si la cada directa vD es 0.5 V. b) Este diodo est especificado para una corriente mxima de 5 A. Cul
es su temperatura de unin en la corriente especificada si la cada directa es 0.7 V?

2.33 Resuelva el problema 2.1 para un diodo de Si.

2 . 3 4 L o s datos del laboratorio para un diodo de Si descritos por (2.1) muestran q u e c u a n d o


para . Encuentre a) la temperatura para la cual los datos fueron tomados y b)
la corriente inversa de saturacin.

2.35 Para qu voltaje la corriente inversa de un diodo de Ge que se describe en (2.1) alcanzar el 99 por
ciento de su valor de saturacin a una temperatura de 300 K?

2.36 Encuentre el incremento en la temperatura necesario para aumentar la corriente de saturacin Inversa
de un diodo por un factor de 100.
Resp. 66.4 C

2 . 3 7 E l diodo del problema 2.32 est operando en un circuito donde ste tiene resistencia dinmica
Cules deben ser las condiciones de reposo?

2.38 El diodo del problema 2.32 tiene corriente directa Encuentre el voltaje total
a travs del diodo.

2.39 Encuentre la potencia disipada en el resistor de carga del circuito que se observa en la figura
2-17a) si el diodo es ideal y
Resp. 206.6 mW

2.40 La compuerta lgica AND indicada en la figura 2-39a) tiene un tren de pulso en su entrada como se indica
en la figura 2-396). La seal es errtica, cayendo por debajo del nivel nominal lgico de cuando en
cuando. Determine
Resp. diferente de cero

2.41 La compuerta lgica AND mostrada en la figura 2-39a) se usa para generar un tren de pulsos burdos
proporcionando Determine (a) la amplitud y (b) el periodo del tren de pulsos
que aparece como
58 DIODOS SEMICONDUCTORES

2.42 En el circuito que se indica en la figura 2-24, es una onda rectangular de 10 V con un periodo de 4 ms.
El diodo no es ideal, con la caracterstica mostrada en la figura 2-21 b). Si el capacitor est inicialmente
descargado, determine para el primer ciclo de

2.43 El voltaje directo a travs del diodo del problema 2.33 es . Encuentre la componente
de ca de la corriente del diodo id.

b)
Figura 2-39

2.44 El circuito que se ve en la figura 2-40a) es un circuito duplicador de voltaje, usado algunas veces como
una fuente de potencia de bajo nivel cuando la carga RL es bastante constante. Se le llama "duplicador"
debido a que el valor mximo en estado estable de vL es dos veces el valor mximo del voltaje de la fuente
sinusoidal. La figura 2-40b) muestra un esquema del voltaje de salida en estado estable para
Suponga que los diodos son ideales, a) Resuelva,
por el mtodo de prueba y error, la ecuacin trascendental para el tiempo de cada b) Calcule el valor
de cresta a cresta en el voltaje de ondulacin.

a) Figura 2-40 b)
DIODOS SEMICONDUCTORES 59

2.45 Encuentre la corriente del diodo durante un ciclo de carga del capacitor en el circuito rectificador que se
observa en la figura 2-13a) si (Sugerencia: La frmula
aproximada de la ondulacin no puede usarse pues el capacitor requiere implcitamente un tiempo igual
a cero para cargarse. En cambio, resuelva la corriente del capacitor y la corriente de carga, y sume.)

2.46 En el circuito que se indica en la figura 2-27, Si el diodo es ideal y


determine el valor promedio del voltaje de carga
Resp. 3.18 V

2.47 Resuelva de nuevo el problema 2.20 con el diodo mostrado en la figura 2-156) invertido y todo lo dems
igual. (El circuito es ahora un circuito fijador positivo.)
Resp. para para

2.48 Se utilizan cuatro diodos para el puente de onda completa mostrado en la figura 2-41. Suponiendo que
los diodos son ideales y que a) encuentre ef voftaj'e de sada y o) el valor promedio de

Resp.

2.49 Un capacitor de filtrado en paralelo (Ejemplo 2.11) se agrega al rectificador de onda completa del problema
2.48. Muestre que el factor de ondulacin est dado por

2.50 Invente un circuito rectificador de pico mediante la conexin de un capacitor de filtrado de entre
los puntos a,b en el circuito de la figura 2-41. . a) Obtenga la magnitud (de cresta
a cresta) del voltaje de ondulacin y b) el valor promedio de

2.51 El circuito discriminador de nivel (Figura 2-42) tiene una salida cero, independientemente de la polaridad
de la seal de entrada, hasta que la entrada alcanza un valor crtico. Arriba del valor crtico, la salida
duplica la entrada. Con tal circuito algunas veces se puede eliminar los efectos de ruido de bajo nivel a
cambio de una pequea distorsin. Relacione con para el circuito.
60 DIODOS SEMICONDUCTORES

2.52 El diodo que se ve en la figura 2-34 es invertido, pero todo lo dems permanece igual. Escriba una
ecuacin que relacione v e / cuando a) el interruptor est abierto y b) cuando est cerrado.

2.53 El diodo Zener en el circuito de regulacin de voltaje que se observa en la figura 2-38 tiene
V en un valor mnimo de de Si flucta entre a) encuentre el
valor mximo de para mantener la regulacin y b) especifique la clasificacin de potencia mnima del
diodo Zener.

2.54 El circuito regulador que se ve en la figura 2-38 se modifica reemplazando el diodo Zener por dos diodos
Zener en serie para obtener un voltaje regulado de 20 V. Las caractersticas de los dos Zener son:

a) Si vara entre 10 mA y 90 mA y . entre 22 V y 26 V, dimensiones de tal modo que la regulacin


se conserve, b) El Zener exceder su corriente nominal?
lo cual excede la especificacin del diodo Zener 2

2.55 Los dos diodos Zener de la figura 2-43 tienen cadas directas despreciables y ambos regulan a un valor
constante para Si encuentre el valor promedio
del voltaje de carga cuando es una onda 10 V rectangular.
Resp. 0.75 V

2.56 El diodo Zener del problema 2.29 que se utiliza en un circuito simple en serie consta de una fuente de voltaje
variable de cd el diodo Zener y un resistor limitador de corriente a) Encuentre la fluctuacin
permitida de Vs para la cual el diodo Zener est seguro y su regulacin se conserva, b) Encuentre una
expresin de la potencia disipada por el diodo Zener.

2.57 El diodo varactor est diseado para operar con polarizacin inversa y se fabrica en un proceso que
incrementa la dependencia del voltaje de la capacitancia de agotamiento o capacitancia de la unin
Frecuentemente un diodo varactor se conecta en paralelo con un inductor L para formar un circuito
resonante en que la frecuencia de resonancia es dependiente del voltaje. Dicho circuito
2 DIODOS SEMICONDUCTORES 61

puede formar las bases de un transmisor con modulacin de frecuencia (FM). Un diodo varactor con una
capacitancia de agotamiento de se conecta en paralelo con un
encuentre el valor de requerido para establecer resonancia a una frecuencia de 100 MMZ.

2.58 Un LED con intensidad luminosa descrito por (1) del problema 2.30 es modelado mediante la funcin lineal
por secciones mostrada en la figura 2-10(b), con Calcule las intensidades luminosas
mxima y mnima que resultan si se usa el LED en un circuito en serie que consta del LED, un resistor
limitador de corriente y una fuente (Nota: Puesto que el periodo de
excede 1 minuto, es lgico suponer que la intensidad luminosa flucta segn lo hace sin necesidad
de considerar la fsica del proceso de emisin de luz.)
Caractersticas de
transistores bipolares
de unin
3.1 CONSTRUCCIN DE TBJ Y SMBOLOS
El transistor bipolar de unin (TBJ) es un dispositivo de tres elementos (emisor, base y colector) hechos de
capas alternas de materiales semiconductores de tipo n y p unidos metalrgicamente. El transistor puede ser del
tipo pnp (conduccin principal mediante huecos positivos) o del tipo npn (conduccin principal mediante electrones
negativos), como se muestra en la figura 3-1 (donde tambin se ilustran los smbolos esquemticos y las
direcciones de corriente). La notacin de doble subndice se utiliza en la clasificacin de los voltajes terminales
de modo que, por ejemplo, __ simboliza el incremento de potencial de la terminal del emisor E a la terminal base
B. Por razones de apariencia, comnmente las corrientes y voltajes constan de componentes superpuestos de
cd y ca (normalmente seales sinusoidales). La tabla 3-1 presenta la notacin de los voltajes y corrientes
terminales.

Tabla 3-1

Srribolo
Tipo de valor Variable Subndice Ejemplos

instantnea total letras minsculas letras maysculas


cd letras maysculas letras maysculas
punto esttico letras maysculas letras maysculas ms Q
instantnea ca letras minsculas letras minsculas
rms letras maysculas letras minsculas
mximo de la sinusoide letras maysculas letras minsculas ms m

Ejemplo 3.1 En el transistor npn que se ve en la figura 3-1a), se mueven de la base a la regin
del emisor, mientras que se mueven del emisor a la regin de la base. Un ampermetro da la
lectura de la corriente base Determine la corriente del emisor y la corriente del colector

La corriente del emisor se determina con la tasa neta del flujo de la carga positiva en la regin del emisor:

Adems, seqn LCK.


3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 63

3.2 CARACTERSTICAS TERMINALES DE LA BASE COMN


La conexin de la base comn (BC) es un arreglo de dos puertos del transistor, el cual comparte la base en
un punto comn con las terminales de entrada y salida. Las variables independientes de entrada son la corriente
del emisor y el voltaje emisor-base Las variables independientes de salida son la corriente del colector y
el voltaje colector-base El anlisis prctico del transistor BC est basado en dos conjuntos de curvas
determinados experimeraimente:

1. Las caractersticas de entrada o de transferencia relacionan (variables del puerto de entrada) cuando
se mantiene constante el valor de (variable del puerto de salida). El mtodo de medicin en laboratorio
se indica en la figura 3-2a), y la forma comn de la familia de curvas resultante se representa en la figura
3-26).
2. Las caractersticas de salida o de colector dan c en funcin de (variables del puerto de salida) para valores
constantes de (variable del puerto de entrada), medidas como se ve en la figura 3-2a). La figura 3-2c)
muestra la forma comn de la familia de curvas resultante.

Figura 3-2 Caractersticas de base comn (dispositivo pnp de Si)


64 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

Figura 3-2 (Continuacin)

3.3 CARACTERSTICAS TERMINALES DEL EMISOR COMN


La conexin del emisor comn (EC) es un arreglo de un transistor de dos puertos (ampliamente usado debido
a su amplificacin de corriente alta) en que el emisor comparte un punto comn con las terminales de entrada y
salida. Las variables independientes del puerto de entrada son la corriente de base y el voltaje entre la base
y el emisor y las variables independientes del puerto de salida son la corriente del colector el voltaje del
colector al emisor Como el anlisis de BC, el de EC se basa en:

1. Las caractersticas de entrada o de transferencia que relacionan las variables del puerto de entrada y
con constante. La figura 3-3a) muestra el arreglo medido, y la figura 3-3b) las caractersticas de entrada
resultante.
2. Las caractersticas de salida o del colector muestran la relacin funcional entre las variables de salida del
puerto y el para la constante, medidas como se ve en la figura 3-3a). Las caractersticas del colector
representativo se muestran en la figura 3-3c).

Figura 3-3 Caractersticas del emisor comn (dispositivo pnp de Si)


3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 65

3.4 RELACIONES DE CORRIENTE


Las dos uniones pn de los TBJ pueden estar polarizadas independientemente, lo cual da por resultado cuatro
posibles modos de operacin de un transistor como se indica en la tabla 3-2. Una unin est polarizada en forma
directa si el material n est en un potencial ms bajo que el del material p, y se tiene una polarizacin inversa
cuando el material n est en un potencial ms alto que el del material p.

Tabla 3-2

Polarizacin del Polarizacin del Modo de


emisor base colector base operacin

directa directa saturacin


inversa inversa corte
inversa directa inversa
directa inversa lineal o activa

La saturacin indica operacin para los dispositivos de Si) tal que fluye la
mxima corriente en el colector y el transistor acta en forma muy parecida a un interruptor cerrado entre las
terminales del colector y emisor. [Vanse las figuras 3-2c) y 3-3c).]
El corte indica una operacin cercana al eje del voltaje de las caractersticas del colector, donde el transistor
acta en forma muy semejante a un interruptor abierto. Slo la corriente de fuga (similar a del diodo) fluye en
este modo de operacin; As pues, para la conexin B C , p a r a la conexin EC. Las figuras
3-2c) y 3-3c) indican estas corrientes de fuga.
El modo inverso es un modo activo de poco uso e ineficiente, en que el emisor y el colector estn
intercambiados.
El modo activo o lineal describe la operacin en la regin a la derecha de la saturacin y arriba del corte en
las figuras 3-2c) y 3.3c); aqu, existen relaciones casi lineales entre las corrientes terminales y las constantes
siguientes de proporcionalidad se definen para las corrientes de cd:
66 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

(3.1)

(3.2)

donde las corrientes de fuga generadas trmicamente se relacionan mediante


(3.3)
La constante es una medida de la proporcin de la mayora de portadores (huecos para los dispositivos pnp,
electrones para npn) introducida en la regin base del emisor que son recibidos por el colector. La ecuacin (3.2)
es la caracterstica de amplificacin de la corriente cd del TBJ: Excepto para la corriente de fuga, la corriente de
base se incrementa o amplifica veces para llegar a ser la corriente del colector. En condiciones de cd, LCK da

activo.

Ejemplo 3.2 Determine para el transistor del ejemplo 3.1 si las corrientes de fuga (flujo debido a los huecos)
son despreciables y el flujo descrito de la carga es constante.
Si suponemos entonces

Ejemplo 3.3 Un TBJ tiene Encuentre a) la corriente del colector cd, 6)


la corriente del emisor cd y c) el error en porcentaje de la corriente del emisor cuando la corriente de fuga es
despreciable.
a) Con

Utilizando (3.3) en (3.2) entonces da

b) La corriente del emisor cd se obtiene de (3.1):

c) Despreciando la corriente de fuga, tenemos

dando un error en la corriente del emisor


3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 67

3.5 LINEAS DE POLARIZACIN Y DE CARGA PARA CD


Las fuentes de voltaje y los resistores polarizan un transistor; esto es, establecen un conjunto especfico de
voltajes y corrientes terminales, determinando ast un punto de operacin en modo activo (llamado punto esttico
o punto ). Normalmente, los valores estticos son invariables por la aplicacin de una seal de ca para el circuito.
Con el arreglo de polarizacin universal que se indica en la figura 3-4a), slo se necesita una fuente de
potencia de cd (VCc) para establecer la operacin en modo activo. sese el equivalente de Thvenin del circuito
a la izquierda de las terminales a,b para el circuito mostrado en la figura 3-46), donde

(3.5)

Si despreciamos la corriente de fuga de modo que y si suponemos que el voltaje de emisor a la


base es constante respectivamente), entonces LVK alrededor de la malla
del emisor de la figura 3-4>) da

(3.6)

lo cual se puede representar por el circuito de polarizacin equivalente de la malla del emisor que se ve en la
figura 3-4c). Despejando en (3.6) y observando que

obtenemos

(3.7)
Si los valores de la componente y el valor del peor caso son tales que
68 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

(3.8)
despus lE0 (y as ) es casi constante, a pesar de los cambios de entonces el circuito tiene polarizacin
independiente de
Segn la figura 3-3c) es evidente que se describe la familia de las caractersticas del colector mediante
relaciones matemticas con la variable independiente y el parmetro Suponemos que el circuito
del colector puede polarizarse para colocar el punto Q en cualquier lugar en la regin activa. Un arreglo
representativo se muestra en la figura 3-5a), del cual se deduce

As pues, si la lnea de carga de cd,

y la especificacin
(3.10)
se combinan con las relaciones para las caractersticas del colector, el sistema resultante se puede resolver
(analtica y grficamente) para las cantidades del colector en reposo

Ejemplo 3.4 El interruptor de la fuente de seal que se ve en la figura 3-5a) est cerrado, y la corriente de la
base del transistor se convierte en

Las caractersticas del colector del transistor se muestran en la figura 3-5b). Si determine
grficamente a) en el punto Q.
a) La lnea de carga cd tiene la interseccin con el eje de las ordenadas en y el eje de las abscisas
por y est construida en la figura 3-5b). El punto Q es la interseccin de la lnea de carga con la
curva caracterstica Las cantidades estticas se pueden leer de los ejes como
y
b) Se construye una escala de tiempo perpendicular a la lnea de carga en el punto Q, y se dibuja un trazo
escalado de [Figura. 3-5b) y se traslada a lo largo de la lnea de carga para trazar
Como oscila entre a lo largo de la lnea de carga del punto a al b, los componentes ca de la corriente
del colector y el voltaje toman los valores

El signo negativo en significa un cambio en la fase de 180.


c) De (3.2) con coincide con el e j e e n la figura 3-5b), se deduce que

Es claro que los amplificadores pueden polarizarse para su operacin en cualquier punto a lo largo de la lnea
de carga. La tabla 3-3 muestra las diversas clases de amplificadores, basadas en el porcentaje del ciclo en seal
en el cual operan en la regin lineal o activa.
3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 69

a)
70 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES ,DE UNION 3

Tabla 3-3

Porcentaje de la excursin de
Clase la seal en la regin activa
A 100
AB entre 50 y 100
B 50
C menos de 50

3.6 CAPACITORES DE CA Y LNEAS DE CARGA


Dos usos comunes de los capacitores (ajustados en su valor para que aparezcan como cortocircuitos para
frecuencias de seal) se representan mediante el circuito de la figura 3-6a):

1. Los capacitores de acoplamiento limitan las cantidades de cd hacia el transistor y su sistema de circuitos
de polarizacin.
2. Los capacitores de paso efectivamente quitan el resistor del emisor, el cual reduce la ganancia para
seales de ca, pero permiten que desempee su labor en el establecimiento de la polarizacin inde-
pendiente de (Seccin 3.5).

Los capacitores que se indican en la figura se ponen en corto cuando aparecen las seales de ca [Figura.
3-66)]. En la figura 3-6a), observamos que la resistencia del circuito de colector vista por la corriente de polarizacin
Sin embargo, de la figura 3-66) esto es aparente a la seal de corriente al balancear
la resistencia del circuito de colector Puesto que en general, aparece el concepto
de lnea de carga de ca. Mediante la aplicacin de LVK al circuito mostrado en la figura 3-6b), se encuentra la
caracterstica del sistema de circuito para la seal externa.
3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 71

(3.11)
Puesto que (3.11) puede escribirse en forma anloga a (3.9) como

(3.12)
Todas las excursiones de las seales de ca y se representan con puntos en la lnea de carga, (3.12). Si el
valor se sustituye en (3.12), encontramos q u e a s pues, la lnea de carga de ca interseca la lnea
de carga de cd en el punto Q.

Ejemplo 3.5 Encuentre los puntos en los cuales la lnea de carga de ca interseca los ejes de la caracterstica
del colector.
La intersecada se encuentra estableciendo (3.12):

(3.13)

La intersecada se encuentra mediante el establecimiento de (3.12):


(3.14)

Problemas resueltos
3.1 Para cierto TBJ, Encuentre
Segn {3.2),

Y, directamente de (3.4),

3.2 Un transistor de Ge con tiene una corriente de fuga del colector a la base Si los
transistores se conectan para una operacin en emisor comn, encuentre la corriente del colector pare
a)
a) Con slo fluye fuga del colector al emisor y, segn (3.3),

b) Si sustituimos (3.3) en (3.2) y despejamos obtenemos

3.3 U n transistor con y e s polarizado d e modo q u e E n c u e n t r e


Segn (3.2) y (3.3),

de modo que

Y, de (3.2) y (3.4),
72 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

3.4 El transistor que se observa en la figura 3-7 tiene y una corriente base de Encuentre a)
Suponga que la corriente de fuga es despreciable.

b) De (3.2) con
c) De (3.1) con

3.5 El circuito del transistor que se ve en la figura 3-7 sirve para operar con una corriente de base de
y El transistor de S i t i e n e una corriente de fuga despreciable. Encuentre el valor
requerido de
Segn LVK alrededor de la malla emisor-base,

3.6 En el circuito que se ve en la figura 3-7, encuentre


a) c) Encuentre se convierte en y todo lo dems permanece igual.

Ahora bien, utilizando (3.2) y (3.7) con obtenemos

y
3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 73

b) A partir de la aplicacin de LVK alrededor del circuito colector,

c) Si permanece sin cambiar, entonces tambin permanece igual. La solucin es como la de la


parte b:

3.7 El transistor mostrado en la figura 3-8 es un dispositivo de Si con una corriente base de y Si
encuentre a) y b) c) Si encuentre

Entonces combinando (3.7) y (3.2) con

b) Aplicando LVK alrededor de la malla emisor-base da

o (con igual al normal 0.7 V para un dispositivo de Si)

c) De (3.2) con

Por lo tanto, mediante LVk en torno al circuito del colector,


74 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

3.8 Suponga que las caractersticas del colector EC mostrado en la figura 3-56) corresponden al transistor
que se ve en la figura 3-7. Si encuentre grficamente a)
c) si la corriente de fuga es despreciable.
a) El punto Q es la interseccin de La lnea de carga de cd debe pasar
a travs del punto Q e intersecar el eje As pues, la lnea de carga de cd puede
dibujarse como en la figura 3-5b), y puede leerse como la coordenada ic del punto Q.
b) La intersecada con la lnea de carga de cd es la cual se muestra en la figura 3-5b)
y tiene un valor de 6.5 mA; as,

c) Mediante (3,4),
d) Con (3.2) da

3.9 En el circuito del transistor de Si pnp incluido en la figura 3-9,


Encuentre la corriente del colector en el punto Q.
Segn (3.3), Ahora bien, la aplicacin de LVK
alrededor de la malla que incluye y la tierra

As pues, segn (3.2),

Figura 3-9 Figura 3-10


3.10 El transistor de Si que se observa en la figura 3-10 est polarizado para corriente constante de base. Si
y encuentre a ) e l valor requerido d e c ) Determine
si el resistor es un dispositivo de Ge.
3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 75

a) Mediante LVK alrededor del circuito del emisor colector,

b) Si se desprecia la corriente de fuga, (3.2) da

c) La nica diferencia aqu es que as

3.11 El transistor de Si mostrado en la figura 3-11 tiene


si encuentre

b) Mediante LVK alrededor de las terminales del transistor (las cuales constituyen una trayectoria
cerrada),

Con la corriente de fuga despreciable, (3.1) da

Finalmente, mediante LVK alrededor de la malla de la base al colector,


76 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

3.12 Las caractersticas del colector para el transistor de Ge que se ve en la figura 3-11 estn dadas en la figura
3-12.

Trazamos en la figura 3-12, una linea de carpa que tenga la interseccin de y la


interseccin de
del transistor:

Con el punto 0 definido, leemos de la grfica. Ahora LVK en torno al circuito de la base al
emisor conduce a

3.13 El circuito de la figura 3-13 usa polarizacin con retroalimentacin de corriente (o paralelo). El transistor
de Si tiene el valor de RF para que se opere con
la excursin simtrica mxima ideal (esto es, la localizacin del punto esttico es tal que

La aplicacin de LVK en relacin con las terminales del transistor


3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 77

Con se obtiene

En consecuencia por LVK alrededor de las terminales del transistor,

3.14 Encuentre el valor del resistor del que, cuando se agrega al circuito del transistor de Si mostrado
en la figura 3-13, lo polariza en el caso de que el voltaje de operacin sea
80,
La aplicacin de LVK en torno a las terminales del transistor da

Puesto que la corriente es cero, (3.7) y (3.2) dan as, LVK en torno al circuito del colector
da

Por tanto,

3.15 En el circuito que se ve en la figura 3-8, Encuentre el valor


mximo de que mantendr el punto esttico del transistor en saturacin, si es constante,
y la corriente de fuga es despreciable.
Primero encontramos

Entonces el uso de (3.2) y (3.1) con corriente de fuga despreciable da


78 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

Ahora bien, LVK en torno al circuito del colector lleva al valor mnimo de para asegurar la saturacin:

3.16 El transistor de Si mostrado en la figura 3-14 tiene y su corriente de fuga es despreciable. Dados
a) Encuentre de modo que b) Determine el
valor de para del inciso a).

a) LVK en torno al ciclo de emisor de base a tierra da

()
Asimismo, de (3.1) y (3.2),

(2)

Ahora bien, usando (3.2) y (2) en (1) y despejando RB da

b) LVK en torno al circuito que va del colector al emisor y de ste a tierra da

50

3.17 La fuente de corriente cd que se observa en la figura 3-14 est conectada del nodo G al 8. El
transistor de Si tiene corriente de fuga despreciable y
encuentre la razn de ganancia de corriente cd para a)

a) Un equivalente de Thvenin para la red a la izquierda de las terminales B, G tiene


RB. Con el circuito equivalente de Thvenin en su lugar, al aplicar LVK en torno al circuito emisor-base
da

(1)
Utilizando (3.2) y (2) del problema 3.16 en (1), despejando y luego dividiendo entre /s resulta la
razn deseada:

(2)

Observe que el valor de debe ser suficientemente grande como para que no ocurra corte, pero
de otra manera esto no afecta el valor de
3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 79

b) en (2) directamente da

Obviamente, controla fuertemente la ganancia de corriente de este amplificador.

3.18 En el circuito de la figura 3-15, El transistor de Ge se


caracteriza por Encuentre el valor de RB que produce la saturacin si a) el
capacitor est presente y b) si se reemplaza con un cortocircuito.
a) La aplicacin de LVK en torno al circuito del colector de la corriente del colector en el comienzo de
saturacin como

Con C obstruido, ls =0; por tanto, el uso de LVK conduce a

b) Con C en corto, la aplicacin de (3.2), LCK y LVK nos da

de modo que

3.19 El par Darlington formado por transistores de Si de la figura 3-16 tiene corriente de fuga despreciable, y
Obtenga el valor de necesario para polarizar el
circuito de manera que b) Con el valor de obtenido en la parte a, obtenga
a) Puesto que Mediante LVK,
80 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

ahora

Por medio de LVK (alrededor de la trayectoria que incluye Ru ambos transistores y Re), y la ley de
Ohm

b) Aplicando LVK en torno a una trayectoria que incluye ambos transistores y RE, tenemos

3.20 El par Darlington formado por transistores de Si se muestra en la figura 3-16 y tiene corriente de fuga
despreciable, y Encuentre a) y
c)
a) Un equivalente de Thvenin tiene, para el circuito a la izquierda de las terminales a,b,

Con el circuito de Thvenin en su lugar, LVK da

(1)
Recordando que

podemos sustituir en (1) y despejar obteniendo

b) Segn LVK,

c) De(3.1) y(3.2),

3.21 Los transistores de Si en el circuito del amplificador diferencial que se indican en la figura 3-17 tienen
corriente d e fuga despreciable y A s i m i s m o , y
Determine el valor de RE necesario para polarizar el amplificador, de modo que
3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 81

Por simetra, Por lo tanto, segn LCK,

(1)
Utilizando (1) y (2) del problema 3.16 (lo cual se aplica al de este circuito), adems, por medio de LVK
en torno al circuito del colector a la Izquierda de las terminales, se obtiene

(2)

Aplicando LVK en torno a la malla a la izquierda de las terminales se obtiene

(3)
Despejando de (3), sustituyendo el resultado en (2), y d e s p e j a n d o s e obtiene

y, segn (3),

3.22 El transistor de Si de la figura 3-18 tiene corriente despreciable y


encuentre a)

a) Segn la LVK en torno al circuito del emisor-base,


CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

Figura 3-18

Por lo tanto, segn (3.7) y (3.2),

b) La LVK y (2) del problema 3.16 dan

3.23 Determine la polarizacin de corriente del colector apropiada para la excursin simtrica mxima (o no
distorsionada) a lo largo de la lnea de carga de ca de un amplificador transistorizado para el cual

Para la excursin simtrica mxima, el punto debe fijarse a la mitad de la lnea de carga ca. Por
tanto, a partir de (3.13) queremos

(i)

Pero para un circuito como el que se muestra en la figura 3-5a), la LVK da


(2)
lo cual se convierte en una igualdad si no est presente el resistor del emisor. Sustituyendo (2) en (1),
suponiendo igualdad y despejando se obtiene el resultado deseado:

(3)

En el circuito que se ve en la figura 3-4a), y el transistor de


Si tiene polarizacin independiente de . D el valor de para la mxima excursin simtrica si

Para tener la excursin simtrica mxima, la corriente esttica del colector es


CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION

La prctica estndar es utilizar un factor de 10 como el margen de desigualdad para la independencia de


en (3.8). Por lo tanto,

y, de (3.7),

Ahora bien, las ecuaciones de (3.5) se pueden resolver simultneamente para obtener

3.25 En el circuito que se observa en la figura 3-6a), el transistor es un dispositivo de Si,


Suponga que Cc y CE son muy grandes, que
y que ic =0 en corte. Encuentre a) c) la pendiente de la lnea de carga de ca, d) la pendiente
de la lnea de carga de cd y (e) el valor crtico de la iL no distorsionada.
a) Las ecuaciones (3.5) y (3.7) dan

por lo cual

6) La LCK en torno al circuito del colector-emisor, con da

c)

d)

e) De (3.14), la lnea de carga ca interseca el eje en

Puesto que ocurre el corte antes de la saturacin y as se determina Con los


capacitores grandes que aparecen como cortos para ca,

o, en trminos de valores pico,


84 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION

3.26 En el circuito de la figura 3-4a), para


el transistor de Si. Suponga que Encuentre la mxima excursin simtrica de la corriente
del colector a) si se aplica una corriente de ca en la base y b) si se cambia por 10 V pero todo lo
dems permanece igual.
a) De (3.5) y (3.7),

por lo cual

Segn ia LVK en torno al circuito emisor-colector con

Puesto que el corte ocurre antes de la saturacin e puede oscilar entre


mA cerca de y permanecer en la regin activa.

b)

de modo que

Puesto que el corte ocurre nuevamente antes de la saturacin e puede oscilar


entre cerca de y permanecer en la regin activa de operacin. Aqu, la reduccin del
33.3 por ciento en el voltaje de la fuente de alimentacin, da por resultado una reduccin del 50 por
ciento en la excursin simtrica de la corriente del colector.

3.27 Si un transistor de Si fuera cambiado del circuito que se ve en la figura 3-4a) y si fuera sustituido por un
transistor de Ge de idntica se movera el punto O en la direccin de saturacin o del corte?
Puesto que no se cambian se mantienen inalterados. Sin embargo, debido a
las diferentes cadas directas del emisor a la base para los transistores de Si (0.7 V) y para el Ge (0.3 V)

es mayor para el transistor de Ge. As pues, el punto 0 se mueve en direccin de la saturacin.

3.28 En el circuito de la figura 3-6a), El transistor de Si


tiene la corriente de fuga despreciable y Si se quiere que y el transistor tenga polarizacin
independiente de (haciendo que elija el valor de para lograr una excursin
simtrica mxima.
Evaluando encontramos
3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 85

As pues, de acuerdo a (3) del problema 3.23, la oscilacin simtrica mxima requiere que

Ahora bien,

y, segn (3.6) y (2) del problema 3.16,

Finalmente, de (3.5)

3.29 El transistor de Si que se observa en la figura 3-6a) tiene se quita del circuito
y Asimismo, a) Trace las lneas de carga
de ca y las de cd para este amplificador en un juego de ejes b) Encuentre el valor mximo sin
distorsin de iL y determine si la saturacin o el corte limita ia mxima excursin.

a)

segn (3.5),

y de (3.7),

Con base en la LVK en torno al circuito del colector y (2) del problema 3.16,

Las intersecciones de la lnea de carga de ca se obtienen directamente de (3.13) y (3.14):

Las intersecciones de la lnea de carga de cd se deducen de (3.9):

Las lneas de carga requeridas estn trazadas en la figura 3-19.


86 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

Lnea de carga de CD (Problema 3.30)


Lnea de carga de CA (Problema 3.54)
100 uA
3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 87

b) Puesto que es notorio que el corte limita la oscilacin sin distorsin de


mA. Mediante la divisin de la corriente,

3.30 En el amplificador de colector comn (CC) o emisor seguidor (ES) mostrado en la figura 3-20a),
El transistor de Si se polariza de modo que y tiene la
caracterstica del colector que se ve en la figura 3-20b). a) Construya la lnea de carga de cd. b) Calcule
el valor de /3 c) Determine el valor de RB.
a) La lnea de carga de cd debe intersecar el eje en Tambin interseca el eje de corriente
en

Las intersecciones se unen de modo que la lnea de carga se vea como la mostrada en la figura
3-20b).
b) leo se determina introduciendo la figura 3-205) en e interpolando entre las curvas iB para
encontrar Por tanto,

c) Segn la LVK,

3.31 El amplificador que se observa en la figura 3-21 utiliza un transistor de Si para el cual
Suponiendo que la polarizacin del colector emisor no limite la excursin del voltaje, clasifique el
amplificador de acuerdo con la tabla 3-3 si a)
y
88 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

Mientras la unin del emisor base se polariza en forma directa. As, para hacer la
clasificacin basta determinar la parte del periodo de en el cual se cumple la desigualdad.
a) a travs del ciclo completo; por ello el transistor est siempre en la regln activa y
el amplificador es clase A.
b) as pues, el transistor corta una parte de la excursin negativa Puesto que
el corte ocurre cuando es menor que 180, el amplificador es de clase AB.
c) lo cual da una conduccin menor que 180 en el periodo de para operacin
en clase C.
d) exactamente sobre 180 en el periodo de en la operacin de clase B.

Problemas complementarios

3.32 Las corrientes de fuga de un transistor son Determine el valor de

3.33 Conun TBJ, a) Encuentre b) Cul es el error en porcentaje


en el clculo de si se supone que la corriente de fuga es cero?
Resp. a) 102.96, 5.25 mA; 6)1.01%

3.34 Una corriente de fuga del colector a la base puede modelarse mediante una fuente de corriente como se
muestra en la figura 3-22, en el entendimiento de que la accin del transistor relaciona las corrientes
Pruebe que
3 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 89

3.35 Si el transistor del problema 3.4 fuera reemplazado por un nuevo transistor con un porcentaje de 1 ms
grande que cul sera el cambio en porcentaje de la corriente del emisor?
Resp. a un incremento de 96.07%

3.36 En el circuito de la figura 3-7, Cul es el


valor de

3 . 3 7 E n muchas aplicaciones de conmutacin, el transistor puede utilizarse sin disipador trmico, puesto que
en corte y es pequeo en saturacin. Apoye esta declaracin mediante el clculo de la potencia
del colector disipada en a) el problema 3.6 (polarizacin en la regin activa) y b) del problema 3.36
(polarizacin en la regin de saturacin).
Resp. a) 18 mW; b) 0.39 mW

3 . 3 8 L a s caractersticas del colector del transistor mostradas en la figura 3-7 se dan en a figura 3 5b). Si
especifique el rgimen de la potencia mxima del transistor para
asegurarse de que aqu no existe peligro de un dao trmico.
Resp. 22.54 mW

3.39 En el circuito que se observa en la figura 3-9, El transistor


de Si tiene Encuentre
fesp. 1.91 mA; 2.61 V

3.40 El transistor del problema 3.39 fall y fue reemplazado por uno nuevo con Est todava
polarizado para operar dentro de la regin activa?
Resp. Puesto que el valor calculado de el transistor no est en la regin activa.

3 . 4 1 Q u valor de RB generar la saturacin del transistor de Si mostrado en la figura 3-9 si


y
Resp.
90 CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 3

3.42 El circuito que se indica en la figura 3-23 ilustra un mtodo para la polarizacin de un transistor de BC
usando una fuente de corriente de cd simple. El transistor es un dispositivo de Si y
Encuentre a)

3.43 Vuelva a resolver el problema 3.26a) con y todo lo dems sin cambiar.

3.44 Debido a una unin con escasa soldadura, el resistor del problema 3.26a) se convierte en un circuito
abierto. Calcule el cambio en porcentaje que se observar en

3.45 El circuito del problema 3-26a) tiene una polarizacin independiente de Determine el rango
disponible de si puede cambiarse hasta por ciento de su valor para

3.46 Para el circuito que se ve en la figura 3-21, . El


transistor es un dispositivo de Si con una resistencia despreciable de la base al emisor. Suponga que
Encuentre el rango de RL para una operacin de clase A.

3.47 Si se agrega un resistor emisor al circuito mostrado en la figura 3-13, encuentre el valor de RF necesario
para polarizar y obtener mxima excursin simtrica. Sean Suponga
que el transistor es un dispositivo de Si con y

3.48 En el circuito que se ve en la figura 3-15, el transistor de Ge tiene Suponga que el capacitor
se reemplaza por un cortocircuito. Sean
Encuentre las razones a)
Resp. a) 374.6; b) 0.755

3.49 En el amplificador diferencial que se observa en la figura 3-17, los transistores de Si tienen una corriente
de fuga despreciable, y encuentre
Resp. 8.85 V

3.50 Obviamente, para los transistores balanceados del problema 3.49, puesto que Si se
reemplaza con un transistor con y todo lo dems no cambia, determine a) y c) el
voltaje resultante (llamado el voltaje de desajuste equivalente).
Resp. a) 9.66 V; b)8.11 V;c)1.55V

3.51 Encuentre el voltaje para el problema 3.49.


Resp. 8.01 V

3 . 5 2 E n el amplificador de la figura 3-6a),


El transistor de Si tiene la corriente de fuga despreciable, con Determine
de modo que muestre la excursin simtrica mxima.
CARACTERSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 91

Resp. 1.89

3.53 Si en el problema 3.29, se cambia a 9 y todo lo dems permanece igual, determine la excursin
mxima sin distorsin de
Resp.
Resp.

3.54 En el amplificador CC del problema 3.30, sea Calcule despus de la determinacin


grfica de
Resp. La lnea de carga de ca y se trazan en la figura 3-20:
Caractersticas de los
transistores de efecto
decampo
4.1 INTRODUCCIN
La operacin del transistor de efecto de campo (FET) puede explicarse slo en trminos de flujo de carga de
portador mayoritario (una polaridad); por tanto, al transistor se le llama unipolar. Existen dos clases de dispositivos
de efecto de campo que se usan ampliamente: el transistor de unin de efecto de campo (JFET) y el transistor de
efecto de campo de semiconductor xido-metal (MOSFET).

d) JFET de canal n

b) JFET de canal p
Figura 4-1
CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 93

4.2 CONSTRUCCIN DE JFET Y SUS SMBOLOS


El arreglo fsico de las dos clases de JFET y sus smbolos se muestran en la figura 4-1. La conduccin se
realiza mediante el paso de los portadores de carga de la fuente (S) al dren (D) a travs del canal entre los
elementos de la compuerta (G).
El transistor puede ser un dispositivo de canal n (conduccin mediante electrones) o un dispositivo de canal
p (conduccin mediante huecos); el estudio de los dispositivos del canal n se aplica igualmente a los dispositivos
de canal p si se usan voltajes y corrientes complementarios (opuestos en signo). Las analogas entre el JFET y
el BJT se observan en la tabla 4-1. La simbologa de la corriente y el voltaje para los FET anlogos se muestran
en la tabla 3-1.
Tabla 4-1

JFET BJT
S fuente E emisor
D dren C colector
G compuerta B base
VDD fuente de alimentacin del dren Vcc fuente de alimentacin del colector
VGG fuente de alimentacin de compuerta VBB fuente de alimentacin base
iD corriente del dren corriente del colector

4.3 CARACTERSTICAS TERMINALES DEL JFET


El JFET es casi universalmente aplicable en el arreglo de dos puertos de fuente comn (FC) mostrada en la
figura 4-1, donde mantiene una polarizacin inversa de la unin pn de la compuerta y la fuente. La corriente
de fuga de la compuerta resultante es despreciablemente pequea para la mayora de los anlisis (casi siempre
menos de lo cual permite que la compuerta sea tratada como un circuito abierto. As pues, las curvas
caractersticas de entrada no son necesarias.
Las caractersticas de salida comn o dren para el JFET de canal n en una conexin FC con aparecen
en la figura 4-2a). Para un valor constante de el JFET acta como un dispositivo con resistencia lineal (en la
regin hmica) hasta que la regin de agotamiento de ia unin polariza en inversa de la fuente y la compuerta se
extiende a lo ancho del canal (condicin llamada estrangulamiento). Arriba del estrangulamiento pero abajo de la
ruptura por avalancha, la corriente del dren iD permanece casi constante cuando se incrementa Con fines de
especificacin, los parmetros con la compuerta en cortocircuito se definen como se indica en la figura
4-2a); En general, est entre 4 y 5 V. Al disminuir el potencial de la compuerta, el voltaje de estrangulamiento,
(voltaje de la fuente al dren en el cual ocurre el estrangulamiento) tambin disminuye, obedeciendo aproxima-
damente la ecuacin
(4.1)
La corriente del dren muestra una dependencia de ley cuadrtica respecto al voltaje entre la compuerta y la
fuente para valores constantes de en la regin de estrangulamiento:

(4,2)
Esto explica el espacio vertical desigual de las curvas caractersticas mostradas en la figura 4-2a). La figura 4-2b)
es la grfica de (4.2), conocida como caracterstica de transferencia y utilizada en la determinacin de la
polarizacin. La caracterstica de transferencia tambin se determina mediante las intersecciones de las caracte-
rsticas del dren con una lnea vertical fija, .Realmente, en la medida en que las caractersticas del
94 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Regin de estrangulamiento

Lnea de polarizacin
de transferencia

a) Caractersticas del dren b) Caracterstica de transferencia


Figura 4-2 JFET de canal n en una conexin FC
dren son horizontales en la regin de estrangulamiento, una misma caracterstica de transferencia se encontrar
en todo (Figura 4-4 para un caso ligeramente no ideal.)

4.4 LINEA DE POLARIZACIN JFET Y LINEA DE CARGA


El arreglo divisor de voltaje usado comnmente, que se observa en la figura 4-3a), puede reducirse a su
equivalente mostrado en la figura 4-36), donde los parmetros de Thvenin estn dados por

(4.3)

a) Figura 4-3 b)
CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 95

Con la aplicacin de LVK en torno al circuito de la compuerta y la fuente que se ve en la figura da la ecuacin
de la linea de polarizacin de transferencia,

(4.4)
la cual puede resolverse simultneamente con (4.2) o graficarse como se indica en la figura 4-2b) para obtener
dos de las tres variables estticas necesarias.
La aplicacin de LVK en torno al circuito de la fuente al dren, mostrada en la figura 4-36), conduce a la ecuacin
de la lnea de carga en cd,

(4.5)
la cual, cuando se grfica sobre las caractersticas del dren que se observan en la figura 4-2a), da el valor esttico
restante, Por otra parte, c o n y a determinada,

Ejemplo 4.1 En el amplificador de la figura 4-3a),


Si las caractersticas del JFET estn dadas segn la figura 4-4, encuentre a)
a) Segn (4.3),

En la figura 4-4a) trazamos la lnea de polarizacin de transferencia (4.4); la lnea interseca la caracterstica
de transferencia en el punto dando
b) El punto mostrado en la figura 4-4a) tambin da

c) Trazamos la lnea de carga en las caractersticas de dren, haciendo uso de la interseccin con el eje y la
interseccin con el eje en El punto fue establecido en en la parte a y
en la parte b; su abscisa es En forma analtica,

4.5 ANLISIS GRFICO PARA EL JFET


Como se hizo en los circuitos BJT (Seccin 3,6), los capacitores de acoplamiento (u obstruccin) se introducen
para limitar las cantidades de cd definidas en el JFET y su sistema de circuitos de polarizacin. Adems, los
capacitores de paso Cs efectivamente eliminan el resistor de la fuente el cual reduce la ganancia por lo que
respecta a seales de ca. Al mismo tiempo permiten que Rs sea utilizado en el establecimiento favorable del voltaje
de polarizacin entre la compuerta y la fuente; en consecuencia se introduce el concepto de lnea de carga de ca
y se presentan tcnicas de anlisis anlogas a la seccin 3.6.
El anlisis grfico se prefiere en condiciones de seal grande de ca en el JFET, puesto que las relaciones de
la ley cuadrtica entre e establecen distorsin en la seal.
Ejemplo 4.2 Para el amplificador del ejemplo 4.1, sea Determine grficamente

Puesto que Cs aparece en cortocircuito para las seales de ca, se debe agregar una lnea de carga de ca
mostrada en la figura 4-4b), la cual pasa a travs del punto e interseca el eje en
96

Ejemplo 4.1

Problema 4.3

a)

Ejemplo 4.2
Ejemplo 4.1

Figura 4-4
b)
CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 97

Enseguida trazamos a travs de un eje auxiliar de tiempo, perpendicular a la lnea de carga de ca, con el
propsito de mostrar [en los ejes auxiliares adicionales que se indican en la figura 4-46)] las excursiones de id y
cuando se desplaza a lo largo de la lnea de carga de ca. Obsrvese la distorsin en ambas seales
introducida por el comportamiento de la ley cuadrtica de las caractersticas JFET.

4.6 CONSTRUCCIN DEL MOSFET Y SUS SMBOLOS


El MOSFET de canal n (Figura 4-5) slo tiene una regin p (llamada substrato), con un lado que acta como
canal de conduccin. Una compuerta metlica est separada del canal mediante un xido metlico de aislamiento
(normalmente Si 0 2 ); de ah el nombre de FET de compuerta aislada (IGFET) de este dispositivo. El MOSFET con
canal p est formado de igual manera slo que se intercambian los materiales p por los n y se describe mediante
voltajes y corrientes complementarios.
Dren
Oxido de metal Canal de
enriquecimiento
Metal

a) b)
Figura 4-5

4.7 CARACTERSTICAS TERMINALES DEL MOSFET


En un MOSFET con canal n la compuerta (placa positiva), el revestimiento de metal de xido (dielctrico)
y el substrato (placa negativa), forman un capacitor, cuyo campo elctrico controla la resistencia del canal. Cuando
el potencial de la compuerta alcanza el voltaje del umbral VT (generalmente de 2 a 4 V), se atraen suficientes
electrones libres a la regin situada abajo del revestimiento de metal de xido (esto se llama operacin en modo
enriquecido) para inducir un canal de conduccin de baja resistividad. Si se incrementa el voltaje de la fuente al
dren, el canal de enriquecimiento se vaca de portadores de carga libres en el rea cercana ai dren, y ocurre un
estrangulamlento como en el JFET. Las caractersticas comunes del dren y la transferencia se muestran en la
figura 4-6, donde se usa manera de ejemplo. Usualmente, el fabricante especifica y un valor de la co-
rriente de estrangulamiento el valor correspondiente del voltaje de la compuerta a la fuente es
El MOSFET en modo de enriquecimiento, que est operando en la regin de estrangulamiento, se describe
segn (4.1) y (4.2) si se reemplazan p o r r e s p e c t i v a m e n t e , y si el substrato se pone en
cortocircuito con la fuente, como se observa en la figura 4-7a). Entonces
98 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

a) b)
Figura 4-6 Caractersticas del MOSFET con canal n en modo de enriquecimiento

Lnea de polarizacin de
retroalimentacin del dren
Lnea de carga de CD

a)

Figura 4-7
CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 99

(4.6)

donde

Aunque el MOSFET en el modo de enriquecimiento es el ms usual (se usa mucho en circuitos de


conmutacin digital), un MOSFET en modo de agotamiento, que se caracteriza por tener un canal impurificado
levemente entre una fuente muy impurificada y las reas del electrodo del dren, se encuentra comercialmente
disponible y puede operarse como los otros (Problema 4.21). Sin embargo, ese dispositivo muestra una
impedancia de entrada entre la compuerta y la fuente tiene varias rdenes de magnitud menor que la del JFET.

4.8 POLARIZACIN DEL MOSFET Y LINEAS DE CARGA


Aunque la caracterstica de transferencia del MOSFET difiere del JFET [compare la figura 4-2b) con las figuras
4-66) y 4-20], la solucin simultnea con la lnea de transferencia de polarizacin (4.4) permite la determinacin
de la polarizacin de la compuerta y la fuente Adems, el procedimiento grfico en el cual se construyen las
lneas de carga ca y cd en las caractersticas del dren, puede utilizarse con ambos MOSFETS en los modos de
enriquecimiento y agotamiento.
El arreglo de polarizacin por medio del divisor de voltaje (Figura 4-3) es verdaderamente aplicable al
MOSFET en el modo de enriquecimiento; sin embargo, puesto que tienen la misma polaridad, la
polarizacin con retroalimentacin del dren, que se advierte en la figura 4-7a), puede utilizarse para compensar
parcialmente las variaciones en las caractersticas del MOSFET.

Ejemplo 4.3 En el amplificador mostrado en la figura 4-7a), Si las


caractersticas del MOSFET en el dren se dan en la figura 4-7o), determine los valores de las cantidades estticas.
La lnea de carga de cd se construye segn lo que indica la figura 4-7o) en que la interseccin con el eje
es y l a interseccin con e j e e s e n C o n l a corriente d e l a compuerta despreciable
(Seccin 4.3), no aparece voltaje a travs de RF, y as La lnea de Dolarizacin de retroalimentacin del
dren mostrada en la figura 4-7b) es el lugar de todos los puntos para el cual Puesto que el punto Q debe
encontrarse tanto en la lnea de carga de cd como en la lnea de polarizacin de retroalimentacin del dren, su
interseccin es el punto De la figura 4-7b) y

Problemas resueltos
4.1 Si y todo lo dems permanece igual en el ejemplo 4.1, encuentre los extremos entre los cuales
oscila
El voltaje oscilar a lo largo de la lnea de carga que se observa en la figura 4-4b) (la cual es ahora
idntica a la lnea de carga de ca) del punto a al punto 6, y dar, como extremos de
Los extremos correspondientes de
100 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

4.2 Para el amplificador MOSFET del ejemplo 4.3, sea Calcule de la analoga (4.2)
desarrollada en la seccin 4.7.
De las caractersticas del dren que se ven en la figura 4-7b), notamos que y que
en As pues,

(Compare con el ejemplo 4.3.)

4.3 Mediante un mtodo llamado autopolarizacin, se puede establecer el punto de un amplificador


utilizando slo un resistor conectado de la compuerta a tierra [Figura 4-3 b) con
indicado en la figura y con las caractersticas del JFET que se dan
en la figura 4-4, encuentre
a) En la figura 4-4a) trazamos una lnea de polarizacin de transferencia que tiene su interseccin con
e l eje en y una pendiente d e l a ordenada d e s u interseccin con l a
caracterstica de transferencia es
b) La abscisa del punto O mostrada en la figura 4-4a) es
c) Se aplica aqu la lnea de carga de cd del ejemplo 4.1, ya construida mostrada en la figura 4-4b). El
punto fue establecido en en a); la abscisa correspondiente es

4.4 Reemplace el JFET que se indica en la fiaura 4-3 con un MOSFET de canal n en modo de enriquecimiento
caracterizado segn la figura 4-6. Sea
Mfi. Encuentre
a) Segn (4.3),
b) La aplicacin de la LVK en torno al circuito ms pequeo de la compuerta a la fuente mostrado en la
figura 4-3o) con lleva a

c) Utilizando la LVK en torno a la malla de la fuente al dren que se ve en la figura 4-36) y despejando
se obtiene

4.5 El amplificador JFET de la figura 4-8 muestra un medio de autopolarizacin que permite que la impedancia
de entrada sea extremadamente alta, aun cuando se necesiten valores bajos de polarizacin de la
compuerta a la fuente. Encuentre el voltaje equivalente de Thvenin y la resistencia para la red a la iz-
quierda de a,b.

Con un circuito abierto aqu no existe cada de voltaje en y el voltaje en las terminales del circuito
abierto se determina mediante el divisor de voltaje
CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 101

Figura 4-8

Con VDD desactivado (en cortocircuito), la resistencia a la izquierda de a,b es

Es obvio que, si es grande, entonces es grande considerando los valores

4.6 Las hojas de especificaciones de los fabricantes para cierta clase de JFET de canal n tienen parmetros
nominales y para el peor de los casos los parmetros de compuerta en cortocircuito son como sigue:

Valor
mximo 7 4.2
nominal 6 3.6
mnimo 5 3.0

Trace las transferencias de las caractersticas nominales y las del peor de los casos que se pueden esperar
de una muestra grande del dispositivo.
Los valores pueden calcularse en el caso de caractersticas nominales, mximas y mnimas de
transferencia usando (4.2) en el intervalo Los resultados se grafican en la figura 4-9.

4.7 Un amplificador de JFET con autopolarizacin (Figura 4-8) se disea con usando
un dispositivo como se describe en el problema 4.6. Para el control de la variacin de la ganancia, la
corriente esttica del dren debe satisfacer a pesar de los parmetros particulares del
JFET utilizado. Determine los valores apropiados de
Primero se establecen los puntos en las caractersticas de transferencia mostradas en la figura
4-9: Una lnea de transferencia de
polarizacin se construye para que pase a travs del origen (por ejemplo, seleccionamos
Puesto que su pendiente es el valor de la fuente del resistor puede determinarse as:
102 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Mximo
Nominal

Problema 4.7 Mnimo

Figura 4-9

El valor del resistor del dren se encuentra aplicando la LVK en torno al circuito de la fuente al dren y
despejando RD:

Cuando tienen estos valores, se satisface la condicin en

Un JFET de canal n tiene los parmetros para el peor de los casos, con la compuerta en cortocircuito
dados por el fabricante como sigue:

Valor
mximo 8 6
mnimo 4 3

Si el JFET se usa en el circuito que se ve en la figura 4-3b), donde


encuentre a) los valores mximo y mnimo de y b) los valores mximo y mnimo
de que pueden esperarse. Suponga que (4.2) describe el JFET.
a) Segn (4.2),

b) La aplicacin de la LVK en torno a la malla de la fuente al dren da Por lo tanto,


CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 103

4.9 La corriente en la compuerta es despreciable para el JFET del canal p mostrado en la figura 4-10. SI
encuentre a)

a) Despejando de (4.2) y sustituyndolo en las condiciones del punto se obtiene

Con la corriente de la compuerta despreciable, la LVK requiere que


b) Aplicando la LVK en torno al circuito de la fuente al dren da

4.10 El MOSFET en modo de enriquecimiento, que se ve en la figura 4-11, se caracteriza por


Suponga la corriente de compuerta despreciable, y
Encuentre a)

a) Con la corriente de compuerta despreciable, (4.3) conduce a

b) Segn (4.6),

c) Segn la LVK en torno a la malla de la fuente al dren,

Figura 4-10 Figura 4-11

4.11 Para el MOSFET en modo de enriauecimiento. con el canal n que se indica en la figura 4-11, la corriente
de la compuerta es despreciable, y
determine los valores de a)
104 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

a) Puesto que de (4.3). Despejando se obtiene

b) Segn (4.6),

Entonces la LVK en torno a la malla de la fuente al dren requiere que

4.12 Un MOSFET con canal p que opera en modo de enriquecimiento se caracteriza por
mA cuando Encuentre a)
a) Usar los datos dados en (4.6) conduce a

El reordenar (4.6) permite ahora la solucin de VGS0:

(b) Segn (4.6),

4.13 El circuito JFET de canal n que se advierte en la figura 4-12 emplea uno de los varios mtodos de
autopolarizacin. a) Suponga que la corriente de la compuerta de fuga es despreciable y demuestre
que, si e n t o n c e s y , por tanto, el dispositivo se encuentra apropiadamente polarizado, b)
Si V y e n c u e n t r e
a) Segn la LVK,

(1)

Ahora bien, por lo cual es notorio que Puesto que la LVK en torno a la
malla entre la compuerta y la fuente da

(2)
b) Segn (1),

y (2),
CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 105

Figura 4-12 Figura 4-13

4.14 El JFET con canal n que se observa en la figura 4-13 est caracterizado por Sea
Encuentre
a) Aplicar la LVK en torno a la malla entre la compuerta y la fuente da

O)
Resolviendo (7) para /DO e igualando el resultado al lado derecho de (4.2) se obtiene

(2)
Reordenando (2) conduce a la siguiente ecuacin cuadrtica en

(3)
Sustituyendo los valores conocidos en (3) y despejando con la frmula cuadrtica, se obtiene

de modo que

y Puesto que este valor debe considerarse extrao ya


que producir Por t a n t o , A h o r a bien, de (4.2),

y, segn la LVK,

b) La sustitucin de los valores conocidos en (3) conduce a


106 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

por lo cual, despus de la eliminacin de la raz extraa que produce Por lo tanto, como
en la parte a,

4.15 Encuentre el equivalente de los dos JFET idnticos con canal n conectados en paralelo y mostrado en la
figura 4-14.

Figura 4-14

Suponga que los dispositivos se describen mediante (4.2): entonces

Debido a que los dos dispositivos son idnticos y estn conectados en paralelo, el JFET equivalente tiene
el mismo voltaje de estrangulamiento que los dispositivos individuales. Sin embargo, tiene un valor de
corriente con la compuerta en cortocircuito loss igual al doble de los dispositivos individuales.

4.16 El amplificador diferencial que se indica en la figura 4-15 incluye JFET idnticos con
Dado Si los JFET se describen mediante {4.2), encuentre el valor
de RD requerido para la polarizacin del amplificador tal que

Por simetra, La LCK en el nodo de la fuente requiere que

(1)

Con la LVK en torno a la malla entre la compuerta y la fuente da (2)

P)
Despejando en (4.2) e igualando el resultado al lado derecho de (2) se obtiene
CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 107

Figura 4-15

Al reacomodar (3) se obtiene una ecuacin cuadrtica en

(4)

Al sustituir los valores conocidos en (4) da


(5)
Si se aplica la frmula cuadrtica en (5) no se tiene en cuenta la raz extraa, se obtiene
Ahora el uso de la LVK en torno a la malla izquierda entre la compuerta y la fuente da
(6)
Sustituyendo (1) en (6) y despejando RD conduce al resultado deseado:

4.17 Para los JFET idnticos conectados en serie que se muestran en la figura 4-16,
Si encuentre
a) Segn la LVK,

(1)
Pero, puesto que (4.2) conduce a

o bien, (2)
108 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

b) Con corriente de compuerta despreciable, la LVK aplicada en torno a la malla inferior entre la
compuerta y la fuente requiere que Sustituyendo en (4.2) y reacomodando da ahora
una ecuacin cuadrtica en

(3)

La sustitucin de los valores conocidos da

de lo cual obtenemos El v a l o r p r o d u c i r a as
que el valor es extrao. Por tanto,

c)
d) De con tenemos
e) Segn la LVK,

Figura 4-16 Figura 4-17

4.18 Los JFET idnticos que se caracterizan segn se conectan como se muestra
e n l a figura 4-17. Sea y encuentre a ) y
e)
a) Con corriente de compuerta despreciable, (4.2) da

por lo cual
CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 109

b) Con la corriente despreciable de compuerta, la LVK aplicada en torno a la malla ms baja del lado
izquierdo da

(1)
Sustituyendo (1) en (4.2) y reordenado nos queda

lo cual, con los valores conocidos sustituidos, se convierte en

c) Con la corriente de compuerta despreciable, la LVK conduce a

d) Segn la LVK,

e) Segn la LVK,

4.19 La polarizacin fija tambin puede utilizarse para el MOSFET en modo de enriquecimiento, como se
describe por medio del circuito de la figura 4-18. El MOSFET se describe segn la caracterstica del dren
que se indica en la figura 4-7. Sean
a) Encuentre b) Determine grficamente

Figura 4-18

a) Suponga Entonces, segn (4.3)


110 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

o) La lnea de carga se construye en la figura 4-7 con la interseccin con el eje y la


interseccin de en Las cantidades del punto pueden leerse directamente de las
proyecciones de regreso hacia los ejes y ellas son

4.20 Para el amplificador MOSFET en modo de enriquecimiento del problema 4.19, sea y determine
grficamente
Tenemos, primero,

Debe agregarse una lnea de carga de ca a la figura 4-7; la lnea pasa a travs del punto e interseca el
eje en

A continuacin trazaremos un eje auxiliar de tiempo a travs del punto y perpendicular a la lnea de
carga de ca; en este eje construimos la forma de onda cuando sta vara e n a lo largo de la
lnea de carga de ca cerca del punto En un eje adicional de tiempo que se traza perpendicular al eje
para mostrar el voltaje de salida cuando excursiona a lo largo de la lnea de carga de ca.

4.21 Si en lugar de usar el canal enriquecido (Figura 4-5) para conduccin, la regin entre las dos regiones
altamente impurificadas n+ del MOSFET se construye uno de material ligeramente impurificado, puede
construirse un MOSFET en modo de enriquecimiento con las caractersticas de dren que se muestran en
la figura 4-19, donde I>GS puede ser negativo o positivo. Construya una caracterstica de transferencia para
las caractersticas del dren de la figura 4-19, seale claramente las regiones de operacin en modo de
agotamiento y en modo de enriquecimiento.

Lnea de carga de CD, problema 4.39

Figura 4-19
CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 111

Si se toma un valor constante de como se indica con la lnea punteada que se ve


en la figura 4-19, resulta la caracterstica de transferencia indicada en la figura 4-20. es la lnea
divisoria entre el modo de operacin de agotamiento y modo en enriquecimiento.

Figura 4-20

4.22 Un amplificador JFET de compuerta se muestra en la figura 4-21. El JFET obedece a (4.2). Si
mA, determine
Suponga que

Figura 4-21

a) Segn la LVK,

(1)
Despejando en e igualando el resultado con el lado derecho de (4.2) se obtiene

(2)
112 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Reacomodando se obtiene una ecuacin cuadrtica en

(3)

o, al sustituir los valores conocidos,

(4)
Despejando y prescindiendo de la raz extraa determinamos que
-1.34 V.
b) Segn (4.2),

c) Segn la LVK,

Problemas complementarios

4.23 En el amplificador JFET del ejemplo 4.1, se cambia por para incrementar la impedancia de
entrada. Si quedan igual. Cul es el valor de que se necesita para mantener el punto
original?
Resp.

4.24 Calcule el voltaje a travs de en el ejemplo 4.1.


Resp. 3 V

4.25 Encuentre la impedancia de entrada que se ve en la fuente del ejemplo 4.1, si es grande.
Resp.

4.26 El mtodo de polarizacin de fuente, ilustrado en la figura 4-22, puede emplearse con JFET y con
MOSFET. Para un JFET con las caractersticas dadas por la figura 4-4 y con
determine de modo que el amplificador tenga las mismas condiciones estticas que
el amplificador del ejemplo 4.1.
Resp.

4 . 2 7 E n el amplificador de polarizacin con retroalimentacin del dren mostrado en la figura 4-7a),


y Encuentre a)
Resp.

4.28 Un amplificador JFET con el arreglo del circuito que aparece en la figura 4-3 se manufactura usando
dispositivos como los descritos en el problema 4.6. Para el diseo, suponga un dispositivo nominal y use
a) Determine los valores de para el
amplificador, b) Prediga la fluctuacin de /DO que puede esperarse.
Resp. a)
CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 113

Figura 4-22

4 . 2 9 P a r a ver el efecto del resistor de fuente en las condiciones del punto resuelva el problema 4.9 con
y todo lo dems sin cambios.
Resp. a)

4.30 Resuelva el problema 4.11 con un resistor fuente de agregado al circuito, y todo lo dems sin
cambios.
Resp. a)

4.31 Para el circuito JFET con canal n que se ve en la figura 4-13,


El JFET se describe segn (4.2). a) Encuentre el valor de que produce
y 6) determine
Resp. a) 16.11 V; 6)10 V

4.32 En el amplificador diferencial que se ve en la figura 4-15, los JFET son idnticos y se caracterizan por
encuentre
Resp. 1.85 mA, 3.66 V

4.33 Calcule el voltaje para el amplificador diferencial del problema 4.32.


Resp. 7.57 V

4.34 Una fuente de voltaje se conecta al amplificador diferencial indicado en la figura 4-15, de tal forma que
Sea para los JFET idnticos,
Encuentre a)
Resp. A) 9.33 V; b) 13.002 V

4 . 3 5 P a r a los JFET no idnticos conectados en serie que se dan en la figura 4-16,


v Sea Encuentre a)
b)
Resp. a) 1.22 mA; b) -2.44 V; c) -2.06 V; d) 0.165 V; e) 6.295 V
114 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

4 . 3 6 L o s JFET idnticos conectados en serie e indicados en la figura 4-16 se caracterizan por


encuentre a)
yd)
Resp. a) -3.44 V; b) -3.44 V; c) 0 V; d) 6.46 V

4 . 3 7 E n e l circuito d e l a figura 4-17, s e describen los JFET idnticos p o r S i


Encuentre a)

Resp. a) - 3.986 V; b) -1.65 V; c) 2.76 mA; d) 6.72 V; e) 8.37 V

4.38 Para el MOSFET en modo de enriquecimiento del problema 4.19, determine el valor de
Resp. 5.6 mA

4.39 Las caractersticas del dren que se observan en la figura 4-19 describen el MOSFET de la figura 4-11.
Sea Encuentre tal que el MOSFET sea a) polarizado
para la operacin en modo agotamiento b) polarizado para la operacin en modo de enriquecimiento.
{Precaucin: La lnea de carga de cd se muestra en la figura 4-19.)
Resp. a)

4.40 El amplificador JFET de compuerta comn del problema 4.22 no est polarizado para excursin simtrica
mxima y mnima. Cambie la polarizacin del punto dado todo lo dems permanece
inalterado. El punto de polarizacin del amplificador se acerca ms a la condicin de excursin simtrica
mxima?
Resp. S,

4 . 4 1 E n el circuito que se ve en la figura 4 - 2 3 , E l JFET se describe segn (4.2),


Encuentre a)
Resp. a)

Figura 4-23
Consideraciones de
polarizacin de transistores
5.1 INTRODUCCIN
En el diseo inicial de los circuitos de transistores, se establece cuidadosamente el punto de operacin esttico
para asegurarse de que el transistor opere dentro de los lmites especificados. La realizacin del diseo requiere
de la revisin de las variaciones del punto esttico debido a los cambios de temperatura y a las diferencias de los
parmetros en cada unidad (transistor), para cerciorarse de que dichas variaciones se encuentren dentro de un
intervalo aceptable. As como los principios de operacin de los BJT y FET difieren mucho, tambin difieren entre
s los mtodos asociados a la estabilizacin del punto

5.2 INCERTIDUMBRE DE Y EFECTOS DE TEMPERATURA EN EL BJT


La incertidumbre respecto al valor de puede deberse a la variacin de unidad a unidad (la cual puede
alcanzar 200 por ciento o ms) o a la variacin de la temperatura (aproximadamente de 1 por ciento/C); sin
embargo, puesto que la variacin de unidad a unidad tiene el mayor efecto, un circuito, que ha sido desensibilizado
con dicha variacin tambin quedar insensibilizado al efecto de la temperatura en Sin embargo, el diseo debe
compensarse directamente para efectos de temperatura en la corriente de fuga (la cual se duplica con cada
10C de aumento en la temperatura) y el voltaje de la base al emisor (el cual disminuye aproximadamente
1.6 mV por cada 1 C de incremento en la temperatura en dispositivos de Ge y aproximadamente 2 mV por cada
1 C de aumento en los dispositivos de Si).

Polarizacin con corriente constante de base


El arreglo de la polarizacin con corriente constante de base mostrado en la figura 3-10 tiene la ventaja de
proporcionar alta ganancia de corriente; sin embargo, la sensibilidad de su punto a los cambios de limita su
uso.

Ejemplo 5.1 El transistor de Si que se indica en la figura 3-10 est polarizado para obtener corriente constante
de base. Desprecie la corriente de fuga y dado Encuentre a)
si
a) Segn la LVK,

(5.1)
Puesto que podemos escribir, usando (5.7),

(5.2)

de modo que, segn la LVK,


(5.3)
116 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

b) Con convertido en 100 en, (5.2) da

y, de (5.3),

Observe que, en este ejemplo, la corriente del colector se duplic al duplicarse y el punto pasa cerca
de la mitad de la lnea de carga de cd a la regin cercana a la saturacin.

Ejemplo 5.2 Muestre que el circuito de la figura 3-10, vara linealmente con respecto a aun cuando la
corriente de fuga no sea despreciable, con tal que
Usando el resultado del problema 3.34a) y la LVK, tenemos

Reordenando y suponiendo conduce al resultado deseado:

Polarizacin con corriente constante del emisor


En el circuito amplificador CE que se indica en la figura 5-1, la corriente de fuga est explcitamente modelada
como una fuente de corriente.

Figura 5-1

Ejemplo 5.3 Use el circuito de la figura 5-1 para mostrar que (3.8) es la condicin para que exista polarizacin
independiente de aun cuando no se desprecie la corriente de fuga.
Segn la LVK,
(5.4)
CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 117

Usando los resultados del problema 3.34 y suponiendo que podemos escribir

(5.5)

y (5.6)

Sustituyendo (5.5) y (5.6) en (5.4) y reordenando, se obtiene

(5.7)

De (5.7) se deduce que la corriente de fuga incrementa Sin embargo, es relativamente independiente
de slo cuando

Polarizacin con retroalimentacin en paralelo


Se presenta un compromiso entre la polarizacin con corriente constante de base y la polarizacin con
corriente constante del emisor mediante el circuito de polarizacin con retroalimentacin en paralelo que se indica
en la figura 3-13, como lo muestra el ejemplo siguiente.

Ejemplo 5.4 En el circuito de polarizacin con retroalimentacin en paralelo mostrado en la figura 3-13,
15 V, El transistor es un dispositivo de Si. Encuentre

a) Segn la LVK,

de modo que

Ahora la LVK da

b) Cuando

Con el uso de la polarizacin con retroalimentacin en paralelo, el incremento de es despreciable (aqu,


43 por ciento); este caso se halla entre el caso de insensibilidad a las variaciones de de la polarizacin de
corriente constante del emisor y el caso directamente sensible de la polarizacin de la corriente constante de base.
118 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

Ejemplo 5.5 Despreciando la corriente de fuga en el amplificador de polarizacin con retroalimentacin en


paralelo que se ve en la figura 3-13, encuentre un conjunto de condiciones que harn insensible la corriente
del colector, cuando hay pequeas variaciones en Es prctica la condicin?
Del ejemplo 5.4, si

El circuito sera insensible a las variaciones de si Sin embargo, puesto que esto
conducira a por tanto, sera cercano a 0 y el transistor operara cerca de la regin de saturacin.

5.3 ANLISIS DEL FACTOR DE ESTABILIDAD


El anlisis del factor de estabilidad o sensibilidad est basado en la suposicin de que, con cambios pequeos,
la variable de inters es una funcin lineal de las otras variables, y por eso su diferencial puede reemplazarse por
su incremento. En un estudio de estabilidad del punto O en el BJT, examinamos cambios en la corriente esttica
del colector debidos a las variaciones en los parmetros del transistor y/o elementos del circuito que lo polarizan.
Especficamente, si
(5.8)
Por lo tanto, segn la regla de la cadena la diferencial total es

(5.9)

dp dlCBO v rBEQ
Podemos definir un conjunto de factores de estabilidad o sensibilidad como sigue:
(5.10)

(5.11)

(5.12)
y as sucesivamente. Despus, al reemplazar las diferenciales por incrementos en (5.9), se obtiene una
aproximacin de primer orden al cambio total en
(5.13)

Ejemplo 5.6 En el caso del amplificador EC que se indica en la figura 5-1, use el anlisis del factor de estabilidad
para determinar una expresin para el cambio en debido a las variaciones en

La corriente esttica de polarizacin del colector se expresa como una funcin de en (5.7).
As pues, segn (5.13),
(5.14)
donde, de acuerdo con(5.10) a (5.12), los factores de estabilidad son
CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 11

(5.15)

(5.16)

(5.17)

5.4 ESTABILIZACIN DE ELEMENTOS NO LINEALES DE CIRCUITOS BJT


Los cambios no lineales en la corriente de polarizacin del colector debidos a la variacin de la temperatura
pueden eliminarse en ciertos casos o reducirse drsticamente mediante ia insercin juiciosa de dispositivos no
lineales(como los diodos) en los circuitos del transistor.

Ejemplo 5.7 En el circuito del amplificador EC que se indica en la figura 5-1, suponga que el dispositivo rio Si
tiene corriente de fuga despreciable v 13.8) se cumple, de manera que puede despreciarse. Asimismo, _3
disminuye en 2 mV/C de su valor de Encuentre el cambio e n i a temperatura se incrementa
de
Sea el subndice 1 para indicar "en T =25 C", y 2 indique "en . Con las suposiciones dadas, (5.7)
se reduce a

El cambio en es entonces

Ejemplo 5.8 Suponga que el circuito del amplificador que contiene la figura 5-2 se ha diseado de manera que
es totalmente insensible a variaciones de Adems, Como en el ejemplo 5 . 7 , i
y disminuye en Suponga tambin q u e v a r a con la temperatura exactamente como
Encuentre el cambio en cuando la temperatura se incrementa de
Puede encontrarse un circuito equivalente de Thvenin para la red a la izquierda de las terminales A,A, en
el supuesto de que el diodo puede modelarse mediante una fuente de voltaje El resultado es

Con el equivalente de Thvenin en su lugar, la LVK y la suposicin de dan

Ahora bien, si hay independencia total de entonces debe despreciarse en comparacin con Adems,
puesto que slo son dependientes en la temperatura.
120 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

Figura 5-2

Por tanto,

Debido a que aqu el cambio en se ha reducido considerablemente comparado con el del circuito
que se indica en el ejemplo 5.7.

5.5 POLARIZACIN CON LIMITES DEL PUNTO Q PARA EL FET


Del mismo modo que puede variar en el BJT, tambin los parmetros de la compuerta en cortocircuito del
FET pueden variar mucho en los dispositivos de la misma clasificacin. Sin embargo, es posible estable-
cer la polarizacin de la compuerta a la fuente de modo que, a pesar de esta variacin, el punto Q (y por tanto la
corriente esttica del dren) quede confinado dentro de los lmites establecidos.
Los extremos de la variacin de los parmetros del FET normalmente los especifica el fabricante, y (4.2)
puede usarse para establecer las caractersticas de transferencia superiores e inferiores (peor caso) (Fig. 5-3).
Los puntos estticos superior e inferior se determinan segn sus ordenadas asignamos
como los lmites de variacin permitidos de a lo largo de la lnea de carga de cd sobrepuesta en
la familia de las caractersticas nominales del dren. (Estas a su vez establecen yrespectivamente.)
Esta lnea de carga de cd se establece mediante la seleccin de en un circuito como el de la figura 4-3,
de modo que permanece dentro de una regin deseada de las caractersticas nominales del dren.
Si ahora seleccionamos un valor de tal que

(5.18)

Entonces la lnea de polarizacin de transferencia con pendiente interseca el e j e p a r a un valor


y se localiza como se muestra en la figura 5-3, y se hace que el punto nominal permanezca por debajo de y por
arriba de que es lo que se desea,

Con ya asignadas, se escoge Re suficientemente grande para obtener una entrada de impedancia
satisfactoria y despus se determinan de (4.3). Por lo general, se comparar en magnitud con Para
obtener la ganancia de ca deseada, se debe utilizar un capacitor de paso en paralelo con Rs e introducir una lnea
de carga de ca; ambos se analizan con tcnicas similares a las sealadas en la seccin 3.6.
CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 121

Figura 5-3

Problemas resueltos

5.1 La corriente de fuga de un transistor se duplica aproximadamente con cada 10C de incremento en la
temperatura. Si un transistor de Si tiene determine la corriente de fuga a 9013.

5.2 Trace un conjunto de caractersticas de salida del emisor comn para las dos temperaturas diferentes,
indicando cul conjunto es para la temperatura ms alta.

Figura 5-4
122 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

Las caractersticas del colector para el circuito EC mostrado, en la figura 3-3c), se obtienen como
conjuntos de puntos a partir de las lecturas del ampermetro y voltmetro indicadas en la figura
3-3a). Para cada valor establecido de debe incrementarse con la temperatura,
puesto que aumenta con la temperatura (Problema 5.1) y es mucho menos sensible a la temperatura
que El cambio resultante en las caractersticas del colector se indica en la figura 5-4.

5.3 En el circuito que se indica en la figura 3-9 se reemplaza un transistor que tiene por un transistor
que tiene Encuentre una expresin para el cambio porcentual de la corriente del colector, b)
Se incrementar o decrecer la magnitud de la corriente del colector si Desprecie la corriente
de fuga.
a) Segn la LVK,
(1)
Usando (3.2) y (3.4) en (1) y reordenando se obtiene

(2)

Esta ecuacin puede escribirse para el transistor original y para el transistor


de reemplazamiento Restando la primera de la ltima, nos queda

(3)
Si definimos entonces (3) puede reescribirse como

la cual, cuando se reordena, da la razn deseada:

(4)

b) Por simple observacin de (4), es evidente que es positivo con un incremento en

5.4 El transistor en el circuito que vemos en la figura 3-14 es un dispositivo de Si con


Encuentre
a) Segn la LVK en torno al circuito de la base y el emisor,

(1)
(1)
Hacemos y reordenamos para obtener

Entonces la LVK en torno a la malla del colector con da


CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 123

b) Cuando

5.5 En el circuito que se ve en la figura 3-14, en qu condicin la corriente de polarizacin ser


prcticamente independiente de
Con la expresin para/c0 en el caso del problema 5.4 da

Es obvio que es prcticamente independiente de Generalmente, la desigualdad se


considera satisfecha si

5.6 En el circuito que se indica en la figura 3-18, el transistor tiene corriente de fuga despreciable,
Encuentre
a) La LVK en torno a la malla de la base da

Ahora bien,

y
y la LVK en torno a la malla del colector da

b) Si no cambia. Sin embargo,

5.7 En el circuito que se indica en la figura 3-10, sea Suponga que existe
un transistor de Si con encuentre el f a c t o r d e sensibilidad de y utilcelo para calcular el
cambio en cuando pasa de 50 a 100. b) Compare su resultado con el obtenido en el ejemplo 5.1.
a) Segn la LVK,
124 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

de modo que

y segn (5.10),

De acuerdo con (5.13), el cambio en debido slo a es

b) Del ejemplo 5.1, tenemos

Debido a que es de primer grado en (5.13) produce el cambio exacto.


5.8 En el caso del amplificador de la figura 3-4, a) encuentre el factor de sensibilidad y b) muestre que la
condicin en la cual se reduce a cero el factor de sensibilidad es idntica a aqulla en que la corriente de
polarizacin del emisor es constante.

a) Puesto que

tenemos, de(3.6),

(1)
Reordenando nos queda
y, de (5.70),

(2)

b) Observe en (2) que Ahora bien, si en (7), entonces

5.9 Las variaciones de temperatura pueden cambiar el punto esttico por el efecto de la corriente de fuga y
el voltaje de la base al emisor. En el circuito que se advierte en la figura 5-1,
y el transistor es un dispositivo de Si. Inicialmente,
=0.7 V, pero la temperatura del dispositivo se incrementa 20C. a) Encuentre el cambio exacto en b)
Prediga el nuevo valor de usando el anlisis del factor de estabilidad.
a) Si el subndice 1, indica las cantidades a la temperatura original y 2 denota las cantidades a
20 "C = Segn (5.7),
CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 125

Ahora bien, de acuerdo con la seccin 5.2,

por lo que

Nuevamente segn (5.7),

As pues,

b) Segn(5.16)y(5.17),

Por lo tanto, de acuerdo con (5.13),

5.10 En el problema 5.9, suponga que los valores dados de son vlidos a 25 X) (esto es, que
25 C). a) Use el anlisis del factor de estabilidad para determinar una expresin para el cambio en la
corriente del colector que resulte de un cambio a cualquier temperatura b) Use esa misma expresin
para encontrar cuando T2 = 125'C. c) Cul es el porcentaje en la carga atribuible a un cambio en la
corriente de fuga?
a) Recordando que la corriente de fuga se duplica por cada aumento de 10 C en la temperatura,
tenemos

Puesto que para un dispositivo de Si disminuye mediante tenemos

Ahora bien, sustituyendo como se determin en el problema 5.9 en (5.73), obtenemos

b) En con los valores del problema 5.9, para esta expresin da

c) De la parte b, el porcentaje de debido a es (15.65/15.77)(100) =99.24 por ciento.


126 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

5.11 En el circuito de polarizacin con corriente constante de base de la figura 5-5, la corriente de fuga se
modela explcitamente como una fuente de corriente a) Encuentre en funcin de y b)
Determine los factores de estabilidad que deben usarse en (5.73) para expresar la influencia de
y
a) Segn la LVK,

La sustitucin de (5.5) y (5.6) en (1) y la reordenacin da

(2)

b) Basndonos en la simetra entre (2) y (5.7) tenemos, del ejemplo 5.6,

Figura 5-5 Figura 5-6

5.12 En la polarizacin con retroalimentacin en paralelo que se ve en la figura 5-6, la corriente de fuga se
muestra explcitamente como una fuente de corriente a) Determine en funcin de
Determine los factores de estabilidad que deben usarse en (5.13) para expresar la influencia de
y
a) Segn la LVK,
(1)
Sustituyendo(5.5) y (5.6) en (1), reordenando y luego suponiendo obtenemos

(2)
CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 127

b) Basndonos en la simetra entre (2) y (5.7) tenemos, del ejemplo 5.6,

5.13 En el amplificador BC que se ve en la figura 5-7, la corriente de fuga del transistor se muestra explcitamente
como una fuente de corriente a) Encuentre en una funcin de V y b) Determine los
factores de estabilidad que deben usarse en (5.73) para expresar la influencia de

Figura 5-7

a) Segn la LVK,

(1)
Sustituyendo (5.5) en (1) y reordenando da

(2)
P RE
b) La aplicacin directa de (5.70) a (5.12) en (2) dan los factores de estabilidad deseada as

5.14 El amplificador BC que se ve en la figura 5-7 tiene


A una temperatura de 25C el transistor de Si tiene a) Encuentre una expresin
para a cualquier temperatura, b) Evale la expresin en T =125 C.
a) Sea el subndice 1 para las cantidades en =25 C y 2 las denota en cualquier temperatura Por
lo tanto, de acuerdo con la seccin 5.2,

Por tanto, segn (2) del problema 5.13,

(1)
b) En 1) nos da
120 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

5.15 Para el seguidor emisor del par de Darlington mostrado en la figura 5-8, encuentre en funcin de las
seis variables sensibles a la temperatura

Figura 5-8

Segn la LVK,
(1)
Segn la LCK, (2)

Usando el resultado del problema 3.34 en (2) y luego sustituyendo obtenemos

Suponiendo y sustituyendo para de acuerdo con (5.5), obtenemos


(3)
Asimismo, de (5.6),

(4)

Ahora sustituimos (3) y (4) en (1) y reordenamos para obtener

(5)

5.16 a) Determine una aproximacin de primer orden para el cambio en en el circuito que se indica en la
figura 5-8, en trminos de las seis variables b) Use la encontrada en el
problema 5.15 para evaluar los factores de sensibilidad (esto es, los coeficientes) en la expresin
determinada en la parte a.
a) Puesto que su diferencial total est dado por
CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 129

(1)

Usando el mtodo de la seccin 5.3, podemos escribir esto como


(2)
b) Los factores de sensibilidad en (1) pueden evaluarse usando (5) del problema 5.15:

5.17 Es posible que la variacin en los componentes pasivos tuviera efecto en la polarizacin del transistor.
En el circuito de la figura 3-4a), sean
a) Encuentre una expresin para el cambio en debida a un cambio en sola, b) Prediga
el cambio que ocurrir en cuando RE cambia del valor mnimo al mximo permitido.
a) Buscamos un factor de estabilidad

Comenzando con dado segn (5.7), encontramos

b) Primero necesitamos evaluar

Entonces
130 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

5.18 El circuito que se advierte en la figura 5-9 incluye compensacin no lineal del diodo para variaciones en
a) Despreciando encuentre una expresin para que sea una funcin de las variables sensibles
a la temperatura b) Muestre que s i s o n iguales, entonces la sensibilidad de /Co a
los cambios de es cero, c) Muestre que no es necesario q u e p e r o slo (y menos
restrictivamente) que para asegurar la insensibilidad d e a la temperatura T.
a) El equivalente de Thvenin usual puede utilizarse para reemplazar el divisor de voltaje Por lo
tanto, segn la LVK,
(1)
La sustitucin de y la reordenacin dan

(2)
b) De (2) es obvio que, si entonces es independiente de las variaciones en
c) Si es independiente de la temperatura, la diferenciacin de (2) con respecto a T produce

Por tanto, si es insensible a la temperatura.

Figura 5-9 Figura 5-10

5.19 El circuito de la figura 5-10 incluye la compensacin de las variaciones de por medio de un diodo no
lineal, a) Encuentre una expresin para en funcin de las variables sensibles a la
temperatura, b) Qu condiciones harn que sea insensible a los cambios de
a) Segn la LVK,

Sustituyendo mediante (5.5) y (5.6) y rearreglando, se obtiene

(1)
b) De acuerdo con (7), entonceses en esencia independiente de
CONSIDERACIN!S DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 131

5.20 Muestre que, si se coloca un segundo diodo idntico en serie con el del ejemplo 5.8 (Fig. 5-2) y si a RD se
le da el mismo valor que a entonces la oorriente del colector muestra una sensibilidad de
cero para los cambios de temperatura que afectan Haga el supuesto razonable de que

La ecuacin que encontramos para en el ejemplo 5.8 describe en este problema si es


reemplazado por eso nos da

(1)

Suponiendo que slo son dependientes de la temperatura tenemos

(2)

La ecuacin (2) se reduce a cero con lo cual indica que no es una funcin
de la temperatura.

5.21 Un JFET para el cual es vlida (4.2) est polarizado segn el arreglo del divisor de voltaje que se muestra
en la figura 4-3. a) Calcule como una funcin de b) Encuentre la diferencial total de
y haga suposiciones razonables de linealidad que permitan reemplazar diferenciales con Incrementos y
hallar una expresin anloga a (5.13) para el JFET.
a) Usamos (4.4) para encontrar una expresin de y despus usamos (4.2) para obtener

(1)
donde podemos despejar

(2)

b) Puesto que depende de la seleccin de la red de polarizacin, nuestro resultado tendr ms


aplicaciones generales si tomamos la diferencial de (4.2) y luego lo aplicamos al caso inmediato, en
lugar de tomar la diferencial de (2). Suponiendo que son variables independientes,
para la diferencial total de (4.2), tenemos

(3)

En el caso inmediato, est dado por (4.4), de lo cual se deduce


(4)
Sustituyendo (4) en (3) y reordenando, encontramos

(5)

La suposicin de linealidad nos permite reemplazar las diferenciales en (5) por incrementos y definir apropiada-
mente los factores de sensibilidad:

(6)
132 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

(7)

5.22 Se dice que el JFET de la figura 4-36) tiene polarizacin fija si Los parmetros para el peor caso
con la compuerta en cortocircuito estn dados por el fabricante del dispositivo como

Valor
mximo 8 6
mnimo 4 3

Sean a) Encuentre la variacin de valores d e q u e pueden


esperarse usando este FET. b) Calcule la variacin correspondiente de c) Comente la conveniencia
de este arreglo de polarizacin.
a) Las caractersticas mximas y mnimas de transferencia se grafican en la figura 5-11, basadas en
(4.2). Debido a que es una cantidad fija no afectada por la lnea de
polarizacin de la transferencia se extiende verticalmente en como se muestra en la figura.
Sus intersecciones con las dos caractersticas de transferencia dan
o) Para la LVK requiere que

Lnea de polarizacin
de transferencia
Problema 5.22

Lnea de polarizacin
de transferencia
Problema 5.44

Figura 5-11
CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTOR ES 133

Y, para

c) La variacin en los parmetros del FET (y, por tanto, en las caractersticas de transferencia) hace de
la polarizacin fija una tcnica indeseable: El valor de la corriente en el punto del dren puede fluctuar
entre cerca de la regin hmica a cerca de la regin de corte.

5.23 El JFET con autopolarizacin que se observa en la figura 4-12 tiene un conjunto de parmetros para el
peor caso con compuerta en cortocircuito que dan por resultado la grfica de la figura 5-12. Sean
a) Encuentre la variacin de que se puede esperar, 6) Obtenga
el intervalo de variacin de c) Aclare la idea de reducir la variacin de mediante el incremento
del valor
a) Puesto que la lnea de polarizacin de la transferencia que debe pasar a travs del origen
en la grfica de las caractersticas de transferencia, y su pendiente es (lnea continua en la
figura 5-12). Con base en las intersecciones de la lnea de polarizacin de la transferencia y las
caractersticas de transferencia, vemos que

b) Con la LVK requiere que

= V - t*. (*s + R) = 24 - (1.2)(1 + 3) = 19.2 V


Y, con " DD

iD, m A

H- 2.5 mA

os.V
-6 -4 -3 -1

Figura 5-12
134 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

c) Las lneas de polarizacin de la transferencia cuando tambin se grafican en la


figura 5-12 (lneas punteadas). Un incremento en da obviamente un decremento entre la diferencia
sin embargo, en el proceso se reduce a valores muy bajos, de modo que la operacin
est en la parte no lineal de las caractersticas del dren cerca de la regin hmica donde resulta una
distorsin apreciable en la seal. Pero si se utiliza autopolarizacin con una fuente extema (vanse
los problemas 5.24 y 5.44), la lnea de polarizacin de la transferencia puede dar una pendiente
pequea negativa sin hacer que se aproxime a cero.

5.24 En el circuito JFET de la figura 4-3a), si se usa autopolarizacin con una fuente externa,
El JFET se caracteriza por los parmetros del peor caso de compuerta en cortocircuito que producen
las caractersticas de transferencia mostradas en la figura 5-13. a) Encuentre la variacin de que puede
esperarse si b) Encuentre la variacin d e q u e puede esperarse si
y c) Comente la importancia de los resultados de las partes
a) Segn(4.3),

En este caso la lnea de polarizacin de la transferencia mostrada en la figura 5-13, tiene la


interseccin con el eje de las abscisas y la pendiente La variacin de se
determina mediante las intersecciones de la lnea de polarizacin de la transferencia y las caracte-
rsticas de transferencia: y
b) De nuevo, segn (4.3),

Figura 5-13
CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 135

La lnea de polarizacin de transferencia en este caso tambin est dibujada en la figura 5-13; sta
tiene la interseccin con el eje de las abscisas en y la pendiente
1.9 mA y
C) Cambiamos modificando el divisor del voltaje Esto nos permite mantener una pendiente
pequea negativa en la lnea de polarizacin de la transferencia (y, por tanto, existe una diferencia
pequea mientras se recorre el intervalo de variacin de

5.25 El MOSFET que se observa en la figura 4-11 es un dispositivo en modo de enriquecimiento con parmetros
para el peor caso de compuerta en cortocircuito como sigue:

Valor
mximo 8 4
mnimo 4 2

Estos valores de los parmetros conducen a las caractersticas de transferencia mostradas en la figura
5-14 debido a que puede suponerse que el dispositivo obedece la expresin (4.6). Sean
a) Encuentre el intervalo de variacin de que puede esperarse.
b) Calcule la variacin de esperada, c) Comente una tcnica, sugerida segn las partes ayo, para
minimizar la variacin de en este modelo de MOSFET.
a) Segn(4.3),

linea de polarizacin
de transferencia

Figura 5-14
136 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

La lnea de transferencia de polarizacin, con la interseccin del eje de las abscisas en


12 V y pendiente est dibujada en la figura 5-14. De las intersecciones de la lnea de
la transferencia con las caractersticas de transferencia, vemos que y

b)

c) Como en el caso del JFET, el intervalo de variacin de puede decrementarse segn el incremento
de Sin embargo, para evitar valores muy pequeos Indeseables en es tambin necesario
incrementar cambiando la razn del divisor de voltaje

Problemas complementarios
5.26 En el amplificador polarizado con corriente de base constante que se ve en la figura 3-9,
para el dispositivo de Si. Encuentre y si a)
b)
Resp. a) 2.6 mA, 7.19 V; b) 1.36 mA, 11.09 V

5.27 En qu condiciones la corriente de polarizacin / co del amplificador de la figura 3-10 ser prcticamente
independiente de Es sta una condicin prctica?
Resp. Un valor de suficientemente grande no es prctico para fijar un lmite apropiado
de ya que lleva a la condicin de tener una Re tan grande que sta fuerza la operacin en corte.

5 . 2 8 E l amplificador que se advierte en la figura 3-9 usa un transistor de Si para el cual


y a) Calcule el valor del factor de sensibilidad de
para b) U s e p a r a predecir cuando
Resp. a) (compare con el resultado del problema 5.26)

5.29 a) Resuelva el problema 3.26a) si y todo lo dems queda igual, b) Use el factor de sensibilidad
determinado en el problema 5.8 para predecir el cambio en cuando flucta de 110 a 75.
Resp. a)

5.30 En el amplificador polarizado con retroalimentacin en paralelo que se indica en la figura 3-13
y si el transistor es un dispositivo de Si. a) Encuentre una expresin
para el factor de sensibilidad de Us para predecir el cambio en la corriente esttica del colector
debida a un cambio en de 50 a 100.
Resp. a) (compare con
el ejemplo 5.4)
CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 137

5.31 En el amplificador BC que vemos en la figura 3-18,


a) Encuentre una expresin para el factor de sensibilidad de b) Evale suponiendo que el transistor
es un dispositivo de Si.
Resp. a) (muy baja sensibilidad, pero vase el problema
5.6)

5.32 El circuito que se indica en la figura 5-1 tiene los valores dados en el problema 5.9; suponga que los valores
iniciales de son para 25^0. a) Encuentre una expresin para el valor d e a cualquier
temperatura si el transistor es un dispositivo de Si. b) Evale la expresin para en

Resp.

5.33 El amplificador polarizado con corriente de base constante mostrado en la figura 5-5 contiene un transistor
de Si. Sean A 25t;,
0.7 V. a) Determine el cambio exacto en si la temperatura cambia a 100*0. b) Con los factores de
estabilidad desarrollados en el problema 5.11 prediga para un incremento de temperatura de 100C.
Resp. a)

5.34 En el amplificador polarizado con corriente de base constante que se advierte en la figura 5-5, el transistor
de Si se caracteriza por a) Encuentre una expresin para a cualquier
temperatura b) Evale
100.

Resp. a)

5 . 3 5 E n el amplificador polarizado con retroalimentacin de corriente que se indica en la figura 5-6,


y con este transistor
de Si. a) Determine el cambio exacto en Ico cuando la temperatura cambia a 125tD. o) Use los factores de
estabilidad desarrollados en el problema 5.12 para predecir cuando la temperatura es 125"C.
Resp. a)

5.36 El amplificador con polarizacin de retroalimentacin en paralelo que se ve en la figura 5-6 usa un transistor
de Si para el cual a) Encuentre una expresin para a cualquier
temperatura b) Evale

Resp.

5.37 En el amplificador que se indica en la figura 5-7, Si


el transistor es y a) Determine el cambio exacto en Ico cuando la
138 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES

temperatura cambia a Con los factores de estabilidad obtenidos en el problema 5.13 prediga
para el mismo cambio de temperatura.
Resp. a)

5.38 El anlisis de sensibilidad puede extenderse al manejo de incertidumbres en el voltaje de la fuente de


potencia. En el circuito que se ve en la figura 3-4a), sean
y a) Encuentre una expresin para el cambio e n d e b i d a a
los cambios slo en b) Prediga el cambio de cuando pasa de su valor mnimo a su valor
mximo.
Resp. a)

5.39 En el circuito que vemos en la figura 5-9, __ _ . __ La


corriente de fuga es despreciable. A 25 C y sin embargo, ambos cambian a
una razn de a) Encuentre el cambio exacto en debido a un incremento en la temperatura
a 125 C. b) Use el anlisis de sensibilidad para predecir el cambio en cuando la temperatura se
eleva a 125 C.
Resp. a)

5.40 En el problema 5.21, se supuso que y que, por tanto, eran constantes. Suponga ahora que el
voltaje de alimentacin de potencia vara y obtenga una expresin para usando los factores de
estabilidad.
Resp. donde

y son dados por (7) y (8) del problema 5.21.

5.41 El MOSFET de la figura 4-11 se caracteriza por V7 =4 V v El dispositivo obedece a (4.6).


Sear a) Determine el cambio exacto en
cuando se reemplaza el MOSFET por un nuevo dispositivo caracterizado por b)
Determine el cambio en predicho mediante el anlisis de sensibilidad cuando el dispositivo original se
reemplaza como en la parte a.
Resp. a)

5.42 En el amplificador JFET que contiene la figura 4-3,


El JFET obedece la expresin (4.2) y se caracteriza por Debido al
envejecimiento, la resistencia se incrementa 20 por ciento, a) Encuentre el cambio exacto en debido
al incremento en la resistencia, b) Prediga el cambio en debido al incremento en la resistencia, usando
el anlisis de sensibilidad.
Resp. a)

5.43 En el caso de un FET, la dependencia de temperatura de es muy pequea cuando se mantiene


constante. Adems, con constante, la dependencia de la temperatura de se debe primeramente
a cambios en la corriente de compuerta en cortocircuito; esos cambios estn dados por

(1)
CONSIDERACIONES DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES 139

donde

En el caso del JFET indicado en la figura 4-3;


y (y es independiente de la temperatura), a) Encuentre el valor exacto de
a 100C. b) Use el anlisis de sensibilidad para predecir a 100C. Resp. a)
1.84. mA

5.44 Resuelva las partes a y b del problema 5.22 si y si todo lo dems permanece igual.
Resp. a) La lnea de polarizacin de la transferencia se dibuja en la figura 5-11:
mA;b)
Amplificadores BJT
de seal pequea
en frecuencia media
6.1 INTRODUCCIN
En el caso de excursiones de voltaje entre el colector y el emisor y corriente suficientemente pequea en
relacin al punto esttico (seales pequeas), el BJT se considera lineal; el BJT puede reemplazarse por algu-
na de varias redes de impedancia de dos puertos y fuentes controladas (llamadas modelos de circuito equivalente
de seal pequea), a las cuales pueden aplicarse los mtodos estndar del anlisis de redes. Adems, existe un
intervalo de frecuencias de seal que son suficientemente grandes como para que los capacitores de acoplamiento
o de paso (Seccin 3.6) puedan considerarse cortocircuitos, pero bastante bajas para que las reactancias
capacitivas inherentes asociadas con los BJT puedan considerarse circuitos abiertos. En el captulo presente, se
supone que todas las seales BJT de voltaje y corriente estn en este intervalo de frecuencia media.
En la prctica, el diseo de amplificadores de seal pequea se divide en dos partes: (1) El establecimiento
de la polarizacin de cd o el punto (Captulos 4 y 5) y (2) la determinacin de las razones o ganancias de voltaje
o de corriente, as como los valores de impedancia en frecuencias de seal.

6.2 MODELOS DE PARMETROS HBRIDOS


El anlisis general de parmetros hbridos de las redes de dos puertos se explic en la seccin 1.6. En realidad,
se definen los diferentes conjuntos de parmetros h, segn el elemento del transistor (E, S, o C) que comparta un
punto comn con las terminales de entrada y salida del amplificador.

Conexin del transistor con el emisor comn


De la figura se deduce que, s i s e consideran como variables dependientes en la configuracin
del transistor EC, entonces,
(6.1)
(6.2)
Si el voltaje VBC total del emisor a la base opera con pequeas excursiones (seales de ca) en relacin con el
punto O, entonces AVE =vtx, Aic,=ic y as sucesivamente. Por consiguiente, despus de la aplicacin de la regla
de la cadena a (6.1) y (6.2), tenemos respectivamente
.0,, Jn
(6.3)
(6.3)

(6.4)

Las cuatro derivadas parciales, evaluadas en el punto O, que nos dieron (6.3) y (6.4) se llaman parmetros hbridos
EC y se indican como sigue:
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 141

(6.5)
Resistencia de entrada

Razn inversa de voltaje (entrada entre salida) (6.6)

Ganancia directa de corriente (salida entre entrada) (6.7)

Admitancia de salida (6.8)

El circuito equivalente de (6.3) y (6.4) aparece en la figura 6.1a). El circuito es vlido para usarlo con seales
en que la excursin en relacin con el punto es suficientemente pequea para que los parmetros h puedan
tratarse como constantes.

a) Circuito equivalente de seal pequea EC

b) Circuito equivalente de seal pequea BC


Figura 6-1

Conexin del transistor en base comn


Si se toman como las variables dependientes de las caractersticas del transistor BC que se indica en
la figura 3-2b) y c), entonces, como en el caso de EC, pueden obtenerse ecuaciones especficas para excursiones
pequeas en relacin con el punto Los resultados son

(6.9)
(6.10)

Las definiciones de derivada parcial de los parmetros h en BC son:


142 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Resistencia de entrada (6.11)

Razn inversa de voltaje (entrada entre salida) (6.12)

Razn directa de corriente (salida entre entrada) (6.13)

Admitancia de salida (6.14)


Un circuito equivalente de seal pequea, con parmetros h que satisface (6.9) y (6.10), se indica en la figura
6-1 b).

Amplificador de colector comn


El amplificador de colector comn (CC) o de emisor seguidor (ES), con el circuito de polarizacin universal
que se advierte en la figura 6-2a), puede modelarse para el anlisis de seal pequea de ca sustituyendo el
transistor EC conectado con su modelo de parmetros h indicado en la figura 6-1a). Suponiendo, para simplificar
las cosas, que obtenemos el circuito equivalente de la figura 6-2o).
Se puede obtener un modelo incluso ms simple calculando el equivalente de Thvenin para el circuito a la
derecha de a,a indicado en la figura 6-2b). La aplicacin de la LVK en torno a la malla exterior da
(6.15)
La impedancia de Thvenin es la impedancia en el punto de excitacin:

(6.16)
l
b
El voltaje de Thvenin es cero (calculado con las terminales a,a abierto); as pues, el circuito equivalente consta
slo de A. Esto se advierte, en un arreglo con la corriente de base como referencia, en la figura 6-2c). (Vase
el problema 6.12 para un desarrollo del modelo CC de parmetros h.)

a) b)

Figura 6-2 Amplificador de CC


AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 143

c)
Figura 6-2 (Continuacin)

6.3 EL CIRCUITO T EQUIVALENTE


El circuito t equivalente o modelo de parmetros r es la realizacin de un circuito basado en parmetros z del
captulo 1. Al aplicar las definiciones de los parmetros z de (1.10) a (7.73) al circuito equivalente CB de seal
pequea que se observa en la figura 6-16), se obtiene
(6.17)

(6.18)

(6.19)

(6.20)
(Problema 6.16.) La sustitucin de esos parmetros z en (1.8) y (1.9) da

(6.21)

(6.22)
Si ahora definimos
(6.23)

(6.24)

(6.25)

(6.26)

entonces pueden escribirse (6.21) y (6.22)

(6.27)
(6.28)
144 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

comparando (6.13) con (3.1), al mismo tiempo


que se desprecian las corrientes de fuga generadas trmicamente, y suponiendo que (lo cual es una
suposicin vlida excepto cerca del lmite de operacin de la regin activa), se obtiene
(6.29)
En consecuencia, el circuito equivalente T o el modelo de parmetros r para la operacin BC es el que se muestra
en la figura 6-3. (Vanse los problemas 6.3 y 6-5 para modelos de parmetros r con las configuraciones EC y CC,
respectivamente.)

Figura 6-3

6.4 CONVERSIN DE PARMETROS


Los fabricantes de transistores casi siempre especifican y un conjunto de caractersticas de entrada
y caractersticas del colector para ambas conexiones EC o BC. Con ello aumenta la necesidad de la conversin
de parmetros h entre las configuraciones EC, BC, y CC o de los clculos de los parmetros r a partir de los
parmetros h. Pueden desarrollarse frmulas que permitan la conversin de un conjunto de parmetros ya
conocido en un conjunto de parmetros deseados.

Ejemplo 6.1 La aplicacin de la LVK y la LCK al circuito de la figura 6-1 a) conduce a obtener
Compare estas ecuaciones con (6.9) y (6.10) a fin de determinar los parmetros h de BC en trminos
de los parmetros h de EC. Use las aproximaciones casi siempre razonables para
simplificar los clculos y los resultados.
La LVK en torno a la malla E,B mostrada en la figura 6-1a) (con las direcciones de corriente inversa) da
(6.30)
Pero la LCK en el nodo requiere que

o (6.31)

En resumen, la LVK requiere que


(6.32)
Sustituyendo (6.31) y (6.32) en (6.30) y reordenado da
(6.33)

El uso de las aproximaciones dadas reduce los coeficientes de de (6.33) a la unidad y conduce entonces a
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 145

(6.34)

Ahora la LVK en el nodo C de la figura 6-1a) (nuevamente se suponen las direcciones de corriente inversas)
da
(6.35)
Sustituyendo (6.31), (6.32) y (6.34) en (6.35) y despejando obtiene

(6.36)

El uso de las aproximaciones dadas conduce entonces a

(6.37)

Comparando (6.34) con (6.9) y (6.37) con (6.10), vemos que


h,.
(6.38)

(6.39)

(6.40)

{6.41)

6.5 MEDIDAS DE BONDAD EN AMPLIFICADORES


Los amplificadores estn diseados normalmente para resaltar una o ms de las siguientes caractersticas
interrelacionadas de operacin, cuyas medidas cuantitativas de bondad se definen en trminos de las cantidades
indicadas en la figura 6.4:

1. Amplificacin de corriente, medida por la razn de ganancia de corriente

2. Amplificacin de voltaje, medida por la razn de la ganancia del voltaje

3. Amplificacin de potencia, medida por la razn

4. Cambio de fase de seales, medida por el ngulo de fase de la razn en el domino de la frecuencia de
o

5. Igualdad de impedancia o cambio, medida por la mpedancia de entrada (la mpedancia del punto de
excitacin en el puerto de entrada).

6. Capacidad de transferencia de potencia, medido por la impedancia de salida (la impedancia del punto de
excitacin en el puerto de salida con la carga removida). Si se logra la transferencia de potencia
mxima.
146 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Circuito de
amplificacin

Figura 6-4

6.6 ANLISIS DEL AMPLIFICADOR EC


Un amplificador EC simplificado (se omite la red de polarizacin) se indica en la figura 6-5a), y el circuito
asociado equivalente de seal pequea en la figura 6-5b).

a) b)
Figura 6-5

Ejemplo 6.2 En el amplificador EC que se observa en la figura 6-5b), tenemos


(Estos son valores comunes del amplificador EC). Encuentre expresiones para la a) razn
de corriente o ganancia A. o) la razn de voltaje o ganancia c) la impedancia de entrada y d) la impedancia de
salida e) Evale este amplificador EC.
a) Segn la divisin de la corriente en el nodo C,

(6.42)

y (6.43)

Observ que donde el signo menos indica un cambio de fase de 180 entre los voltajes de
entrada y salida.
b) Segn la L.VK en torno a la malla B, E,
{6.44)
La ley de Ohm aplicada a la red de salida requiere que

(6.45)

Despejando de (6.45) a sustituyendo el resultado en (6.44) y reordenando se obtiene


AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 147

(6.46)
Observe que donde el signo menos indica un cambio de fase de 180 entre los voltajes de
entrada y salida.
c) Sustituyendo (6.45) en (6.44) y reordenando nos queda

(6.47)
Observe que para valores de un amplificador clsico EC, se cumple,
d) Desactivamos (en cortocircuito) y reemplazamos por una fuente en el punto de excitacin de modo que
Por lo tanto, para la malla de entrada la ley de Ohm requiere que

(6.48)

Sin embargo, en el nodo C la LVK da


(6.49)
Al sustituir (6.48) en (6.49) y reordenando, se obtiene

(6.50)

La impedancia de salida se incrementa por la retroalimentacin debido a la presencia de la fuente controlada

e) Basndose en los valores clsicos de este ejemplo, las caractersticas del amplificador EC pueden resumirse
como sigue:

1. Ganancia de corriente grande


2. Ganancia de voltaje grande
3. Ganancia de potencia grande
4. Cambios de 180 en fase de corriente y voltaje
5. Impedancia de entrada moderada
6. Impedancia de salida moderada

6.7 ANLISIS DEL AMPLIFICADOR BC


Un amplificador BC simplificado (se omite la red de polarizacin) se indica en la figura 6-6a), y el circuito
asociado equivalente para seal pequea se describe en la figura 6-66).

Ejemplo 6.3 En el amplificador BC que se observa en la figura 6-66), tenemos


(Estos son valores comunes del amplificador BC.) Encuentre expresiones para
a) la razn de ganancia corriente, b) la razn de ganancia voltaje, c) la impedancia de entrada y d) la
impedancia de salida e) Evale este amplificador EC clsico.
148 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

a) b)
Figura 6-6

a) Mediante la analoga directa entre las figuras 6-5b) y (6.43)

(6.51)

Observe que y que las corrientes de entrada y salida estn en fase porque
b) Mediante la analoga directa entre las figuras 6-5b) y (6.46),

(6.52)
Observe que y los voltajes de entrada y salida estn en dase porque
c) Mediante la analoga directa entre las figuras 6-5b) y (6.47)

(6.53)

Es obvio que
d) Mediante la analoga entre las figuras 6-5o) y (6.50),

(6.54)

Observe que Zc disminuye debido a la retroalimentacin de la malla de salida a la malla de entrada a travs
de
e) Basndose en los valores comunes de este ejemplo, las caractersticas del amplificador BC pueden resumirse
como sigue:

1. Ganancia de corriente menor que 1


2. Ganancia de voltaje grande
3. Ganancia de potencia aproximadamente igual a la ganancia de voltaje
4. Sin cambio de fase para la corriente o el voltaje
5. Impedancla de entrada pequea
6. Impedancla de salida grande

6.8 ANLISIS DEL AMPLIFICADOR CC


La figura 6-7a) contiene un amplificador CC con la red de polarizacin omitida. El circuito equivalente de seal
pequea se dibuja en la figura 6-7b).
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 149

a) b)
Figura 6-7

Ejemplo 6.4 En el amplificador CC que se aprecia en la figura 6-7b), tenemos


Dibujando analogas directas con el amplificador EC del ejemplo 6.2, encuentre expresiones
para la a) razn de ganancia corriente, b) razn de ganancia voltaje, c) impedancia de entrada y d)
impedancia de salida e) Evale este amplificador CC clsico.
a) En paralelo con (6.43),

(6.55)

Note que y que las corrientes de entrada y salida estn en fase debido a
b) En paralelo con (6.46),

(6.56)
Observe que Puesto que la ganancia es aproximadamente de 1 y el voltaje de salida
est en fase con el voltaje de entrada, a este amplificador se le llama comnmente seguidor unitario.
c) En paralelo con (6.47),

(6.57)

Observe que
d) En paralelo con (6.50),

Note que
e) Basndose en los valores comunes de este ejemplo, las caractersticas del amplificador BC pueden resumirse
como sigue:

1. Ganancia de corriente grande


2. Ganancia del voltaje aproximadamente unitaria
3. Ganancia de potencia aproximadamente igual a la ganancia de corriente
4. No hay cambio de fase en la corriente ni en el voltaje
5. Impedancia de entrada grande
6. Impedancia de salida pequea
150 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Problemas resueltos
6.1 En el caso del amplificador BC que se ve en la figura 3-18, encuentre la razn de la ganancia del voltaje
usando el circuito equivalente de seal pequea, mostrado en la figura 6-3.
El circuito de seal pequea para el amplificador est dado segn la figura 6-8, al aplicar la ley de
Ohm,

(1)
La sustitucin de (7) en (6.27) y (6.28) da, respectivamente,

(2)

(3)

donde tambin hacemos uso de (6.29). Despejando de (2) y sustituyendo el resultado en (3) se obtiene

(4)

La razn de la ganancia de voltaje se deduce de (4) como

Figura 6-8

6.2 Suponga que es suficientemente grande como para que en el amplificador BC que se ve en la
figura 3-18, cuyo circuito de seal pequea est dado en la figura 6-8. Encuentre una expresin para
de corriente y evalela si

en (6.27) nos permite determinar la resistencia de entrada

de donde
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 151

Mediante la divisin de corriente en el nodo E,

Despejando se obtiene

(1)

La divisin de la corriente en el nodo C, de nuevo con nos da

(2)
La ganancia de corriente es ahora la razn de (2) a (1):

Sustituyendo los valores dados se obtiene

6.3 El transistor de un amplificador EC puede modelarse con el circuito T equivalente que se observa en la
figura 6-9) si las terminales de la base y el emisor son intercambiadas, como se aprecia en la figura
6-9a); sin embargo, la fuente controlada dada no est en funcin de trminos de corriente de puerto, lo
cual es una desventaja analtica. Muestre que los circuitos de la figura 6-96) y c), donde la variable
controlada de la fuente dependiente es la corriente de entrada pueden obtenerse aplicando los teoremas
de Thvenin y Norton al circuito de la figura 6-9a).

Figura 6-9
152 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Figura 6-9 (Continuacin)

El equivalente de Thvenin para las terminales del circuito 1,2 que se indica en la figura 6-9a) tiene

Segn la LCK, de modo que


(1)
Reconocemos que, si los elementos de Thvenin se colocan en la red, el primer trmino del lado derecho
de () debe modelarse mediante una "resistencia negativa". El segundo trmino representa una fuen-
te de voltaje controlada. Asi pues, se puede introducir un equivalente de Thvenin modificado, en el cual
la "resistencia negativa" est combinada con y nos da
(2)
Con los elementos de Thvenin modificados de la posicin en (2), obtenemos la figura 6-9b).
Los elementos del circuito equivalente de Norton pueden determinarse directamente de 2) como

(3)

Los elementos de (3) dan el circuito que se indica en la figura 6-9c).

6.4 Con el circuito equivalente de parmetros r mostrado en la figura 6-9b) calcule la razn de ganancia de
voltaje para el circuito del amplificador EC que se ve en la figura 3-6.
El circuito equivalente de seal pequea se dibuja en la figura 6-10. Despus de determinar el
equivalente de Thvenin para la red a la izquierda de las terminales B,E, podemos escribir

()

La ley de Ohm a la salida requiere que

Si se aplica la LVK en torno a la malla B,E y en torno a la malla C,E, mientras se observa da
respectivamente,
(3)
y (4)
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 153

Igualar () con (3) y (2) con (4) nos permite la formulacin del sistema de ecuaciones lineales.

del cual, segn la regla de donde

As pues,

Figura 6-10

6.5 El circuito equivalente T del fcc que se observa en la figura 6-9b) es adecuado para el anlisis de un
amplificador ES si se intercambian las conexiones del colector y el emisor. Con esta tcnica calcule a) la
razn de la ganancia de voltaje y 6) la impedancia de entrada para el amplificador que se ve
en la figura 3-20a).
a) El circuito apropiado de seal pequea est dado en la figura 6-11, Segn la LVK en
torno a la malla B,C, con (del Problema 6.3).
(1)
La aplicacin de la LVK en torno al circuito C,E, nuevamente con nos da

(2)

Segn la regla de Cramer aplicada al sistema que consta de donde

Ahora bien, segn la ley de Ohm


154 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Por tanto,

b) La impedancia de entrada puede encontrarse como Ahora bien, en el sistema que


consta de (1) y (2), mediante la regla de Cramer, donde

Por tanto,

Figura 6-11

6.6 Responda a las siguientes preguntas relacionadas con un transistor conectado en configuracin EC: a)
Cmo afecta esto a las caractersticas de entrada (/s en funcin de si existe retroalimentacin
despreciable de b) Cul puede ser el efecto de una polarizacin demasiado pequea de la unin
emisor base? c) Suponga que el transistor tiene una impedancia infinita de salida; cmo afectara las
caractersticas de salida? d) Con referencia a la figura 3-5b), la ganancia de corriente de un transistor
aumenta o disminuye cuando el modo de operacin se aproxima a la saturacin partiendo de la regin
activa?

a) La familia de las caractersticas de entrada degenera en una curva sencilla, que se usa frecuente-
mente para aproximar la familia.
b) Si fuera tan pequeo que la operacin ocurriera cerca de la rodilla de una curva caracterstica de
entrada, resultara una distorsin.
c) La pendiente de las curvas caractersticas de salida sera cero en la regin activa.
d) El Mc decrece con constantes; por tanto, disminuye la ganancia de corriente.

6.7 Use un circuito equivalente de parmetros h de seal pequea para analizar el amplificador que se advierte
en la figura 3-6a), dado y
Calcule a) la ganancia de voltaje la ganancia de corriente
a) El circuito de seal pequea se muestra en la figura 6-12, donde Mediante
la divisin de la corriente en el circuito del colector,

Wtrt*#UMWWfe
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 155

La ganancia del voltaje es entonces

b) Mediante la divisin de la corriente,

por lo cual

Figura 6-12

6.8 Suponga que la unin base-emisor de un transistor de Ge se modela como un diodo con polarizacin
directa. Exprese en trminos de la corriente del emisor.
El uso de la notacin del transistor en (2.1) da
(1)
Por lo tanto, segn (6.5),

(2)
Pero, segn (1) y el problema 2.1,

(3)

y (4)

Las ecuaciones (2), (3) y (4) implican


456 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

6.9 En el caso del amplificador BC del problema 3.12, determine grficamente a)


a) El punto fue estabilizado en el problema 3.12 y est indicado en la figura 3-12. Segn (6.13),

b) Segn (6.74),

6.10 Encuentre la impedancia de entrada del circuito que se observa en la figura 3-6a) en trminos de los
parmetros los cuales son diferentes de cero.
El circuito de seal pequea mostrado en la figura 6-12, con se aplica si se agrega
una fuente dependiente en serie con como se ve en la figura 6-1a). La admitancia del circuito
del colector est dada por

y, por la ley de Ohm,

(1)

Segn la LVK aplicada al circuito de la entrada,

(2)
Ahora (1) puede sustituirse en (2) para eliminar y el resultado puede reordenarse en

(3)
En consecuencia,
(4)

6.11 En trminos de los parmetros Ai de BC para el amplificador que se indica en la figura 6-13a), encuentre
a) la impedancia de entrada b) la ganancia de voltaje y c) la ganancia de corriente

Figura 6-13
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 157

Figura 6-13 (Continuacin)

a) El circuito equivalente de parmetros h est dado en la figura 6-13b). Por la ley de Ohm,

(J)
La aplicacin de la LVK en la entrada da

(2)
Ahora (1) puede sustituirse en (2) y en el resultado puede despejarse Finalmente, pueden
encontrarse como la combinacin en paralelo de

(3)

b) Eliminando entre (7) y (2) y reordenando, se obtiene

c) De (7),

Por la LCK en el nodo del emisor,

A continuacin, la eliminacin de entre (4) y (5) y la reordenacn dan

6.12 El modelo del transistor EC de parmetros h fue aplicado al amplificador CC en la seccin


6.2. Tomando y como variables independientes, desarrolle un modelo CC de parmetros h el cual
permita su representacin con ms precisin que la del transistor del circuito de la figura 6-2c).
Las caractersticas del CC no son dadas comnmente por los fabricantes de transistores, pero s dan
las grficas de en funcin de con como parmetro (caractersticas de entrada) y las grficas de
en funcin de con como parmetro (caractersticas de salida o del emisor). Con y como
variables independientes, tenemos
(1)
(2)
158 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Despus aplicamos la regla de la cadena para formar las diferenciales totales de (1) y (2), suponiendo
que y de modo similar para

(3')

(4)
Finalmente, definimos:
Resistencia de entrada h.. = (5)
B

Razn inversa de voltaje (entrada entre salida) (6)

Ganancia directa de corriente (7)

E
Admitancia de salida h =
Un circuito que satisface (3) y (4) con las definiciones (5) a (8) se muestra en la figura 6-14.

Figura 6-14 Circuito equivalente de seal pequea CC

6.13 Redibuje el circuito equivalente de seal pequea EC que se indica en la figura 6-1c), de modo que el
colector C sea comn a los puertos de entrada y salida. Despus aplique la LVK a la entrada del puerto
y la LCK al puerto de salida para encontrar un conjunto de ecuaciones que puedan compararse con
(3) y (4) del problema 6.12 a fin de determinar los parmetros h de CC en trminos de los parmetros h
de EC.
Se reordena la figura 6-1a) para hacer comn el colector, mostrado en la figura 6-15. La aplicacin
de LVK en torno a la malla B,C, con da por resultado

(1)
Aplicando la LVK en el nodo , se obtiene
(2)

La comparacin de (1) y (2) con (3) y (4) del problema 6.12 da, por analoga directa, (3)
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 159

Figura 6-15

6.14 Con el modelo del transistor CC que se advierte en la figura 6-14 determine el equivalente de Thvenin
para el circuito a la derecha de las terminales B,C mostrado en la figura 6-2b), suponiendo que y
Compare los resultados con (6.16) para determinar las relaciones entre y entre

El circuito que debe ser analizado est en la figura 6-14 con un resistor conectado de E a C. Con
un par de terminales B,C abiertas, el voltaje entre las terminales C,E es cero; as pues, el circuito
equivalente de Thvenin consta slo de Ahora c o n s i d e r e c o m o fuente del punto de excitacin,
y aplique la LVK en torno a la malla B,C para obtener
(1)
Use ia LCK en el nodo E para obtener
(2)
Sustituya (2) en (7) y despeje la impedancia en el punto de excitacin:

(3)

Enseguida (3) se compara con (6.16), y es obvio que como se descubri en (3)
del problema 6.13.

6.15 Aplique las definiciones de los parmetros h generales dadas por (1.16) a (1.19) en el circuito que se
indica en la figura 6-1 b) para determinar los parmetros h de EC en trminos de los parmetros de BC.
Por lo regular use las aproximaciones vlidas para simplificar los resultados.

Segn (1.16),

(1)

Si (en cortocircuito) en la red que se ve en la figura 6-15), e n t o n c e s p o r eso, segn la


LVK en torno a la malla E,B,

lo cual da (2)

La LCK en el nodo B da entonces


160 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Ahora bien, (1) y las aproximaciones dadas,

Segn (1.17),

(3)
Si e n t o n c e s e n la figura 6-1b). Segn la LVK,
(4)
La LCK en el nodo C da

de modo que (5)

Sustituyendo (5) en (4) con se obtiene

Despus de reordenar, (3) y las aproximaciones dadas conducen a

Segn (1.18),

(6)

Segn la LCK en el nodo S de la figura 6-16), con (y por tanto,

Despejando de (2) con y sustituyendo, se obtiene

Despejando de (2) con y sustituyendo, se obtiene

Segn (1.19),

(7)

Si entoncesReemplazando en (4) y (5), d e s p e j a n d o d e (4) y sustituyendo en


(5) nos queda
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Despus de reordenar, (7) y las aproximaciones dadas conducen a

6.16 Aplique las definiciones de los parmetros z dados segn (1.10) a {1.13) al circuito BC de parmetros h
que se advierte en la figura 6-1b) para determinar valores de los parmetros z en trminos de los
parmetros h de BC.
El circuito mostrado en la figura 6-15) se describe mediante el sistema lineal de ecuaciones

(1)
Por (1.10) y la figura 1-6,

Estableciendo en (7) da

Sustituyendo (3) en la primera ecuacin de (7) y aplicando (2) se obtiene

Segn (7.72) y (3),

Segn (7.77),

(4)

Estableciendo en (7), despejando de las dos ecuaciones e igualando los resultados se obtiene
de lo cual
Finalmente, segn (7.73),

Suponiendo que en la segunda ecuacin de (7) y aplicando (5) se obtiene


directamente.

6.17 En el caso del amplificador EC que se ve en la figura 3-13, suponga que


Usando los parmetros h de EC, encuentre y evale
las expresiones de a]
a) El circuito equivalente de seal pequea para el amplificador est dado en la figura 6-16. Mediante
el mtodo de voltajes de nodo,
162 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

(1)

(2)

Figura 6-16

Reordenar (7) y (2) y sustituir conduce a

1 1

El determinante de coeficientes es entonces

Por la regla de Cramer

(3)

(4)

Por lo cual

b)

c)
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 163

d)

6.18 En el amplificador que se advierte en la figura 6-17a), sean


Encuentre y evale las expresiones
correspondientes a) a la razn ganancia de voltaje y 6) a la razn ganancia de corriente

a)

b)

Figura 6-17

a) Con el modelo de parmetros h de BC que se indica en la figura 6-1 b) puede usarse para
dibujar el circuito de seal pequea mostrado en la figura 6-17b). Por la ley de Ohm en la malla de
entrada,

(1)

La ley de Ohm en la malla de salida requiere que

(2)

La sustitucin de (1) en (2) permite la formacin de


164 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

b) Mediante la divisin de corriente en el nodo

(3)

La divisin de corriente en el nodo C da

(4)

Ahora la sustitucin de (3) en (4) permite el clculo directo de

6.19 Con el modelo de parmetros h de CC indicado en la figura 6-14 obtenga expresiones para las razones
de ganancia de corriente a) para el amplificador que se ve en la figura 6-2a).
a) El circuito equivalente est dado en la figura 6-18. En el puerto de salida,

1)
y A' se obtiene directamente de (1) como

Figura 6-18

b) Con la divisin de la corriente en el nodo B da

por lo cual
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 165

6.20 En el amplificador de dos etapas que se advierte en la figura 6-19, los transistores son idnticos, tienen
Asimismo,

Figura 6-19

Encuentre a) la ganancia de voltaje de la etapa final b) la impedancia de entrada de la etapa


final c) la ganancia de voltaje de la etapa Inicial d) la impedancia de entrada del
amplificador y e) la ganancia de voltaje del amplificador
a) La ganancia de voltaje de la etapa final est dada por el resultado del problema 6.7a) si la combinacin
en paralelo de se reemplaza por

b) De (4) del problema 6.10 con

c) La ganancia de voltaje de la etapa inicial est dada por el resultado del problema 6.7a) si se
reemplazan por respectivamente:

d) Como en la parte b,
166 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

e) Por la divisin de voltaje,

6.21 En el amplificador que se advierte en la figura 6-20a), los transistores son idnticos y tienen
Use el modelo de parmetros h de EC para dibujar un circuito equivalente y encuentre las expresiones
de a) la razn de ganancia de corriente b) la resistencia de e n t r a d a c ) la razn de ganan-
cia de voltaje y d) la resistencia de salida
a) Con el circuito equivalente de seal pequea est dado en la figura 6-206). La LCK en
el nodo da
(1)
Puesto q u e l a razn de ganancia de corriente se deduce directamente de (1) y es
+ 1.
b) La LVK aplicada en torno a la malla exterior da

de modo que (2)

c) Segn la LVK,

(3)
Pero (4)

La sustitucin de (4) y luego de (2) en (3) permite resolver la razn de ganancia de voltaje como

d) Si se reemplaza por una fuente en el punto de excitacin con en cortocircuito, la LCK requiere
que

(5)

Pero (6)

Sustituyendo (6) en (5) conduce a


AMPLIADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 167

Figura 6-20

6.22 El amplificador en cascada que se indica en la figura 6-21 a) usa una primera etapa de CC seguida por
una segunda etapa de EC. Dado
Para el transistor
Encuentre a) la razn de la ganancia de voltaje global y b) la razn de la
ganancia de corriente global
a) El circuito equivalente de seal pequea est dibujado en la figura 6-21 b), donde

De los resultados del problema 6.41,

y de los resultados del problema 6.7,

Por tanto

b) De los resultados del problema 6.19,

= 36.38
y tambin del problema 6.7,

Entonces,
168 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Observe que en este problema usamos la tcnica del ahorro de trabajo, la cual consiste en utilizar
los resultados determinados para los amplificadores de una etapa a las etapas individuales de un
amplificador en cascada (multietapa).

Figura 6-21

6.23 El amplificador en cascada que se indica en la figura 6-22a) est construido con transistores idnticos
para los cuales
Determine a) la razn de la ganancia de voltaje global y b) la razn de
la ganancia de corriente global
a) El circuito equivalente de seal pequea est dado en la figura 6-22b). De los resultados del problema
6.7 en que estn reemplazados por

De los resultados del problema 6.45, en los se reemplazan por


respectivamente,
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 169

As pues,

b) De los resultados del problema 6.45 con reemplazados p o r r e s p e c t i v a m e n t e ,

n R
cx + hie 10xl03 + l x l 0 3
Ahora bien, por la divisin de la corriente en la red de salida,

Por tanto,

Figura 6-22

6.24 En el amplificador en cascada BC-CC que se advierte en la figura 6-2ba), el transistor se caracteriza
por Los parmetros h del transistor
Sean
y Encuentre a) la razn de la ganancia de voltaje global y b) la razn de la ganancia
de corriente global
170 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Figura 6-23

a) El circuito equivalente de seal pequea se muestra en la figura 6-236). De los resultados del
problema 6.18, con

Mediante los resultados del problema 6.41,

As pues,

b) Basndose en los resultados del problema 6.18,

Por la divisin de la corriente en el nodo

Por lo tanto,
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 71

6.25 Use el modelo de parmetros h de EC para calcular el voltaje de salida para el amplificador que se ve
demostrando as que es un amplificador diferencial. Suponga transistores idnticos con

El circuito de seal pequea se muestra en la figura 6-24. Sean


por lo tanto, segn la LVK,

(1)
(2)
(3)
La solucin simultnea de () y (2) mediante la regla de Cramer da

y (4)

(5)
Sustituyendo (4) y (5) en (3) se obtiene finalmente,

lo cual muestra claramente que el circuito amplifica la diferencia entre las seales

Figura 6-24
172 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Problemas complementarios
6.26 En el caso del amplificador BC que se indica en la figura 3-18, encuentre la razn de la ganancia de voltaje
usando el circuito equivalente T de la figura 6-3 si es mayor que
Resp.

6.27 En el caso del amplificador BC que se advierte en la figura 3-18 y el problema 6.26,
Determine el error en porcentaje en la ganancia aproximada de
voltaje del problema 6.26 (en la cual suponemos en relacin con la ganancia exacta como se
determin en el problema 6.1.
Resp. La ganancia aproximada es 1.99 por ciento mayor

6.28 Use el circuito equivalente de parmetros r que se observa en la figura 6-9o) para determinar aproxima-
damente la razn de la ganancia de corriente para el amplificador EC de la figura 3-6.

6.29 En el amplificador ES de la figura 3-20a), use un modelo apropiado de parmetros r del transistor para
calcular la razn de la ganancia de corriente

6.30 Aplique las definiciones de los parmetros h, dadas por (7.16) a (7.19), en el circuito de parmetros r que
se ve en la figura 6-3 para determinar los parmetros h de BC en trminos de los parmetros r.
Resp.

6.31 Aplique las definiciones de los parmetros z, dados por (1.10) a (1.13), en el circuito que se indica en la
figura 6-3 para determinar los valores de parmetros z en el circuito equivalente mostrado en la figura
6-25, el cual contiene dos fuentes de voltaje dependiente.
Resp.

6.32 Aplique las definiciones de los parmetros z, dados por (1.10) a (1.13), en el circuito EC de parmetros h
que se advierte en la figura 6-1 a), para encontrar los valores de los parmetros z en el circuito equivalente
mostrado en la figura 6-25 en trminos de los parmetros h de EC.
Resp.

Figura 6-25
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 173

6.33Con el modelo de parmetros z que se ve en la figura 6-25 calcule a) la razn de la ganancia de corriente
y b) la razn de la ganancia de voltaje para el amplificador de la figura 3-6a).
Resp.

6.34 En el caso del amplificador que se indica en la figura 3-13 con valores dados en el problema 6.17, encuentre
a) la resistencia de entrada y b) la resistencia de salida
Resp.

6.35 Un amplificador EC se opera en la regin activa, con Si las caractersticas del


colector se dan segn la figura 3-56) y la corriente esttica de la base es determine
Resp. a) 190;

6.36 En el circuito que se Indica en la figura 6-26, a) Encuentre


la ganancia de potencia como el producto de las ganancias de corriente y de voltaje, b)
Determine el valor numrico de que maximiza la ganancia de potencia.
Resp.

6.37 El amplificador ES que se observa en la figura 3-20a) utiliza un transistor de Si con corriente de fuga
despreciable y =59. Asimismo, es el componente de cd de
Calcule a) b) la impedancia de salida y c) la impedancia de entrada
Resp.

Figura 6-26 Figura 6-27

6.38 El amplificador que se advierte en la figura 6-27 tiene un resistor de emisor ajustable como se indica,
con Suponga que y encuentre las expresiones para a) la razn de la
ganancia de corriente b) la razn de la ganancia de v o l t a j e l a impedancia de entrada
174 AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

b)

c)

6.39 En el caso del amplificador BC del problema 6.18, calcule a) la impedancia de entrada y b) la impedancia
de salida
Resp.

6.40 El circuito exacto equivalente de seal pequea para el amplificador CC que se ve en la figura 6-2a) est
dado por la figura 6-18. Encuentre el equivalente de Thvenin para el circuito a la derecha de las terminales
6,6, suponga que y demuestre que se obtiene el circuito de la figura 6-2c). (Advertencia: La
conversin de los parmetros EC en CC se hizo en el problema 6.13.)

6.41 Aplique el modelo de parmetros h que se muestra en la figura 6-14 al amplificador de la figura 6-2a)
para obtener una expresin de la razn de la ganancia de voltaje Evale

Resp.

6.42 Encuentre una expresin para R0 en el amplificador CC de la figura 6-18; use las aproximaciones comunes
y para simplificar la expresin; y despus evale sta si

Resp.

6.43 El circuito del amplificador en cascada de la figura 6-21a) acopla un CC de impedancia de entrada alta
en su primera etapa, con un EC de impedancia alta de salida en su segunda etapa para producir un
amplificador con impedancias altas tanto en la entrada como en la salida. Para ilustrar estos requisitos,
consulte la figura 6-216) y determine los valores de y todos
los otros valores del circuito estn dados en el problema 6.22.
Resp. i

6.44 Para ilustrar el efecto de la impedancia interna de una fuente de seal, calcule la razn de la ganancia de
voltaje para el amplificador en cascada que se indica en la figura 6-21 a) si y todos
los otros valores estn dados en el problema 6.22; despus compare su resultado con el valor de
encontrado en el problema 6.22.
Resp. lo cual representa una reduccin aproximada de 40 por ciento.

6.45 En el caso del amplificador que se advierte en la figura 6-28, encuentre las expresiones para a) la razn
de la ganancia de voltaje y b) la razn de la ganancia de c o r r i e n t e S u p o n g a que

Resp.

6.46 Obtenga las expresiones para a) para el amplificador que se indica en la figura 6-28 si

Resp.:
AMPLIFICADORES BJT DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 175

Figura 6-28

6.47 Suponga que se reemplaza por un cortocircuito en el amplificador diferencial que se observa en la figura
entrada en la terminal que aparece

6.48 En el caso del emisor seguidor de par de Darlington mostrado en la figura 6-29,
En trminos de los parmetros h (diferentes de cero), encuentre las expresiones para b) la ganancia
de voltaje c) la
resistencia interna

Figura 6.29
Amplificadores FET
de seal pequea
en frecuencia media

7.1 INTRODUCCIN
Se dispone de algunos modelos de redes lineales de dos puertos que permiten el anlisis preciso de los FET
para el caso de voltajes pequeos entre fuente y el dren con pequeas excursiones de corriente en relacin con
el punto esttico (operacin de seal pequea). En este captulo, se consideran a todas las seales de voltaje y
de corriente en el intervalo de media frecuencia, donde todos los capacitores aparecen como cortocircuitos
(Seccin 4.5).
Existen tres configuraciones bsicas del amplificador FET: la fuente comn (FC), dren comn (DC) o fuente
seguidora (FS) y compuerta comn (GC). El ms usado es el amplificador FC, el cual proporciona una buena
amplificacin de voltaje. Los amplificadores DC y GC se aplican como amplificadores de acoplamiento (con
impedancia alta de entrada y ganancia de voltaje cerca de la unidad) y amplificadores de alta frecuencia,
respectivamente.

7.2 CIRCUITOS EQUIVALENTES DE SEAL PEQUEA PARA EL FET


Con base en las caractersticas del dren que se advierten en la figura 4-2a) se observa que, si iD se toma
como la variable dependiente, entonces
(7.1)
Para excursiones pequeas (seales de ca) alrededor del punto por lo cual la aplicacin de la regla de
la cadena a (7.1) conduce a

(7.2)

donde se definen como sigue:

Transconductancia (7.3)

Resistencia de la fuente al dren (7.4)

Mientras el JFET se opere en la regin de estrangulamiento, de modo que la compuerta acta como
un circuito abierto. Esto, junto con (7.2), conduce al circuito equivalente de la fuente de corriente mostrado en la
figura 7-1a). El modelo de la fuente de voltaje que se ve en la figura 7-2b) se deriva del problema 7.2. Ambos
modelos pueden usarse al analizar un amplificador, pero uno puede ser ms eficiente que el otro en un circuito
en particular.
AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 177

a) b)
Figura 7-1 Modelos de seal pequea para el FET FC

7.3 ANLISIS DEL AMPLIFICADOR FC


Un amplificador sencillo de fuente comn se muestra en la figura 7-2a); su circuito equivalente asociado de
seal pequea, que incorpora el modelo de fuente de voltaje de la figura 7-16), se seala en la figura 7-26). Se
usa el resistor de la fuente R$ para establecer el punto O, pero est en cortocircuito por el capacitor de paso Cs
para la operacin de media frecuencia.

a) Amplificador FC b) Circuito equivalente de seal pequea


Figura 7-2

Ejemplo 7.1 En el amplificador FC que se ve en la figura 7-2b), sean a) Determine


una expresin para la razn de ganancia de voltaje 6) Evale usando los valores comunes dados.
a) Mediante la divisora de voltaje,

La sustitucin de y la reordenacin dan

(7.5)

b) Los valores dados conducen a

donde el signo menos indica un cambio en la fase entre de


178 AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

7.4 ANLISIS DEL AMPLIFICADOR DC


Un amplificador de dren comn (o seguidor de fuente) se advierte en la figura 7-3a); su circuito equivalente
para seal pequea est dado en la figura 7-3b), donde el equivalente de fuente de voltaje mostrado en la figura
7-1 b) se utiliza para modelar el FET.

Ejemplo 7.2 En el amplificador DC que se indica en la figura 7-3b), sea a)


Encuentre una expresin para la razn de ganancia de voltaje b) Evale usando los valores comunes
dados.
a) Por la divisora de voltaje,

El reemplazo de y la reordenacin dan

(7.6)

a) Amplificador DC o FS b) Circuito equivalente de seal pequea

Figura 7-3

b) La sustitucin de los valores dados conduce a

Observe que la ganancia es menor que la unidad; su valor positivo indica que estn en fase.

7.5 ANLISIS DEL AMPLIFICADOR GC


La figura 4-21 es un amplificador sencillo de compuerta comn. Su circuito equivalente de seal pequea,
que incorpora el modelo de la fuente de corriente que se advierte en la figura 7-1 a), est dado en la figura 7-4.

Ejemplo 7.3 En el amplificador GC de la figura 7-4, sean a) Encuentre una


expresin para la razn de ganancia de voltaje b) Evaleusando los valores comunes.
AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 179

Figura 7-4 Circuito equivalente de seal pequea GC

a) Segn la LCK, Aplicando la LVK en torno a la malla exterior se obtiene

Pero as pues,

y (7.7)

b) La sustitucin de los valores dados da

Problemas resueltos

7.1 a) En el caso del amplificador JFET del ejemplo 4.1, use las caractersticas del dren que se indican en la
figura 4-4 para determinar las constantes del circuito equivalente de seal pequea b) tambin
evale a partir de la caracterstica de transferencia.
a) Sea el cambio en V alrededor del punto que se ve en la figura 4-46); por lo tanto, segn
(7.3),

En el punto que se indica en la figura 4-4a), mientras que cambia de 5 V a 20 V, cambia de


1.4 mA a 1.6 mA; as pues, a partir de (7.4),
180 AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

b) En el punto de la figura 4-4a), en tanto que cambia de 1 mA a 2 mA, cambia de-2.4 Va-1.75
V; segn (7.3),

7.2 Deduzca el modelo de fuente de voltaje de seal pequea que se ve en la figura 7-16) a partir del modelo
de fuente de corriente de la figura 7-1 a).
Encontramos el equivalente de Thvenin para la red a la izquierda de las terminales de salida de la
figura 7-1a). Si todas las fuentes independientes se desactivan, de modo que
la fuente dependiente tambin se desactiva (un circuito abierto para una fuente de corriente), y la
resistencia de Thvenin es El voltaje de circuito abierto que aparece en las terminales de salida
es donde tenemos definida una nueva constante del circuito equivalente,
Factor de amplificacin
El arreglo en serie de conduce a la figura 7-1 b).

7.3 En el amplificador polarizado con retroalimentacin del dren que se ve en la figura 4-7a),
Encuentre mirando hacia atrs a travs de las
terminales de la fuente del dren y d)
a) El circuito equivalente de la fuente de voltaje de seal pequea se observa en la figura 7-5. Con
como voltaje del nodo,

Figura 7-5

Sustituyendo y reordenando se obtiene


AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 181

b) La LVK en torno a la malla exterior de la figura 7-5 da, de lo cual

c) Se encuentra la impedancia Z en el punto de excitacin despus de desactivar la fuente inde-


pendiente Con y

7.4 En el caso del amplificador JFET que se Indica en la figura 7,6,


son grandes y si el amplificador est polarizado
en la regin de estrangulamiento, determine y

Figura 7-6

a) El circuito equivalente de la fuente de corriente de seal pequea se dibuja en la figura 7-7. Puesto
que la compuerta demanda una corriente despreciable,

b) Mediante la divisin del voltaje en la malla de entrada,

(1)
182 AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Figura 7-7

La fuente de corriente dependiente maneja internamente donde

y as (2)

Eliminando entre (1) y (2) se obtiene

c)

7.5 Muestre que un circuito equivalente de seal pequea para el amplificador FET de dren comn de la figura
4-8 est dado por la figura 7-8b).

Figura 7-8

El modelo de fuente de voltaje que se ve en la figura 7-1 b) se ha insertado en el equivalente de ca


de la figura 4-8, y el resultado redibujado da el circuito de la figura 7-8a), donde se determina
en el problema 4.5. Se han puesto etiquetas al voltaje el cual se determina ms fcilmente que el
Con las terminales a,b en el circuito abierto mostrado en la figura 7-8a), la LVK en torno a la malla S, G,
da
AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 183

Entonces el voltaje de Thvenln en las terminales a,b en el circuito abierto es

(1)

La mpedancia de Thvenin se encuentra como la mpedancia en el punto de excitacin a la izquierda


a travs de a,b (con desactivado o en cortocircuito), como se vio mediante una fuente que impulsa
una corriente en la terminal a. Puesto que la LVK en torno a la malla de salida que se ve en
la figura 7-8a) da

de donde (2)

Las expresiones (7) y (2) conducen directamente al circuito que se observa en la figura 7-86).

7.6 La figura 7-9a) muestra un circuito equivalente de seal pequea (modelo de fuente de voltaje) de un
amplificador JFET de compuerta comn. Use el circuito para verificar las dos reglas de reflexin de
impedancia y voltaje para amplificadores FET:
a) Los voltajes y las impedancias en el circuito del dren se reflejan en el circuito de la fuente dividido
entre [Verifique esta regla mediante la determinacin del equivalente de Thvenin para el
circuito a la derecha de mostrado en la figura 7-9a) y pruebe que resulta la figura
b) Los voltajes y las impedancias en el circuito de la fuente se reflejan en el circuito del dren multiplicados
por [Verifique esta regla por la determinacin del equivalente de Thvenin para el circuito a la
izquierda de en la figura 7-9a) y demuestre que resulta la figura 7-9c).]

Figura 7-9
184 AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

a) Despus de que se conecta una fuente en el


punto de excitacin a las terminales para enviar la corriente a la terminal a, la LVK da
(1)
Pero el cual puede sustituirse en para dar

(2)
Con la insercin de en el lugar de la red a la derecha de indicada en la figura 7-9a)
conduce directamente a la figura 7-9b).
b) Aplicando la LVK a la izquierda de en la figura 7-9a) con abierto, mientras que se
obtiene
(3)
Si se desactiva (poniendo en cortocircuito) y si se conecta una fuente entre las terminales
para enviar la corriente a la terminal b, si se observa que y si se aplica la LVK en torno
a la malla exterior indicada en la figura 7-9a), nos queda
(4)
La impedancia de Thvenin se deduce de (4) como

(5)
Cuando se usan la fuente de Thvenin de (3) y la impedancia de (5) para reemplazar la red a la izquierda de
se obtiene el circuito de la figura 7-9c).

7.7 Suponga que el capacitor se cambia del circuito del problema 7.4 (Figura 7-6) y que todo lo dems
permanece inalterado. Encuentre a) la razn de ganancia de voltaje b) la razn de ganancia
de corriente y c) la impedancia de salida viendo a la izquierda a travs del puerto de salida sin
conectar
a) El circuito equivalente de fuente de voltaje para seal pequea est dado en la figura 7-10 (el modelo
de fuente de corriente que se utiliz en el problema 7.4). La divisin de voltaje y la LVK dan

(1)
Pero, por la ley de Ohm,

(2)

Sustituyendo (2) en (1) y despejando se obtiene

(3)

Ahora la divisin de voltaje da

y la sustitucin de (3) en (4) y la reordenacin dan


AMPUFICAPORESFET DE SEAL PEQUEA EN FREGUENCIA-MEQIA 185

(5)
Con y los valores dados, (5) se convierte en

Figura 7-10

6) La ganancia de corriente se encuentra como

c) Se desconecta y se agrega una fuente de voltaje en el punto de excitacin tal que Con
desactivada (en cortocircuito), y

Observe que, cuando no est en derivacin por un capacitor de paso, las razones de ganancia
de voltaje y corriente se reducen significativamente.

Figura
186 AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

7.8 Encuentre un circuito equivalente para los dos JFET conectados en paralelo y que se ven en la figura
7-11 si los dispositivos no son idnticos.
Segn la LCK,
(1)
Puesto que la conexin en paralelo asegura que los voltajes de la compuerta a la fuente y del dren a la
fuente para ambos transistores sean iguales, (1) puede escribirse como
(2)

La aplicacin de la regla de la cadena a (2) da

(3)

donde

La ecuacin (3) se satisface mediante el circuito de la fuente de corriente mostrado en la figura 7-1 a)

7.9 En el circuito que se advierte en la figura 7-11, . _ Suponga


que los dos JFET son idnticos con _ y Encuentre a) la razn de ganancia de
voltaje b) la razn de ganancia de corriente y c) la impedancia de salida
a) El circuito equivalente de seal pequea se observa en la figura 7-12, el cual incluye el modelo para
los dos JFET en paralelo determinado en el problema 7.8. Mediante la divisin del voltaje,

(1)

Ahora sea
(2)

Por lo tanto, por la ley de Ohm, con (1) y (2), esto da

Figura 7-12

b) La razn de ganancia de corriente es


AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 187

c) Reemplazamos RL por una fuente de punto de excitacin orientada en tal forma que
desactivado (en cortocircuito), as pues,

7.10 Mueva el capacitor de su conexin en paralelo con y pngalo en una posicin en paralelo con
como se observa en la figura 4-23. Sean El JFET se
caracteriza por y E n c u e n t r e a) la razn de ganancia de voltaje ) la
razn de ganancia de corriente c) la impedancia de e n t r a d a y d) la impedancia de salida
a) El circuito equivalente (con un modelo del JFET de fuente de corriente) est dado en la figura 7-13.
Segn la LVK,
(1)
Usando como voltajes de nodo, tenemos

(2)

Ahora sea

Segn la LCK y la ley de Ohm,


(3)
La sustitucin de (1) y (2) en (3) y la reordenacin conducen a

Figura 7-13

b) La razn de ganancia de corriente se deduce de la parte a como

c) De (2)

se encuentra directamente de (4) como


188 AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

d) Quitamos RL y conectamos una fuente de excitacin orientada como Con desactivado (en
corto circuito), Por lo tanto, segn la LCK,

7.11 Use el circuito equivalente de seal pequea para predecir los valores pico de en el ejemplo 4.2.
Compare su resultado con el del ejemplo 4.2 y comente cualquier diferencia.

Los valores de para la operacin cerca del p u n t o q u e se ve en la figura 4-4 fueron calculados
en el problema 7.1. Podemos usar el modelo de fuente de corriente de la figura 7-1 a) para formar el circuito
equivalente para la figura 4-3. En ese circuito, con la ley de Ohm requiere que

As pues,

Asimismo, de la figura 7-1 a),

por lo cual

La excursin de 1 V de conduce a la operacin sobre gran parte de las caractersticas no lineales


del dren. Por lo tanto, el circuito equivalente de seal pequea predice un valor mayor para el pico positivo
y uno menor para el pico negativo de y que los obtenidos mediante la solucin grfica del ejemplo
4.2, lo cual explica las no linealidades inherentes.

7,12 En el caso de las caractersticas del dren del JFET que se indica en la figura 4-2a), suponga que es
la variable dependiente [de modo que y deduzca el modelo de fuente de voltaje de seal
pequea.

Con variaciones pequeas en relacin al punto la regla de la cadena da

(1)

Ahora podemos definir

Si el JFET opera en la regin de estrangulamiento, entonces la corriente de compuerta es despreciable


y (7) se satisface por el circuito equivalente que se advierte en la figura 7-1 b).
AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 189

7.13 Encuentre un circuito equivalente de fuente de corriente de seal pequea para el amplificador FET de
DC.
El teorema de Norton puede aplicarse al modelo de fuente de voltaje que se ve en la figura 7-86). El
voltaje de circuito abierto en las terminales es (sin la

(1)

La corriente en cortocircuito a las termnales D,S es

(2)

La impedancia de Norton se encuentra como la razn de (1) a (2):

El circuito equivalente est dado en la figura 7-14. Normalmente, y, por tanto,

Figura 7-14

7.14 En el amplificador MOSFET en cascada que se observa en la figura 7-15, Encuentre a) la razn
de la ganancia de voltaje y b) La razn de la ganancia de corriente

a) El circuito equivalente de seal pequea se observa en la figura 7-16. Usando el resultado del ejemplo
7.1, pero reemplazando con donde tenemos

(1)

De manera anloga, (2)

Entonces (3)
190 AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Figura 7-15

Figura 7-16

b) Si nos damos cuenta que tenemos

donde est dada por (3).

7.15 En el caso del amplificador Darlington de JFET BJT que se advierte en la figura 7-17a), encuentre a) la
razn de ganancia de voltaje y b) la impedancia de salida Suponga y que

a) El circuito equivalente de seal pequea se observa en la figura 7-17b), donde se ha usado el modelo
DC del JFET (Problema 7.5). Puesto que la LVK da

(1)
Por la ley de Ohm,

(2)
AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 191

Figura 7-17

Despejando de (1), sustituyendo el resultado en (2), y reordenando, se obtiene

b) Reemplazamos por una fuente de punto de excitacin orientada de manera que Con
desactivada (en cortocircuito), Por lo tanto, conforme a la ley de Ohm,

(3)

y, por la LCK,

(4)
Sustituyendo (3) en (4) y reordenando, nos queda
192 AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Problemas complementarios

7.16 Encuentre la mpedancia de entrada mediante la fuente v del ejemplo 4.1 si es grande.

7.17 Muestre que la transconductancia de un JFET vara como la raz cuadrada de la corriente del dren.
Resp.
7.18 En el amplificador que se indica en la figura 4-8,
(Problema 7.2) y Encuentre a)
Resp. a) 0.829; b) 843; c)

7.19 Encuentre la ganancia de voltaje del amplificador de GC que se indica en la figura 7-9a).

7.20 Encuentre ia ganancia de voltaje para el circuito que se advierte en la figura 7-18a). La figura
7-18b) es un circuito equivalente de seal pequea en el cual la reflexin de la impedancia se ha utilizado
con fines de simplificacin.

7.21 Si en el amplificador que se advierte en la figura 7-18a), el circuito se llama comnmente divisor
de fases, puesto que (las salidas son iguales en magnitud pero 180 fuera de fase). Encuentre
y, por comparacin con del problema 7.20, verifique que el circuito es realmente un divisor
de fase.

Figura 7-18
AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA 193

7.22 Los FET conectados en serie del problema que se ven en la figura 4-16 son idnticos, con
y Encuentre a) la razn de ganancia de v o l t a j e y c) la
impedancia de salida
Resp.

7.23 El amplificador JFET que se indica en la figura 4-23 tiene


El JFET obedece a (4.2) y se caracteriza por Determine
a) mediante (7.3), b) y c) la razn de la ganancia de voltaje
Resp. a) 2.5 mS; c) 0.52

7.24 En el caso del amplificador JFET que se advierte en la figura 4-13, encuentre expresiones matemticas
para: a) la razn de ganancia de voltaje y b) la razn de ganancia de voltaje

7.25 Es frecuente que en circuitos integrados la compuerta de un FET se conecte al dren; entonces las
terminales del dren a la fuente se consideran como las terminales de un resistor. Comenzando con (7.2),
muestre que, si entonces el circuito equivalente de seal pequea es de un valor no mayor que

7.26 En eJ caso del amplificador FC que se ve en la figura 7-26), encuentre a) la impedancia de entrada y
b) la impedancia de salida
Resp. a)

7.27 En el caso del amplificador DC que se indica en la figura 7-3b), encuentre a) la impedancia de entrada
y b) la impedancia de salida
Resp.

7.28 En el caso del amplificador GC que se observa en la figura 7-4, encuentre a) la impedancia de entrada
y b) la impedancia de salida
Resp.

7.29 En el circuito que se indica en la figura 7-19, los dos FET son idnticos. Encuentre a) la razn de ganancia
de voltaje y b) la impedancia de salida
Resp.

7.30 En el caso del amplificador MOSFET en cascada que se advierte en la figura 7-15 con un circuito
equivalente en la figura7-16, encuentre a) la impedancia de entrada y b) la impedancia de salida

7.31 En el circuito FET BJT en cascada que se observa en la figura 7-20, suponga
Encuentre las expresiones para a)
Resp.
194 AMPLIFICADORES FET DE SEAL PEQUEA EN FRECUENCIA MEDIA

Figura 7-19 Figura 7-20


Efectos de la frecuencia
en amplificadores
8.1 INTRODUCCIN
En el anlisis de los dos captulos anteriores supusimos que la operacin en el Intervalo de frecuencia media,
en el que las reactancias de todos los capacitores de paso y acoplamiento podan considerarse cero, mientras
que todas las reactancias capacitivas inherentes asociadas con los transistores son infinitamente grandes. Sin
embargo, en un intervalo amplio de frecuencias de la seal, la respuesta de un amplificador es un filtro paso banda:
Las seales bajas y altas se atenan, pero las que estn dentro de una banda (o intervalo) de frecuencias entre
las altas y las bajas no se atenan. El comportamiento normal en el dominio de la frecuencia de un amplificador
con acoplamiento RC se describe en la figura 8-1a). En la prctica, el intervalo de media frecuencia de los
amplificadores se expande algunos rdenes de magnitud, de modo que los trminos en la expresin de la razn
de ganancia que modifican la ganancia en baja frecuencia son esencialmente constantes en el intervalo de alta
frecuencia. A la inversa, los trminos que modifican la ganancia en alta frecuencia s o n prcticamente constantes
en el intervalo de baja frecuencia. De esta manera, los anlisis de amplificadores en alta y baja frecuencia se
tratan como dos problemas independientes.

Intervalo de baja frecuencia

Intervalo de
alta frecuencia
Intervalo de
media frecuencia

a) b)
Figura 8-1

8.2 GRFICAS DE BODE Y RESPUESTA EN FRECUENCIA


Una red elctrica lineal de dos puertos que no contenga fuentes independientes (incluyendo el circuito
equivalente del amplificador en seal pequea) puede reducirse a la forma de la figura 8-16), donde T{s) =A/(s)/D(s)
es la funcin de transferencia en el dominio de Laplace (una razn de variables de puerto).
En el anlisis del amplificador tienen inters particular las razones de ganancia de corriente {funcin de
transferencia) T(s) =A,(s) y la razn de la ganancia de voltaje (funcin de transferencia) En el caso
de una seal de voltaie de entrada sinusoidal, se aplica un par de transformadas de Laplace
196 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

y la respuesta en la red est dada por

(8.1)

Sin prdida de la generalidad, suponemos que el polinomio D(s) =0 tiene distintas races n. Entonces, la expansin
en fracciones parciales de (8.1) da

(8.2)

donde los primeros dos trminos del lado derecho son trminos de respuesta forzada (llamada respuesta en i
frecuencia) y el balance de los trminos constituye la respuesta transitoria. Con el tiempo la respuesta transitoria I
tiende a cero, haciendo que las races de D(s) =0 se localicen al lado izquierdo del plano de nmeros complejos (
(la condicin de un sistema estable).
Los coeficientes se evalan por el mtodo de los residuos, y los resultados se usan en una
transformacin inversa a la respuesta sinusoidal del estado estable en el dominio del tiempo dada por
(8.3)
(Problema 8.21). El ngulo de fase de la red se define como

{8.4)

De (8.4), es obvio que aplicar una entrada sinusoidal a una red lineal de dos puertos produce una salida en estado
estable que tambin es sinusoidal; las formas de onda de la salida difieren slo en amplitud y en ngulo de fase.
Para facilitar la comprensin, y por conveniencia, establecemos las siguientes definiciones:
1. A es la funcin de transferencia en frecuencia.
2. Se define M como la razn de la ganancia.
3. Se define log M =20 l o g c o m o la razn de la amplitud, medida en decibeles (db).
Los subndices se pueden agregar a cualquiera de estas cantidades para indicar especficamente la referencia
de voltaje o corriente, respectivamente. A la grfica de (de manera simultnea con si se desea) en funcin
del logaritmo de la frecuencia de entrada de seal (slo valores positivos) se le llama diagrama de Bode.

Ejemplo 8.1 Una red simple de primer orden tiene una funcin de transferencia en el dominio de Laplace y
funcin de transferencia en frecuencia

donde x es la constante de tiempo del sistema, a) Determine el ngulo de fase $ de la red y su razn de amplitud
Mdb y fa) construya el diagrama de Bode para dicha red.
a), La funcin de transferencia en frecuencia dada en forma polar es

1 1 ,
y\ + ((T)2 |tan

Por tanto, (8.5)

(8.6)
y
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 197

b) Si los valores de (8.5) y (8.6) se calculan y grafican para varios valores de <M, entonces se genera una grfica
de Bode. Esta se encuentra en la figura 8-2, donde u> est en trminos de constantes de tiempo r ms bien
que en hertz. Este sistema particular se llama red de retraso debido a que su ngulo de fase <p es negativo
para todo valor de w.

Problema 8.1

Ejemplo 8.1;

Figura 8-2

Ejemplo 8.2 Una red simple de primer orden tiene una funcin de transferencia en el dominio de Laplace y
funcin de transferencia en frecuencia

Determine el ngulo de fase y la razn de amplitud y estudie la naturaleza del diagrama de Bode. Despus
de convertir en la forma polar, resulta obvio que
(8.7)

(8.8)
La comparacin de {8.5) y (8.7) demuestra que el ngulo de fase de la red es la imagen de espejo del ngulo de
fase de la red del ejemplo 8.1. (Cuando se incrementa, flucta entre 0 y 90.) Adems, (8.8) muestra que la
razn de amplitud es la imagen de espejo de la razn de amplitud del ejemplo 8.1 (Cuando se incrementa,
vara entre 0 y valores positivos.) Asf pues, la grfica de Bode completa consta de las imgenes de espejo alrededor
de cero de de la figura 8-2. Puesto que aqu el ngulo de fase es positivo en cualquier lugar, esta red se
llama red de adelanto.

La frecuencia de corte o frecuencia de esquina es la frecuencia En el caso de una red de retraso o de


adelanto, es la frecuencia en que ha cambiado el 50 por ciento de su valor a e n esta frecuencia,
ha cambiado 3 db de su valor a Las frecuencias de esquina sirven como puntos clave en la construccin
de diagramas de Bode.
198 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

Ejemplo 8.3 Describa la grfica de Bode de una red cuya salida es la derivada con respecto al tiempo de su
entrada.

La red tiene una funcin de transferencia en el dominio de Laplace A(s) =s y la funcin de transferencia en
frecuencia La conversin d e , e n forma polar muestra que

(8.9)

y (8.10)

Es obvio que el ngulo de fase de la red es una constante de 90. Segn (8.10), cuando adems,
se incrementa 20 db por cada orden de magnitud (dcada) de cambio en Una grfica de en funcin del

logaritmo de tendra una pendiente de 20 db por dcada de la frecuencia. Se ofrece en la figura 8-3 un diagrama
de Bode completo.
El diagrama de Bode exacto de una funcin de transferencia en trminos de la frecuencia de una red es
tedioso de construir. En general, se puede obtener la informacin suficientemente exacta de un diagrama asinttico
de Bode (Problema 8.1).

Ejemplo 8.4 El diagrama exacto de Bode para un sistema de primer orden del ejemplo 8.1 se da en la figura
8-2. a) Agregue el diagrama de Bode asinttico para esa figura, b) Describa el diagrama asinttico de Bode para
el sistema del ejemplo 8.2.

Dcada

Figura 8-3

a) Los diagramas asintticos de Bode son aproximaciones lineales por piezas. El diagrama asinttico de
para una red simple de atraso tiene valor cero hasta la frecuencia simple de corte / despus disminuye
20 db por dcada. La grfica asinttica de tiene el valor cero hasta luego disminuye linealmente
-90 hasta y despus es constante en -90. Ambas grficas asintticas se muestran con lnea
punteada en la figura 8-2.
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 199

b) La grfica asinttica de Bode para una red simple de adelanto es la imagen de espejo de la de atraso. As pues,
la grfica asinttica de M* en el ejemplo 8.2 es cero hasta que w =1/ry despus se incrementa en 20 db por
dcada; la grfica de 0 es cero hasta que w =0.1/r, luego se incrementa a 90 en w = 10/ry finalmente
permanece constante.

8.3 EFECTO DE BAJA FRECUENCIA DE LOS CAPACITORES DE PASO Y ACOPLAMIENTO

A medida que la frecuencia de la seal de entrada de un amplificador disminuye por debajo del intervalo de
media frecuencia, la razn de ganancia de voltaje (o corriente) decrece en maanitud. El punto de corte de baja
frecuencia es la frecuencia en que la razn de ganancia es igual a veces su valor de media
frecuencia [Figura 8-1a)] o en el cual ha disminuido exactamente 3db de su valor de media frecuencia. El
intervalo de frecuencias por debajo de se llama regin de frecuencias bajas. El comportamiento del amplificador
en frecuencias bajas (en realidad atenuacin) es una consecuencia del uso de capacitores de paso y de
acoplamiento para mantener las caractersticas de polarizacin del transistor. Cuando se observa desde la regin
de baja frecuencia, el amplificador se comporta como un filtro paso alto (las seales para las cuales son
atenuadas apreciablemente, mientras que no se atenan las seales de frecuencia ms altas que

Ejemplo 8.5 En el caso del amplificador de la figura 3-6, suponga que pero que el capacitor de paso C
no puede despreciarse. Asimismo, haga Calcule una expresin que sea vlida para seales
pequeas y que proporcione a) la razn de ganancia de voltaje a cualquier frecuencia; despus encuentre
b) la razn de ganancia de voltaje a frecuencias bajas, c) la razn de ganancia de voltaje a frecuencias ms altas
y d) el punto de corte de baja frecuencia, e) Trace el diagrama de Bode para el amplificador (slo para la razn
de amplitud).

a) El circuito equivalente de baja frecuencia de seal pequea (con la aproximacin implementada) se incluye
en la figura 8-4. En el dominio de Laplace, tenemos

(8.11)

Deducimos que
(8.12)
EntoncesLVKy(8.2)da
(8.13)

Figura 8-4
200 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

Pero, por la ley de Ohm,

(8.14)

Despejando de {8.13), sustituyendo el resultado en (8.14), usando (8.11) y reordenando da la razn de


ganancia de voltaje que se desea:

(8.15)

b) La razn de ganancia de voltaje de baja frecuencia se obtiene mediante s - 0 en (8.15):

(8.16)

La comparacin de (8.16) con (7) del problema 6.7 (pero con seala que la introduccin del capacitor
de paso en el anlisis puede cambiar significativamente la expresin que se obtiene para la razn de ganan-
cia de voltaje.

c) La razn de ganancia de voltaje de ms alta frecuencia (media frecuencia) se obtiene mediante


(8.15):

(8.17)

d) La ecuacin (8.15) puede reordenarse para obtener

(8.18)

la cual es claramente de la forma

As pues, podemos usar (8.18) para escribir


1
(8.19)

(8.20)

En general, por lo que una aproximacin razonable de

(8.21)

Como es casi siempre una orden de magnitud ms pequea que y como es un orden de magnitud
ms grande que

e) El diagrama de Bode asinttico de baja y media frecuencia se seala en la figura 8-5, donde estn
dadas por (8.19) y (8.21), respectivamente, De (8.76) y (8.17),

(8.22)
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 201

y (8.23)

Figura 8-5 Figura 8-6

Ejemplo 8.6 En el circuito que se advierte en la figura 3-15, la batera se reemplaza por una fuente sinusoidal
La impedancia del capacitor de acoplamiento no es despreciablemente pequea, a) Encuentre una expresin
para la razn de voltaje 6) Determine la ganancia de media frecuencia de este amplificador,
c) Calcule el punto de corte de baja frecuencia y trace el diagrama asinttico de Bode.
a) El circuito equivalente de baja frecuencia de seal pequea se observa en la figura 8-6. Por la ley de Ohm,

(8.24)

Entonces la divisin de la corriente da

(8.25)

Pero la ley de Ohm requiere que


(8.26)
Sustituyendo (8.25) en (8.26) y reordenando se obtiene

(8.27)

Ahora bien, con s =jm en (8.27), su magnitud es

M=\A(j<o)\ = (8.28)

b) La ganancia de media frecuencia haciendo que Podemos hacerlo as debido a que las
reactancias asociadas con las capacitancias inherentes son infinitamente grandes y se han despreciado en
el circuito equivalente. Por lo tanto, tenemos,

(8.29)
202 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

c) De (8.27),

(8.30)

C(RS + hie || RB) C[Rs(h,e + RB) + hieRB]


El diagrama asinttico de Bode se traza en la figura 8-7.

Figura 8-7 Figura 8-8 Modelo hbrido para el BJT

8.4 MODELO n HBRIDO DEL BJT PARA ALTA FRECUENCIA

Debido a las capacitancias internas del transistor, las razones de la corriente del amplificador y la ganancia
de voltaje disminuyen en magnitud conforme la frecuencia de la seal de entrada aumenta ms all del interva-
lo de media frecuencia. El punto de corte de alta frecuencia es la frecuencia en que la razn de ganancia es
igual a veces su valor de media frecuencia [Figura 8.1a)] o en q u e h a disminuido 3 db de su valor de
media frecuencia. Al intervalo de frecuencias arriba de se le llama regin de alta frecuencia. Igual que
tambin es una frecuencia de corte.
Al modelo de alta frecuencia ms til para el BJT se le llama circuito equivalente hbrido (Figura 8-8). En
este modelo, se supone que la razn de voltaje inverso y la admitancia de salida son despreciables. La
resistencia hmica de la base la cual se supone que est localizada entre la terminal de la base S y la unin
de la base S' tiene un valor constante (en general entre 10 y que depende directamente del ancho de la
base. La resistencia de la unin emisor-base es normalmente mucho ms grande que y puede calcularse
como

(Problema 6.8). La capacitancia es la capacitancia de agotamiento (Seccin 2.3) asociada con la unin de
colector-base polarizada en inversa; su valor es una funcin de La capacitancia es la capacitancia
de difusin asociada con la unin de emisor-base polarizada en directo; su valor es una funcin de

Ejemplo 8.7 Aplique el modelo hbrido que se advierte en la figura 8-8 al amplificador de la figura 3-6 a fin de
encontrar una expresin para su razn de ganancia de voltaje vlida en frecuencias altas. Suponga que

Un circuito equivalente de alta frecuencia hbrido de seal pequea se observa en la figura 8-9a). Si se
quiere simplificar el anlisis puede encontrarse el circuito equivalente de Thvenin para la red a la izquierda del
par de terminales
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 203

(8.32)

y
(8.33)

b)
Figura 8-9

La figura 8-9>) muestra el circuito con el equivalente de Thvenin colocado. Usando como voltajes de
nodo y trabajando en el dominio de Laplace, podemos escribir las dos ecuaciones siguientes:

(8.34)

En la ltima ecuacin puede despejarse sustituirse luego en (8.34), y reordenarse el resultado para obtener
la razn de voltaje

(8.36)

En el caso de valores comunes, el coeficiente de s2 en el lado derecho de (8.36) tiene varios rdenes de magnitud
menores que los de los otros trminos; al aproximar este coeficiente como cero (es decir, despreciando el trmino
despreciamos un punto de quiebre en una frecuencia mucho ms grande que Haciendo esto y utilizando
(8.32), obtenemos la razn deseada de ganancia de voltaje para alta frecuencia:

(8.37)
204 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

8.5 MODELOS DEL FET DE ALTA FRECUENCIA


El modelo de alta frecuencia de seal pequea para el FET es una extensin del modelo de media frecuencia
de la figura 7-1. Se agregan tres capacitores: Un entre la compuerta y la fuente, otro entre la compuerta y
el dren, y el ltimo entre el dren y la fuente. Todos ellos tienen el mismo orden de magnitud, en general entre
1 y 10 pF. La figura 8-10 muestra el modelo de alta frecuencia de seal pequea, basado en el modelo de fuen-
te de corriente de la figura 7-1a). Tambin puede dibujarse otro modelo, basado en el modelo de fuente de voltaje
de la figura 7-1b).

Figura 8-10 Modelo del FET de seal pequea para alta frecuencia con fuente de corriente

Ejemplo 8.8 En el caso del amplificador JFET que se observa en la figura 4-3b), a) Encuentre una expresin
para la razn de ganancia de voltaje en alta frecuencia y b) determine el punto de corte de alta frecuencia.
a) El circuito equivalente de seal pequea de alta frecuencia se ofrece en la figura 8-11, que incorpora la figura
8-10. Primero determinamos un equivalente de Thvenin para la red a la izquierda entre el par de terminales
Observando que vemos que el voltaje en circuito abierto est dado por

(8.38)

Si V, se desactiva, V, =vgs =0 y la fuente dependiente de corriente es cero (en circuito abierto). Una fuente
en punto de excitacin, conectada entre las terminales a,a' ve solamente

(8.39)

Ahora bien, puesto en su lugar el equivalente de Thvenin, la divisin de voltaje conduce a

(8.40)

(8.41)

(8.42)

b) De (8.42), el punto de corte de alta frecuencia es obviamente

(8.43)
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 205

Figura 8-11

Obsrvese que el punto de corte de alta frecuencia es independiente de mientras la impedancia interna
de la fuente sea despreciable. (Problema 8.38.)

8.6 CAPACITANCIA DE MILLER

Los modelos de alta frecuencia de transistores suelen incluir una trayectoria a travs de un capacitor que va
desde la entrada hasta la salida modelado como admitancia YF en la red de dos puertos de la figura 8-12a). Esta
trayectoria adicional de conduccin aumenta la dificultad del anlisis; nos gustara reemplazarla por un elemento
equivalente en paralelo. En relacin con la figura 8-12a) y usando LCK, tenemos

(8.44)

Pero (8.45)
La sustitucin de (8.45) en (8.44) da

(8.46)
donde es obviamente la razn de ganancia de voltaje del amplificador.
De una manera similar,

(8.47)
y el uso de (8.45) en (8.47) nos da

(8.48)
Las ecuaciones (8.46) y (8.48) indican que la admitancia de retroalimentacin YF puede reemplazarse por dos
admitancias conectadas en paralelo como se advierte en la figura 8-126). Cuando esta red de dos puertos se
utiliza para modelar un amplificador, normalmente la ganancia de voltaje K produce un valor negativo grande, de
modo que (1 - K) \F \ - \ K \ YF. Por tanto, una capacitancia de retroalimentacin pequea aparece como una
capacitancia en paralelo (llamada capacitancia de Miller).
206 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

Figura 8-12

Problemas resueltos
8.1 Calcule y tabule la diferencia entre las grficas asinttica y exacta que se ven en la figura 8-2, y use esa
diferencia para corregir grficas asintticas y hacerlas grficas exactas.
La diferencia puede encontrarse mediante la sustraccin. En la grfica

Para
()

Para
(2)
y para la grfica

En (3)

Para valores de
(4)

En (5)
La aplicacin de () en (5) da la tabla 8-1.
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 207

Tabla 8-1
Correcciones del diagrama de Bode

0.04 5.7
1 -4.9
2 -2.4
3 0o
2 2.4
1 4.9
0.04 -5.7

8.2 La funcin de transferencia de dominio s para un sistema puede escribirse en la forma

(1)

donde n puede ser positivo, negativo o cero. Demuestre que el diagrama de Bode (solamente para i
puede generarse como un compuesto de grficas individuales de Bode para tres tipos bsicos de trminos.

La funcin de transferencia que corresponde a (1) es

(2)

De la definicin 3 de la seccin 8.2,

(3)

lo cual puede escribirse como

(4)
Es obvio que de (4) pueda formarse el diagrama de Bode de sumando punto por punto las grficas
de tres tipos de trminos:
1. Un trmino de invariante con la frecuencia o ganancia constante cuyo diagrama de Bode es una lnea
horizontal en
2. Los polos o ceros de multiplicidad n, cuya razn de amplitud e s d o n d e el signo ms
corresponde a los ceros y el menos a los polos de la funcin de transferencia. (Ejemplo 8.3.)
3. Los factores de primer orden de adelanto y atraso, se estudiaron en los ejemplos 8.1 y 8.2.
Normalmente se aproximan con grficas de Bode asintticas; si se necesita mayor precisin se corrigen las
grficas asintticas usando la tabla 8-1.

8.3 El circuito de la figura 8-13a) se excita mediante una fuente sinusoidal a) Trace el diagrama de Bode
asinttico asociado con la funcin de transferencia en el dominio de Laplace
Use la tabla 8-1 para corregir la grfica asinttlca y mostrar ia grfica exacta de Bode.
208 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

Diagrama
de Bode
exacto

Figura 8-13

a) Por la divisin del voltaje,

()

de modo que
(2)
Usando el resultado del problema 8.2, reconocemos a la ecuacin (2) como la combinacin de un
retraso de primer orden, una ganancia constante y un cero de multiplicidad 1. Las componentes de
la grfica asinttica de Bode se muestran con lnea punteada en la figura 8-13b) y la compuesta se
indica con Knea continua. En el ejemplo se supuso que lo cual es verdadero en la
mayora de los casos.

b) Los factores de correccin de la tabla 8-1 llevan a la elaboracin de una grfica exacta como la que se
advierte en la figura 8-14b).

8.4 Trace la grfica de Bode asinttica asociada con la razn de voltaje de salida y de entrada de
la figura 8-14a).
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 209

Dcada

Mediante la divisin del voltaje,

y la funcin de transferencia en el dominio de Laplace es

De T(s), es obvio que el circuito forma un filtro de paso bajo cuya ganancia de frecuencia baja es 7(0) =
RJIR, +R2) y una frecuencia de esquina en w, = 1 / T , =1/flC 2 . Se traza su diagrama de Bode en la figura
8-14b).

8.5 En el caso del amplificador de la figura 3-6, suponga que El capacitor de


paso no puede despreciarse. Encuentre las expresiones para a) la razn de ganancia de corriente
A,{s), b) la razn de ganancia de corriente a bajas frecuencias y c) la razn de ganancia de corriente de
d) Determine el punto de corte de baja frecuencia y trace la grfica de Bode asinttica

a) El circuito equivalente de seal pequea para baja frecuencia se incluye en la figura 8.4. Mediante
la divisin de la corriente para las cantidades en el dominio de Laplace,

(1)

donde (2)

Asimismo (3)
210 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

La sustitucin de (7) en (3) da la razn de ganancia de corriente como

(4)
Usando (2) en (4) y reordenando se obtiene la razn de ganancia de corriente deseada:

{5)

b) La razn de ganancia de corriente en baja frecuencia se deduce al hacer en (5):

(6)

c) La razn de ganancia de corriente en media frecuencia se obtiene haciendo en (5):

(7)

d) La simple observacin de (5) muestra que la funcin de transferencia en el dominio de Laplace es de


la forma

donde y (8)

Con dadas en (8) y con

y
la grfica de Bode es idntica a la que se advierte en la figura 8-5. Puesto que est ms
cerca de la regin de media frecuencia y tambin el punto de corte de baja frecuencia.

8.6 En el amplificador de la figura 3-6,


Los transistores que se usan se caracterizan por a) Mediante
la apropiada seleccin de disee un amplificador con ganancia de voltaje de corte en baja
frecuencia y en alta frecuencia de voltaje de g a n a n c i a o ) Para el diseo terminado
determine el voltaje de baja frecuencia en razn de ganancia de alta frecuencia si tienen valores
medios.
a) De acuerdo con (8.17), los parmetros en el peor caso del transistor para alta son mnimos
y mximos El uso de esos valores de parmetros nos permite determinar un valor de la
combinacin en paralelo de

Entonces,

Ahora bien, de (8.20), para


EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 211

b) Segn (8.16),

8.7 Sea en el amplificador con acoplamiento capacitivo de la figura 6-19. Suponga que
Encuentre una expresin para la ganancia de voltaje

La primera etapa del amplificador puede reemplazarse por un equivalente de Thvenin y la segunda etapa
se representa por su impedancia de entrada, como se advierte en la figura 8-15. se deduce de la
divisin del voltaje y (6.46) si se reemplazan p o r r e s p e c t i v a m e n t e :

(1)

donde
(2)
est dada por (6.50) con reemplazada por
(3)

entrada de la segunda etapa est dada por (6.47) si se reemplaza por

(4)
Ahora bien, de (2) del problema 8.3,

(5)

y reordenando se obtiene la ganancia de la primera etapa como

(6)
212 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

La ganancia de la segunda etapa se deduce directamente de (6.46) si se reemplaza por

En consecuencia, la ganancia total es

(7)

Sustituyendo (1) en (7) y simplificando se obtiene la ganancia deseada:

(8)

8.8 En el amplificador en cascada del problema 8.7 (Figura 6-19 con dados
Determine a) la ganancia
en baja frecuencia, b) la ganancia en frecuencia media y c) el punto de corte en baja frecuencia.

a) Haciendo en (8) del problema 8.7 resulta obvio que la ganancia de baja frecuencia es.
6) La ganancia en frecuencia media se determina haciendo en (8) del problema 8.7:
De (2), (3) y (4) del problema 8.7,

Entonces

c) El punto de corte de baja frecuencia se calcula del trmino de retardo en (8) del problema 8.7:

8.9 Los dos capacitores de acoplamiento del amplificador BC de la figura 6-13 son idnticos y no pueden
despreciarse. Suponga que a) Encuentre una expresin para la razn de ganancia de voltaje
b) Determine una expresin para la razn de ganancia de voltaje de frecuencia media.

a) El circuito equivalente de seal pequea para baja frecuencia se observa en la figura 8-16. Aplicando
la ley de Ohm en el dominio de Laplace, obtenemos

La divisin del voltaje da entonces

(1)
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 213

Mediante la divisin de la corriente en la salida,

(2)
Sustituyendo (1) en (2) y reordenando se obtiene la razn de ganancia de voltaje deseada:

(3)

6) Haciendo en (3) se obtiene la ganancia de frecuencia media: (4)

Figura 8-16

8.10 Los dos capacitores acoplados en el amplificador de BC que se ve en la figura 6-13 son idnticos.
Asimismo, Encuentre una expresin para la razn de ganancia de corriente que sea
vlida a cualquier frecuencia, b) Determine una expresin para la razn de ganancia de corriente para
frecuencia media.

a) El circuito equivalente de baja frecuencia se seala en la figura 8-16. Por la divisin de la corriente,

()

y (2)
Sustituyendo (1) en (2) y dividiendo entre ls da la razn de ganancia de corriente deseada,

(3)

b) La razn de ganancia de corriente para frecuencia media se encuentra haciendo en (3): (4)

8.11 Trace en un conjunto comn de ejes las grficas de Bode asintticas para las razones de
ganancia de voltaje y corriente del amplificador de BC de la figura 6-13 y despus corrjalas para obtener
grficas exactas. Suponga que los capacitores de acoplamiento son idnticos y que tienen valores
comunes,
214 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

Las funciones de transferencia en el dominio de Laplace que sirven de base en la elaboracin de las
grficas de Bode para las razones de ganancia de voltaje y corriente son, respectivamente, (3) del
problema 8.9 y (3) del problema 8.10. Con las suposiciones dadas, una inspeccin muestra que las dos
funciones de transferencia comparten una frecuencia de corte en y la funcin de
transferencia de ganancia de voltaje tiene otra frecuencia ms alta. Por lo que la grfica de voltaje aumenta
a 40 db por dcada hasta su primer punto de corte y la grfica de la corriente a 20 db por dcada. Con

las grficas de Bode asintticas de baja frecuencia de ganancia de voltaje y corriente se observan en la
figura 8-17. La suposicin asegura una separacin de al menos una dcada entre

Ganancia de voltaje

Ganancia de corriente

Figura 8-17

Puesto que los valores de los parmetros no se conocen, las grficas se hicieron con la suposicin de
que en ambas grficas. Cuando los valores se desconocen, las grficas de Bode deben desplazarse
hacia arriba por

Para la grfica de voltaje

y Para la grfica de corriente

La correccin de la grfica asinttica slo requiere la aplicacin de la tabla 8-1. Las grficas exactas se
muestran con lnea punteada.

8.12 En el caso del amplificador de EC que se advierte en la figura 3-6, determine


pero no puede despreciarse a
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 215

a) El circuito equivalente de baja frecuencia de seal pequea est en la figura 8-4. Usando (8.11) y
(8.13), tenemos

(1)

b (2)

Sustituyendo (1) en (2) y reordenando nos queda

c) Con la fuente de voltaje desactivada (en corto circuito), la LVK requiere que

de modo que (4)

Puesto que (4) puede satisfacerse en general slo por la impedancia de salida es simplemente
(5)
En este caso particular, (3) indica que la impedancia de salida depende de la frecuencia, mientras
que (5) muestra que la impedancia de salida es independiente de la frecuencia. Sin embargo, en
general la impedancia de salida depende de la frecuencia a travs de un capacitor de acoplamiento
de valor finito (Problema 8.13.)

8.13 Para examinar los efectos combinados de los capacitores de acoplamiento y de paso, haga que el
capacitor de acoplamiento de entrada sea infinitamente grande, mientras el capacitor de acoplamiento
de salida y el de paso tienen valores prcticos en el amplificador de EC de la figura 3-6. Para facilitar el
clculo, suponga a) Encuentre la razn de aanancia de v o l t a j e b ) Si
determine qu parmetros
controlan el punto de corte de baja frecuencia y si este punto est por debajo de 100 Hz. c) Obtenga una
expresin para la impedancia de salida

a) El circuito equivalente de seal pequea est dado en la figura 8-18. Primero definimos

(1)

Por lo tanto, segn LCK,


(2)
la LVK alrededor de la malla de entrada requiere que
(3)
Sustituyendo (2) en (3) y despejando nos queda

(4)
216 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

Figura 8-18

La divisin de la corriente en el nodo del colector da

(5)

y la ley de Ohm y (5) conducen a

(6)

Sustituyendo (4) y (7) en (6) y reordenando se obtiene la razn de ganancia de voltaje:

(7)

La funcin de transferencia en el dominio de Laplace (7) es de la forma

donde

Puesto que aqu existe ai menos una dcada de frecuencia (en la cual la ganancia puede atenuarse
a partir de su valor de frecuencia media) entre y las otras (ms bajas) frecuencias de corte,
debe ser el corte de baja frecuencia Entonces,

c) Como en el problema 8.12, se desactiva; si se coloca una fuente excitadora reemplazando


a entonces se vera una impedancia de salida dependiente de la frecuencia dada por

(8)
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 217

8.14 Suponga que los capacitores de acoplamiento del amplificador MOSFET de FC que se ve en la figura
4-18 son idnticos. Determine la razn de ganancia de voltaje a) para cualquier frecuencia y b) para la
operacin de frecuencia media.

a) El circuito equivalente se dibuja en la grfica 8-19. Por la divisin de voltaje,

(1)

La divisin de la corriente en ei nodo del dren da

(2)
de lo cual

(3)

La sustitucin de (1) en (3) y la reordenacin dan entonces

(4)

o) Puesto que las capacitancias de alta frecuencia no han sido modeladas, la ganancia de media
frecuencia se deduce al hacer en (4):

Figura 8-19

Figura 8-20
218 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

8.15 En el caso del amplificador JFET de FC de la figura 7-2, a) encuentre una expresin para la razn de
ganancia de voltaje y b) determine el punto de corte de baja frecuencia.

a) El circuito equivalente de baja frecuencia se muestra en la figura 8-20. Segn la LVK,

(1)
Pero la LVK requiere que

(2)

Sustituyendo (1) en (2) y despejando nos queda

(3)

Ahora bien, por la ley de Ohm y (7),

(4)

Sustituyendo de (3) en (4) y reordenando obtenemos, finalmente,

(5)

b) Es obvio que el corte de baja frecuencia es ms grande que las dos frecuencias de corte; con base
en (5) es

8.16 El circuito equivalente hbrido para el amplificador de EC, que se advierte en la figura 3-6 con la salida
en cortocircuito, se indica en la figura 8-21. a) Encuentre una expresin para la llamada frecuencia de
corte de la cual es simplemente el punto de corte de la ganancia de corriente de alta frecuencia del
y las terminales del emisor en cortocircuito, b) Evale si

Figura 8-21

a) La ley de Ohm da

(1)
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 219

pero con las terminales del colector y emisor en cortocircuito,

(2)
Sustituyendo (1) en (2) y reordenando se obtiene la razn de la ganancia de corriente

(3)

De (3), la frecuencia de corte de es

(4)

b) Sustituyendo los parmetros dados de alta frecuencia en (4) se obtiene

8.17 Aplique el modelo hbrido de alta frecuencia para el amplificador de BC de la figura 6.136): a) Encuentre
una expresin para la razn de ganancia de voltaje en alta frecuencia, b) Describa el comportamiento en
alta frecuencia del amplificador de BC.

a) El uso del modelo hbrido de la figura 8-8 da por resultado el circuito equivalente de la figura 8-22.
Se supone que los capacitores de acoplamiento estn en cortocircuito a alta frecuencia. Con valores
comunes, con frecuencias cercanas a las frecuencias de corte; as pues, haciendo
se introduce un pequeo error (pero se gana una considerable simplicidad).
equivalente de Thvenin para la red a la izquierda del par de terminales
de la fuente dependiente fluye slo a travs de C, por lo cual

(1)

Por el mtodo de voltajes de nodos,

(2)

Despejando de (2) y sustituyendo el resultado en (7) nos queda

(3)

Desactivando (poniendo en cortocircuito) tambin E se pone en corto con En consecuencia,


la fuente dependiente de corriente es un circuito abierto y
Ahora bien, el equivalente de Thvenin y la divisin de voltaje conducen a

(4)

La sustitucin de (3) en (4) y la reordenacin dan la razn de ganancia de voltaje deseada:

(5)
220 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

Figura 8-22

b) Puesto que (5) incluye el intervalo de la frecuencia ms alta, describe el amplificador como un filtro
de paso bajo (frecuencia media) con frecuencias de corte a

(6)

8.18 a) Aplique los resultados de la seccin 8.6 al circuito equivalente de seal pequea que se indica en la
figura 8-9a), para determinar la capacitancia de Miller. b) Usando la capacitancia de Miller, dibuje el circuito
equivalente asociado y asi encuentre una expresin para la razn de ganancia de voltaje en alta
frecuencia.

a) En primer lugar, se debe encontrar la ganancia K con el capacitor y quitando el resistor de carga
Puesto que

la ganancia buscada es

(i)

La capacitancia de Miller es la capacitancia de entrada en paralelo sugerida por (8.46):

(2)

puesto que la comparacin de las figuras 8-9a) con 8-12b) muestra que forma una trayectoria de
retroalimentacin anloga a
b) La capacitancia de salida en paralelo, segn (8.48), debe determinarse tambin. Puesto que
con valores comunes, la siguiente aproximacin introduce un error despreciable:

(3)
La comparacin de las figuras 8-9a) con 8-126) y el uso de (7) a (3) conducen al circuito equivalente
de la figura 8-23. Sea
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 221

Por lo tanto, por la divisin del voltaje,

(4)
y por la ley de Ohm

(5)
La sustitucin de (4) en (5) y la reordenacin dan la razn de ganancia de voltaje esperada:

Figura 8-23

8.19 a) Aplique los resultados de la seccin 8.6 al circuito equivalente de seal pequea de la figura 8-11 para
determinar la admitancia de Mlller. ) Utilizando la admitancia de Miller, dibuje el circuito equivalente de
seal pequea para alta frecuencia y determine la razn de ganancia de voltaje.
a) Con el resistor de carga y quitando el capacitor de retroalimentacin del circuito de la figura
8-11, la ganancia K se deduce de una aplicacin de la ley de Ohm:

(1)
La admitancia de Miller sealada en (8.46) es

(2)
En el intervalo de frecuencia de inters y para valores comunes de en general
as pues, la admitancia de Miller puede sintetizarse como un capacitor con valor

(3)

b) Con la aproximacin se transforma en

(4)

Casi siempre y el circuito equivalente que se ve en la figura 8-11 puede convertirse en la


forma de la figura 8-12b), como se seala en la figura 8-24. Por la ley de Ohm,
222 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

(5)
Puesto que la razn de ganancia de voltaje requerida se deduce como

(6)
Mientras la resistencia de la fuente sea despreciable, ser independiente de (Problema 8.23.)

Figura 8-24

Problemas complementarios
8.20 Muestre que, si dos redes estn conectadas en cascada para formar una nueva tal que
entonces el diagrama de Bode compuesto se obtiene sumando las razones de amplitud individuales
y y los ngulos d e fase asociados c o n e n cada frecuencia.

8.21 Muestre que (8.3) se deduce de la evaluacin de de (8.2).

8.22 Un amplificador tiene una funcin de transferencia en el dominio de Laplace (razn de ganancia de voltaje)
dada por

a) Si se hace un diagrama asinttico de Bode de, en qu valores de frecuencia (en el intervalo de


frecuencia media) es constante la ganancia en amplitud? b) Calcule la ganancia de frecuencia media en
decibeles si c) Dentro de una precisin del 2 por ciento, en qu intervalo de frecuencia es exacta
la constante de ganancia?
Resp. a)

8.23 En el problema 8.19, la ganancia del amplificador FET no depende de la capacitancia de Miller sin
embargo, la situacin cambia si la resistencia de la fuente no es cero, a) Agregue una resistencia a la
figura 8-24 y encuentre una expresin para la razn de ganancia de voltaje, b) Evale la ganancia para
EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 223

Resp.

8.24 Considere el circuito de filtro de paso alto de la figura 8-13a). a) Muestre que, a medida que se agranda,
la razn de amplitud realmente se aproxima a 20 como se indica en la figura 8-13b).
b) Muestre que d o n d e t i e n e el valor

8.25 En el circuito del filtro de paso alto que se advierte en la figura 8-13a), la impedancia de la fuente
Si el circuito tiene una ganancia de alta frecuencia de 0.75 y un corte o frecuencia de corte de 100
rad/s, dimensione RL y C
Resp.

8.26 En el circuito que se indica en la figura 3-15, reemplace Vs por una fuente sinusoidal para obtener el circui-
to de la figura 8-6. a) Si la impedancia del capacitor de acoplamiento no es despreciable, encuentre la
razn de ganancia de corriente, b) Determine el punto de corte de baja frecuencia.
Resp. a) b) la ganancia es independiente de la frecuencia por debajo de

8.27 Muestre que la red de RC que se ve en la figura 8-25 es un filtro de paso alto. Determine su punto
de corte de baja frecuencia.

Resp.

Figura 8-25

8.28 El amplificador que se advierte en la figura 3-6 se modela para la operacin de seal pequea mediante la
figura 8-4. Sea Determine a) la ga-
nancia de voltaje de baja frecuencia, b) la ganancia de frecuencia media y c) el punto de corte de baja
frecuencia.
Resp. a) -8.72; b) -75; c) 860 rad/s
224 EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES

8.29 En el caso del amplificador de la figura 3-6, muestre que, si la impedancia interna de la fuente no es
despreciable, pero entonces el punto de corte de baja frecuencia est dado por

8.30 Muestre que para el amplificador de la figura 3-6 como se describi en el problema 8.5, si
entonces la razn de ganancia de corriente se vuelve independiente de la frecuencia.

8.31 En el amplificador de la figura 3-6, sean


Determine a) la ganancia de corriente de baja frecuencia, b) la ganancia
de corriente de frecuencia media y c) el punto de corte de baja frecuencia.
Resp. a)-23.36; b) -35.54; c) 15.21 rad/s

8.32 En el amplificador del problema 8.6, sea y todo lo dems permanece igual. Determine el valor
del capacitor de paso del emisor que se requiere para asegurarse de que Compare su
resultado con el del problema 8.6 para ver qu consideracin de la impedancia interna de la fuente permite
el uso de un capacitor de paso ms pequeo. (Sugerencia: Vase el problema 8.29.)
Resp.

8 . 3 3 E n el amplificador de la figura 3-6,


Determine de modo que el amplificador tenga una razn de
ganancia de corriente de frecuencia media con corte de baja f r e c u e n c i a ( S u g e r e n c i a :
Vase el problema 8.5.)
Resp.

8.34 En el amplificador de EC que se indica en la figura 3-6, sean


El circuito equivalente de seal pequea est
dado por la figura 8-4. Si se imprime una seal sinusoidal determine
a) el ngulo de fase entre el b) cambio de fase entre los voltajes de entrada y salida y c) el cambio
de fase entre las corrientes de entrada y salida.
Resp. a) La corriente adelanta al voltaje por 31.93; b) el voltaje de salida se atrasa del voltaje de entrada
128.98 c) la corriente de salida se atrasa de la corriente de entrada 180

8.35 En el amplificador del problema 8.13, sean


a) Trace la grfica de Bode asinttica para la razn de ganancia
de voltaje, b) Est el punto de 3 db de atenuacin por debajo de 40 Hz?
Resp. El diagrama de Bode asociado se
representa en la figura 8-26; b) No, debido a que =3.79 db

8 . 3 6 E n el amplificador de EC del ejemplo 8.7, sean


a) Determine el punto de corte de alta frecuencia, b) Encuentre la ganancia de media
frecuencia.
Resp. a) =16.49 MHz; b)

8.37 En el amplificador de BC del problema 8.17, sean


EFECTOS DE LA FRECUENCIA EN AMPLIFICADORES 225

Determine a) la ganancia de media frecuencia y b) el punto de corte de


alta frecuencia.
Resp.a) =37.88; o) =15.91 MHz

8.38 Agregue una resistencia de fuente R, al circuito equivalente de seal pequea en alta frecuencia para el
amplificador FC dado por la figura 8-11. Dados
Determine el punto de corte de alta frecuencia a) con =0 y b) con
100.
Resp.a) =43.875 MHz; ti) =13.69 MHz

Dcada

Dcada

Figura 8-26
Amplificadores
de potencia
9.1 CLASIFICACIN Y CARACTERSTICAS DEL AMPLIFICADOR
En general, se realiza un esfuerzo deliberado para obtener una potencia mxima de salida de la ltima etapa
de un amplificador en cascada. En tal caso, a esta ltima etapa (o amplificador) se le llama amplificador de potencia.
La clasificacin del arreglo de la tabla 3-3 est basada en el porcentaje de operacin dentro de la regin activa y
se aplica a los amplificadores de potencia.
Los amplificadores de potencia operan con excursiones grandes de corriente y voltaje que pueden aproxi-
marse al lmite de la capacidad del transistor. Adems, las grandes excursiones de seal pueden introducir
distorsin, o sea una relacin no lineal entre las seales de entrada y salida que hace que aparezcan componentes
de frecuencia en la seal de salida que no estn presentes en la seal de entrada y que son debidos a los trminos
no lineales en la relacin entrada salida (Problema 9.18). La operacin sin distorsin se supondr en el presente
captulo a menos que se advierta lo contrario.
Se requieren componentes fsicamente ms grandes para operar excursiones de seal tambin mayores y
se utilizan regiones de base ms anchas que las de los transistores de seal pequea. Por lo tanto, un porcentaje
menor de portadores mayoritarios emitidos cruza la regin de base, de modo que los valores de p son generalmente
ms pequeos en los amplificadores de potencia que en los amplificadores de seal pequea.
Si se supone que la operacin est en el intervalo de media frecuencia, los capacitores de acoplamiento y
de paso pueden considerarse en cortocircuito.

9.2 POTENCIA Y EFICIENCIA DE LOS AMPLIFICADORES


El anlisis de amplificadores desde el punto de vista de la potencia, se basa en tres cantidades: La potencia
suministrada o de alimentacin por las fuentes de polarizacin, la potencia entregada a la carga y la potencia
disipada por el transistor. La potencia de alimentacin incluye toda la potencia de cd que fluye desde las fuentes
de polarizacin al circuito del amplificador; sin embargo, la potencia disipada por la red del emisor-base es
prcticamente despreciable (Ejemplo 9.1). Por tanto, la potencia suministrada se calcula como

(9.1)

donde T es el periodo de la corriente del colector ic. La igualdad del lado derecho es vlida slo si la presencia
de una seal no altera el valor promedio de (esto significa que aqu no existe distorsin).
Potencia de carga, el valor promedio de la potencia de ca entregada a la carga del amplificador se obtiene
por medio de

(9.2)

El lado derecho de la igualdad es vlido slo si la corriente de carga tiene un valor promedio igual a cero.
La potencia disipada por el transistor es la suma de la potencia entregada al puerto de la base y el emisor y
AMPLIFICADORES DE POTENCIA 227

al puerto del colector emisor, pero la primera se desprecia en comparacin con esta ltima. As pues, el anlisis
prctico requiere slo del clculo de la disipacin de la potencia del colector, el cual se obtiene como la diferencia

(9.3)
La eficiencia de un amplificador se calcula entonces como

(9.4)

9.3 ESPECIFICACIONES Y CONSIDERACIONES TRMICAS


La utilizacin eficiente y segura de los transistores de potencia requiere una atencin primaria al voltaje,
corriente, potencia y a las limitaciones de la temperatura, las cuales son secundarias en los amplificadores de
seal pequea. Las especificaciones de los fabricantes de transistores incluyen

la corriente continua del colector mxima


el voltaje de ruptura por avalancha
la potencia promedio mxima que el transistor puede disipar con la temperatura del
encapsulado
la mxima temperatura del encapsulado sin correccin de (el valor comn es )
la temperatura mxima permitida en la unin (base-colector) (de 80 a 100 C para Ge, de
125 a 200 "C para Si)

En la operacin de la regin activa, la unin del colector polarizada en inversa es la mayor fuente de calor, por lo
que la disipacin de potencia est relacionada con la unin del colector.

Ejemplo 9.1 El transistor de potencia de Si est polarizado de modo que Determine


en condiciones estticas la potencia disipada por la unin base-emisor y la potencia disipada por la unin
base-colector.
Para la operacin dentro de la regin activa,

Segn, la LVK,

de modo que

En este ejemplo comn, el 97.9 por ciento de la potencia disipada por el transistor est relacionado con la unin
del colector.

Las especificaciones del fabricante pueden usarse para trazar la curva de disminucin de disipacin de la fi-
gura 9-1, la cual muestra la disipacin de potencia tolerable del colector en funcin de la temperatura de la
cpsula del transistor La curva de disminucin de disipacin se deduce del valor promedio del flujo de calor
para el BJT en el modelo de la figura 9-2, en que son tratados el valor promedio de la disipacin de la potencia
del colector, la temperatura y la resistencia trmica, respectivamente, con la analoga elctrica de la corriente,
228 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

voltaje y resistencia. El valor de la resistencia trmica (entre la unin y la cpsula) (medido en grados Celsius
por watt) lo proporciona el fabricante. Normalmente se recomienda un valor comn proporcionado por el fabricante
para la resistencia trmica entre la cpsula y el disipador trmico, pero el usuario debe asegurarse de la firmeza
del contacto entre la cpsula y el disipador trmico. La resistencia trmica entre el disipador trmico y el ambiente
es especificada por el fabricante del disipador. La impedancia trmica entre la cpsula y el ambiente est
formada por la combinacin en serie de

Figura 9-1 Curva de degradacin de la disipacin

Temperatura de la unin

Temperatura de la cpsula

Colector Cpsula
Base
Emisor

Aislador
Disipador

Figura 9-2 Modelo de flujo del calor en valor promedio

Ejemplo 9.2 Un transistor de potencia opera con calcule


la temperatura de la unin si el transistor est operando en un ambiente de 40 "C.
La potencia promedio disipada por el colector del transistor es

Aplicando la LVK al circuito anlogo en la figura 9-2 se obtiene


(9.5)

Ejemplo 9.3 Un transistor de potencia disipa 10 W de potencia. Dado _ La


temperatura de unin tolerable mxima es El dispositivo debe operar a una temperatura mxima
AMPLIFICADORES DE POTENCIA 229

del ambiente de 50C. Se dispone de tres diferentes disipadores, con resistencias trmicas de 3, 6 y 9C/W.
Seleccione el mejor.
Calculando en (9.5) y reordenando se obtiene

Seleccionamos el disipador con como el ms pequeo que ser adecuado.

9.4 AMPLIFICADOR CLASE A CON ACOPLAMIENTO DIRECTO


Aunque fas caractersticas del colector requieren valores de corriente considerablemente ms grandes, el
amplificador de potencia clase A con acoplamiento directo de la figura 9-3a) no difiere en el principio de operacin
de los amplificadores de baja potencia o de seal pequea explicados en el captulo 3. La excursin simtrica
mxima (Problema 3.23) se establece universalmente para proporcionar una salida mxima de potencia.

Lnea de carga de CA

Lnea de carga de CD

Figura 9-3

Ejemplo 9.4 En el amplificador de potencia clase A de la figura 9-3a), sean


Determine a) la potencia suministrada, b) la potencia mxima para la carga, c) el intervalo
de disipacin de potencia del colector y d) la eficiencia mxima. Suponga que no existe distorsin.
a) Debemos determinar el punto de la figura 9-36) para la excursin simtrica mxima. Observamos primero
que

Por lo tanto, de (3) del problema 3.23,

La potencia entregada es entonces determinada por (9.1):

b) La potencia mxima se entrega a la carga mediante la seal mxima y por eso, segn {9.2),
230 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

c) La disipacin de la potencia del colector se encuentra mediante (9.3). La potencie? mxima del colector
ocurre con por lo cual mx La potencia mnima del colector coincide con
por lo cual mn
d) La eficiencia del amplificador es un mximo cuando la potencia mxima se est entregando a la carga:

El ejemplo 9.4 seala que, si la estabilidad de polarizacin se sacrifica para permitir que tienda a cero,
entonces tiene 25 por ciento como lmite superior. En las aplicaciones del amplificador de potencia, esa baja
eficiencia significa un uso ineficiente del transistor y presenta problemas importantes de enfriamiento; ste es el
estmulo que impulsa a buscar alternativas en el diseo de circuitos para amplificadores de potencia.

9.5 AMPLIFICADOR CLASE A ACOPLADO CON INDUCTOR


En el amplificador de la figura 9-4a), la (corriente de cd de polarizacin) puede fluir a travs de un inductor
grande, pero el inductor presenta una impedancia infinita para una seal de ca. Por lo tanto, el colector no est
conectado a tierra en ca. Si el inductor tiene resistencia despreciable, la ecuacin de la lnea de carga de cd es

(9.6)

Lnea de carga de CD
pendiente =

Lnea de carga de CA
pendiente =

Figura 9-4

Si se selecciona de valor suficientemente pequeo (lo bastante grande para permitir disear la polarizacin
estabilizada), entonces la lnea de carga se aproxima a una lnea vertical como se ilustra en la figura 9-4fa).

Ejemplo 9.5 En el caso del amplificador clase A acoplado con inductor de la figura 9-4a), determine las
expresiones para
Segn (3) del problema 3.23,

(9.7)
AMPLIFICADORES DE POTENCIA 231

(9.8)

Si la expresin {9.8) se transforma en

(9.9)

de lo cual, con puede adems aproximarse como

(9.10)

La aplicacin de la LVK en torno al circuito del colector de la figura 9-4a) y el uso de (9.8) conducen a

(9.11)

Si (9.12)

Para (9.12) puede adems simplificarse y nos da


(9.13)
De (9.10) y (9.13) se deduce que, si y el punto se seleccionan en la mitad de la lnea de carga
de ca (para excursin simtrica mxima), entonces La eficiencia mxima de este
amplificador acoplado con inductor es de 50 por ciento, lo cual es dos veces ms que el amplificador clase A con
acoplamiento directo. Sin embargo, para una fuente de alimentacin de potencia de voltaje fijo y una carga
particular la potencia mxima que puede proporcionarse a la carga se fija como

Si se desea un valor ms grande en debe considerarse el amplificador con acoplamiento por transformador.

9.6 AMPLIFICADOR CLASE A CON ACOPLAMIENTO POR TRANSFORMADOR


El transformador de la figura 9-5a) es ideal, de modo que

(9.14)

(9.15)

(9.16)

Ejemplo 9.6 En el caso del amplificador clase A con acoplamiento por transformador de la figura 9-5a), determine
las expresiones para
Adems, puesto que la resistencia del devanado de un transformador ideal es
despreciable, Por tanto, por simetra los resultados del ejemplo 9.5 se cumplen si se reemplaza por
Las lneas de carga se advierten en la caracterstica del colector de la figura 9-56).
232 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Lnea de carga de CD

Lnea de carga de CA

Figura 9-5

Ejemplo 9.7 Calcule la potencia mxima que puede entregarse a la carga RL de un amplificador con acopla-
miento por transformador y explique cmo puede ajustarse a un valor deseado.
Un transformador ideal es un dispositivo sin prdidas; por tanto, la potencia entregada al primario es idntica
a la entregada a RL. Usando (9.15) y (9.16), tenemos

De la figura 9-5b), con para la excursin simtrica m x i m a P o r consiguiente,

(9.17)

De 19.17), es obvio que la seleccin apropiada de la razn de vueltas a permite un ajuste de la potencia entregada
a

9.7 AMPLIFICADORES DE CONTRAFASE


En el problema 9.5 se muestra que la eficiencia mxima alcanzable para un amplificador clase A con
acoplamiento por transformador es 50 por ciento. En un amplificador clase B, la corriente cd del colector es
menor que el valor pico de la corriente ca. Por lo tanto, existe menos disipacin del colector y la eficiencia puede
alcanzar hasta 78.54 por ciento (Problema 9.11).
El amplificador de contrafase de emisor comn de la figura 9-6 tiene un transistor activo y uno en corte en
cualquier instante. Debido a la simetra, slo necesitamos estudiar la operacin del transistor activo, como se
observa en la figura 9-7a).

Ejemplo 9.8 Determine las lneas de carga para la mitad del amplificador de contrafase clase B de la figura 9-7a).
Puesto que la resistencia del devanado de un transformador ideal es despreciable, la ecuacin de la lnea de
carga es simplemente la lnea de carga de cd es entonces una lnea vertical, como se indica en la
figura 9-7b). Cuando no se presenta la seal de ca (en condiciones estticas), de modo que el transistor
est en la regin de corte. Por tanto, y la ecuacin de la lnea de carga de ca se deduce de (3.12) como

(9.18)
AMPLIFICADORES DE POTENCIA 233

Cuando est activo, (9.18) describe una lnea [en las caractersticas del colector de la figura 9-7 b)] con la
interseccin vertical en y la horizontal e n c u a n d o est en corte,
dando el segmento de la lnea horizontal de

Tambin es posible la operacin en clase A de los amplificadores de contrafase (Problema 9.13).

Figura 9-6

Linea de carga de CD

Lnea de carga de CA

Figura 9-7

9.8 AMPLIFICADORES DE SIMETRA COMPLEMENTARIA

Aprovechando las dos posibles polaridades de los BJT (npn y pnp), puede idearse para usar el acoplamiento
directo de la fuente y la carga, y entonces ya no se necesitan los transformadores. Un amplificador bsico de
simetra complementaria se ve en la figura 9-8. Cada transistor es esencialmente un seguidor emisor de clase B.
La lnea de carga y las relaciones de potencia son las mismas del amplificador de contrafase clase B que se
advierten en la seccin 9.7.
234 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Figura 9-8

Problemas resueltos

9.1 En el amplificador de la figura 3-6a), sean Suponga que la potencia


hacia es despreciable, pero que los valores de esas resistencias pueden seleccionarse para
colocar el punto en cualquier posicin en la lnea de carga de ca. Encuentre la eficiencia mxima posible
para este amplificador con los valores dados.

La eficiencia mxima ocurre con la corriente de carga de ca mxima, por lo cual suponemos que
y se seleccionan para la excursin simtrica mxima. Por lo tanto, segn (3) del problema 3.23,

(1)

La potencia entregada se determina con (1):

En general y suponemos de modo que

Ahora bien, la divisin de la corriente da


AMPLIFICADORES DE POTENCIA 235

La eficiencia mxima se deduce de (9.2) y (9.4) como

9.2 Agregue un capacitor de paso en el emisor al circuito de la figura 3-4a) y haga y


Suponga que R, y R2 se seleccionan para tener la excursin simtrica mxima pero disipacin
de potencia despreciable. Asimismo, sean a) Determine la amplitud mxima posible
para la corriente de colector sin distorsin. Despus calcule, para 0,50 y 100 por ciento de esta corriente
mxima del colector sin distorsin, b) y e) la eficiencia del amplificador. La seal de salida
se toma entre el comn y la terminal del colector.

a)

As pues, en las partes o a e, los clculos se realizan para y 2.308 mA.

o) La potencia suministrada es independiente de y est dada por

c) El valor promedio de la potencia de ca entregada a la carga es

la cual, cuando se evala para los tres valores de da 0, 3.33 y 13.32 mW.
d) De (9.3), la disipacin de potencia del colector es

Figura 9-9
236 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Para los tres valores calculados de ste da valores para de 27.7, 24.37 y 14.38 mW.
e) Puesto que las tres eficiencias son 0,6.01 y 24.04 por ciento. Todos los resultados
del problema se grafican en la figura 9-9.

9.3 Los transistores se clasifican de acuerdo con su capacidad de disipacin de potencia del colector
a la grfica de en las caractersticas del c o l e c t o r s e le llama hiprbola
de disipacin mxima. Demuestre que, si un transistor est polarizado para la excursin simtrica mxima,
entonces la lnea de carga es tangente a la hiprbola de disipacin mxima en el punto

De la ecuacin de disipacin mxima,

(1)
podemos diferenciar (7) con respecto a y evaluar el resultado en el punto para encontrar la pendiente
de la hiprbola de disipacin mxima en ese punto:

(2)

Pero la excursin simtrica mxima, por lo cual (2) se convierte en

(3)
De (3) es obvio que la pendiente de la hiprbola de disipacin mxima es la misma que la de la lnea de
carga. Puesto que la lnea y la curva tienen idnticas pendientes en un punto en comn (el punto ), son
tangentes a ese punto.

9.4 El amplificador con acoplamiento por transformador de la figura 9-5a) est polarizado para la excursin
simtrica mxima. El transformador ideal se acopla a una carga de un altavoz que requiere una
entrada de 9 W. Sean a) Seleccione la razn de vueltas del transformador a. b)
Determine la especificacin mnima de potencia del transistor.

a) La potencia promedio para debe ser 9 W; as pues,

Para la excursin simtrica mxima con RE =0, V'^ =VCEQ =VCC. Puesto que el transformador es
ideal

b) Para la excursin simtrica mxima,

y la potencia suministrada es
AMPLIFICADORES DE POTENCIA 237

Puesto que no hay prdidas en segn (9.3)

9.5 En el caso del transistor del amplificador con acoplamiento por transformador de la figura 9-5a), suponga
que a) Derive una frmula para determinar fcilmente para la excursin simtrica
mxima. 6) Determine la eficiencia mxima posible con excursin simtrica mxima si la potencia disipada
en debe despreciarse.

a) La ecuacin de la lnea de carga de cd es


(1)
Usando (3) del problema 3.23 en (1) y evaluando el punto se obtiene

(2)

o) La potencia suministrada es

(3)

La potencia mxima entregada a la carga es

(4)

Puesto que no hay prdida en la eficiencia mxima est dada por

(5)

Si e n t o n c e s p o r ciento como un lmite superior.

9.6 En el amplificador clase A con acoplamiento por transformador de la figura 9-5a),


y Desprecie las prdidas de potencia e n p e r o suponga que sus valores fueron
seleccionados para excursin simtrica mxima. La resistencia Rp de la bobina primaria del transformador
es y la secundaria e s L a razn de vueltas del transformador es 5:1, Encuentre a)
b) y c) especifique los valores mnimos de para el transistor de este amplificador.
Suponga que la reactancia de fuga del transformador es despreciable en las frecuencias de inters.

a) La resistencia de devanado secundario puede reflejarse, a travs de al lado primario para


obtener
238 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Segn (3) del problema 3.23,

b) La potencia suministrada es

c) Puesto que las conclusiones del ejemplo 9.6 nos permiten escribir
As pues, especificamos

La disipacin mxima del colector ocurre con por lo cual especificamos

9.7 En el amplificador clase A con acoplamiento por transformador de la figura 9-5a), r


y La potencia de carga mxima entregada es 3 W. Desprecie y suponga que son
valoradas para una excursin simtrica mxima pero de potencia disipada despreciable. l transformador
es ideal. Calcule a) la corriente esttica del colector y b) la potencia suministrada; c) seleccione un
transistor para esta aplicacin mediante la especificacin y d) determine la razn de
vueltas del transformador.

a) En el caso de la excursin simtrica mxima, la lnea de carga de cd debe bisectar la lnea de carga
de ca; as pues, Para la carga resistiva dada,

de modo que

b) La potencia suministrada es

c) La mxima ocurre en corte; en consecuencia, especificamos

Con (9.10) conduce a

y puesto que la corriente del colector es mxima para saturacin, especificamos

Con despreciada y para un transformador ideal, especificamos


AMPLIFICADORES DE POTENCIA 239

d) La propiedad de reflexin de impedancia de un transformador ideal implica que

9.8 Si se conoce la disipacin mxima de potencia del colector demuestre, que para el caso de excursin
simtrica mxima, el punto se describe mediante

Del problema 9.3, sabemos que el punto est colocado en la hiprbola de disipacin mxima; as
pues,

(1)
Adems, de (3.11) evaluada en el punto
(2)
Sustituyendo (2) en (1) y reordenando se obtiene

(3)

y despus

9.9 se usa en el amplificador


de la figura 9-4a), donde Seleccione para obtener la excursin
simtrica mxima.
Las ecuaciones (3) y (4) del problema 9.8 son igualmente aplicables a un amplificador de acopla-
miento inductivo. Asi pues,

Para obtener una excursin simtrica mxima, seleccionaramos


Aplicando la LVK en torno a la malla del emisor base, se obtiene

(i)

Seleccionamos arbitrariamente por lo tanto, segn ( 7 ) , D e s p u s resolvemos


simultneamente el conjunto de ecuaciones (3.5) despejando y usamos los resultados para
encontrar

9.10 En vez de usar un transformador voluminoso con derivacin central para proporcionar seales de entrada
de 180fuera de fase a un amplificador de contrafase, se puede emplear un circuito inversor de fase como
el que se advierte en la figura En l suponga q u e U s e el anlisis de
240 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Figura 9-10

seal pequea para demostrar que sabiendo que las seales son guales en magnitud y que
estn 180 fuera de fase.

El circuito equivalente de seal pequea se observa en la figura 9-10b). Por la ley de Ohm,

de modo que

9.11 En el caso del amplificador de contrafase clase B de la figura 9-6, calcule la eficiencia mxima posible (la
cual ocurre en la excursin de seal mxima) para una seal de entrada sinusoidal.
Para una seal sinusoidal la corriente a travs de cada transistor es la mitad de una
onda sinusoidal positiva asf como

As pues, la potencia promedio suministrada por se calcula como

(1)
Con la excursin mxima, y para cualquier s e a l , L a potencia entregada a la carga
para la excursin mxima es entonces

(2)
Por tanto, la eficiencia mxima posible es
AMPLIFICADORES DE POTENCIA 241

9.12 Un altavoz con una resistencia de entrada de requiere una potencia de 0.5 W que va a manejarse
mediante el amplificador de contrafase de la figura 9-6. es una batera de 9 V y los transistores
idnticos tienen a) Seleccione la razn de vueltas adecuada a ia salida del
transformador. 6) Calcule cuando se entregan al altavoz 500 mW.

a) Diseamos para la excursin simtrica mxima; entonces

y la potencia entregada a la carga es

Despejando a y evaluando se obtiene la razn de vueltas deseada:

b) De (1) y (2) del problema 9.11,

La potencia disipada del colector por cada transistor es

9.13 El circuito de la figura 9-11 es un amplificador clase A de contrafase. Ambos estn polarizados
para operacin en clase A. La seal de entrada se "divide" mediante el transformador 7", (o bien puede
sustituirse por un inversor de fase). Puesto que las corrientes del colector estn 180" fuera de
fase, establecen flujos aditivos en el transformador Suponga que el valor de se selecciona de modo
que estn polarizados para excursin simtrica mxima. S i a ) determine
la razn ae vueltas del transformador para 6) encuentre las especificaciones del transistor
c) calcule la eficiencia mxima posible del amplificador.

Figura 9-11
242 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

a) El voltaje de salida puede determinarse a partir del requerimiento de la potencia de carga. Puesto
que tenemos

Si suponemos que la resistencia del primario del transformador es pequea, la lnea de carga de cd
es casi vertical; as pues,

La razn de vueltas del transformador es entonces

b) El voltaje de ruptura por avalancha del transistor debe ser mayor o igual que de la parte a, por
lo cual Cada transistor debe suministrar una mitad de la corriente de la carga reflejada,
por lo cual

Puesto que el circuito se disea para una excursin simtrica mxima, por lo tanto, se
especifica = 2(0.667) = 1.334 A. La disipacin de la potencia del colector para un
amplificador clase A es ms grande cuando la seal no est presente; por tanto, segn (9.3),

c) La potencia suministrada al amplificador completo e s p o r lo cual la eficiencia mxima del


amplificador es

9.14 En el amplificador de simetra complementaria de la figura 9-8, sean (para ambos


a) Calcule el valor mnimo de para entregar la potencia mxima a b) Encuentre el valor
de c)

a) Puesto que el amplificador est polarizado para operacin en clase B, cada transistor puede
considerarse como un emisor seguidor independiente en clase B. Suponga que
Por lo tanto

c) De (1) del problema 9.11,


AMPLIFICADORES DE POTENCIA 243

9.15 En el caso del amplificador ciase B con prdidas despreciables (como el que se observa en las figuras
9-6 o 9-8), deduzca las expresiones para el valor de la corriente del colector en la cual ocurre la disipacin
mxima de potencia del colector.

En cada transistor, la disipacin del colector es la mitad del total, o

(1)
Diferenciamos a (1) con respecto a e igualamos el resultado a cero para encontrar la corriente del
colector en

de lo cual
(2)
La sustitucin de (2) en (1) da la expresin deseada para

(3)

9.16 En el amplificador de simetra complementaria de la figura 9-12, Calcule


a) la potencia mxima entregada a la carga o) la potencia suministrada por cada fuente de polarizacin
y c) la potencia mxima disipada por cada transistor.
a) Cuando conduce y O, est en corte; c u a n d o c o n d u c e y e s t en corte. Si
entonces

Figura 9-12
244 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

b) Segn (1) del problema 9.11, puesto que cada fuente debe alimentar la mitad de la potencia total
tenemos

c) La disipacin de potencia mxima del colector por cada transistor se deduce de (3) del problema 9.15
con reemplazado por

9.17 El amplificador de simetra complementaria de colector comn de la figura 9-13 tiene la desventaja de
manejar la alimentacin de potencia asimtrica (una polaridad, positiva aqu). Dados
Los transistores son un par de complemento equilibrado (con
parmetros idnticos, pero con curvas caractersticas descritas por voltajes y corrientes complementa-
rios). Calcule a) los valores pico de voltaje y corriente de salida y b) el valor mximo de la potencia promedio

Figura 9-13

a) De la figura 9-13, es obvio que A d e m s , p u e s t o que los transistores son


un par de complemento equilibrado; por tanto, y el voltaje de salida mostrar
excursin simtrica. As pues, es suficiente la determinacin de la magnitud de la mitad positiva del
ciclo de En el punto de excursin mxima positiva (en el cual est en corte), la
divisin de voltaje da

(1)
A continuacin la LVK y {1) da
AMPLIFICADORES DE POTENCIA 245

b) La potencia mxima de carga es

9.18 En el caso de la operacin en seal pequea, las corrientes de la base y el colector de un BJT estn
relacionadas por Sin embargo, con excursiones de seal grande en un amplificador de potencia,
las relaciones entre se convierten en no lineales y se usa frecuentemente el modelo parablico que
sigue:

(1)
Muestre que si la seal de corriente de la base est dada por

entonces la corriente del colector contiene una componente de cd y otra de segunda armnica, as como
la fundamental.
Sustituyendo directamente (2) en (7) da
(3)
Despus de aplicar la identidad trigonomtrica la corriente total del colector
puede escribirse como
(4)
de lo cual las componentes de cd y segunda armnica son obvias.

9.19 Se observa experimentalmente que la corriente del colector de un BJT excursiona alrededor del punto
esttico lCQ entre los extremos Determine las expresiones p a r a e n (4) del problema 9.18
en trminos de los valores medidos experimentalmente si

Cuando y cuando La sustitucin de estos valores en (4) del problema 9.18


da el conjunto de ecuaciones

de cuya solucin simultnea se obtiene

9.20 El factor de distorsin de segunda armnica se define como la razn de la magnitud de la segunda
armnica a la de la componente fundamental. Encuentre una expresin para el factor de distorsin de la
segunda armnica de la corriente del colector de un BJT en trminos de los valores medidos
experimentalmente para un amplificador impulsado por una corriente de base
246 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Segn la definicin de y (4) del problema 9.8,

O)
Sustituyendo las expresiones para del problema 9.19 en (1) se obtiene

9.21 Un transistor de potencia de Si de 5 W disipa 5 W a una temperatura ambiente de 40C; el dispositivo se


coloca en un disipador en el cual a) Calcule la temperatura de unin si la resistencia
trmica es b) Cual es la temperatura ambiente mxima en la cual el dispositivo puede
operar si la temperatura mxima de unin es 125C?

a) La aplicacin de la LVK al modelo de flujo calorfico de la figura 9-2 da

b)

Problemas complementarios
9.22 Calcule el valor de que produzca la eficiencia mxima posible del amplificador del problema 9.1 y
determine cul es la eficiencia resultante. (Advertencia: Diferencie la expresin de la eficiencia del
problema 9.1 con respecto a e iguale el resultado a cero.)
Resp.

9.23 La distorsin de encendido ocurre ai principio del medio ciclo de la seal de salida v la distorsin de
apagado al final; en ambos casos existe distorsin si el valor real de p a r a E l
amplificador de la figura 9-5a) se opera como un amplificador clase B con excursin mxima y sin
distorsin de encendido, a) Si seleccione para
estabilizar la operacin en clase B para este transistor de Si. Luego, para excursin de seal mxima,
calcule b) la potencia entregada al colector, c) la potencia entregada a la carga y d) la eficiencia del
amplificador.
Resp. a)

9.24 En el caso del transistor de potencia de Si de la figura 9-5a), Suponga que el


transformador es ideal y que a)
Calcule los valores de que son necesarios para establecer b) Determine los valores
pico de voltaje y corriente de salida para la operacin en clase A.
Resp. a)
AMPLIFICADORES DE POTENCIA 247

9.25 En el caso del transistor de potencia de Si de la figura 9-5a), el transformador


es ideal. Dados a) Seleccione los valores d e p a r a
generar polarizacin independiente de a la vez que la excursin simtrica mxima, ti) Con las
caractersticas ideales del colector, determine el voltaje y la corriente de carga mximos para operar en
clase A. c) Calcule la eficiencia mxima posible de este circuito.
Resp. a)

9.26 En el amplificador clase A con acoplamiento por transformador de la figura 9-5a),


El transistor es un dispositivo de Si y el transformador es ideal,
a) Especifique la razn de vueltas del transformador en una excursin simtrica mxima, b) Encuentre
las especificaciones mnimas para el transistor, c) Determine la eficiencia mxima posible (considere la
potencia suministrada a la red de polarizacin
Resp. a) a =2.21; o)

9.27 En el amplificador de potencia clase A acoplado con inductor de la figura 9-4a),


Suponga un transistor de Si. a) Encuentre las
ecuaciones para los valores instantneos de un mximo sin distorsin 6)
Anote las especificaciones mnimas para el transistor, c) Calcule la eficiencia con el valor de (tome en
cuenta las perdidas en la red de polarizacin f,-f2).

9.28 El circuito con inversor de fase del problema 9.10 produce voltajes de salida que son iguales en
magnitud y 180fuera de fase sin carga presente. Demuestre que, si este circuito se usa para reemplazar
al transformador de entrada de la figura 9-6, entonces cuando son idnticos y el
amplificador ofrece la operacin en clase A sin distorsin de encendido. (Problema 9.23.)

9.29 En el amplificador de contrafase clase A de la figura 9-11, sean


estn polarizados para obtener excursin simtrica mxima, calcule la eficiencia mxima posible.
Resp. 50%
9.30 En el amplificador clase B de contrafase de la figura 9-6, sean a) Si en
condiciones de operacin la potencia entregada a la carga es 4 W, calcule la eficiencia del amplificador.
b) Anote la especificacin de potencia mnima para el transistor de este amplificador.
Resp. a)

9.31 Se requiere el amplificador de contrafase de simetra complementaria de la figura 9-8 para entregar una
potencia mxima de 20 W a un resistor de carga Calcule a) el valor de y o) las
especificaciones mnimas para los transistores.
Resp. A)

9.32 Para eliminar la distorsin de cruce (la distorsin combinada de encendido y apagado en los transistores)
en amplificadores de contrafase, las uniones de base-emisor estn con polarizacin directa, por lo que
la operacin del transistor es lineal con valores pequeos de la seal de entrada. En el amplificador de
de la figura 9-12, sea y seleccione de modo que
248 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

9.33 El amplificador clase B de contrafase de simetra complementaria de la figura 9-14 usa los diodos
para eliminar la sensibilidad a la temperatura de la distorsin de cruce. Suponga que
y todos los dispositivos son dispositivos de Si. Sean
a) Calcule las corrientes cuando b) Determine la disipacin de potencia
mxima del colector y el valor asociado rms de la corriente de carga.
Resp. a)

Figura 9-14

9.34 En el amplificador de simetra complementaria de CC de la figura 9-13, dados


Los transistores son dispositivos de Si. Como una oportunidad para disear, seleccione los
por lo que (y, por lo m i s m o , E n consecuencia,
mA.
Resp.

9.35 En el caso del amplificador de simetra complementaria en CC del problema 9.34, calcule la eficiencia
mxima posible. Incluya la potencia suministrada a la red de polarizacin en los clculos.
Resp.

9.36 En el amplificador de ES del problema 3.54, sea Calcule a) los coeficientes de


ganancia parablica y b) el factor de distorsin de la segunda armnica.
Resp. a)

9.37 La distorsin es mayor en los amplificadores FET que en los BJT, debido obviamente a la separacin no
lineal de las caractersticas del dren. Para los FET, se escribe el modelo de ganancia parablica en
AMPLIFICADORES DE POTENCIA 249

amplificadores FET, en trminos del voltaje esttico entre el dren y la fuente el valor pico del voltaje
entre la fuente y la compuerta y los valores mnimo y mximo de la excursin de voltaje del dren a
la fuente
Resp.

9.38 En el caso del amplificador FET del ejemplo 4.2, a) determine los coeficientes de ganancia parablica
y y calcule el factor de distorsin de la segunda armnica.
Resp. a)

9.39 El factor de distorsin de la segunda armnica para el amplificador de la figura 9-4a) es de 5 por ciento
(D2 = 0.05). Determine el error en el clculo de la potencia de carga si se considera slo la potencia
entregada en la frecuencia fundamental. [Advertencia: debe demostrar que donde es
la potencia entregada a la carga en la frecuencia fundamental.]
Resp. 0.25% error

9.40 Un transistor de potencia de Si de 5 W disipa 3 W en un circuito particular. La temperatura mxima


permisible d e l a unin e s 125C, l a temperatura y a ) Determine l a mxima
resistencia trmica entre la cpsula y el ambiente, b) Cul es la temperatura de la cpsula durante
la operacin?
Resp. a)
Amplificadores
operacionales
10.1 INTRODUCCIN
El nombre de amplificador operacional (amp op) fue dado originalmente a un amplificador que poda
modificarse fcilmente mediante un sistema de circuitos externos para realizar operaciones matemticas (suma,
escalamiento, integracin, etc.) en aplicaciones de computadora analgica. Sin embargo, con la nueva tecnologa
del estado slido, los amplificadores operacionales se han vuelto muy confiables, miniaturizados, con estabiliza-
cin contra temperatura de comportamiento muy pronosticable; aparecen actualmente como bloques fundamen-
tales en amplificacin bsica y acondicionamiento de seal, en filtros activos, generadores de funcin y circuitos
de conmutacin.

10.2 AMPLIFICADORES OPERACIONALES IDEALES Y PRCTICOS


Un amplificador operacional amplifica la diferencia entre dos seales de entrada (Figura. 10.1),
exhibiendo la ganancia de voltaje en circuito abierto
(10.1)
En la figura 10-1, la terminal 1 es la entrada inversora (etiquetada con un signo menos en el amplificador real); la
seal se amplifica en magnitud y aparece con inversin de fase en la salida. La terminal 2 es la entrada de no
inversora (etiquetada con un signo ms); se conserva la fase en la salida debida a

a) Representacin completa b) Representacin simplificada


Figura 10-1 Amplificador operacional

La ganancia de voltaje en malla abierta de los amplificadores operacionales, en magnitud vara de 10" a 107.
A la magnitud mxima de salida de voltaje de un amplificador se le conoce como voltaje de saturacin; este voltaje
es aproximadamente 2 V ms pequeo que el voltaje de la fuente de alimentacin. En otras palabras, el
amplificador es lineal en el intervalo
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 251

(10.2)
El amplificador operacional ideal tiene tres caractersticas esenciales las cuales sirven como estndares para
estimar el buen funcionamiento de un amplificador prctico:
1. La ganancia de voltaje en circuito abierto es negativamente infinita.
2. La impedancia de entrada entre las terminales 1 y 2 es infinitamente grande; de esta manera, la entrada
de corriente es cero.
3. La impedancia de salida es cero; por consiguiente, la salida del voltaje es independiente de la carga. La
figura 10-1 a) seala las caractersticas prcticas.

Ejemplo 10.1 Un amplificador operacional tiene voltaje de saturacin una ganancia de voltaje en
circuito abierto de -10 5 y una resistencia de entrada de Calcule a) el valor d e q u e conducir al
amplificador a saturacin y b) la entrada de corriente del amplificador al principio de saturacin.
a) Segn (10.1),

) Sea la corriente en la terminal 1 de la figura 10-1b); entonces

En la aplicacin del amplificador operacional se utiliza un gran porcentaje de retroalimentacin negativa,


obtenindose un circuito cuyas caractersticas dependen casi completamente de elementos del circuito externos
al amplificador operacional bsico. El error debido a tratar al amplificador operacional como ideal tiende a disminuir
en presencia de la retroalimentacin negativa.

10.3 AMPLIFICADOR INVERSOR


El amplificador inversor de la figura 10-2 tiene su entrada no inversora conectada a tierra o en comn. Se
aplica una seal a la entrada a travs del resistor y se establece la retroalimentacin negativa de la corriente (Pro-
blema 10.1) a travs del resistor de retroalimentacin La salida tiene polaridad opuesta a la de la entrada

Figura 10-2 Amplificador inversor


252 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Ejemplo 10.2 En el caso del amplificador inversor de la figura 10-2, calcule la ganancia de voltaje vjvs usando
a) slo la caracterstica 1 del amplificador operacional ideal y b) slo la caracterstica 2.
a) Mediante el mtodo de voltajes de nodo en la entrada inversora, el balance de la corriente es

(10.3)

donde Rd es la resistencia de entrada diferencial. Segn (10.1), lo cual, cuando se sustituye en


(10.3) da

(10.4)

En el lmite como, (10.4) se transforma en

(10.5)

b) Si e n t o n c e s L a s ecuaciones de la entrada y el circuito de retroalimentacin son,


respectivamente,

de donde (10.6)

de acuerdo con (10.5).

10.4 AMPLIFICADOR NO INVERSOR


El amplificador no inversor de la figura 10-3 se lleva a cabo conectando a tierra de la figura 10-2 y aplicando
la seal de entrada en la terminal no Inversora del amplificador operacional. Cuando es positivo, es positivo
tambin y la corriente es positiva. Entonces el voltaje se aplica a la terminal de inversin como
retroalimentacin negativa de voltaje.

Figura 10-3 Amplificador no inversor


AMPLIFICADORES OPERACIONALES 253

Ejemplo 10.3 En el caso del amplificador no inversor de la figura 10-3, suponga que la corriente en la terminal
inversora del amplificador operacional es cero, de modo que Deduzca una expresin para la
ganancia de voltaje
Con la entrada de corriente al amplificador operacional bsico cero, las corrientes que fluyen a travs de
y deben ser idnticas; Por lo cual,

(JO. 7)

10.5 RAZN DE RECHAZO DE MODO COMN


La ganancia de modo comn se define (Figura 10-1) como

(10.8)
donde mediante la conexin explcita. Normalmente,es mucho menor que la unidad (siendo clsico
La sensibilidad de la ganancia de modo comn se cuantifica mediante la razn de rechazo de modo
comn (RRMC), se define como

(10.9)

y se expresa en decibeles como

(10.10)
Los valores comunes para la RRMC fluctan entre 100 y 10 000, lo cual corresponde a valores de de 40
a 80 db.

Ejemplo 10.4 Encuentre la razn de la ganancia de voltaje del amplificador no inversor de la figura 10-3 en
trminos de su RRMC. Suponga que en lo que respecta a la ganancia de modo comn.
El voltaje de salida del amplificador es la suma de los dos componentes. El primero resulta de la amplificacin
de voltaje de diferencia como se seala en (10.1). El segundo, definido por (10.8), es una consecuencia direc-
ta de la ganancia de modo comn. Por tanto, la salida total del voltaje es,
(10.11)
La divisin de voltaje

(10.12)

y la sustitucin de (10.12) en (10.11) y la reordenacin dan

Despus

(10.13)
254 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

10.6 AMPLIFICADOR SUMADOR


El amplificador sumador inversor (o sumador inversor) de la figura 10-4 se forma agregando entradas en
paralelo al amplificador inversor de la figura 10-2. Su salida es una suma ponderada de las entradas, pero de
polaridad invertida. En un amplificador operacional ideal, no tiene lmite el nmero de entradas; sin embargo, la
ganancia se reduce en la medida que se agregan ms a un amplificador prctico (Problema 10.29).

Figura 10-4 Amplificador sumador inversor

Ejemplo 10.5 Determine una expresin para la salida del amplificador sumador inversor de la figura 10-4,
suponiendo que el amplificador operacional es ideal.
Usamos e! principio de superposicin. Con la corriente en es independiente de la presencia
de puesto que el nodo inversor es una tierra virtual (Problema 10.1). Por tanto, el voltaje de la salida
debido a segn (10.5), De manera semejante, Por lo
tanto, mediante superposicin,

10.7 AMPLIFICADOR DE DIFERENCIACIN


La introduccin de un capacitor en la trayectoria de entrada de un amplificador operacional conduce a la
diferenciacin con respecto al tiempo de la seal de entrada. El circuito de la figura 10-5 representa el diferenciador
inversor ms simple que consta de un amplificador operacional. De esta manera, el circuito encuentra un uso
prctico limitado, puesto que el ruido de alta frecuencia puede producir una derivada cuya magnitud es comparable
a la de la seal. En la prctica, se utiliza un filtro paso alto para reducir los efectos del ruido (Problema 10.7).

Ejemplo 10.6 Encuentre una expresin para la salida del diferenciador inversor de la figura 10-5, suponiendo
que el amplificador operacional bsico es ideal.
Puesto que el amplificador operacional es ideal, y la terminal de Inversin es una tierra virtual, por
consiguiente, aparece a travs del capacitor C:

Pero la corriente del capacitor tambin es la corriente a travs de R (puesto que Por lo tanto,
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 255

Figura 10-5 Amplificador de diferenciacin Figura 10-6 Amplificador integrado

10.8 AMPLIFICADOR INTEGRADOR


La insercin de un capacitor en la trayectoria de retroalimentacin de un amplificador operacional da por
resultado una seal de salida que es la integral en el tiempo de la seal de entrada. Un arreglo de circuito para
un integrador inversor se observa en la figura 10-6.

Ejemplo 10.7 Demuestre que la salida del integrador inversor de la figura 10-6 es realmente la integral en el
tiempo de la seal de entrada, suponiendo que el amplificador operacional es ideal.
Si el amplificador operacional es ideal, la terminal inversora es una conexin virtual a tierra, aparece a
travs de R. Por tanto, Pero, con la corriente despreciable en el amplificador, la corriente que pasa por
R tambin fluye a travs de C. Entonces

10.9 AMPLIFICADOR LOGARTMICO


La multiplicacin analgica puede obtenerse con un circuito como el que se advierte en la figura 10-7. Lo
esencial de la operacin del amplificador logartmico es el uso en el lazo de retroalimentacin de un dispositivo
que tiene una curva caracterstica exponencial; dicho dispositivo es el diodo semiconductor del captulo 2, el cual
se caracteriza por
(10.14)

Figura 10-7 Amplificador logartmico


256 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Tambin puede utilizarse un BJT con la base conectada a tierra, puesto que la corriente del emisor y el voltaje
del emisor a la base se relacionan por
(10.15)
Ejemplo 10.8 Determine la condicin en que el voltaje de la salida es proporcional al logaritmo del voltaje de
entrada en el circuito de la figura 10-7.
Puesto que el amplificador operacional demanda una corriente despreciable,

(10.16)

Puesto que la sustitucin de {10.16) en (10.14) da


(10.17)
Tomar el logaritmo de ambos lados de (10.17)
(10.18)
En la condicin en que In es despreciable (lo cual puede ajustarse mediante el control de R de modo que
- 1 ) , (10.18) a

10.10 APLICACIONES EN LOS FILTROS


El uso de los amplificadores operacionales en filtros activos RC se ha incrementado con el uso de los circuitos
integrados. Las realizaciones del filtro activo pueden eliminar la necesidad de inductores voluminosos, que no se
prestan para usarse satisfactoriamente en un sistema de circuitos integrados. Adems, los filtros activos no
atenan necesariamente la seal en la banda de paso, como sus equivalentes en los elementos pasivos. Un
simple filtro paso bajo inversor de primer orden que utiliza un amplificador operacional como dispositivo activo se
advierte en la figura 10-8(a).

Diagrama de
Bode asinltico

Pendiente de
- 20 db/dcada

Figura 10-8 Filtro de paso bajo de primer orden

Ejemplo 10.9 Para el caso del filtro de paso bajo cuya representacin (en transformada de Laplace) en el dominio
s se ve en la figura 10-8a), calcule la funcin de transferencia (razn de la ganancia de voltaje)
b) Dibuje el diagrama de Bode asociado a la funcin de transferencia, para demostrar que el filtro pasa
las seales de baja frecuencia y atena las de alta frecuencia.
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 257

a) La impedancia de retroalimentacin (S) y la impedancia de entrada (S) son

(10.19)
El anlisis resistivo del circuito del ejemplo 10.2 se extiende directamente al dominio S, por lo cual,

(10.20)

b) Calculando en (70.20) se obtiene

Se observa una grfica de en la figura 10-8>). La curva es esencialmente horizontal por debajo de
0.1//?C; as pues, todas las frecuencias debajo de 0.1/ftC pasan con la ganancia de cd de fl/fl,. Se
experimenta una reduccin en la ganancia de 3 db en la frecuencia de esquina = y la ganancia se
atena en 20 db por cada dcada de cambio en la frecuencia, para valores de frecuencias mayores de

10.11 GENERADORES DE FUNCIN Y ACONDICIONADORES DE SEAL


Con frecuencia, en el diseo de un sistema analgico, es necesario modificar la ganancia de un amplificador
en varias formas para comparar las seales con una referencia generada o para limitar las seales segn sus
valores. Dichas aplicaciones de los circuitos pueden implantarse frecuentemente con la impedancia de entrada
alta, impedancia de entrada baja y caractersticas de ganancia alta del amplificador operacional. Las posibilidades
de los circuitos del amplificador operacional son ilimitadas. Sin embargo, por lo regular se introducen elementos
no lineales (tales como diodos o transistores) en trayectorias de retroalimentacin negativa, mientras que se usan
elementos lineales en las ramas de entrada.

Ejemplo 10.10 El amplificador de acondicionamiento de seal de la figura 10-9 cambia la ganancia dependiendo
de la polaridad de Calcule la ganancia del voltaje del circuito para de valor positivo y para de valor negativo
si el diodo es ideal.

Figura 10-9

Si e n t o n c e s e s t polarizado directamente y aparece como un cortocircuito. La resistencia


de retroalimentacin equivalente es entonces
258 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

y, segn (10.5), (10.21)

Si e n t o n c e s e s t polarizado a la inversa como un circuito abierto. La resistencia de


retroalimentacin equivalente es ahora y

(10.22)

Problemas resueltos

10.1 En el caso del amplificador inversor de la figura 10-2: a) Demuestre que como, as pues,
la entrada del inversor permanece cerca del potencial de tierra (y se llama tierra virtual), b) Demuestre
que la retroalimentacin de la corriente es realmente retroalimentacin negativa.

a) Segn la LVK en torno al circuito exterior,

(/)
Usando (10.1) en reordenando y tomando el lmite se obtiene

(2)

b) La retroalimentacin es negativa si contrarresta esto es, las dos corrientes deben tener el mismo
signo algebraico. Mediante las dos aplicaciones de la LVK, con

Pero en un amplificador inversor, tienen signos opuestos; por consiguiente, tienen signos
semejantes.

10.2 a) Con (10.4) deduzca una frmula exacta para la ganancia de un amplificador operacional inversor
prctico, b) Si evale la ganancia de este amplificador
inversor, c) Compare el resultado de la parte b con la aproximacin del amplificador operacional sealada
en (70.5).

a) La reordenacin de (10.4) para obtener la razn de la ganancia de voltaje da


A.

b) La sustitucin de los valores obtenidos da


AMPLIFICADORES OPERACIONALES 259

c) De {10.5),

de modo que el error es

Observe que estn lejos del ideal; aun as el error es totalmente pequeo.

10.3 Un amplificador diferencial (llamado algunas veces substractor) responde a la diferencia entre dos seales
de entrada, suprimiendo cualquier parte idntica (a menudo una polarizacin o ruido) en un proceso
llamado rechazo de modo comn. Encuentre una expresin para en la figura 10-10 que demuestre que
este circuito es un amplificador diferencial. Suponga un amplificador operacional ideal.

Puesto que la corriente en el amplificador es cero, la ecuacin del circuito da

Por la divisin del voltaje en el nodo no inversor,

En el
As amplificador
pues, operacional
la salida de voltaje es ideal,
directamente de modo que a la diferencia
proporcional y estoentre
conduce a
los voltajes de las entradas.

Figura 10-10 Amplificador diferencial Figura 10-11 Seguidor unitario

10.4 Calcule la impedancia de entrada del amplificador inversor de la figura 10-2, suponiendo que ei
amplificador operacional es ideal.
Considere una fuente en el punto de excitacin. Puesto que el amplificador es ideal, la terminal
inversora es una tierra virtual y una ecuacin del circuito a la entrada conduce a
260 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

10.5 El amplificador seguidor unitario de la figura 10-11 tiene una ganancia de voltaje de 1 y la salida est en
fase con la entrada. Tiene tambin una impedancia de entrada extremadamente alta, la cual hace que su
uso sea como amplificador de etapa intermedia {aislamiento) para prevenir cargar una fuente con una
pequea impedancia de carga. Suponga un amplificador operacional prctico que tiene (un
valor clsico), a) Demuestre que b) Encuentre una expresin para la impedancia de entrada del
amplificador y evale la para (un valor clsico).
a) Escribiendo una ecuacin de malla y usando (10.1), tenemos,

de donde

b) Considerando una fuente en el punto de excitacin y usando {10.1), tenemos

10.6 Determine una expresin para la salida v0 del circuito amplificador de la figura 10-12. Suponga un
amplificador operacional ideal. Qu operacin matemtica realiza el circuito?

Figura 10-12

El principio de superposicin se aplica a este circuito lineal. (en cortocircuito), el voltaje


que aparece en la terminal no inversora se calcula mediante la divisin del voltaje como

(1)
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 261

Sea el valor de Por el resultado del ejemplo 10.3 y (1),

De manera semejante, con

Por superposicin, la salida total es entonces

10.7 El circuito de la figura 10-13a) (que se representa en el dominio s) es un diferenciador ms prctico que
el
El de la figura
circuito 10-5,
es un debido
sumador noainversor.
que ste atenuar el ruido de alta frecuencia, a) Encuentre la funcin de
transferencia en el dominio s que relaciona b) Trace el diagrama de B o d e y explique
cmo se reducen los efectos del ruido de alta frecuencia. Suponga un amplificador operacional ideal.

Pendiente = 20 db/dcada

Pendiente = 20 db/dcada

Figura 10-13

a) En un amplificador operacional la terminal inversora es una tierra virtual, as que Como


en el ejemplo 10.9, p

Por lo tanto,

Pero,

de donde
262 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

b) A partir del resultado de la parte a,

La figura 10-13b) es una grfica de esta expresin aproximada (asinttica) para Mdb. Para un
diferenciador verdadero, tendramos

lo cual conducira a De esta manera el circuito prctico diferencia slo los componentes
de la seal cuya frecuencia es menor que la frecuencia de corte Estarn atenuados los
componentes espectrales arriba de la frecuencia de corte, entre ellos (y especialmente) el ruido; a
frecuencia ms alta, corresponde una mayor atenuacin.

10.8 A menudo, en el proceso de seales analgicas se presenta la necesidad de introducir un sujetador de


nivel (amplificacin lineal para un nivel o valor de salida deseada y despus ningn incremento ulterior
en el nivel de salida a medida que la entrada sigue aumentando). Un circuito sujetador de nivel, que se
observa en la figura 10-14a), utiliza diodos Zener en serie en una trayectoria de retroalimentacin negativa.
Suponiendo que los Zener y el amplificador operacional sean ideales, encuentre las relaciones entre
y Trace los resultados en una caracterstica de transferencia.

a)

Figura 10-14

Puesto que el amplificador operacional es ideal, la terminal inversora es una tierra virtual y aparece
a travs de las trayectorias de retroalimentacln conectadas en paralelo. Existen dos posibilidades
diferentes:
Caso I: est polarizado en directa y est polarizado en inversa. La trayectoria
de retroalimentacin Zener es un circuito abierto hasta entonceslimitar por lo que
no es posible una excursin ms negativa.
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 263

Caso II: est polarizada en directa y en inversa. La trayectoria de


retroalimentacin del Zener acta como un circuito abierto hasta que alcanza punto en que limita
en ese valor. En resumen, para ambos casos,

La figura 10-146) da la caracterstica de transferencia.

10.9 El circuito de la figura 10-15 es un regulador de voltaje con salida ajustable. Suponga que el amplificador
operacional bsico es ideal. La regulacin del Zener se conserva si (Seccin 2.9). a) Calcule la
salida regulada en trminos de Dando un diodo Zener especfico y los valores de en
qu intervalo de no habra prdida de regulacin?

Figura 10-15

a) Puesto que es el voltaje en el nodo a, (10.5) da

Mientras puede obtenerse un valor regulado d e m e d i a n t e el ajuste de


b) La regulacin se conserva y la corriente del diodo no excede del valor especificado si

o bien,

10.10 El circuito de la figura 10-16a) es un limitador, el limitador reduce la ganancia de seal para algn nivel
lmite impuesto ms bien por la accin brusca de sujecin del circuito del problema 10.8. a) Determine el
264 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Pendiente

Figura 10-16

valor de limitacin en el cual el diodo D llega a polarizarse en directa, por lo cual una segunda
trayectoria de retroalimentacin se establece a travs de Suponga que un amplificador operacional y
un diodo ideales estn representados en la figura 2-2a). b) Determine la relacin entre y trace la
caracterstica de transferencia.
a) El voltaje del diodo se encuentra escribiendo la ecuacin del circuito. Puesto que la entrada
inversora es una tierra virtual, aparece a travs de y

(1)
Cuando se obtiene

(2)

b) Para el diodo se bloquea y constituye la nica trayectoria de retroalimentacin. Puesto que

(3)

Para el diodo conduce y la combinacin en paralelo d e f o r m a la trayectoria de


retroalimentacia Puesto que ahora

(4)

De (2), (3) y (4) se deduce que


AMPLIFICADORES OPERACIONALES 265

Esta caracterstica de transferencia se traza en la figura 10-166).

10.11 Qu modificaciones y especificaciones cambiarn el circuito de la figura 10-14a) en un generador de


onda cuadrada de 3 V, si Trace la caracterstica de transferencia del circuito y las
formas de ondas de entrada y salida.
Modifique el circuito reemplazando R2 y especifique los diodos Zener de modo que
La caracterstica de transferencia de la figura 10-14b) se convertir en la de la figura 10-17a). La relacin
del tiempo entre se traza como en la figura 10-17b).

Figura 10-17

10.12 Disee de un filtro paso bajo de primer orden con una ganancia de cd de magnitud 2 e impedancia de
entrada de La ganancia debe ser horizontal hasta 100 Hz.
El filtro se ve en la figura 10-8. En el caso de un amplificador operacional ideal, el problema 10.4 da
La ganancia de cd se obtiene segn (10.20) como, , ,
La figura 10-86) muestra que la magnitud de la ganancia est fija en as que el capacitor
debe valuarse de manera que

10.13 La computadora analgica utiliza amplificadores operacionales para resolver ecuaciones diferenciales.
Planee una solucin analgica para en el circuito de la figura 10-18a). Suponga que tiene
disponible un integrador inversor con ganancia unitaria amplificadores inversores, una fuente
de cd variable y un interruptor.
Para la ecuacin diferencial que determina el comportamiento del circuito de la figura 10-18a)
puede escribirse como

(1)
266 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Figura 10-18

La suma del lado derecho de la expresin (7) puede simularse mediante el sumador inversor del lado
izquierdo de la figura 10-186) , donde se seleccionan de modo que
Entonces ser una analoga de ;(f), en una escala de 1 A/V.

10.14 Determine las relaciones entre en el circuito de la figura 10-19.

Figura 10-19

, Puesto que la terminal inversora es una tierra virtual, la corriente de entrada en el dominio de Laplace
se obtiene de
10 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 267

Con la corriente cero que fluye en la terminal inversora del amplificador operacional, la divisin de la
corriente conduce a

tambin debido a que la terminal inversora es una tierra virtual,

Igualando las dos expresiones para se obtiene una expresin en el dominio de Laplace que relaciona

(J)
o bien, despus de la transformacin inversa,

10.15 El circuito de la figura 10-20 es, en esencia, un amplificador no inversor con una impedancia de
retroalimentacin y se conoce como convertidor de impedancia negativa (CIN). Calcule la impedancia
de Thvenin o la del punto de excitacin a la derecha de las terminales de entrada y explique por qu ese
nombre es apropiado.
En el nodo inversor, la corriente de entrada del fasor se obtiene por

(1)

de modo que (2)

Si (1) y (2) se igualan y reordenan, producen

(3)

Observe que, entonces la impedancia Z aparece convertida en el negativo de su valor; de


ah su nombre. Vea en el problema 10.16 otro ejemplo.
268 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Figura 10-20 Figura 10-21

10.16 a) Describa un circuito que haga uso del CIN del problema 10.15 y la figura 10-20, slo con resistores y
capacitores, para simular un inductor puro, b) Si slo estn disponibles para usar en el circuito cuatro
resistores de y un capacitor d e d e t e r m i n e el valor d e q u e pueda simularse.

a) Considere el circuito de la figura 10-21. De acuerdo a (3) del problema 10.15,

b) El valor de es
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 269

10.17 El amplificador logartmico de la figura 10-7 tiene dos aspectos no deseables: son dependientes de
la temperatura y el In puede no ser despreciablemente pequeo. Un circuito que puede superar esas
deficiencias se presenta en la figura 10-22. Demuestre que, si son transistores iguales, entonces
es verdaderamente proporcional a In

En transistores iguales, las corrientes inversas de saturacin son iguales. Por medio de la LVK, con

(i)

Figura 10-22

Calculando el logaritmo de ambos lados de (10.15), se obtiene

(2)

Ahora bien, el uso de (2) en (1) con da

(3)
270 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

De acuerdo con (), es la diferencia entre dos voltajes pequeos. As pues, si tiene magnitud de
varios volts, entonces

(4)
Asimismo, puesto que

(5)

As pues, segn (10.7) y desde (3) a (5),

(6)
La seleccin de hace que el ltimo trmino del lado derecho de (6) valga cero. Asimismo,
puede seleccionarse con una sensibilidad a la temperatura similar a para compensar los cambios
en Adems, es sencillo seleccionar as que (6) se convierte en

10.18 El circuito de la figura 10-23 es un amplificador exponencial o de log inverso. Demuestre que la salida
es proporcional al logaritmo inverso de la entrada

Puesto que la entrada de corriente al amplificador operacional es despreciable,

Pero puesto que la terminal inversora es una tierra virtual, As pues,

10.19 Teniendo a su disposicin un amplificador logartmico (Ejemplo 10.8 y Problema 10.17) y uno exponen-
ciador (log inverso) (Problema 10.18), disee un circuito que multiplique dos nmeros.

Puesto que el circuito de la figura 10-24 es una posible realizacin.


AMPLIFICADORES OPERACIONALES 271

Amplificador
logartmico

Amplificador Amplificador
sumador exponencial

Amplificador
logartmico

10.20 Las dos secciones idnticas del filtro de paso bajo de RC pasivo se conectan en cascada de modo que
se pueda crear un filtro de dos polos con frecuencia de esquina en La conexin sencilla
en cascada de esos filtros conducir a la funcin de transferencia deseada b) Si
no, cmo puede conseguirse el resultado deseado?
a) Con una cascada simple, la funcin de transferencia total sera

la cual tiene dos races negativas. El resultado deseado no se obtiene debido a que la impedancia
en la segunda etapa no es infinita, por lo que la funcin de transferencia de la primera etapa no es
simplemente

b) El resultado que se desea puede obtenerse agregando un seguidor unitario (Figura 10-11) entre las
etapas (Problema 10.42), como se ilustra en la figura 10-25.

Figura 10-25

10.21 a) Encuentre la funcin de transferencia para el circuito de la figura 10-26. b) En la teora de control, existe
una red de compensacin cuya funcin de transferencia tiene la forma se llama red
de adelanto-atraso si y una red de atraso-adelanto s i E x p l i q u e cmo puede utilizarse
el circuito de la figura 10-26 como una red de compensacin.

a) Por extensin de (10.5),


272 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

(1)

donde
b) Para obtener la ganancia unitaria, haga Para obtener una funcin de transferencia positiva,
inserte una etapa inversora antes o despus del circuito. Por lo tanto, la seleccin de lleva a
lo cual da la red de adelanto-atraso y da por resultado que
proporcionando la red de atraso-adelanto.

Figura 10-26 Figura 10-27

10.22 Demuestre que la funcin de transferencia para el circuito del amplificador operacional de la figura 10-27
es

Debido a que el amplificador demanda una corriente despreciable, Por tanto, Sin
embargo, puesto que

Asimismo, por el mtodo de voltajes en el nodo,

As pues,

10.23 Utilice un amplificador operacional para disear una fuente de voltaje no inversora (Problema 10.9).
Determine las condiciones en las cuales la regulacin se mantiene en su fuente.

Reemplace simplemente el amplificador inversor de la figura 10-15 por el amplificador no inversor


de la figura 10-3. Puesto que el amplificador operacional demanda una corriente despreciable, se conserva
la regulacin si se seleccionan de manera que permanezca dentro del intervalo de regulacin
del diodo Zener. Especficamente la regulacin se conserva si
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 273

10.24 En el caso del amplificador no inversor de la figura 10-3: a) Compare las expresiones que se obtuvieron
para la ganancia de voltaje con rechazo de modo comn (Ejemplo 10.4) y sin ella (en el amplificador ideal
del ejemplo 10.3), para b) Demuestre que, si la RRMC es muy grande, entonces no necesita
considerarse en el clculo de la ganancia.

a) Hacemos en (10.13), puesto que est implcito en el ejemplo 10.3:

(i)
Ahora podemos comparar (1) con (10.7); la diferencia es el ltimo trmino del lado derecho de (1).
b) Dado en (1) se obtiene

lo cual es idntico al caso ideal del ejemplo 10.3.

10.25 En el caso del amplificador no inversor de la figura 10-3, a) encuentre una expresin exacta para la razn
de ganancia de voltaje y b) evale la para Compare su
resultado en la parte b con el valor obtenido por la expresin ideal (10.7).
Resp.
(a)

(c)

10.26 En el filtro paso bajo de primer orden del ejemplo 10.9, Calcule a) la
ganancia para seales de cd, 6) la frecuencia de corte en la cual la ganancia decae 3 db y c) la frecuencia
en la cual la ganancia decae a la unidad (se conoce como ancho de banda de ganancia unitaria).
Resp.

10.27 El circuito del amplificador no inversor de la figura 10-3 tiene una impedancia de entrada infinita si el
amplificador operacional bsico es ideal. Si no es ideal, y en su lugar calcule la
impedancia de entrada. Dados
Resp.
274 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

10.28 Sea en el amplificador sumador inversor de la figura 10-4. Qu operacin matemtica


realiza el circuito?
Resp. Resulta el negativo del valor promedio instantneo

10.29 Un sumador inversor (Figura 10-4) tiene n entradas con Suponga que la
ganancia del amplificador operacional bsico en malla abiertayW es finita, pero que la corriente de entrada
a la terminal inversora es despreciable. Deduzca una relacin que muestre cmo la magnitud de la
ganancia se reduce ante la presencia de entradas mltiples.

Resp.

Para una entrada simple la ganancia es A,. En la misma entrada junto con las entradas cero
la ganancia es Pero puesto que

10.30 El amplificador operacional bsico de la figura 10-28 es ideal. Calcule y determine qu operacin
matemtica realiza el circuito del amplificador.
Resp.

Figura 10-28

10.31Describa la caracterstica de transferencia del circuito sujetador de nivel de la figura 10-14a), si el diodo
se pone en cortocircuito.
Resp. Sea

10.32 Calcule la ganancia del amplificador no inversor de la figura 10-29 si el amplificador operacional y los
diodos son ideales.
Resp.
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 275

Figura 10-29 Figura 10-30

10.33 El amplificador operacional en el circuito de la figura 10-30 es ideal. Encuentre una expresin para en
trminos de vs y determine la funcin del circuito.
Resp. un integrador no inversor

10.34 Si el amplificador operacional del circuito de la figura 10-31 tiene una ganancia en circuito abierto

Resp.

Figura 10-31

10.35 Cmo puede usarse el generador de onda cuadrada del problema 10.11 para hacer un generador de
onda triangular?
Resp. En cascada el integrador de la figura 10-6 a la salida del generador de onda cuadrada.

10.36 Describa un circuito con amplificador operacional que simule la ecuacin


Resp. El sumador de la figura 10-4, con en cascada con el amplificador
inversor de la figura 10-2, con v;
276 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

10.37 El circuito de la figura 10-32 (llamado girador) puede utilizarse para simular un inductor en el diseo de
un filtro activo RC. Suponiendo que los amplificadores operacionales sean Ideales, calcule a) la impedan-
el valor de la inductancia que se simula si

Resp. a)

Figura 10-32

10.38 En el caso del circuito doble integrador del problema 10.14, se forma un oscilador si la salida se conecta
a la entrada de manera que Demuestre que esta afirmacin es verdadera y que la frecuencia de
oscilacin es \Advertencia: R e e m p l a c e e n (1) del problema 10.14 para obtener
una expresin de la forma

10.39 En el circuito del amplificador logartmico de la figura 10-7, no debe excederse aproximadamente de
0.6 V, pues de lo contrario no ser una buena funcin exponencial de Con frecuencia, se agrega
una segunda etapa con un amplificador inversor como se observa en la figura 10-7, de manera que
es suficientemente grande. Si la ganancia de la segunda etapa se selecciona como
entonces su salida se transforma en En el circuito de la figura 1 0 - 7 , e s exponencial para 0
de manera que sea como se indic antes.
Resp. seleccione arbitrariamente

10.40En el amplificador logartmico de la figura 10-22, sean


Los BJT son iguales y operan a Obtenga a) (Problema
10.17).
Resp. a)41.8mV;b)-2.13V

10.41 Teniendo a su disposicin un amplificador logartmico y uno exponencial, invente un circuito que produzca
el cociente de dos nmeros.
Resp. Vase figura 10-33
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 277

Amplificador logartmico

Amplificador exponencial

Amplificador logartmico

Figura 10-33

10.42 El seguidor unitario de la figura 10-11 es el amplificador no inversor de la figura 10-3 si


a) Calcule la impedancia de salida del amplificador no inversor de la figura 10-3 sujeto a la
aproximacin Modele el amplificador operacional con el circuito equivalente prctico de la figura
10-1a). 6) Sean , _ en su respuesta de la parte a, para obtener la impedancia de salida del
seguidor unitario.
Resp. a)

10.43 El circuito de la figura 10-21 se utiliza como filtro de paso alto con una ganancia de 0.1 en las frecuencias
bajas, ganancia unitaria en las frecuencias altas y una ganancia de 0.707 en Seleccione
arbitrariamente y obtenga el valor de
Resp.

10.44 Calcule la funcin de transferencia para el circuito de la figura 10-34 y explique el uso del circuito.
Resp. un filtro de paso bajo con impedancia de salida cero

Figura 10-34 Figura 10-35

10.45 En el caso del circuito de la figura 10-35 demuestre que de manera que el circuito sea
un amplificador de corriente verdadera. (Observe que es independiente de
278 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

10.46 Si la terminal no inversora del amplificador operacional en la figura 10-27 est conectada a tierra, obtenga
la funcin de transferencia (Compare con el problema 10.22).
Resp.

10.47 Planee un mtodo para utilizar el circuito del amplificador operacional de la figura 10-2 como una fuente
de corriente.
Resp. Sea corriente de salida; entonces independientemente del valor de

10.48 Se desea que un amplificador no Inversor tenga ganancia Basndose en la teora del amplificador
operacional ideal, los valores de se seleccionan para el circuito de la figura
10-3. Si el amplificador operacional se reconoce como no ideal en el que
calcule la ganancia real
Resp. =21.17
Amplificadores
retroalimentados
11.1 EL CONCEPTO DE RETROALIMENTACION
Cualquier amplificador simple o de etapas mltiples puede modelarse como una red de dos puertos con una
razn de transferencia directa A (la cual puede ser una razn de ganancia de corriente una razn de
ganancia de voltaje una razn de transresistenciao una razn de transconductancia
Se forma un amplificador retroalimentado si se muestra una variable del puerto de salida de un amplificador
bsico, ajusfando mediante una razn de transferencia de retroalimentacin (la cual puede ser una razn de
ganancia de voltaje una razn de ganancia de c o r r i e n t e u n a razn de transresistencia
o una razn de transconductancia y se compara (se mezcla) con una seal externa {de una fuente
de seal) para formar la seal de entrada de excitacin para el amplificador bsico. Este resultado se ilustra
mediante el diagrama funcional de bloques de la figura 11-1a), el cual puede convertirse en un diagrama
matemtico de bloques (o simplemente en un diagrama de bloques) de la figura 11-1b). La introduccin de un

Comparador Amplificador bsico:


Fuente
o razn de transfe- Muestreador Carga
de seal
mezclador rencia directa A

Razn de transfe-
rencia de retro-
alimentacin 6

Amplificador retroalimenlado

Comparador
Muestreador

Figura 11-1 Amplificador retroalimentado


280 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

lazo de retroalimentacin reduce la ganancia de un amplificador; sin embargo, la retroalimentacin puede utilizarse
para modificar las impedancias de entrada y salida, incrementar el intervalo de respuesta en frecuencia, reducir
la distorsin y desenslbilizar la ganancia del amplificador ante cambios en sus parmetros.

11.2 EFECTO DE LA RETROALIMENTACIN EN LA GANANCIA


Y EN LA RESPUESTA EN FRECUENCIA
Para facilitar la explicacin, supongamos que la razn de transferencia directa A y la razn de transferencia
de retroalimentacin del amplificador de la figura 11.1a) sean razones de ganancia de voltaje; entonces
(11.1)

y (11.2)
Sustituyendo (11.2) en (11.1) y de la reordenacin se obtiene la ganancia global del voltaje del amplificador
retroalimentado como

(11.3)

Para asegurar la retroalimentacin negativa [a fin de que la seal restarse de la s e a l m e d i a n t e


el comparador para formar los signos de A y deben ser idnticos; por lo tanto, de (11.3) es obvio que
Para se desarrollan razones similares de transferencia total en las secciones de 11.5 a 11.7.
Sea un amplificador con frecuencia de corte superior sin retroalimentacin; entonces su ganancia A puede
escribirse normalmente en trminos de la ganancia de media frecuencia como

(11.4)

De (11.3) y (11.4), la ganancia con retroalimentacin negativa es entonces

(11.5)

La frecuencia superior de corte con retroalimentacin negativa es la frecuencia en la cual las partes reales e
imaginarias del denominador de (11.5) son iguales; por tanto,
(11.6)
de lo cual vemos que la retroalimentacin negativa acta para incrementar la frecuencia superior de corte.
Normalmente la ganancia de un amplificador sin retroalimentacin puede escribirse en trminos de la
frecuencia de corte inferior como

(11.7)

Por lo tanto, aplicando el proceso mediante el cual obtenemos (11.6), encontramos que la frecuencia de corte
inferior con retroalimentacin es

(11.8)

lo cual indica que se reduce por la retroalimentacin negativa.


AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 281

Ejemplo 11.1 Un amplificador tiene una ganancia de media frecuencia de una frecuencia de corte
superior y una frecuencia de corte inferior Con una razn de transferencia obtenga
a) la ganancia total en la media frecuencia, 6) la frecuencia de corte superior con retroalimentacin negativa y c)
la frecuencia de corte inferior con retroalimentacin.
a) A partir de la forma general de (11.3),

b) De (11.6),

c) De (11.8),

11.3 EFECTO DE LA RETROALIMENTACION EN LAS IMPEDANCIAS DE ENTRADA Y SALIDA


En el caso de un amplificador con retroalimentacin negativa, si la corriente es la variable mezclada, la
impedancia de entrada se incrementa. Con el voltaje de salida como variable de muestra, la impedancia de
salida decrece; si se muestra la corriente de salida, la impedancia de salida se incrementa. La tabla 11.1 resume
estas conclusiones, las cuales se verifican en las secciones subsecuentes.

Tabla 11-1

11.4 RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE-SERIE


El modelo general del amplificador retroalimentado de la figura 11-2, en el cual el voltaje de salida i\. es la
variable de muestreo y el voltaje retroalimentado v, es la variable mezclada, es un amplificador retroalimentado
llamado voltaje-serie (o salida en paralelo, entrada en serie; o muestreo del nodo, comparacin de malla).

Ejemplo 11.2 En el caso del amplificador con retroalimntacin de voltaje-serie de la figura 11-2, calcule las
resistencias de entrada y salida (impedancias) a) con retroalimntacin y b) sin ella.
a) El mtodo de los voltajes del nodo (con G, = MR,) se obtiene
(11.9)
(11.10)
Pero {1U1)
282 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

Amplificador bsico

Red de retroalimentacin
Figura 11-2 Modelo general del amplificador.con retroalimentacin de voltaje serie

Sustituyendo (11.11) en (11.10) y reordenando se obtiene el siguiente conjunto de ecuaciones lineales:

(11.12)

La solucin simultnea de (11.12) significa que la regla de Cramer da el voltaje retroalimentado como

(11.13)

donde (11.14)

y (11.15)

A partir de la figura 11-2 y (11.11) y (11.13), vemos que

(11.16)

La sustitucin de (11.14) y (11.15) en (11.16) y la reordenacin conducen entonces a

(11.17)

Para determinar la resistencia de salida, desactivamos (en cortocircuito) y reemplazamos con una fuente de
excitacin con la misma polaridad de Entonces la LVK en el nodo de salida da

(11.18)

y la divisin de la corriente en el nodo con la red de retroalimentacin da

(11.19)

La sustitucin de (11.19) en (11.18) conduce a una expresin para la conductancia de salida.


AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 283

(11.20)

ti) La retroalimentacin se desactiva si as pues, a partir de (11.17) y (11.20),

= m - ! - = K,2 (7J.22)

Ejemplo 11.3 En el amplificador con retroalimentacin de voltaie-serie de la figura 11 -2, sean


Determine el cambio de porcentaje
en a) resistencia de entrada y b) la resistencia de salida debida a la aplicacin de retroalimentacin.
a) Sin retroalimentacin, segn (11.21), Con retroalimentacin, (11.17) conduce a

El cambio en el porcentaje es entonces

incremento en porcentaje =

b) Segn (11.22), Con retroalimentacin, de (11.20),

por lo cual

y el cambio de porcentaje es

decremento en porcentaje =

El modelo ideal del amplificador con retroalimentacin de voltaje-serie, que se advierte en forma de diagrama
de bloque en la figura 11-3, est basado en la suposicin de que la red de retroalimentacin no carga al amplificador
bsico (es decir, no altera la razn de transferencia directa A).

Ejemplo 11.4 Determine la ganancia total de voltaje del amplificador ideal con retroalimentacin de voltaje-serie
de la figura 11 -3. Puesto que la ganancia del amplificador bsico tenemos

(11.23)

La salida del comparador es


(11.24)
284 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

Figura 11.3 Modelo ideal de retroalimentacin de voltaje serie

La sustitucin de (11.24) en (11.23) y la reordenacin dan la ganancia deseada

(11.25)

11.5 RETROALIMENTACION DE CORRIENTE-SERIE


El modelo general del amplificador retroalimentado de la figura 11-4, en el cual la corriente de salida es la
variable muestreada y el voltaje retroalimentado v, es la variable mezclada, se llama amplificador retroalimentado
corriente-serle (o entrada en serie, salida en serie; o muestreo en serie, comparacin en serie).

Amplificador bsico

I I

Red de retroalimentacin

Figura 11.4 Modelo general del simplificador con retroalimentacin de corriente-serie

Ejemplo 11.5 En el caso del amplificador con retroalimentacin de corriente-serle de la figura 11-4, calcule a)
la ganancia de voltaje total y b) la razn de transferencia con retroalimentacin
a) El mtodo de voltajes de nodo requiere que
(11.26)
AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 265

y (11.27)
Pero (11.28)

La sustitucin de (11.28) en (11.27) y la reordenacin conducen al sistema lineal de ecuaciones

(11.29)

La solucin simultnea de (11.29) para el voltaje de carga por la regla de Cramer nos da

(11.30)

donde
(11.31)
El uso de (11.31) en (11.30) y la reordenacin dan

(11.32)

b) La ecuacin simultnea de (11.29) para da

(11.33)

Pero
(11.34)

Sustituyendo (77.30) y (77.33) en (77.34) y, portante, simplificando se obtiene

(11.35)

El modelo ideal del amplificador con retroalimentacin de corriente-serie, que se observa en forma de
diagrama de bloque en la figura 11 -5, se funda en el supuesto de que la red de retroalimentacin no carga al
amplificador bsico. El amplificador bsico es, en este caso, un amplificador de transconductancia.

Figura 11-5 Modelo ideal de retroalimentacin de corriente-serle


286 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

Ejemplo 11.6 En el caso del amplificador ideal con retroalimentacin de corriente-serie de la figura 11 -5, obtenga
a) la ganancia de transconductancia total y b) la ganancia de voltaje total.
a) La ganancia del amplificador bsico requiere que

(11.36)

De la salida del comparador,


(11.37)
La sustitucin de (11.37) en (11.36) permite resolver la ganancia total de transconductancia como

(11.38)

b) Puesto que

(11.39)

11.6 RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE-PARALELO


El modelo general del amplificador retroalimentado de la figura 11-6, con voltaje de salida vL como variable
muestreada y la corriente retroalimentada /, como la variable mezclada, se llama amplificador con retroalimentacin
de voltaje-paralelo (o salida en paralelo, entrada en serie; o muestreo de nodo, comparacin de nodo).

Amplificador bsico

Red de retroalimentacin

Figura 11-6 Modelo general del amplificador con retroalimentacin de voltaje-paralelo

Ejemplo 11.7 En el caso del amplificador con retroalimentacin de voltaje-paralelo de la figura 11 -6, encuentre
las resistencias de entrada y de salida (impedancias) a) con retroalimentacin y b) sin ella.

a)
(11.40)
(11.41)
(11.42)
AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

Sustituimos (11.42) en (11.41) y reordenamos para obtener el siguiente sistema de ecuaciones lineales:

(11.43)

La solucin simultnea de (11.42) por la regla de Cramer da como

(11.44)

donde (11.45)
Utilizando /, =Gs(v, u,) y (11.43), determinamos la resistencia de entrada como

(11.46)

Sustituyendo (11.45) en (11.46) y reordenando, obtenemos

(11.47)

Si reemplazamos con una fuente en el punto de excitacin y ponemos en corto a tenemos entonces

Pero

Usando (11.49) en (11.48) y despejando la conductancia de salida, se obtiene ahora

b) Para desactivar la red de retro-alimentacin, hacemos entonces de (11.47) y (71.50) obtenemos

a) La ganancia del amplificador bsico significa que

(11.53)
288 AMPLIFICADORES RETRO-ALIMENTADOS

Figura 11-7 Modelo ideal de retroalimentacin de voltaje-paralelo

y de la salida del comparador,

(11.54)

La sustitucin de (11.54) en (11.53) y la reordenacin dan

(11.55)

b) La ganancia de la corriente total se deduce como

(11.56)

11.7 RETROALIMENTACIN DE CORRIENTE-PARALELO


El amplificador general retroalimentado de la figura 11-8, en el cual la corriente de salida iL es la variable
muestreada y la corriente retroalimentada /, es la variable mezclada, se llama amplificador con retroalimentacin
de corriente-paralelo (o salida en paralelo, entrada en paralelo; o nodo de muestreo, comparacin de nodo).

Amplificador bsico

Red de retroalimentacin

Figura 11-8 Modelo general del amplificador, con retroalimentacin de corriente-paralelo


AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 28

Ejemplo 11.9 En el caso del amplificador con retroalimentacin de corriente-paralelo de la figura 11 -8, a) modele
la red de retroalimentacin como una red de dos puertos usando los parmetros h y b) modifique los parmetros
del amplificador bsico para calcular cualquier carga introducida mediante la red de retroalimentacin;
por tanto, deje el caso ideal para despus.
a) Usando las variables de la red de retroalimentacin de la figura 11 -8 en (1.14) a (1.19) conducen a

(11.57)
(11.58)
donde
(11.59)
En el caso particular de la red de retroalimentacin que tenemos

b) Puesto que en la figura 11-8, la admitanciade (11.58) est conectada en paralelo con as pues,
puede producirse una resistencia, equivalente

(11.60)

dejando slo una fuente de corriente controlada dentro del puerto de la izquierda de la red de retroalimenta-
cin, como se advierte en la figura 11 -9.
Amplificador bsico con carga

Red ideal de retroalimentacin


Figura 11-9

Un circuito equivalente de Thvenin puede encontrarse para la red a la izquierda de Con


desactivado (en corto) y reemplazando una fuente por una fuente de excitacin, la LVK da
(11.61)
Sin embargo, mediante la divisin de la corriente en el nodo de la entrada de la red,

(11.62)

Asimismo, (11.63)
290 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

La sustitucin de (11.62) y (11.63) en (11.61) y la reordenacin conducen a la resistencia de Thvenin:

{11.64)

El voltaje de Thvenin se calcula haciendo


(11.65)
La corriente de Norton que fluira si RL fuera cero se calcula mediante la expresin (11.64) y (11.65):

(11.66)

Con los elementos del circuito de Norton equivalente obtenidos por (11.64) y (11.66), la salida de la red de
la figura 11-8 puede redibujarse como en la figura 11-9. La red retroalimentada ideal tan slo multiplica la
corriente y alimenta el resultado al nodo de entrada para mezclarlo con la seal de entrada

El modelo ideal del amplificador con retroalimentacin de corriente-paralelo, que se advierte en forma de
diagrama de bloque en la figura 11-10, est basado en el supuesto de que la red de retroalimentacin no carga
al amplificador bsico; sin embargo, si la carga no fuera despreciable, el procedimiento del ejemplo 11.9 podra
utilizarse para reemplazar El amplificador bsico en este caso es un amplificador
de corriente.

Figura 11.10 Modelo ideal de retroalimentacin de corriente paralelo

Ejemplo 11.10 En el caso del amplificador ideal con retroalimentacin de corriente-paralelo de la figura 11-10,
calcule a) la ganancia total de corriente y b) la ganancia total de voltaje.
a) La relacin de la ganancia del amplificador bsico es

(11.67)

y la salida del comparador da


(11.68)
Sustituimos (11.67) en (11.68) y reordenamos para encontrar

(11.69)

La ganancia total de voltaje se deduce de

(11.70)
AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 291

Problemas resueltos

11.1 Un amplificador de un polo con ganancia en frecuencia m e d i a t i e n e una frecuencia


de corte superior (punto de 3 db) a 20 kHz. La retroalimentacin negativa de voltaje-serie se usa para
incrementar la frecuencia de corte superior a 100 kHz. Determine a) la nueva ganancia de media
frecuencia y o) la razn de transferencia del bloque de retroalimentacin necesaria.
a) El aumento de retroalimentacin en un amplificador reduce la ganancia al mismo tiempo que
incrementa el ancho de banda. SI entonces el producto de ganancia ancho de
banda permanece aproximadamente constante Por ello, la nueva
ganancia total de media frecuencia es

b) Para (77.5) aplicado a la retroalimentacin de voltaje-serie da

de donde

11.2 Para comprobar que la retroalimentacin de voltaje-serie se caracteriza por un incremento en la resistencia
de entrada y un decremento en la resistencia de salida con todos los tipos de amplificadores, reemplace
el modelo de la fuente de corriente dentro del amplificador bsico de la figura 11-12 por un modelo que
tenga fuente de voltaje para obtener el amplificador de retroalimentacin de voltaje-serie de la figura 11-11.
Calcule las resistencias de entrada y salida a) con retroalimentacin y o) sin ella.

Figura 11-11

a) La aplicacin del mtodo de voltajes de nodo de la figura 11-11 se obtiene


(i)
(2)
292 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

Pero (3)

La sustitucin de (3) en (2) y la reordenacin producen el sistema lineal de ecuaciones

(4)

La solucin simultnea de (4) mediante la regla de Cramer da

donde

Ahora bien,

de modo que

(6)

La sustitucin de (5) en (6) y la simplificacin nos conducen a

(7)

Para encontrar la resistencia de salida (resistencia de Thvenin), desactivamos (en corto) y


reemplazamos con una fuente en el punto de excitacin. Por lo tanto, segn la 1.3K,

(8)
Por la divisin del voltaje,'

(9)

Sustituyendo (9) en (8), convirtiendo en conductancias y despejando la conductancia de salida se


obtiene

(10)

b) Para desactivar la red de retro-alimentacin, sean Entonces las


resistencias de entrada y salida sin retroalimentacin se obtienen de (7) y (10) como
11 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 293

Es obvio que el segundo trmino del lado derecho de la expresin (7) representa el incremento de
la conductancia de entrada debido a la retroalimentacin, mientras que el segundo trmino del lado
derecho de la expresin (10) representa el incremento de la conductancia de salida (o decremento
en la resistencia de salida).

11.3 En el caso del amplificador con retroalimentacin de voltaje-serie de la figura 11 -2, determine a) la razn
de transferencia del bloque de retroalimentacin y b) la ganancia del amplificador bsico c) Con
determine la ganancia de voltaje total, suponiendo que la red de retroalimentacin no carga o
modifica A.

a) La solucin simultnea e (11.12) para vL conduce a

Gn + G, + G2 Guvs
-(G2-pGn) pGtlvs
(1)

Despus, al dividir (11.13) entre, (1) se obtiene

(2)

b) Con la red de retroalimentacin desactivada (fl, =0, R2 =),

(3)
y
(4)

Entonces la sustitucin de (3) en (4) permite encontrar la solucin para la ganancia de voltaje del
amplificador bsico:

c) Puesto que la red de retroalimentacin no cambia con (11.25) se obtiene

(6)

11.4 Si se introduce distorsin en el voltaje de salida de un amplificador de ganancia alta o, como ocurre
comnmente, en la etapa de salida (potencia) de un amplificador en cascada, entonces la retroalimenta-
cin puede servir para reducir la amplitud de la distorsin. Un modelo de un amplificador con retroalimen-
tacin de voltaje-serie, con distorsin introducida como el voltaje se observa en la grfica 11-12, dnde
la ganancia puede ser el producto de las ganancias de las etapas en cascada cuando estn en
fase. Obtenga la salida en trminos de para mostrar que se reduce La amplitud del voltaje de
distorsin si
294 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

Figura 11-12

La LVK en torno al circuito de entrada requiere


(1)
Entonces, la relacin de ganancia para el amplificador bsico y la aplicacin de la LVK en torno al circuito
de salida conducen a

(2)

Igualando (1) y (2) y despejando se obtiene

(3)

La ecuacin (3) muestra que la magnitud del voltaje de distorsin se reduce significativamente si
1.

11.5 Utilizando el amplificador con retroalimentacin de voltaje-serie de la figura 11-11, muestre que, si la carga
por la red de retroalimentacin es despreciable, entonces a)
donde para el circuito especfico,

a) Mediante la LVK en torno al circuito de entrada de la figura 11-11,

(1)
Despreciando la carga de la red de retroalimentacin, la divisin del voltaje aplicado al circuito de
salida produce

(2)

donde es la ganancia del amplificador bsico con la retroalimentacin desactivada.


La sustitucin de (2) en (7) y la reordenacin dan

Por tanto,
(3)

donde es la resistencia de entrada con la retroalimentacin desactivada.


AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 295

b) se desactiva (en corto) y se reemplaza por una fuente de excitacin, la LGK se aplica al nodo
de la red de salida, la cual requiere que

(4)
Pero, con
(5)
La sustitucin de (5) en (4) y la reordenacin conducen a

(6)

11.6 Se usa la retroalimentacin de voltaje-serie en los amplificadores FET en cascada de la fiaura 11 -13a) y
los FET son idnticos. Sean Se
introduce el transformador ideal para establecer la adecuada polaridad de para retroalimentacin
negativa en el punto de combinacin. Desprecie la carga debida a la red de retroalimentacin y calcule
a) la ganancia del voltaje total, b) la resistencia de entrada y c) la resistencia de salida.
296 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 11

a) El circuito equivalente de seal pequea se seala en la figura 11 -13b). Puesto que RG 11 R0 - RD y


Ra || RL II RD - RL II RD, la ganancia de voltaje sin retroalimentacin es

La divisin de voltaje proporciona la razn de transferencia con retroalimentacin como

Despreciando la carga de retroalimentacin, (77.25) se obtiene la ganancia de voltaje total como

b) Sin retroalimentacin Por lo tanto, segn (3) del problema 11.5,

c) Sin retroalimentacin, la resistencia de salida es

La resistencia de salida con retroalimentacin activa se obtiene de (6) en el problema 11.5, donde
es la ganancia de voltaje con Esto es,

Por lo tanto,

11.7 La retroalimentacin de voltaje-serie se usa en el amplificador BJT en cascada de la figura 11 -14a). Sean

=0. Obtenga a) la resistencia de entrada, b) la resistencia de salida, c) la ganancia de


voltaje total y d) la ganancia de corriente total. Desprecie cualquier carga debida a la red de retroalimen-
tacin.

a) El circuito equivalente de seal pequea se observa en la figura 11-14b), de donde sin retroalimen-
tacin Sin retroalimentacin y con en circuito abierto, la fuente de
corriente controlada de la figura 11 -6 se transforma en

de modo que
AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 297

Figura 11-14

Entonces de acuerdo con (11.17),

b) De (11.20),

por lo cual

c) Mediante la divisin del voltaje,


298 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

y de (5) del problema 11.3,

Por lo tanto, de (11.25) se obtiene

11.8 Un amplificador producido en forma masiva con retroalimentacin de voltaje-serie tiene una ganancia de
voltaje nominal de 2 000 en circuito abierto (sin retroalimentacin); sin embargo, su ganancia puede
fluctuar entre 1 200 y 2 800 al variar los componentes de los parmetros. Si se agrega retroalimentacin
negativa de modo que la ganancia total nominal (circuito cerrado) se reduzca a 50, qu intervalo de
ganancia total puede esperarse?
Despeje de (77.25) la razn de transferencia con retroalimentacin, de donde se obtiene

y el intervalo que se espera es, tambin de {11.25),

11.9 En caso general del amplificador con retroalimentacin de corriente-serie de la figura 11 -4, obtenga a) la
resistencia de entrada y b) la resistencia de salida.

a) De la figura 11-4, con

(1)

Entonces sustituyendo de (11.33) y simplificndose obtiene

(2)

b) Para obtener desactivamos (en corto) y reemplazamos con una fuente de excitacin.
Despus del mtodo de voltajes de nodo se obtiene
(3)
Pero ahora de modo que, segn (3),

(4)

La LCK que se aplica al nodo de la red de salida requiere


(5)
El uso de (4) en (5) y la reordenacin conducen a

(6)
AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 299

11.10 En el caso general del amplificador con retroalimentacin de voltaje-serie de la figura 11-2, a) modele la
red de retroalimentacin como una red de dos puertos usando parmetros h y b) modifique los parmetros
p del amplificador bsico, para valuar cualquier carga que se introduzca mediante la red de
retroalimentacin, suponiendo que no es el caso ideal.

a) En trminos de las variables de la red de retroalimentacin de la figura 11 -2, las ecuaciones [1.14) a
(1.19) conducen a

(1)
(2)

donde (3)

Para la red de retroalimentacin particular,

b) La combinacin en serie de puede agregarse para obtener

La combinacin en paralelo de puede reemplazarse por

Y puede formarse una fuente equivalente de corriente como

Estos nuevos parmetros producen el circuito equivalente de la figura 11-15, donde la red de
retroalimentacin es ideal.

Figura 11-15

11.11 Desarrolle un mtodo para tomar en cuenta los efectos de carga de la red de retroalimentacin del
amplificador con retroalimentacin de corriente-serie, aplicando a) un modelo de la red de retroalimenta-
cin como una red de dos puertos usando parmetros z y b) modificando los parmetros bsicos del
300 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

amplificador de la figura 11 -4 para considerar cualquier carga introducida por los circuitos de
retroalimentacin.
a) En trminos de las variables de la red de retroalimentacin de la figura 11-4, las ecuaciones (7.8) a
(1.13) conducen a

(1)
(2)
donde (3)

Para la red de retroalimentacin particular que tenemos,

b) La impedancia (resistencia) puede combinarse inmediatamente con de la figura 11 -4 para


formar
(4)
dejando en la red de retroalimentacin slo la fuente de voltaje de corriente controlada.
Puede formarse un circuito de Norton equivalente para la red a la izquierda de Reemplazando
por una fuente de excitacin y desactivando (en corto), se obtiene

(5)

Aplicando la LCK en el nodo superior de la red de salida, con (2), nos queda

(6)

Sustituyendo (5) en (6) y despejando la impedancia en el punto de excitacin, se obtiene

(7)
Si la salida estuviera en circuito abierto (quitando RL), tendramos Por tanto, el
voltaje de Thvenin (con polaridad opuesta a se calcula de (2) como

(8)

Es conveniente determinar la resistencia de entrada. Al aplicar la LVK a las redes de entrada y salida,
(9)
(10)
Sustituyendo (8) en (10), despejando iL y sustituyendo el resultado en (9), la impedancia de entrada
se obtiene como

(11)
La fuente de Norton se deduce como

(12)
AMPLIFICADORES RETRO-ALIMENTADOS 301

por lo cual

(13)

Asf pues, el amplificador con retroalimentacin de corriente-serie de la figura 11 -4 puede redibujarse


como se advierte en la figura 11-16. La red de retroalimentacin ideal simplemente multiplica la
corriente de carga por la ganancia de transresistencia y alimenta el a la entrada del
circuito para combinarlo con la seal de entrada

Figura 11-16

11.12 La figura 11.7a) contiene un amplificador con retroalimentacin de corriente-serie. Sean


Suponga que
Para este amplificador, calcule a)

a) El circuito equivalente de seal pequea se observa en la figura 11-17b). Segn (3) del problema
11.11, los parmetros z son

Se necesitan los parmetros del amplificador bsico. Con la red de retroalimentacin desactivada da
[figura 11 -17b)] de modo que es obvio que

Asimismo, con en cortocircuito y reemplazado por una fuente de excitacin,


302 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

De (7) del problema 11.11, con

fa) Con la red retroalimentada desactivada todava, la divisin de la corriente da

(1)

de modo que

de donde

Ahora bien, si como se ve en (7) del problema 11.11 se sustituye en {11) del problema 11.11, se
obtiene

(2)

de lo cual, en el lmite se obtiene


AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 303

c) Usamos (7) del problema 11.11 para reescribir (13) del problema 11.11 como

de donde, en el lmite como se transforma en

La ganancia de transconductancia se obtiene de la figura 11-5 reemplazando


respectivamente. El resultado es

Entonces en (11.39), con reemplazado por se obtiene

d) La ganancia de la corriente total se deduce como

11.13 En el caso del amplificador con retroalimentacin de voltaje-paralelo de la figura 11-6, calcule a) la
ganancia de voltaje total y b) la ganancia de corriente total.

a) Repasando el ejemplo 11.7, tenemos

(j;

de modo que, con como en (11.45), la ganancia del voltaje total es

b) La ganancia de corriente total se obtiene como

(3)
Entonces, sustituyendo (2) y (11.47) en (3), nos da

donde (4)

11.14 Los efectos de carga que la red de retroalimentacin tiene en el amplificador con retroalimentacin de
voltaje-paralelo pueden explicarse modificando el amplificador bsico mediante los parmetros de ad-
mitancia en corto circuito o parmetros y, que se definen en trminos de las variables de la figura 11-6
para modelar la red de retroalimentacin como una red de dos puertos:
304 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

(1)
(2)
donde
uf (3)
Dibuje el amplificador con retroalimentacin de voltaje-paralelo que se obtiene cuando la carga de la red
de retroalimentacin de la figura 11-6 se transfiere al amplificador bsico mediante los parmetros y,
dejando de considerar una red de retroalimentacin ideal.
Cada una de las ecuaciones () y (2) sugiere una fuente de corriente en paralelo con una admitancia,
combinarse con y la admitancia de (2) puede combinarse con
para que nos den

(4)

(5)
Adems, podemos combinar la fuente de corriente controlada por corriente de la figura 11 -6 con la fuente
de voltaje controlada por corriente de (2) para obtener

de modo que (6)

La red de la figura 11-18 se obtiene usando (4) a (6).

Figura 11-18 Figura 11-19

11.15 La retroalimentacin de voltaje-serie se usa en el amplificador BJT de la figura 11-19. Sean


Usando el modelo exacto de la figura 11-6,
encuentre a)

a) Segn (11.47) con


AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 305

b) De (11.50),

c) De (2) del problema 11.13,

d) Segn (3) del problema 11.13,

11.16 La retroalimentacin de voltaje-paralelo se usa en el amplificador BJT en cascada de la figura 11 -20(a).


Los transistores son idnticos, con Sean
Obtenga a)

a) El circuito equivalente de seal pequea se indica en la figura 11-206). Se desactiva la red de


retroalimentacin (quitando Pero por la divisin de la corriente,

por lo cual

Desactivamos (en corto) y reemplazamos por una fuente de excitacin para ver que

Puede obtenerse la impedancia de entrada (resistencia) con la red de retroalimentacin desac-


tivada aplicando la LVK en torno al circuito de entrada:

por lo que
306 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

Figura 11-20

Por lo tanto, de (77.47),

b) De (77.50),
AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 307

c) Con base en (3) del problema 11.14,

As pues, segn (5) y (6) del problema 11.14,

A partir de la figura 11 -7, con reemplazada p o r r e s p e c t i v a m e n t e , y c o n l a


ganancia de transresistencia es

La razn de transferencia de retro-alimentacin es por tanto, segn (11.55),


6
A J(Rinf + Rs) = -13.375 x 10 /(130.09)
= = -23.05
1 + PvAr ~ 1 + (-3.333 x 10"4)(-13.375 x 106)

11.17 En el caso general del amplificador con retroalimentacin de corriente-paralelo de la figura 11-8, obtenga
a
)
a) Para el modelo de la figura 11-9, en la cual la carga de la red de retroalimentacin se considera dentro
del amplificador bsico, la LCK en el nodo de la red de entrada conduce a

(1)

antes bien
(2)

donde se da mediante (11.65) y por (11.64). Sustituyendo (11.65) en (2) con y


usando el resultado en (1) da

(3)
de lo cual

(4)
308 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

b) Si fuera reemplazado por una fuente de excitacin, tendramos

11.18 La retroalimentacin de corriente-paralelo se usa en el amplificador en cascada BJT de la figura 11-21 (a).
Sean
Calcule a)

Figura 11-21

a) El circuito equivalente de seal pequea se advierte en la figura 11-216). Son necesarios los
parmetros del amplificador bsico. Mediante inspeccin, con el circuito de retroaiimen-
tacin desactivado Adems, reemplazando por una fuente
de excitacin se obtiene la conclusin de que Y la divisin de la corriente da
AMPLIFICADORES RETRO-ALIMENTADOS 309

de modo que

Se determinan los parmetros h de la red de retroalimentacin mediante (11.59). Despreciamos


puesto que casi siempre por lo tanto,

Puesto que (11.64) da, sin considerar los valores de los parmetros h,

b) El uso directo de (11.60) conduce a

Segn (4) del problema 11.17 y (11.64), puesto que

c) A partir de la figura 11 -10 con

A continuacin con base en (11.69),

d) La ganancia total de voltaje se obtiene directamente de (11.70):


310 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

Problemas complementarios

11.19 El producto de ganancia ancho de banda GAB de un amplificador permanece esencialmente constante
al agregar la retroalimentacin (Problema 11.1). Ilustre ese hecho para el amplificador del ejemplo 11.11,
en el cual

11.20 El amplificador EC de la figura 3-6, que se analiz en el problema 8.13, tiene un corte de baja frecuencia
de 81.02 Hz. El amplificador se usa con frecuencias superiores al lmite inferior del intervalo del audio
(20 Hz) y se agrega un transformador, como en el problema 11.6, para introducir retroalimentacin de
voltaje-serie, a) Especifique la ganancia de retroalimentacin que reducir a 20 Hz el punto de corte en
baja frecuencia. (Suponga que la razn del transformador es justo de 1:1.) b) Obtenga la ganancia
resultante de voltaje de media frecuencia.
Resp. a) =0.006102; b ) / U =123.43

11.21 En el caso del amplificador con alimentacin de voltaje y retroalimentacin de voltaje-serle de la figura
11-11, determine la ganancia total de voltaje a) con retroalimentacin y b) sin ella.
Resp.

11.22 Para el amplificador general con retroalimentacin de voltaje-serie de la figura 11-12, sean
Determine a)
Resp. a)

11.23 Determine el error en la ganancia total de voltaje que se obtiene al despreciar los efectos de carga del
bloque de retroalimentacin en el amplificador con retroalimentacin de voltaje-serie del problema 11.22
(mediante el tratamiento de la red de retroalimentacin como un verdadero divisor de voltaje).
Resp. La ganancia aproximada de voltaje total es 20.72, con un error = 14.51 por ciento

11.24 Demuestre que, para el modelo ideal del amplificador con retroalimentacin de voltaje-serie de la figura
11-3, a)

11.25 En el caso del amplificador FET en cascada de la figura 11-13, a) calcule los valores de los parmetros
y 7 del amplificador general con alimentacin de voltaje y con retroalimentacin de voltaje-serie
a partir de la figura 11-11 y fe) utilice esos valores para determinar la ganancia total de voltaje.
Resp. a)

11.26 Demuestre que, si para el amplificador con alimentacin de corriente y con


retroalimentacin de corriente-serie de la figura 11 -4, entonces las siguientes relaciones son vlidas:
AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 311

11.27 Sean para el amplificador


BJT de la figura 11.22. Obtenga a) la razn exacta de la transferencia de retroalimentacin b) la
ganancia total de voltaje, c) la resistencia de entrada y d) la resistencia de salida.
Resp. a)

Figura 11-22

11.28 En el caso del amplificador en cascada con retroalimentacin de voltaje-serie de la figura 11-14(a), (a)
transfiera los efectos de carga de la red de retroalimentacin al amplificador bsico (determine
y de modo que el modelo de la figura 11-15 se pueda aplicar. Use los valores de los parmetros del
problema 11.7.
Resp. a)

11.29 El modelo de parmetros h del circuito equivalente de seal pequea del BJT incluye retroalimentacin
de voltaje-serie a travs de la fuente controlada En el caso del amplificador simple EC de la figura
6-5a), encuentre las expresiones para la ganancia de voltaje del amplificador bsico y la razn de
transferencia de la retroalimentacin de la figura 11 -3. Escriba la ganancia total de voltaje, demostrando
que existe retroalimentacin positiva.

Resp.

donde el signo menos en el denominador de indica retroalimentacin positiva.

11.30 En el caso del amplificador BJT del problema 11.27: a) Transfiera los efectos de la carga de la red de
retroalimentacin al amplificador bsico de modo que se aplique el circuito de la figura 11-16 (encuentre
Despus obtenga b)
Resp. a)
e)

11.31 Vuelva a resolver el problema 11.12 con y si todo lo dems permanece igual, para
comprobar que es normalmente razonable despreciar
Resp. a)
312 AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS

11.32 En el caso del amplificador BJT de la figura 11-19, a) determine los parmetros del modelo con re-
troallmentacin de voltaje-paralelo en la figura 11 -18 y b) calcule la ganancia total de corriente con (11.56),
si
'Resp.

11.33 Demuestre que, para (es alcanzable aproximadamente con un nmero non grande de etapas de
BJT en cascada), el amplificador con retroalimentacin de voltaje-paralelo de la figura 11-6 seala las
caractersticas de un amplificador operacional en que

11.34 El amplificador MOSFET de la figura 4-7(a) incluye retroalimentacin de voltaje-paralelo si se agrega un


resistor de la compuerta a la fuente. Sean
(El amplificador fue analizado en el problema 7.2, sin Con el modelo de la figura 11-18 considerando
la carga de la retroalimentacin para el amplificador bsico, calcule a)
Resp. a)

11.35 Se usa la retroalimentacin de corriente-paralelo en el amplificador BJT en cascada de la figura 11-23.


Sean
Determine a)
Resp. a)

Figura 11-23
Conmutacin
y circuitos lgicos

12.1 INTRODUCCIN
La conmutacin de un dispositivo activo (BJT o FET) es una operacin no lineal que coloca el dispositivo en
uno de los dos estados bsicos para periodos de tiempo controlados:

1. Un estado ENCENDIDO corresponde a una condicin de conduccin vigorosa.

2. Un estado APAGADO corresponde a una condicin de conduccin ligera

En los conmutadores prcticos electrnicos, el estado ENCENDIDO consta de un intervalo de voltajes de


salida (llamado nivel lgico bajo) y el estado APAGADO consta de un intervalo
de la fuente de alimentacin (llamado nivel lgico alto); se le llama lmite lgico bajo y el umbral lgico alto.
El sistema de circuitos subsecuentes debe ser capaz de distinguir perfectamente entre para obtener un
buen diseo, el intervalo de indeterminacin entre se hace lo ms grande posible.
Aunque son importantes los tiempos de transicin entre los estados para establecer los lmites de operacin
de circuitos de conmutacin de alta velocidad, se suponen tiempos de conmutacin cero en el estudio de los
principios involucrados.

12.2 MODELOS DE CONMUTACIN PARA EL BJT


Se deducen los modelos de conmutacin para el BJT mediante la consideracin de los lmites entre las
regiones de saturacin, activa y corte de la figura 3-3c) con segmentos de lnea recta, como se indica en la figura
12-1. La hoja de especificacin comn del fabricante proporciona el valor de con los valores correspondientes
de Y tambin se dan el valor de y el valor asociado de
En el caso de corte (el estado APAGADO), yse modela el BJT como una resistencia de corte del colector
al emisor

(12.1)

como se advierte en la figura 12-2a). Puede modelarse la operacin de saturacin (el estado ENCENDIDO)
describiendo la unin entre el emisor y la base como un diodo lineal por partes [vanse la seccin 2.5 y la figura
2-10b)] y la trayectoria del colector al emisor como un resistor de saturacin.

(12.2)
i
Csat
como se observa en ia figura 12-2 b). Los diodos ideales de la figura 12.2 estn invertidos para un dispositivo pnp.
314 CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS

Ideal
Ideal

Ideal

Modelo de corte Modelo de saturacin


del BJT npn del BJT npn

Con frecuencia, se introduce un error despreciable si se hacen suposiciones como las


cuales conducen directamente a los modelos ideales de conmutacin BJT de la figura 12-3.

Ejemplo 12.1 La hoja de especificacin del fabricante para un BJT particular npn de Si muestra
para la condicin de prueba en la condicin de prueba
1 V en la condicin Determine los parmetros del modelo de conmutacin de la figura
12-2.
La resistencia de corte se deduce directamente de (12.1):

En el caso del valor comn la LVK que se aplica a la figura 12-2 b) requiere que

Luego, de (12.2)

b
a) Modelo ideal de b) Modelo ideal de a) Polarizacin en APAGADO ) Polarizacin en estado de
corte del BJT npn saturacin npn del BJT del JFET canal n ENCENDIDO del JFET CANAL i

Figura 12-3 Figura 12-4


CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS 315

12.3 MODELOS DE CONMUTACIN PARA EL FET


La hoja de especificacin del fabricante del FET proporciona un valor para o sea la resistencia hmica
del canal de conduccin del FET polarizado en el estado de ENCENDIDO (anlogo a la saturacin de un BJT).
Adems, el JFET del canal n requiere que sea negativo en la condicin de polarizacin en el estado de
APAGADO (anlogo directamente al corte para el BJT), del cual se obtiene una corriente pequea fluyendo
del dren a la compuerta (el JFET de canal p requiere que sea positivo para una polarizacin de APAGADO,
de modo que fluye de la compuerta al dren). En un MOSFET, esta corriente de compuerta (o dren) es
despreciable.
Los modelos utilizados para la conmutacin del JFET de canal n se dan en la figura 12-4; las direcciones de
seran inversas si el dispositivo fuera un JFET de canal p. La figura 12-4 contiene los modelos de con-
mutacin para el MOSFET de canal n; tambin en este caso, la direccin de sera inversa para un dispositivo
de canal p.

MOSFET canal n polarizado en el MOSFET canal n polarizado en el


estado de APAGADO estado de ENCENDIDO

Figura 12-5

12.4 LGICA DIGITAL Y ALGEBRA BOOLEANA


Los circuitos digitales se sirven de dispositivos de ENCENDIDO y APAGADO para implementar las opera-
ciones de un sistema de lgica llamada lgebra Booleana. (Cuando se aplica en un sistema de circuitos, al sistema
se le llama algunas veces lgica digital). Sus enunciados pueden tomar la forma de expresiones algebraicas,
diagramas de bloque lgicos o tablas de verdad o de circuitos.
Los teoremas del lgebra Booleana se dan en la tabla 12-1 en forma de expresiones algebraicas;

12.5 DIAGRAMAS DE BLOQUES DE LGICA DIGITAL


Los elementos de circuitos digitales se llaman compuertas lgicas digitales y sus smbolos se ofrecen en la
figura 12-6. Los diagramas del circuito que incluyen esos smbolos se conocen como diagramas lgicos de bloque.

Ejemplo 12.2 Escriba una expresin algebraica para X, o sea la salida total del diagrama lgico de bloque de
la figura 12-7, y despus use los teoremas de la tabla 12-1 para simplificarla.
316 CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS

Tabla 12-1 Teoremas de lgebra Booleana


Nmero Teorema Nombre
1 A+B=B+A ley conmutativa
AB=BA
2 (A + B)+C= A + (B + C) ley asociativa
(AB)C=A(BC)
3 A(B + C) = AB + AC ley distributiva
A + {B-C) = (A + B)-(A + C)
4 A+A=A ley de identidad
A- A = A
5 =A ley de negacin
6 A + A-B=A ley de redundancia
A-(A + B) = A
7 0.+ A = A postulados booleanos
-A = A

0A=0
8 +A=\
AA = 1
9 A + B=A + B
A( + B)=AB
10 A + B= AB leyes de DeMorgan
AB=A+B

Compuerta Y (AND) Compuerta O (OR> Compuerta NO Compuerta NAND Compuerta NO-O (OR)
Figura 12-6
CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS 317

Con las salidas de las compuertas lgicas intermedias como se Indican en la figura 12-7, la salida total debe
ser

La aplicacin de las leyes de DeMorgan y los teoremas 9 y 4 nos dan

lo cual, de acuerdo a las leyes de DeMorgan, puede escribirse como


(12.3)

Se elabora una tabla de verdad considerando todas las posibles combinaciones de entradas a un circuito
lgico y determinando las salidas correspondientes, sin olvidar que en un circuito lgico, una variable puede tomar
slo uno de los dos valores discretos, 0 y 1.

Ejemplo 12.3 Es obvio que, a partir de (12.3), la red lgica completa de la figura 12-7 puede reemplazarse por
una compuerta simple NAND de dos entradas. Elabore una tabla de verdad para la red y verifique esta observacin.
La tabla de verdad de la figura 12-7 slo necesita contener todos los pares de valores de las variables lgicas
A y B y los valores resultantes de X; sin embargo, es buena prctica aumentar la tabla de verdad con columnas
que contengan valores intermedios, como en la tabla siguiente:

A B AB A+B X
0 0 1 0 1
0 1 1 0 1
1 0 1 1 1
1 1 0 0 0

Obviamente, la columna de salida es idntica a la columna A B y podra reemplazarse por ella.

12.6 MULTIVIBRADORES BIESTABLES


El multvibrador biestable (MVB) o multvibrador (FF) es un circuito de conmutacin con dos estados estables.
El circuito puede dispararse (cambiarse) de un estado a otro al aplicar un voltaje de entrada mediante un circuito
activador de disparo apropiado; as pues, puede usarse como un elemento de memoria bsica para la lgica digital.
Un MVB simple se advierte en la figura 12-8, donde o nivel lgico
bajo) o viceversa. Los dos conmutadores momentneos R y S fijan los valores de y
de la base (poner en cortocircuito la base del transistor). (Vase el problema 12.5 para un mtodo prctico de
activacin.)

Ejemplo 12.4 Determine los voltajes en el circuito de la figura 12-8a) si el conmutador S est cerrado
momentneamente y (b) si el conmutador R est cerrado momentneamente. Sea (un valor que es
comnmente usado en lgica de circuitos), . (problema 12.1) para ambos
para ambos Los transistores son dispositivos de Si.
318 CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS

Figura 12-8

a) Si S est cerrado, entonces est APAGADO; sin embargo est polarizado en directa y la LVK
requiere que

Por tanto,

y puesto que se mueve dentro hacia la saturacin,

b) Si R est cerrado, entonces por simetra

Problemas resueltos
12.1 Cuando un BJT se aproxima a la saturacin, la unin del colector a la base (polarizacin inversa para la
operacin en la regin activa) se transforma en polarizacin directa, reduciendo la amplitud de la regin
de agotamiento del colector a la base. Por lo tanto, un porcentaje ms bajo de la mayora de los portadores
se recolecta dentro del colector y disminuyen La hoja de especificaciones del
fabricante para conmutacin de transistores proporciona un valor medido en la saturacin o cerca
de ella, que es vlido para relacionar las corrientes del colector y la base en la operacin de saturacin.
En el circuito de la figura 12-9, y el transistor se modelan con la figura 12-3b). a) Determine el
valor mnimo de calcule el valor mximo
de que asegurar la operacin de saturacin.

a) El modelo de la figura 12-36) se basa en el supuesto de que por tanto, en la condicin de


saturacin,
CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS 319

y la corriente mnima de la base es

b) La corriente del colector en saturacin es

donde

Figura 12-9 Figura 12-10

12.2 En el caso del conmutador de JFET de la figura 12-10,


Determine a) si (con polarizacin en APAGADO).

a) Usando el modelo de la figura 12-4a) y la divisin del voltaje, tenemos

b)

12.3 Demuestre que el circuito de la figura 12-9 podra usarse como inversor o compuerta NO en un circuito
lgico digital.

es suficientemente grande para saturar el transistor, entonces .


es lo bastante pequeo para poner el transjstor en corte, entonces La
tabla de verdad muestra claramente la lgica de la compuerta NO.

Real Lgico Real Lgico


1 0
0 1
320 CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS

12.4 Con la tabla de verdad, demuestre que el circuito de la figura 12-11 es a) una compuerta NO-0 (OR) si
se toma como la salida y b) una compuerta O si es la salida.
se satura y s
saturan, Una tabla de verdad muestra la lgica NO-0 (OR) para como salida.

Real Lgico Real Lgico Real Lgico Real Lgico


1 1 0 1
0 0 1 0
1 0 0 1
0 1 0 1

Figura 12-11

b) Puesto que est por debajo del nivel d e q u e mantendra conduciendo y llevar
a 03 a saturacin si est apropiadamente dimensionado, la etapa es simplemente un inversor
(una compuerta NO). As pues, la salida es el complemento lgico (en el cual se intercambian los
0 y los 1) de como muestra la tabla de verdad y la lgica global es la de la compuerta O (OR).

12.5 El MVB de la figura 12-8 se ve con los conmutadores momentneos R y S; sin embargo, en aplicaciones
prcticas la activacin debe realizarse electrnicamente. Una posibilidad sera aplicar una seal de nivel
lgico bajo de duracin corta en la conexin del contacto superior de R o S para activar la conmutacin
del estado. Pero si un voltaje je corta duracin se colocara a travs de la unin de la base al emi-
sor del transistor activado, el flujo resultante de la carga inversa acelerara el proceso de apagado del
transistor. Dicho voltaje activador negativo puede realizarse con un circuito RC (accin de diferenciacin)
como se advierte en la figura 12-12. Explique cualitativamente el proceso de restablecimiento que ocurre
si opera en saturacin cuando llega un pulso rectangular a la terminal R en la figura 12-12.
Primero, examinamos el voltaje suponiendo que el circuito de
la base de presenta una carga despreciable. En ese caso, la llegada de un pulso rectangular a la
terminal R carga y descarga el capacitor generando el voltaje de salida u, sealado en la grfica 12-13
la condicin de que la constante de tiempo sea mucho menor que la duracin del pulso que llega).
CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS 321

Figura 12-12

El diodo D, bloquea la excursin positiva de impidiendo que llegue a la unin de la base al emisor
de Sin embargo, la excursin negativa de polariza en directo D,, de modo que momentneamente
esto ocasiona que se apague y los estados de conmutacin de MVB son como se estudi en
el ejemplo 12.4.
Es obvio que este MVB se active mediante el flanco de cada del pulso si se desea la respuesta
al flanco de levantamiento, puede invertirse antes de que ste se aplique en la terminal R. Y si se
conectan juntas las terminales R y S para formar una terminal 7", entonces el MVB puede convertirse en
interruptor o bien en un conmutador que alterna los estados de conmutacin mediante un tren de pulsos
que llegan a la terminal 7". (Problema 12.6).

12.6 Dos multivibradores con entrada de interruptor 7" (Problema 12.5) estn en cascada como se indica en la
figura 12-14a). La entrada es un tren de pulsos rectangulares (como de un reloj) de frecuencia 100
kHz. Trace las formas de onda de demostrando que el circuito es un divisor de
frecuencia (el periodo de la forma de onda de salida es un entero mltiple del periodo de la forma de onda
de la entrada).
La forma de onda de la figura 12-13 no tiene efecto e n d e la figura 12-12 si el
transistor est APAGADO, aun cuando las terminales R y S de la figura 12-12 estn conectadas
en forma de Interruptor 7; as pues, la accin de conmutacin debe activarse mediante el transistor
saturado. Un diagrama de sincronizacin muestra la interrelacin de las seales en un circuito de
conmutacin en funcin del tiempo; el de la figura 12-14b) se basa en el supuesto de que
de FF-1 y FF-2, respectivamente) se saturan con el tiempo entoncesconmuta a corte por el
322 CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS

Figura 12-13 Figura 12-14

primer flanco de cada de y despus se apaga por el primer flanco de cada de Observe la
relacin existente entre los periodos de la forma de onda.

12.7 Elabore la tabla de verdad para el circuito (DL) de lgica de diodos de la figura 12-15, demostrando que
el circuito es una compuerta Y (AND).

Si uno o ambos estn en el nivel lgico bajo entonces est en el nivel lgico bajo

el circuito con compuerta Y (AND):

0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS 323

Figura 12-15 Figura 12-16

12.8 Establezca la tabla de verdad para el circuito de lgica de diodos de la figura 12-16, demostrando que el
circuito es una compuerta O (OR).
Si uno o ambos estn en el nivel lgico a l t o e n t o n c e s En caso contrario,
La tabla de verdad muestra la lgica O (OR):

0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1

12.9 Con una tabla de verdad demuestre que el circuito de lgica de diodo y transistor (DTL) de la figura 12-17
es una compuerta NAND.

+5V

Figura 12-17

A partir del problema 12.7, vemos que la seal en el nodo A es la salida de una compuerta Y (AND)
de tres entradas. Adems, el circuito del transistor a la derecha del nodo A forma un inversor [el diodo D
asegura que el transistor no est ENCENDIDO cuando vA - 0.7 V (nivel lgico bajo)]. Extendemos la tabla
324 CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS

de verdad del problema 12.7 para Incluir tres entradas y el complemento lgico de vA, lo cual demuestra
que la lgica total es la de una compuerta NAND:

0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1 0

12.10 Un procedimiento comn en el diseo lgico digital es generar un enunciado lgico o funcin describiendo
el circuito requerido sin considerar su complejidad, y despus manejar la funcin usando los teoremas
de la tabla 12.1 hasta encontrar un equivalente que requiera una combinacin mnima de compuertas
lgicas. En un circuito que se va a disear se aplica la lgica siguiente:

1. Si estn presentes A, B y C (= 1, verdadero), entonces el proceso es correcto (= 1, verdadero).


2. Si estn ausentes A, B y C (=0, falso), entonces el proceso es correcto (= 1, verdadero).
3. Si est presente B (= 1, verdadero), entonces el proceso es correcto (= 1, verdadero).
4. En caso contrario el proceso es incorrecto (=0, falso).

a) Exprese el estado del proceso como una funcin digital, b) maneje la funcin para simplificarla (para
que se requieran menos compuertas lgicas) y c) dibuje un diagrama lgico de bloques de los sistemas
original y del simplificado.
a) Simplemente formamos una expresin O (OR) que lleva a cabo todas las combinaciones que
conducen a un proceso correcto (una salida de 1). De las declaraciones 1 a la 3,
(1)

Figura 12-18
CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS 325

b) La operacin en el segundo trmino de (1) con la primera de las leyes de DeMorgan se obtiene
(2)
Aplicando la ley de redundancia en (2) se infiere
(3)
c) Un diagrama de bloques lgicos para el sistema original, tal y como se describe en (7), se advierte
en la figura 12-18a), donde se requieren seis compuertas lgicas. La ecuacin (3) puede realizarse
con slo dos compuertas lgicas, como se ilustra en la figura 12-186).

Una aproximacin tediosa pero sistemtica en la construccin de la funcin lgica que describe un proceso
es generar una tabla de todas las combinaciones de variables, identificando todas las intersecciones (las
combinaciones Y (AND) que son verdaderas). Entonces la funcin lgica es la unin [combinacin O
(OR)] de todas las Intersecciones, a) Con esta aproximacin sistemtica genere una funcin lgica para
el proceso del problema 12.10 y b) dibuje un diagrama lgico de bloques para el sistema.
a) Todas las posibles combinaciones de variables de entrada, as como las intersecciones que satisfa-
cen las declaraciones de 1 a 3 del problema 12-10, se observan en la tabla siguiente:

A B c Intersecciones
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1

Figura 12-19
326 CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS

La unin de las intersecciones es entonces


(1)
b) El diagrama lgico de bloques sugerido por (1) se seala en la figura 12-19, donde se supone que
est disponible una compuerta O (OR) con no ms de cuatro entradas (como un lmite prctico).

12 Ilustre, para el caso de tres variables, que las compuertas NAND pueden interconectarse y formar el
equivalente de una compuerta O (OR).
La funcin lgica deseada es

(1)
Aplicando la negacin y la primera ley de DeMorgan a (1) se obtiene

(2)
Ahora bien, la expresin (2) podra sintetizarse por una compuerta NAND si los complementos de las tres
variables estuvieran disponibles como entradas. Pero, por la ley de identidad,

(3)
Una interpretacin de (3) es que, si A es la entrada para ambas entradas de una compuerta NAND de
dos entradas, entonces su salida es. As pues, (1) se lleva a cabo mediante el diagrama lgico de bloques
de la figura 12-20.

A+B+C

Figura 12-20

12.13 Elabore tablas de verdad para las funciones lgicas a)

a) La tabla de verdad para que muestra los valores de los trminos individuales, es:

A B AB
0 0 0 0 0
0 1 0 0 0
1 0 1 0 1
1 1 0 1 1
CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS 327

b) La tabla de verdad para es como sigue:

A B c
0 0 0 0 1 1
0 0 1 0 1 1
0 1 0 0 0 0
0 1 1 1 0 1
1 0 0 0 0 0
1 0 1 0 0 0
1 1 0 0 0 0
1 1 1 0 0 0

12.14 Realice la funcin lgica f=AB+AB utilizando slo compuertas lgicas N O - 0 (OR).
La ley de negacin y las leyes de DeMorgan dan

(i)
Y, mediante las leyes de negacin e Identidad,
(2)
El uso de (1) y (2) conduce al diagrama lgico de bloques de la figura 12-21. Observe, sin embargo, que
As f podra realizarse sin ninguna compuerta NO-0 (OR) (u otras compuertas), segn
la conexin directa a la seal B.

Figura 12-21
328 CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS

Problemas complementarios

12.15 Vuelva a resolver el problema 12.1 usando el modelo de la figura 12-2 con VF =0.5 V,
3kQ.
Resp. a) lBMt =492.6 mA; b) RL s 4.985 kQ

12.16 Demuestre que la disipacin de potencia del colector para la operacin de los BJT en el modo de
conmutacin es significativamente menor que la de operacin en la regin activa mediante el clculo de
la potencia del colector disipada por el circuito de la figura 12-9 para a) corte, b) saturacin y c)
V. Suponga que y que el transistor se caracteriza por y

Resp. a) 0.225 mW; b) 3.25 mW; c) 56.25 mW

12.17 Use una tabla de verdad para mostrar que el circuito de la figura 12-22 es a) una compuerta NAND si se
supone como salida y b) una compuerta O (OR) si es la salida.

Figura 12-22

12.18 Al circuito de lgica de transistor y transistor de la figura 12-23 se le aplica directamente la


seal de entrada para las terminales del transistor (sin resistores para limitacin de corriente). Si uno o
ambos estn a nivel lgico bajo, se mueve a la saturacin. Dibuje una tabla de verdad para este
circuito en la cual se muestre que la salida produce la compuerta AND lgica y que la salida produce
la compuerta NAND lgica.

12.19 Normalmente las compuertas lgicas TTL se utilizan como compuertas NAND. Otro tipo de compuertas
se forma utilizando apropiadamente inversores en unin con las compuertas NAND. Construya un
diagrama lgico de bloques usando la compuerta NAND de dos entradas TTL de la figura 12-23 junto con
inversores [compuertas NO para formar una compuerta O (OR).
Resp. Vase la figura 12-24.
CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS 329

Figura 12-23 Figura 12-24

12.20 La lgica de diodo y transistor (DTL) combina las compuertas para formar compuertas lgicas. Use una
tabla de verdad para mostrar que el circuito DTL de la figura 12-25 acta como compuerta NO-0 (OR).

Figura 12-25 Figura 12-26

12.21 Use las leyes de DeMorgan para encontrar una combinacin de compuertas NAND cuya funcin es
idntica a la compuerta de dos entradas O (OR).
Resp. Vase la figura 12-26

12.22 Demuestre que la funcin lgica puede reducirse a

12.23 Si demuestre que

12.24 Use los teoremas de la tabla 12-1 para mostrar que las siguientes son identidades:
330 CONMUTACIN Y CIRCUITOS LGICOS

12.25 Use las compuertas NAND slo para construir el diagrama lgico de bloques con salida X =A +B- C.
Resp. Vase la figura 12-27.

Figura 12-27

12.26 Evale las expresiones booleanas a)

Resp. (a) Vase figura 12-27.


Tubos de vaco
13.1 INTRODUCCIN
Un tubo de vaco es un tubo al vaco cerrado que contiene (1) un ctodo que emite electrones, con un
calentador que acta para mejorar el proceso, (2) un nodo o placa que atrae los electrones emitidos cuando
opera a un potencial positivo relativo al ctodo y normalmente (3) uno o ms electrodos intermedios (llamados
rejillas) que modifican el proceso de atraccin-emisin.

13.2 DIODOS DE VACIO


El smbolo del diodo de vado se ve en la figura 13-1a). La conduccin se realiza por electrones que escapan
al ctodo y recorren el vaco interno para ser recogidos por el nodo. El filamento es un calentador de resistencia
elctrica que se usa para elevar la temperatura del ctodo a un nivel en el cual ocurre la emisin terminica.

nodo (placa)

Ctodo

Filamento
Figura 13-1

Figura 13-2
332 TUBOS DE VACIO

Una curva caracterstica comn en funcin de (la caracterstica de la placa) se traza en la figura 13-1 ti).
Esta caracterstica se describe mediante la ley de Childs-Langmuir de la potencia de tres medios:
(13.1)
donde es la perveancia (constante que depende del diseo mecnico del tubo).
Como el diodo del semiconductor, el diodo de vaco es un conductor casi unilateral. Sin embargo, la cada de
voltaje directo del diodo de vaco es casi siempre de varios volts, lo cual hace que la aproximacin del diodo ideal
sea injustificable. Ms comnmente, los diodos de vaco se modelan en conduccin directa como una resistencia
que se obtiene como la pendiente de una aproximacin a una lnea recta de la caracterstica de la placa
(Figura 13-2). Un diodo de vaco polarizado a la inversa acta como circuito abierto.

13.3 CONSTRUCCIN DE UN TRIODO DE VACIO Y SMBOLOS


La rejilla simple de un triodo de vaco se llama rejilla de control; se hace con un conductor de dimetro pequeo
y se inserta entre la placa y el ctodo como se indica en la figura 13-3a). La malla de la rejilla es suficientemente
gruesa pero no impide que fluya la corriente de la placa al ctodo a travs de la colisin de electrones con el
alambre de la rejilla; adems, la rejilla se coloca fsicamente cerca del ctodo, as que su campo elctrico puede
ejercer control considerable sobre la emisin de electrones de la superficie del ctodo. Los smbolos de las
corrientes y voltajes totales instantneos del triodo se advierten en la figura 13-13b); en la tabla 3-1, se simbolizan
la componente, el promedio, rms y los valores mximos.

Placa (P)

Rejilla de control Ctodo (K)


(G)

Calentador

13.4 CARACTERSTICAS TERMINALES DEL TRIODO


Las caractersticas de voltaje corriente del triodo se determinan experimentalmente con el ctodo compar-
tiendo una conexin comn con los puertos de entrada y salida. Si se supone que el voltaje de la placa y el
voltaje de la rejilla son variables independientes y que la corriente de la rejilla es la variable dependiente,
entonces las caractersticas de entrada (o caractersticas de la rejilla) tienen la forma

(13.2)
de la cual la figura 13-4a) es una grfica comn que se determina en forma experimental. De manera semejante,
con como variables independientes, la corriente de la p l a c a s e transforma en la variable dependiente de
las caractersticas de salida (o caractersticas de la placa)
TUBOS DE VACIO 333

(13.3)
del cual una grfica comn se observa en la figura 13-4b).

Caractersticas de la rejilla Caractersticas de la placa

Figura 13-4

Las caractersticas de entrada del triodo de la figura 13-4a) muestran que la operacin con un voltaje positivo
de la rejilla da por resultado el flujo de la corriente de la rejilla; sin embargo, con un voltaje negativo de la rejilla (la
aplicacin comn), fluye una corriente despreciable de la rejilla y las caractersticas de la placa se aproximan
razonablemente mediante la relacin de la potencia de tres medios (Seccin 13.2), lo cual requiere una
combinacin lineal de los voltajes de la placa y la rejilla:
(13.4)
donde denota la ganancia de la perveancla y x es el factor de amplificacin, constante cuyo significado e
importancia se ve en el problema 13.3.

13.5 POLARIZACIN Y ANLISIS GRFICO DE LOS AMPLIFICADORES CON TRIODO


Para establecer un intervalo de operacin del triodo favorable para la seal que se amplifica, debe
determinarse un punto esttico mediante el circuito de polarizacin de cd. El amplificador con triodo bsico de la
figura 13.5 tiene una fuente de alimentacin de rejilla cuya polaridad mantiene vB negativa el modo ms comn
de operacin. Sin seal de entrada la aplicacin de la LVK en torno al circuito de rejilla de la figura 13-5
conduce a la ecuacin de la lnea de polarizacin de la rejilla,

(13.5)
la cual puede resolverse simultneamente con {13.2) o graficarse como se indica en la figura 13-4a) para
determinar los valores estticos es de la polaridad indicada en la figura 13-5, ia rejilla est polarizada
negativamente, dando el punto etiquetado En ese punto, esas soluciones aproximadas
son suficientes en el caso de la polarizacin negativa de la rejilla. Sin embargo, si la polaridad de fuera inversa,
la rejilla tendra una polarizacin positiva y el punto esttico
La suma del voltaje en torno al circuito de la placa de la figura 13-5 conduce la ecuacin de la lnea de carga
decd
334 TUBOS DE VACIO

Figura 13-5 Amplificador de triodo bsico

(13.6)
la cual, cuando se traza sobre las caractersticas de la placa de la figura 13-4b), se obtienen los valores estticos
en su interseccin con la curva

Ejemplo 13.1 En el amplificador con triodo de la figura 13-5, Las


caractersticas de la placa para el triodo se observan en la figura 13-46). a) Dibuje la lnea de carga de cd; despus
determine los valores estticos 6)

a) Para los valores dados, la lnea de carga de cd de (3.16) tiene la interseccin con el eje

y la interseccin con el eje Estas Intersecciones se han utilizado para dibujar la lnea de carga
de cd en las caractersticas de la placa de la figura 13-46).
6) Puesto que la polaridad de es tal que es negativa, fluir una corriente despreciable por la rejilla
0).

c) Para la corriente despreciable de la rejilla, (13.5) se evala en el punto O y se obtiene

d) La corriente esttica de la placa se observa como la proyeccin de en el eje de la figura 13-46) yes
=8mA.

e) La proyeccin de en el eje de la figura 13-46) da

La aplicacin de una seal vs que vara con el tiempo para el amplificador de la figura 13-5 produce un voltaje
de la rejilla con una componente que vara con el tiempo,

Es una prctica normal asegurarse de que mediante la seleccin apropiada de la combinacin entre la
polarizacin y la seal. Entonces y el punto de operacin debe moverse a lo largo de la lnea de carga de
cd del punto de acuerdo con la variacin de dando valores instantneos de que satisfacen
simultneamente (13.3) y (13.6).
TUBOS DE VACIO 335

Ejemplo 13.2 El amplificador con triodo de la figura 13-5 tiene como se indica en el ejemplo
13.1. Si las caractersticas de la rejilla del triodo se dan en la figura 13-6 y determine grficamente

de carga de cd, con las mismas intersecciones que en la figura 13.1, se sobrepone en las
caractersticas de la figura 13-6; sin embargo, como las caractersticas de la placa son diferentes de las del ejemplo
13.1, los valores estticos son ahora y E n t o n c e s se construye un eje de tiempo en el
cual se grfica perpendicularmente a la lnea de carga de cd en el punto Q. El eje de tiempo
para tambin se construye como se observa y los valores d e c o r r e s p o n d e n a valores particulares d
se encuentran mediante la proyeccin a travs de la lnea de carga de cd, para un ciclo de El resultado,
en la figura 13-6, muestra que flucta entre 152 y 218 V e entre 8.1 y 14.7 mA.

Figura 13-6
336 TUBOS DE VACIO

13.6 CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TRIODO


El siguiente tratamiento es muy parecido al de la seccin 6.2. En el caso normal de la corriente despreciable
de la rejilla, (13.2) degenera en y la rejilla acta como circuito abierto. Con pequeas excursiones (seales
de ca) en relacin con el punto y una aplicacin de la regla de la cadena a (13.3) conduce a

(13.7)

donde hemos definido

Resistencia d e l a p l a c a ( 1 3 . 8 )

Transconductancia (13-9)

En la condicin ia =0, se simula (13.7) mediante el circuito equivalente de la fuente de corriente de la figura 13-7a).
El modelo que se usa con ms frecuencia es el de fuente de voltaje de la figura 13-7>), el cual se desarrolla en
el problema 13.3.

a) b)

Figura 13-7 Circuitos equivalentes del triodo de seal pequea

13.7 TUBOS DE REJILLA DE CONTROL MLTIPLE


Las capacitancias interelectrdicas limitan la utilidad del triodo en altas frecuencias; la capacitancia entre la
rejilla y la placa conduce al ms grande deterioro de su operacin porque su efecto es ampliado por los
parmetros del tubo y porque constituye un acoplamiento no deseado entre la entrada y la salida, obtenindose
una reduccin en el control de la salida. Una reduccin marcada en se obtiene si una rejilla de pantalla se
inserta entre la rejilla de control y la placa, para formar un tetrodo (tubo de cuatro elementos). La rejilla de pantalla
se mantiene con un potencial positivo con respecto al ctodo. Sin embargo, cuando el voltaje de la placa es
menor que el de la rejilla de pantalla las caractersticas de la placa muestran un error de no linealidad
debido a los electrones que estn siendo desalojados de la placa por los electrones incidentes que llegan del
ctodo (emisin secundaria) y estn siendo atrados a la rejilla de la pantalla. Esta no linealidad indeseable puede
eliminarse aadiendo una tercera rejilla (una rejilla supresora) entre la rejilla de la de la pantalla y la placa, para
formar un pentodo (tubo de cinco elementos). La rejilla supresora se mantiene con el mismo potencial que el del
ctodo mediante la conexin elctrica, como se indica en el esquema de un pentodo de vaco en la figura 13-8.
Las caractersticas de la rejilla de un pentodo son similares a las de un triodo [Ver figura 13-4a)]. Las
caractersticas de la placa determinadas experimentalmente, son comnmente como aqullas de la figura 13-9.
(Es obvia una semejanza con las caractersticas del dren del JFET).
TUBOS DE VACIO 337

(rejilla supresoia)

(rejilla de pantalla)

(rejilla de control)

Figura 13-8 Figura 13-9

Problemas resueltos

13.1 Los diodos de vaco en el circuito rectificador de la figura 13-10a) son idnticos y pueden modelarse
mediante en la direccin directa y mediante una resistencia en la direccin inversa. Si C =0,
V, calcule la razn de vueltas del transformador ideal.

Figura 13-10
338 TUBOS DE VACIO

Debido a la simetra del problema es necesario analizar slo una parte del circuito del rectificador,
como se indica en la figura 13-106). Puesto que la salida es una onda sinusoidal rectificada, para la cual
(del problema 2.48) durante la mitad positiva del ciclo de el voltaje de carga puede
escribirse como

es cero durante la mitad negativa del ciclo de Segn la ley de Ohm,

Asimismo,

de modo que

Y la razn de vueltas est dada por

13.2 En el caso de un triodo con las caractersticas de la placa que se advierten en la figura 13-6, calcule a) la
perveancia K y ti) el factor de amplificacin

a) La perveancia puede evaluarse en cualquier punto de la curva Seleccionando el punto con


coordenadas de (13.4), tenemos

t>) El factor de amplificacin se evala ms fcilmente a lo largo del eje De (13.4), para el punto
0, obtenemos.

13.3 Con el modelo de seal pequea de fuente de corriente para el triodo de la figura 13-7a) deduzca el modelo
de fuente de voltaje de la figura 13-76).

Necesitamos determinar el equivalente de Thvenin para el circuito a la izquierda de las terminales


de salida en la figura 13-7a). Si se desactiva la fuente independiente, entonces as pues,
y la fuente de corriente dependiente acta como un circuito abierto. La resistencia de Thvenin es
entonces El voltaje del circuito abierto que aparece en la salida de las terminales es

donde es el factor de amplificacin. El arreglo apropiado ele las series d e d a el circuito


de la figura 13-7b).
TUBOS DE VACIO 339

13.4 El amplificador del ejemplo 13.1 tiene una corriente de placa

Determine a) la potencia entregada mediante el voltaje de alimentacin de la placa b) la potencia


promedio entregada a la carga y c) la potencia promedio disipada por la placa del triodo, d) Si el tubo
tiene una especificacin de la placa de 2 W, se est aplicando adecuadamente?
a) La potencia suministrada por la fuente se determina mediante la integracin en un periodo de la
forma de onda de ca:

b)

c) La potencia promedio disipada por la placa es

d) El tubo no est apropiadamente aplicado. Si se quita la seal (de modo que entonces la
disipacin de la placa aumenta a lo cual es mayor que la de la especificacin de la
potencia.

13.5 En el caso del amplificador del ejemplo 13.2, a) con (13.8) evale la resistencia de la placa y b) use (13.9)
para obtener la transconductancia.

a)

b
)

13.6 Encuentre una expresin para la ganancia de voltaje del amplificador con triodo de la figura
13-5, usando un circuito equivalente.
El circuito equivalente de la figura 13-7b) se aplica si se conecta de P a K. Por lo tanto, por la
divisin de voltaje en el circuito de la placa.

13.7 La eficiencia de la placa de un amplificador de tubo de vacfo se define como la razn de la potencia de
seal de ca entregada a la carga entre la potencia de la fuente de alimentacin de la placa, o a)
Calcule la eficiencia de la placa del amplificador del problema 13.4. b) Cul es ta eficiencia mxima
posible de la placa en este amplificador, sin cambiar el punto O y sin recortar la seal?

a)
340 TUBOS DE VACIO

b) Idealmente, la seal de entrada debera incrementarse hasta que excursione as pues,

13.8 El amplificador con triodo de la figura 13-11 utiliza polarizacin del ctodo para eliminar la necesidad de
una fuente de alimentacin de la rejilla. La resistencia muy grande ocasiona una trayectoria a tierra
para desviar la carga acumulada por la rejilla; sin embargo, esta corriente es tan pequea, que la cada
del voltaje a travs de es despreciable. Se deduce que la rejilla mantiene en polarizacin negativa,
por lo cual

(1)

Figura 13-11

Una grfica de (7) en las caractersticas de la placa se llama lnea de polarizacin de la rejilla y su
interseccin con la lnea de carga determina el punto Sean
=300 V. SI las caractersticas de la placa del triodo se dan en la figura 13-12, a) dibuje la lnea de carga
de cd, b) trace la lnea de polarizacin de la rejilla y c) determine las cantidades del punto
a) La lnea de carga est intersectada horizontalmente por y la vertical por

como se muestra en las caractersticas de la placa de la figura 13-12.


b) Los puntos de la grfica de () se encuentran mediante la seleccin de los valores de y calculando
los valores correspondientes de Por ejemplo, si e n t o n c e s e l
cual se grfica como punto 1 de la lnea punteada de polarizacin de la rejilla en la figura 13-12.
Observe que sta no es una lnea recta.
c) A partir de la interseccin de la lnea de polarizacin de la rejilla con la lnea de carga de cd,
mA,

13.9 En el amplificador del problema 13.8, sea a) Dibuje la lnea de carga de ca dla figura
13-12. b) Determine grficamente la ganancia de voltaje. c) Calcule la ganancia de voltaje usando un
anlisis de seal pequea.
TUBOS DE VACIO 341

Lnea de carga de CA

Lnea de carga de CD

[J linea de \
polarizacin;
de la rejilla h

Figura 13-12

a) Si aparece el capacitor C como un cortocircuito para seales de ca, entonces la aplicacin de la LVK
en torno al circuito de la figura 13-11 da una ecuacin de la lnea de carga de ca,
As pues, la lnea de carga de ca tiene intersecciones horizontal y vertical.

como se ve en la figura 13-12.


b) Tenemos por tanto, con a lo largo de la lnea de carga del punto en la figura
13-12, excursiona un total de La ganancia de voltaje es entonces

donde se incluye el signo menos para contar la fase inversa entre


c) Aplicando (13.8) y (13.9) en el punto de la figura 13-12 se obtiene
342 TUBOS DE VACIO

Por lo tanto, y el problema 13.6 da

13.10 La admitancia de entrada para un triodo que se modela por el circuito equivalente de seal pequea de
la figura 13-7b) es obviamente cero; sin embargo, hay capacitancias interelectrdicas que deben
considerarse en la operacin de alta frecuencia. Agregue esas capacitancias interelectrdicas (capaci-
tancias entre ctodo y rejilla rejilla y placa, y ctodo y la placa, en el circuito de seal pequea
equivalente de la figura 13-7>). Despus a) encuentre la admitancia de entrada b) obtenga la
admitancia de salida desarrolle un modelo del triodo para alta frecuencia.

a) Con las capacitancias interelectrdicas colocadas, el circuito equivalente de seal pequea se


observa en la figura 13-13. La admitancia de entrada es

(1)

Pero (2)

y (3)

Sustituyendo (2) y (3) en (1) y reordenando se obtiene

(4)
Ahora bien, del resultado del problema 13.6,

as que (4) se convierte en

b) La admitancia de salida es

Sea la admitancia de salida que existira si las capacitancias fueran despreciables; entonces

de modo que
TUBOS DE VACIO 343

c) A partir de (6) y (70) vemos que la operacin del triodo en alta frecuencia puede modelarse mediante
la figura. 13-76) con un capacitor conectado de la rejilla al ctodo y un
capacitor conectado de la placa al ctodo.

Figura 13-13
13.11 En el amplificador con pentodo de la figura 13-8, suponga que la rejilla de control est polarizada para
y l a rejilla d e pantalla est polarizada para S e a n E l
pentodo se caracteriza, por la figura 13-9. a) Dibuje la lnea de carga. Despus determine los valores
estticos b)

a) Para los valores proporcionados la lnea de carga de cd se describe por (13.6) y la interseccin con
el eje es

y la interseccin con el eje vp est dada por Estas intersecciones se han usado para
dibujar la lnea de carga de cd de la figura 13-9.
o) Si entonces la rejilla de control demanda corriente despreciable y
c) Se lee la corriente de polarizacin de placa a partir de la proyeccin de en el eje y es
mA.
d) El voltaje de polarizacin de la placa se lee de la proyeccin de sobre el eje

13.12 Puesto que se pueden describir las caractersticas de un pentodo por (13.3), o sea a los circuitos
equivalentes de seal pequea de la figura 13-7, se les aplican los parmetros que se determinan por
{13.8) y (13.9). Para el amplificador con pentodo del problema 13-11, a) determine los parmetros del
circuito equivalente de seal pequea y o) calcule la ganancia de voltaje.

a) La evaluacin (13.8) y (13.9) en el punto de la figura 13-9 se obtiene

y
344 TUBOS DE VACIO

b) Usando el circuito equivalente de seal pequea de la figura 13-7a), tenemos

Problemas complementarios

13.13 El diodo de vaco de la figura 13-14 tiene la caracterstica de placa


calcule el valor de la corriente de placa
Resp. 10 mA

FIGURA 13-14

13.14 En un conjunto comn de ejes trace las caractersticas directas de un diodo de vaco descrito por
y un diodo semiconductor descrito por con valores de corriente directa desde
0 hasta 100 mA. Cul diferencia fundamental entre los dispositivos es obvia en el dibujo que hizo?
Resp. =(0, 0, 0), (20, 7.4, 0.362), (60, 15.3, 0.39), (100, 21.5, 0.403)

13.15 En forma parecida a la resistencia dinmica definida en (2.5), la resistencia dinmica de un diodo de vaco
es

Si un diodo de vaco tiene la caracterstica esttica de placa y se opera con una corriente

Resp. a)

13.16 Suponga que el amplificador del problema 13.4 tiene la resistencia de la placa
V. Determine su factor de amplificacin usando el modelo de seal pequea de la fuente de voltaje de
la figura 13-7o).
Resp. 30

13.17 Suponga que el capacitor de paso se retira del amplificador de la figura 13-11. Encuentre a) una
expresin para la ganancia de voltaje y b) el porcentaje de desviacin de la ganancia de voltaje del
resultado del problema 13.9.
Resp.
TUBOS DE VACIO 345

13.18 Dos triodos estn conectados en paralelo placa con placa, rejilla con rejilla y ctodo con ctodo. Obtenga
el factor de amplificacin equivalente y la resistencia de la placa para la combinacin.
Resp.

13.19 El circuito de la figura 13-15 es un ctodo seguidor, llamado as porque est en fase con y es casi
igual a ste en magnitud. Obtenga un circuito equivalente de fuente de voltaje de la forma de la figura
13-7b) que modele el ctodo seguidor.
Resp. Vea figura 13-16

Figura 13-15 Figura 13-16

13.20 En el caso del ctodo seguidor de la figura 13-15, a) Con el circuito


equivalente de la figura 13-16 encuentre una frmula para la ganancia de voltaje. 6) Evale la ganancia
de voltaje.
Resp. a)

13.21 El ctodo seguidor se usa frecuentemente como un amplificador de etapa final para obtener una
mpedancia que se acople a una carga de baja impedancia con el fin de obtener la transferencia de mxima
potencia. En tal caso, la carga (resistor RL) est acoplada por medio de un capacitor a la derecha de
en la figura 13-16. Encuentre una expresin para la impedancia interna (impedancia de salida) del ctodo
seguidor como se ve por la carga.
Resp.

Figura 13-17
346 TUBOS DE VACIO

13.22 El amplificador de la figura 13-17 es un amplificador de rejilla comn. Definiendo un equivalente de


Thvenin para la red a la derecha de G, K y otro para las redes de la izquierda de verifique que es
vlido el circuito de seal pequea de la figura 13-18. Despus, a) obtenga una expresin para la ganancia
de voltaje; b) evale la ganancia de voltaje para los valores comunes
c) encuentre la resistencia de entrada y d) calcule la resistencia de salida
Resp. a)

Figura 13-18

13.23 En el amplificador de pentodo del problema 13.11, sea Determine grficamente


la ganancia de voltaje.
Resp.

13.24 En el circuito de la figura 13-19, los triodos son idnticos, Demuestre que
el circuito es un amplificador diferencial, lo cual significa que
Resp.

Figura 13-19
ndice
Admitancia de salida: Amplificador del emisor seguidor (ES), 142
en conexin base comn (BC), 141 Amplificador diferencial, 258
en conexin colector comn (CC), 157 Amplificador en contrafase, 232-233
en conexin emisor comn (EC), 141 Amplificador exponencial, 270
Algebra booleana, 315 Amplificador inversor, 251-252
amplificador separador, 259 Amplificador logartmico, 255
capacitores de paso, 199-200 Amplificador no inversor, 252
frecuencia de corte, 197 Amplificador seguidor de ganancia unitaria, 149, 260
Amplificacin de potencia, 146 Amplificador subtractor, 258
Amplificacin de voltaje, 146 Amplificador sumador inversor (sumador), 254
Amplificador con retroalimentacin de corriente-para- Amplificador sumador, 254
lelo, 288-291 Amplificadores BJT de seal pequea en frecuencia
Amplificador con retroalimentacin de corriente-serie, media, 140-149
284-286 anlisis de base comn (BC), 147-148
Amplificador con retroalimentacin de voltaje en para- anlisis del colector comn (CC), 142, 148-149
lelo, 286-288 anlisis del emisor comn (EC), 146
Amplificador con retroalimentacin de voltaje en serie, circuitos T equivalentes en 142-143
281-284 conexiones de transistor en base comn (BC), 141
Amplificador de base comn (BC) 147, 148 conexiones del transistor en emisor comn (EC),
Amplificador de colector comn (CC), 142, 143, 149 140-141
Amplificador de compuerta comn (GC) 176, 178 conversin de parmetros en, 145
Amplificador de diferencial, 170 medidas de bondad, 146
Amplificador de dren comn (DC), 176, 178 modelos de parmetros hbridos de, 140-142
Amplificador de emisor comn (EC) 146 Amplificadores de BJT para frecuencia media, 140-
Amplificador de fuente seguidora, 176,177-178 149
Amplificador de integracin, 255 Amplificadores de potencia, 226-234
Amplificador de log inverso, 271 clase A con acoplamiento directo, 229-230
Amplificador de potencia A acoplado con inductor, clase A con acoplamiento inductivo, 230-231
230-231 clase A con acoplamiento por transformador, 231 -
Amplificador de potencia clase A acoplado con trans- 232
formador, 231-232 clasificacin y caractersticas de, 226
Amplificador de potencia clase A con acoplamiento definicin de, 226
directo, 229-230 eficiencia de, 226
Amplificador de potencia con acoplamiento directo, en contrafase, 232-233
229-230 especificaciones y consideraciones trmicas, 227-
Amplificador de potencia con acoplamiento inductivo, 228
230-231 simetra complementaria, 233
Amplificador de potencia con acoplamiento por trans- Amplificadores FET de seal pequea de frecuencia
formador, 231-232 media, 176-178
Amplificador de rejilla comn, 346 anlisis de compuerta comn (GC), 178
Amplificador de simetra complementaria, 150 anlisis de dren comn (DC), 177-178
348 NDICE

anlisis de fuente comn, (FC), 177 Inversor, 251, 252


circuitos equivalentes en T, 176 logartmico, 255, 256
Amplificadores operacionales, 250-258 no inversor, 253
acondicionadores de seal, 257 simetra complementaria, 233
aplicaciones en filtros, 256-257 sumador, 254
definicin de, 250 triodo, 333, 336
diferenciacin, 254-255 (vase amplificadores; Amplificadores de potencia)
diferencial, 258 amplificadores con retroalimentacin; seal pe-
exponencial, 270 quea; amplificadores de frecuencia media BJT;
factor de rechazo de modo comn, 252, 253 seal pequea; amplificadores de frecuencia
generadores de funcin, 257 media FET; operacional
ideal, 250-251 voltaje-paralelo, 286, 288
integrador, 255 voltaje-serie, 281,283
inversor, 251-252 Anlisis de sensitividad, 118-119
log inverso, 270 Anlisis del circuito, 1-9
logartmico, 255 elementos, 1-3
no inversor, 252 estado estable 2
prctica, 250-251 leyes, 2
seguidor, 260 Anlisis grfico del circuito:
sumador, 254 de amplificadores con triodo, 33-336
Amplificadores retroalimentados, 279-287 de diodos semiconductores, 28-30
concepto de, 277 de JFET, 95
corriente en paralelo, 288-290 Ancho de banda de ganancia unitaria, 273
corriente en serie, 284-286 ngulo de fase de la red, 196
efectos en la ganancia y en la respuesta en frecuen- nodo, 24, 331
cia, 277-278 Autopolarizacin, 100
efectos en las impedancias de entrada/salida, 279
voltaje en paralelo, 286, 288
voltaje en serie, 279-284 Batera, 2
Amplificadores:
base comn (BC), 147, 148
ctodo seguidor (CS), 173, 174, 175 Capaciatores de acoplamiento, 61, 199, 201, 202
Clase A con acoplamiento en directa, 229, 230 Capacidad de transferencia de potencia, 146
Clase A con acoplamiento inductivo, 230, 231 Capacitancia de agotamiento, 28
Clase A con acoplamiento por transformador, 331, Capacitancia de difusin, 28
332 Capacitancia de Miller, 209
colector comn (CC), 142,148 Capacitancia:
contrafase de agotamiento, 27
corriente-paralelo, 288-290 de difusin, 27
corriente-serie, 284, 286 de Miller, 205
diferencia, 170 Capacitancia:
diferenciacin, 254, 455 acoplamiento, 70, 199, 201, 202
dren comn (EG), 146 de paso, 61, 70, 199, 200
efectos de la frecuencia (vase efectos de la fre- en amplificadores, 199-202
cuencia en amplificadores) transistores de unin bipolar, 71-72
emisor comn (EG), 176,178 Caractersticas de dren:
emisor seguidor (ES), 142 de JFET, 94-9.5
fuente comn (FC), 176, 177 de MOSFET, 97-98
integracin, 255 Caractersticas de entrada:
NDICE 349

conexin de configuracin de base comn (BC), 63 circuito multivibrador (en ingls flip-flop (FF)), 317-
conexin en configuracin de emisor comn (EC), 318
64 circuito multivibrador biestable (BMV), 317-318
triodos de vaco, 232-233 modelos para BJT, 313-314
Caractersticas de placa: modelos para FET, 314
diodo de vaco, 332 Constantes de proporcionalidad para corrientes cd, 66
triodo de vaco, 332-333 Convencin de signos en elementos pasivos, 21
Caractersticas de rejilla de los triodos de vaco, 332, Conversin de parmetros, 144
333 Convertidor de impedancia negativa (CIN), 266-268
Caractersticas de salida: Corriente directa, 24
conexin de base comn (BC), 63 Corriente inversa, 24
conexin de emisor comn (EC), 64 Corriente:
de JFET, 93 amplificacin, 146
de triodos de vaco, 332-333 fuentes, 1-2
Caractersticas de transferencia: ley de Kirchhoff, 3
del JFET, 94 Corrimiento de fase de seales, 146
del MOSFET, 97 Corte, 65
en conexin de base comn (BC), 63 punto de alta frecuencia, 202
en conexin de emisor comn (EC), 64 punto de baja frecuencia, 199
Caractersticas del colector: Curva de disminucin de disipacin, 227
conexin en base comn (BC), 63
conexin en emisor comn (EC), 64 Diagrama de tiempos, 322
Ctodo, 24 Diagramas de bloque:
Circuito discriminador de nivel, 59 amplificador con retroalimentacin, 279
Circuito divisor de fase, 191 lgica digital, 316-317
Circuito equivalente T, 142-143 Diferenciador inversor, 255
Circuito invertidor de fase, 239 Diodo comn, 24
Circuito limitador, 263-264 Diodo con polarizacin directa, 24
Circuito lgico de diodos y transistores (DTL), 323 Diodo emisor de luz (DEL), 56
Circuito multivibrador (FF), 317-318 Diodo en polarizacin inversa, 24
Circuitos en estado estable, 2 Diodo ideal, 24-26
Circuitos equivalentes: Diodo rectificador, 24
hbrido ;r 202-203 Diodo veractor, 60
para diodos, 30-33 Diodo Zener, 37
para FET, seal pequea, 186, 178 Diodos de semiconductor, 24-38
para triodos, 336-337 anlisis de circuito equivalente, 30-33
T, 143-144 anlisis grfico, de, 28-30
Circuitos lgicos con diodos (LD), 323 caractersticas terminales de, 25-27
Circuitos lgicos, 313, 315-316 en circuitos rectificadores, 33-34
intersecciones, 325 filtro de forma de onda y, 34-35
uniones, 325 ideal, 24-25
Circuitos recortadores, 35, 36 Operaciones de recorte y sujecin de, 36-37
Coeficiente de amplitud, 196 resistencia dinmica de, 31
Complemento lgico, 320 (vase tambin Diodos)
Compuertas lgicas digitales, 316 Zener, 38
Conductancia, 1 Diodos, 24-38
Conexin de base comn (BC) 141 definicin de, 24
Conexin del transistor en emisor comn, 140,141 emisin de luz (LED), 56
Conmutacin, 313-314, 317-318 ideal, 24-25
350 NDICE

rectificador, 24 de corte, de quiebre o de esquina, 197


vaco, 240-241 divisor, 322
Zener, 38 respuesta, 195
Disipacin de la potencia del colector, 226 Fuente de corriente controlada, 2
Distorsin: Fuente de voltaje controlado, 2
prendido y apagado, 247 Fuente ideal de corriente, 1
transicin, 248 Fuente ideal de voltaje, 1
Divisor de voltaje, 94 Fuentes de voltaje, 1 -2
Funcin (es) de transferencia, 195
Efectos de la frecuencia en amplificadores, 195-206 frecuencia, 196
capacitancia de Miller, 87 frecuencia, 196
capacitores de acoplamiento y de paso, 198-202 razn de ganancia de corriente, 195
de alta frecuencia, 202, 203 razn de ganancia de voltaje, 195
grfica de Bode, 196-198 razn de ganancia de voltaje, 195
modelo hbrido n BJT
modelos de alta frecuencia para el FET, 203, 204 Ganancia de corriente directa:
respuesta, 195-199 conexin de base comn (BC), 141
Eficiencia de la placa, 339 conexin de colector comn (CC), 157
Eficiencia del amplificador, 226 conexin de emisor comn (EC) 141
Elementos activos, 1 Ganancia de modo comn, 253
Elementos pasivos, 1 Girador, 276
Estabilizacin por medio de elementos no lineales, Grfica de Bode, 196-199
119-120 asinttica,
Estado estable sinusoidal, 2 Grfica de transferencia, 36
Estado estable, 2
cd, 2 Hiprbola de mxima disipasin, 236
sinusoidal, 2
Estrangulamiento, 93 Impedancia (s):
Excursin simtrica mxima, 77, 83 equilibrio o cambio, 146
punto de exitacin, 5
Factor de amplificacin, 179, 33, 239. regla de reflexin, amplificador, FET, 183
Factor de distorsin de la segunda armnica, 245 Impedancia en el punto de excitacin o impedancias
Factor de estabilidad, 118-119 puntuales, 5
Factor de rizo, 34-46 Interruptor, 322
Fijacin o fijador, 36 Intervalo de media frecuencia, 140
Filamento, 331
Filtracin de formas de onda, 36-37 Ley (es):
Filtracin, forma de onda, 34-36 circuito 2
Filtro (s): corriente y voltaje de Kirchhoff, 2
aplicacin en amplificadores operacionales, 256- de Ohm, 1
257 potencia de tres medios de Childs-Langmuir, 332
de paso alto, 199 potencia de tres medios, 332
de paso bajo, 256 Ley de Childs-Langmuir de la potencia de tres medios,
paso banda, 195 332
Filtro paso-banda, 195 Ley de corriente de Kirchhoff, 2
Filtros de paso alto, 199 Ley de voltaje de Kirchhoff, 2
Frecuencia de corte /3, 218 Lnea de carga de CD:
Frecuencia de esquina, 198 en amplificadores de triodo al vaco, 334
Frecuencia: en diodos, 30
NDICE 351

en JFET, 94-95 Polarizacin con retroalimentacin del dren, 98


en transistores bipolares de unin, 67, 70 Polarizacin de corriente de base constante, 114-116
Lnea de carga dinmica, 30 Polarizacin de corriente de emisor constante, 116
Lnea de carga: Polarizacin de fuente, 112
cd, 30 Polarizacin de retroalimentacin en paralelo, 116-
dinmica, 30 117
diodo, 28-30 Polarizacin del ctodo, 340
MOSFET, 97 Polarizacin fija, 131
Lnea de polarizacin de la rejilla para el amplificador Polarizacin:
de triodo, 33, 341 p independiente, 68
Lnea de polarizacin: consideraciones en transistores, 115,116
de la rejilla del triodo, 340-341 corriente constante del emisor, 116
del JFET, 94 divisor de voltaje, 94
Lnea de transferencia de polarizacin, 94 en amplificadores del triodo, 333-336
Lneas de carga CA, 70-71 en MOSFET, 99
Lgica de diodos y transistores (DTL), 329 punto lmite Q, 120, 121
Lgica de transistor y transistor (TTL), 238 retroalimentacin en paralelo, 116,117
Lgica digital, 316 transistores bipolares de unin, 67-70
Potencia de carga, 226
Modelo n hbrido para el BJT, alta frecuencia, 202-203 Producto ganancia ancho de banda (GAB), 290
Modelos de circuito equivalente de seal pequea, Puerto, 4
140 Punto esttico (punto Q):
Modo activo del transistor de operacin, 65 circuitos rectificadores, 33-35
Modo lineal de la operacin del transistor, 66 de diodos, 30
MOSFET del modo de agotamiento enriquecimiento, media onda, 33-35
110 modelo de parmetros r, 142, 143
MOSFET del modo de agotamiento, 99 onda completa, 33
Multivibrador biestable (MVB), 317-318 polarizacin lmite, 120,121
transitares bipolares de unin
Nivel lgico alto, 313 Punto Q (vase punto esttico)
Nivel lgico bajo, 313
Razn de ganancia de corriente, 195
Operacin del modo de enriquecimiento, 97-98 Razn de ganancia de voltaje, 195
Operacin del transistor en modo inverso, 66 Razn de rechazo de modo comn, 253, 254
Razn de transconductancia, 277
Parmetro (s) hbridos (o h), 7 Razn de transresistencia, 279
EC.40 Razn de voltaje inverso:
modelos en amplificadores BJT, 140-142 en conexin de base comn (BC), 141
Parmetros de admitancia de cortocircuitos (o y), 303 en conexin del colector comn (CC), 157
Parmetros de impedancia de circuito abierto (o z), 7 en conexin del emisor comn (EC), 140
Parmetros h (o hbrido), 7 Rechazo de modo comn, 258
Parmetros y (o admitancia en cortocircuito), 303 Rectificador de media onda, 33-34
Parmetros z (o impedancia de circuito abierto), 7 Rectificador de onda completa, 34
Parmetros: Red (es):
admitancia de cortocircuito (o y), 303 dos puertos, 6-8
hbrido (oh), 7 lineal, 2
impedancia de circuito abierto (o z), 7 retraso, 196
Pentodo, 336 teoremas, 3-6
Perveancia, 332 Red de adelanto, 197
352 NDICE

Sujetador de nivel, 262 construccin de, 95


Red de retraso, 196 operacin en modo agotamiento, 99
Red lineal, 2 operacin en modo enriquecimiento, 98-99
Regin de alta frecuencia, 202 smbolos para, 95
Regin de baja frecuencia, 199 Transistor de unin de efecto de campo (JFET), 92-95
Regulacin de voltaje; anlisis grfico para el, 95
salida ajustable, 236 canal-n y canal-p, 93
en diodos, 34 caractersticas de terminal, 93-94
Regulador de voltaje con salida ajustable, 263 conexin en fuente comn (FC), 93
Rejilla de control, 332 construccin del, 92-93
Rejilla de pantalla, 336 lnea de carga del, 94-96
Rejilla supresora, 336 lnea de polarizacin, 94-95
Relacin de ganancia, 196 modelos para conmutacin, 315
Resistencia de dren a fuente, 176 parmetros con compuerta en cortocircuito, 93
Resistencia de entrada: smbolos para, 92, 93
Conexin en base comn (BC), 141 transistor de unin bipolar comparado con el, 93
Conexin en colector comn (CC), 157 Transistor en base comn (BC) 63
Conexin en emisor comn (EC), 140 Transistor en emisor comn (EC), 67
Resistencia de la nmica de la base, 202 Transistores bipolares de unin (TEB), 62-71
Resistencia de la placa, 339 amplificadores de media frecuencia con seal pe-
Resistencia dinmica del diodo, 31 quea 140-149
Retculas en tubos de vaco, 331, 332, 336 anlisis del factor de estabilidad
Retroalimentacin negativa, 280 base comn (BC), 63
capacitores en, 70-71
Saturacin, 65 caractersticas terminales de la base comn, 63
Seguidor del ctodo, 345 caractersticas terminales del emisor comn, 65
Sistema estable, 196 construccin de, 62-63
Substrato, 95 efectos de la temperatura en, 115-116
emisor comn (EC), 65
Tabla de verdad, 317 estabilizacin del elemento no lineal, 119-120
Tcnicas lineales por secciones, 30 ncertidumbre en j3,115-118
Tcnicas para seales pequeas, 30 lneas de carga en CA, 70-71
Teorema (s): lneas de carga en cd, 67-70
de Norton, 6 modelo hbrido n de la frecuencia, 202-203
de Thvenin, 4-5 modelos para conmutacin, 313, -314
red, 2-6 polarizacin con corriente de base constante, 115-
superposicin, 2 116
Teorema de superposicin, 2 polarizacin con corriente del emisor constante,
Teorema de Thvenin, 4-5 116
Teoremas de Norton, 6 polarizacin de retroalimentacin en paralelo, 116-
Tetrodo, 336 118
Tierra virtual, 258 polarizacin y, 67-70
Transconductancia, 151,176, 335 relaciones de corriente en cd, 64-70
Transistor de efecto de campo de semiconductor de smbolos para, 62
metal de xido (MOSFET), 92, 97-99 Transistores de efecto de campo (FET), 93, 99
caractersticas terminales de 97-99 amplificadores de seal pequea en frecuencias
de polarizacin, 99 medias, 176-178
lnea de carga de, 99 compuerta aislada (IGFET) 95
modelos de conmutacin para, 315 modelo para alta frecuencia, 204-205
NDICE 353

modelos de conmutacin, 315 construccin del triodo y smbolos, 332


polarizacin limitada del punto Q, 120-121 definicin de, 331
semiconductor de metal-xido (vase transistor de diodos, 331-332
efecto de campo de semiconductor metal-xi polarizacin de amplificadores de triodo en, 333-
do) 335
unin (vase transistor de efecto de campo de rejilla de control mltiple, 336
unin) Tubos, vaco (vase tubos de vaco)
Transistores:
consideraciones de polarizacin en 115-121
para complementario emparejado, 144 Valor promedio de una funcin sinusoidal, 8-9
(vase tambin transitares bipolares de unin: tran- Valores cuadrticos medios (rms) (media cuadrtica),
sistores de efecto de campo) 8-9
Transitores emparejados complementarios, 244 Valores instantneos, 8-9
Triodos de vaco (vase Tubos de vacfo) Voltaje de estrangulamiento, 93
Triodos, vaco (vase tubos de vaco) Voltaje de saturacin, 250
Tubos de rejilla de control mltiple, 280 Voltaje de umbral, 97
Tubos de vaco, 331-336 Voltaje:
amplificadores de triodo, 333-335 leyes de Kirchhoff, 2
anlisis grfico de amplificadores de triodo en, 333- regla de reflexin, amplificador FET, 183
335 saturacin, 250
caractersticas terminales del triodo, 332-333 (Vase tambin entradas que comienzan con el
circuito equivalente del triodo, 335-336 trmino voltaje)
sta es una obra de gran valor para estudiantes de ingeniera que estn
interesados en utilizar dispositivos electrnicos de control en las
aplicaciones a los circuitos.
A lo largo de la exposicin se hacen breves repasos de los temas
pertinentes, junto con las ecuaciones y las leyes que se aplican en cada
caso. Ademas, se incluyen ejemplos prcticos y se ponen de relieve los
principios en el momento en que se explican.
. Los principales temas que trata el libro son:
. Anlisis de circuitos
. Diodos semiconductores
. Transistores
. Amplificadores
. Conmutacin y circuitos lgicos
. Tubos de vaco.

ISBN-968-422-243-2