Polarizao FET

Professor Lucas Tenrio de Souza Silva

1 - POLARIZAPO DO J - FET
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Polarizar um circuito determinar os resistores para que
o circuito possua o ponto quiescente escolhido.
Anlise do circuito significa encontra os valores de
corrente e tenso do ponto quiescente (IDq, VDSq,
VGSq e rd), que pode ser pelo mtodo grfico ou
matemtico.
Os tipos de polarizaes comumente encontrada com o Jfet
so:
Polarizao com VGS constante (Fixa);
Caso Especial: VGS=0V
Autopolarizao;
Polarizao por Divisor de Tenso;
Porta Comum;
1 - POLARIZAPO DO J - FET
1.1 Polarizao com VGS constante ( P.Fixa):
A anlise ou polarizao do circuito devem ser feita fazendo a
anlise DC do circuito, ou seja com os capacitores abertos.
Como no h passagem de corrente pelo terminal do gate, a queda
de tenso em RG igual a zero, podendo redesenhar o circuito sem
a introduo do mesmo.
A resistncia RG assegura que o sinal vi aparea no gate do
transistor, influenciando na anlise AC do circuito.
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Assim a polarizao deste circuito depender da fonte VGG (fixa)
para obter o valor de corrente IDq.
A relao entre IDq e VGG ser dada pela curva de transcondutncia
do componente: V
2

iG 0 VGS VGG iDq iDSS 1 GS

VPo
Sendo: IDss e Vpo determinados experimentalmente ou obtido no datasheet.
# O Resistor RG no ter influncia na polarizao do circuito.
O valor da Resistncia RD, quando o transistor tiver o valor de
corrente Idq ser:
VDD VDSQ
RD
I DQ
1 - POLARIZAPO DO J - FET
A anlise grfica realizada atravs de duas curvas e a interseo
destas ser o ponto quiescente do circuito. So elas:
Equao do circuito: eq.1 : VGS VGG
2
Equao da curva de transferncia: eq.2 : i V

Dq iDSS 1 GS
VPo

Determinando Idq, basta aplicar na equao para determinar RD ou

VDS:
VDSQ VDD RD I DQ
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Exemplo (Polarizao com VGS constante)
Determine VGSq, IDq,VDS,VD,VG e VS do circuito abaixo:
Identifique o circuito: Polarizao com VGS constante (fixa), ento:
VGS VGG 2V VGS 2V
Encontrar IDq, usando a equao:
2
V 2
2

iD iDSS 1 GS iD 10mA1 5,625mA

VP 8
Encontrar VDs, usando a equao:
VDSQ VDD RD I DQ VDSQ 16 2k 5,625mA 4,75V 2

Tenses VD,VG e VS: 4

3
VS 0V (referncia)
VDS VD VS VD VDS VS 4,75V 1

VGS VG VS VG VGS VS 2V
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Exemplo (Polarizao com VGS constante)
Polarize o circuito no ponto quiescente em que VDD= 25V; VDSQ=15V;
VGSQ=-1V.
Dados do transistor obtido de forma experimental:Vpo= -3,5V e IDSS=5mA.

2
V
iD iDSS 1 GS
VP
2
1
iD 51 2,55mA
3,5

Calculo do RD:
VDD VDSQ 25 15
RD RD 3920
I DQ 0,00255
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Exemplo (Polarizao com VGS constante)
Polarize o JFET BF245A, alimentado por uma fonte VDD=25V, no
seguinte ponto quiescente: IDq=1mA, VDSq=15V e VGSq=-1V;

VDD VDSQ 25 15
RD RD 10 K
I DQ 1mA

# Na prtica, a simples colocao do resistor pode fazer com que a

corrente IDq no seja de 1mA quando VGG de -1V. necessrio
determinar os valores de IDss e Vpo de forma experimental para
que tenha o valor mais exato.
2
V
iDq iDSS 1 GG
VPo
 1 - POLARIZAPO DO J - FET
Analisando as variaes do ponto quiescente em funo da faixa de IDss
(2 a 6,5mA) e Vpo (-0,5 a -8,0V) informada pelo fabricante pode obter
uma gama de valores para IDq=1mA ao aplicar VGSq=-1V. Observe os
grficos: 2
V
iDSS 6,5mA iDq iDSS 1 GG
VPo
VPo 8V
25 15
RD 10 K
iDSS 4mA 1mA

VPo 2V

Ponto iDSS 2mA

Quiescente
Desejado VPo 0,5V
(-1V,1mA)
#Concluso: O circuito no garante um ponto quiescente
estvel. Por conta da grande faixa de tolerncia, o ponto quiescente
pode apresentar grandes variaes com VGS constante.
1 - POLARIZAPO DO J - FET
1.2 Autopolarizao
Esta polarizao utiliza apenas uma fonte e a tenso VGS esta
relacionada com a queda de tenso no resistor Rs em srie com o
terminal Source.
Para a anlise DC, os capacitores so descartados e o resistor RG,
por IG=0A, pode ser desconsiderado.
O resistor RS age no circuito fazendo uma realimentao negativa,
ou seja: i V V Canal Estreita i
D RS GS D

# Observe que:
VGS VG VS 0 RS I D
VGS RS I D
1 - POLARIZAPO DO J - FET
A relao entre IDq e VRS ser dada pela curva de transcondutncia
do componente: VGS
2

iDq iDSS 1
VGS RS I D VPo

Umas vez identificador IDq, o resistor RD pode ser dimensionado

com a equao: VDD VDSQ VRS
RD
I DQ

A anlise de forma grfica utiliza as curvas representadas pelas

equaes da curva de transcondutncia e a reta de carga do circuito.
A interseo determinar o ponto quiescente do circuito:
Equao do circuito: VGS RS I D
2
V
Equao da curva de transferncia: iDq iDSS 1 GS
VPo

Equao do VDSq: VDSQ VDD ( RD RS ) I DQ

1 - POLARIZAPO DO J - FET
Observe que:
A reta autopolarizao passa pela origem dos eixos.
Mesmo com a grande faixa de tolerncia do JFET, o ponto Quiescente
se mantem entre Q1 e Q2, fazendo com que a variao de IDq seja
menor, ou seja mais estvel.
Os resistores so determinados da seguinte forma:
RS: V V VRs
GS Rs RS
ID
VDD VDSQ VRS
RD: RD VGS RS I D
I DQ
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Exemplo (Autopolarizao)
Determine VGSq, IDq,VDS,VD,VG e VS do circuito ao lado:
Identifique o circuito: Autopolarizao, ento:
VGS I D RS
Encontrar IDq, usando a equao:
2
1000 I D
2
V
I D I DSS 1 GS I D 8mA1
VP 6
132 90,600 I D1 13,91mA I DSS ()
I D1 , I D 2
16000 I D 2 2,588mA I DSS (ok )

Encontrar VGSq, usando a equao:

VGS I D RS VGS 1000 2,588mA 2,588V
Tenso VDSq: VDSQ VDD ( RD RS ) I DQ VDSQ 20 4300 I DQ 8,874V
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Tenses VD,VG e VS:
VDSQ 8,874V
VGS 2,588V
VRS VS Vref VS VRS 2,588V

VDS VD VS VD VDS VS 11,462V

VGS VG VS VG 2,588 2,588 0V

1 - POLARIZAPO DO J - FET
Exemplo (Autopolarizao)
Polarize o circuito no ponto quiescente em que VDD= 25V; VDSQ=15V;
VGSQ=-1V. Dados do transistor obtido de forma experimental: Vpo=-
3,5V e IDSS=5mA.

2 2
V 1
iD iDSS 1 GS iD 51 2,55mA
VP 3,5

VDD VDSQ VRS 25 15 1

RD RD 3529
I DQ 0,00255

VGSQ (1)
RS RS 392
I DQ 0,00255
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Outra forma para determinar RS, sem a curva de
transcondutncia, utilizando os valores de mximo e mnimo
dos valores de IDss e de Vpo, ou seja:
VP max VP min
RS max RS min
I Dss max I Dss min

Um RS intermedirio [Rsmin, Rsmax] garante que o ponto

quiescente prximo ao da parbola com valores tpicos.
Exemplo: faixa de IDss (2 a 6,5mA) e Vpo (-0,5 a -8,0V)
(8)
RS max 1230
6,5mA
(0,5)
RS min 250
2mA
1 - POLARIZAPO DO J - FET
1.3 Polarizao Por Divisor de Tenso
uma polarizao idntica Polarizao do BJT e pode ser
considerada com uma polarizao mista das polarizaes
anteriores.
Perceba que a queda de tenso do resistor R2 age como uma fonte
VGG, e o resistor RS agir da mesma forma que na configurao de
autopolarizao.
Analisando as malhas:
R2
VR 2 VG VDD
R2 R1

VGS VG VRS
Como VGS deve ser negativo, ento:
VGS VG VRS 0 VRS VG
1 - POLARIZAPO DO J - FET
O dimensionamento de RD e RS tendo os valores do ponto
quiescente ID, VDS e VGS dado pelas formulas:
VDD VDSq VRS VR 2 VGSq
RD RS
I Dq I Dq

A anlise de forma grfica feita com a curva de

transcondutncia e a reta de carga do circuito. A interseo
determinar o ponto quiescente do circuito:
Equaes do circuito:
VGS VG RS I D 0 R V
VG 2 DD
R2 R1
Equao da curva de transferncia:
2
V
iDq iDSS 1 GS
VPo
Equao do VDSq:
VDSQ VDD ( RD RS ) I DQ
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Exemplo (Polarizao Por Divisor de Tenso)
Determine VGSq, IDq,VDS,VD,VG e VS do circuito ao lado:
Identifique o circuito: Divisor de Tenso, ento:
VGS VG RS I D 0
Encontrar VG, usando a equao:
R V 270k 16
VG 2 DD VG 1,82V
R2 R1 270k 2,1M
Encontrar IDq, usando a equao:
2
V 1,82 1500 I D
2
I D I DSS 1 GS I D 8mA1
VP 4

19460,0 8593,0 I D1 6,234mA I DSS (ok );VGS 7,531V VPO ()

I D1 , I D 2
4500000,0 I D 2 2,415mA I DSS (ok );VGS 1,803V VPO (ok )

Assim: I D 2,415mA VGS 1,82 1500 0,002415 1,803V

1 - POLARIZAPO DO J - FET
Tenso VDSq:
VDSQ VDD ( RD RS ) I DQ

VDSQ 16 3900 0,002415 6,582V

Tenses VD,VG e VS:
VDSQ 6,582V VS VRS VG VGS 3,623V
VGS 1,803V VD VDS VS 10,205V
VG 1,82V VDG VD VG 10,205 1,823 8,382V
Usando o Grfico, para achar ID usa dois pontos:
ID=0A VGS VG 1,823V
VG
VGS=0V ID 1,215mA
RS
Traa a reta e encontra a interseo.
5 - POLARIZAPO DO J - FET
Exemplo (Divisor de Tenso)
Polarize o circuito (RG1, RG2, RS, RD) no ponto quiescente em que
VDD= 25V; IDq= 1mA;VDSq=15V; VGSq=-1V.
VGS=-1, ento adotando que VRG2=0,5V e RG2=10k teremos:
RG 2
VRG 2 VDD
RG1 RG 2
10k
VRG 2 0,5V 25V RG1 490k
RG1 10k

Para calcular RS e RD aplica-se a formula:

VRG 2 VGSq 0,5 (1)
RS RS 1,5k
I Dq 1mA

VDD VDSq VRS 25 15 1,5

RD RD 8,5k
I Dq 1mA
1 - POLARIZAPO DO J - FET
1.4 Polarizao Porta Comum
uma polarizao idntica Polarizao de Configurao
Base Comum do BJT.
Perceba que a queda de tenso do resistor RS agir junto com a
fontes VSS da mesma forma comoocorreu na configurao de
autopolarizao.
Analisando as malhas:
VGS VRS VSS 0
VGS VSS VRS 0
1 - POLARIZAPO DO J - FET
O dimensionamento de RD e RS tendo os valores do ponto
quiescente ID, VDS e VGS dado pelas formulas:
VDD VDSq VRS VSS
RD
I Dq

A anlise de forma grfica feita com a curva de

transcondutncia e a reta de carga do circuito. A interseo
determinar o ponto quiescente do circuito:
Equaes do circuito:
VGS VSS RS I D 0
Equao da curva de transferncia:
2
V
iDq iDSS 1 GS
VPo
Equao do VDSq:
VDSQ VDD VSS ( RD RS ) I DQ
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Exemplo (Polarizao Porta Comum)
Determine VGSq, IDq,VDS,VD,VG e VS do circuito ao lado:
Identifique o circuito: Porta Comum, ento:
VGS VSS RS I D 0
Encontrar IDq, usando a equao:
2
VGS 10 1500 I
2
I D I DSS 1 I D 9mA1 D

VP 3
40000,0 8888,2 I D1 10,863mA I DSS (ok )
I D1 , I D 2
4500000,0 I D 2 6,914mA I DSS (ok )
Assim:
I D 6,914mA VGS 10 1500 6,914mA 0,371V

Tenso VDSq:
VDSQ VDD VSS ( RD RS ) I DQ

VDSQ 20 10 3300 0,006914 7,184V

1 - POLARIZAPO DO J - FET
Tenses VD,VG e VS:
VDSQ 7,184V VS VG VGS 0,371V
VGS 0,371V VD VDS VS 7,555V
VG 0V VDG VD VG 7,555V

Usando o Grfico, para achar ID usa dois pontos:

ID=0A VGS VSS 10V
VSS
I
VGS=0V D 6,667 mA
RS
Traa a reta e encontra a interseo.
1 - POLARIZAPO DO J - FET
1.5 Polarizao VGS=0 (Caso Especial: VGG=0V)
um caso especial da Polarizao com VGS constante (fixa), com
VGG igual a zero.
Perceba que para qualquer condio, o valor de VGS ser zero e a
corrente ID ser sempre IDss, com o resistor RD permitindo a
passagem de no mnimo IDss.
Analisando as malhas:
2
V
VGS 0 I D I DSS 1 GS I D I DSS
VP
RD ser dado por:
VDD VDSq
RD
I Dss
2 POL. DO MOSFET - DEPLEO
2 - POLARIZAO DO MOSFET - DEPLEO
A polarizao pode ser feita da mesma forma que foi feita para
o J-FET:
Polarizao com VGS constante (Fixa)
Caso Especial:VGS=0V
Autopolarizao
Polarizao com Divisor de Tenso:
Polarizao Porta Comum
A nica diferena que o Mosfet de Depleo pode
apresentar valores de VGS positivos e valores de corrente
ID maior que IDss.
2 POL. DO MOSFET - DEPLEO
Exemplo (Polarizao Por Divisor de Tenso)
Determine VGSq, IDq, e VDS do circuito ao lado:
Identifique o circuito: Divisor de Tenso, ento:
VGS VG RS I D
Encontrar VG, usando a equao:
R V 10 M 18
VG 2 DD VG 1,5V
R2 R1 110M 10 M
Encontrar IDq, usando a equao:
2
V 1,5 750 I D
2
I D I DSS 1 GS I D 6mA1
VP 3
8250,0 4743,42 I D1 11,550mA ;VGS 7,163V VPO ()
I D1 , I D 2
1125000,0 I D 2 3,117 mA ;VGS 0,838V VPO (ok )

Assim: I D 3,117mA VGS 1,5 750 0,003117 0,838V

2 POL. DO MOSFET - DEPLEO
Tenso VDSq:
VDSQ VDD ( RD RS ) I DQ

VDSQ 18 2550 0,003117 10,052V

Usando o Grfico, para achar ID usa dois pontos:

ID=0A VGS VG 1,500V
VG
VGS=0V I D 2,000mA
RS
Traa a reta e encontra a interseo.

Modificando Rs de 750 para 150:

Encontrar IDq, usando a equao:

1,5 150 I D
2

VGS 1,5 150 I D I D 6mA1

3
I D1 119,111mA ;VGS 16,366V VPO ()
I D 2 7,556mA ;VGS 0,367V VPO (ok )
2 POL. DO MOSFET - DEPLEO
Tenso VDSq:
VDSQ VDD ( RD RS ) I DQ

VDSQ 18 1950 0,007556 3,266V

Usando o Grfico, para achar ID usa dois pontos:

ID=0A VGS VG 1,500V
VG
VGS=0V I D 10,00mA
RS
Traa a reta e encontra a interseo.
3 P. DO MOSFET - INTENSIFICAO
3 POL. DO MOSFET INTENSIFICAO
A polarizao para o MOSFET de Intensificao pode utilizar
os mesmo circuitos do J-FET, exceto o de autopolarizao,
tomando cuidado para aplicar a polaridade correta de VGS e
suficiente ( VGS > VT(VGS(th))).
Polarizao com VGS constante
Polarizao com Divisor de Tenso:
Polarizao por realimentao de dreno.
necessrio tambm lembrar que a corrente dada pela
equao: I D K VGS VT
2

Sendo K, calculado atravs dos dados do fabricante.

I D (ligado)
K .
V
GS ( ligado) VT
2
3 P. DO MOSFET - INTENSIFICAO
3.1 - Polarizao por Realimentao de dreno
Esta polarizao provoca uma realimentao atravs de RG. O
valor deste resistor no influenciar na anlise DC, j que IG=0A e
assim VRG= 0V.
A analise da malhas de indicam que:
I RG 0 A VGS VDS

I D VRD VDS VGS fora : I D

Como VGS=VDS, ento:

VGS VDD RD I D

I D K VGS VT
2
3 P. DO MOSFET - INTENSIFICAO
O dimensionamento de RD tendo os valores do ponto quiescente
ID, VDS e VGS dado pela frmula:
VDD VDSq
RD
I Dq

A anlise de forma grfica feita com a curva de

transcondutncia e a reta de carga do circuito. A interseo
determinar o ponto quiescente do circuito:
Equaes do circuito: VGS VDD RD I D
ID=0A: VGS VDD

VGS=0: VDD
ID
RD
Equao da curva de transferncia:
I D K VGS VT
2

Equao do VDSq:
VDSQ VGS
3 P. DO MOSFET - INTENSIFICAO
Exemplo (Polarizao Realimentao de Dreno)
Determine VGSq, IDq, e VDS do circuito ao lado:
Identifique o circuito: Realimentao de Dreno, ento:
VGS VDS VGS VDD RD I D
Encontrar K, usando a equao:
I D (ligado ) 6mA
K K 0,240mA / V 2
V
GS ( ligado ) VT
2
8 32

Encontrar IDq, usando a equao:

I D K VGS VT I D 0,0002412 2000 I D 3
2 2

I D1 7,248mA ;VGS 2,496V VTh ()

I D 2 2,794mA ;VGS 6,412V VTh (ok )
Assim:

I D 2,794mA VGS 12 2000 0,002794 6,412V

3 POL. DO MOSFET - DEPLEO
Tenso VDSq:
VDSQ VGS 6,412V

Usando o Grfico, para achar ID usa dois pontos:

ID=0A VGS VDD 12,00V
VDD
VGS=0V ID 6,00mA
RD

Traa a reta e encontra a interseo.

4 APLICAES - FET
4.1 APLICAES COM J - FET
4.1.1 - Resistor controlado por Tenso
Esta aplicao conseguida com valores VDS baixo, na regio de
triodo (linear) .
Observe que quanto menor VGS, mais horizontal a reta e assim
maior a resistncia, ou seja:
VGS=0V 0,4
rDS 100
Menos Horizontal 4mA
Menor Resistncia =100
VGS=-2,5V 0,4
rDS 3,3k
Mais Horizontal 0,12mA
Maior Resistncia =3,3
4 APLICAES - FET
Como foi mostrado anteriormente, o valor de resistncia do J-FET
pode ser aproximada para: r
r0
ro = resistncia com VGS = 0 V
d
1 (VGS VPO )
2

rd = resistncia especfica para um certo VGS.

Exemplo: para VDS=0,4V, ro(VGS=0) = 100;

Vpo=-3V; calcule rd para VGS=-1,5V
100
rd 400
1 (1,5 3) 2
4 APLICAES - FET
O ganho do amplificador de malha fechada controlado pela malha
externa de resistores, assim uma forma para manter o volume
estvel, mesmo com a instabilidade de tenso de alimentao, seria
optar por um JFET como resistor varivel.

Rf
VCC VGS 0V rd A 1 Volume _ const.
rd
4 APLICAES - FET
4.1.2 Circuito Temporizador com J-FET
um circuito simples que temporiza o tempo de acendimento de
uma lmpada.
1) Capacitor carregado (-9V), J-FET e Lmpada desligados.
2) Aperta a chave; descarrega Capacitor, J-FET atinge IDss; e Lmpada acende;
3) Capacitor Carrega; Atinge Vpo; desliga J-FET e Lmpada.
Temporizao (Tempo de Carregamento de C):

R C VDD
t (VPO ) RC ln
VDD VPO
4 APLICAES - FET
4.1.3 Circuito de Chaveamento com J-FET
um circuito que funciona como chave eletrnica (on-off) mas que
necessita alimentar VGS com tenso negativa:
4 APLICAES - FET
4.1.4 Chave de Sinal Com J-FET
Para o JFET funcionar como chave, ele deve funcionar nas regies de
corte e triodo (equivalente a saturao do BJT).
O corte do transistor obtm-se quando:
VGS VPO VGS off ID 0A VDS VDD VS 0V
Regio de Triodo, colocando VGS =0V e R>> RDS(on):
VGS=0, maior inclinao, menor RDS(on).
R>>RDS(on), maior queda em R; ID<Idss.
VGS 0; VR VDS (on ) VDD VDS ( on ) VR VR
Quando configurado para chave de sinal,
qualquer sinal aplicado por VDD, o sinal ser
apresentado na sada Vs sempre que VGS=0V.
R RDS (on) VR VDS (on)
4 APLICAES - FET
4.1.4 Multiplex Analgico
um circuito que permite conectar vrios sinais ao mesmo tempo
para que seja transmitido individualmente por um nico meio, aps
selecionado no terminal VG1,VG2,VG3e VG4.
4 APLICAES - FET
4.2 APLICAES COM MOSFET
4.2.1 Circuitos Digitais.
Os MOSFETs so bastante utilizados na fabricao de Circuitos
Integrados (Portas Lgicas, Registradores, Memria, e outros)
Uma aplicao o chaveamento, que pode ser visto como uma chave
inversora. Com os resistores ocupam muito espao no CI, em vez
desse, utiliza-se um MOSFET com resistor.
4 APLICAES - FET
O circuito ao lado uma porta NAND:

O circuito a baixo um inversor usando MOSFETs

Complementares, ou CMOS.
Observe a posio da Source,
So dois MOSFET de canais diferentes
4 APLICAES - FET
4.1.4 Multiplex Analgico
um circuito que permite conectar vrios sinais ao mesmo tempo
para que seja transmitido individualmente por um nico meio, aps
selecionado no terminal VG1,VG2,VG3e VG4.
EXERCCIO
EXERCCIOS:
Captulo 7: 20 exerccios:
Pelo menos 2 questes de cada seo: 7.2 a 7.13