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CAPITULO 6.

- Amplificador Operacional NE5234: anlisis de la polarizacin:

6.1.- Fuentes de Corriente:

La figura 6.34 presenta el diagrama esquemtico del circuito de polarizacin del Op.Amp. NE5234.

En la parte inferior de dicho circuito, los transistores Q49 y Q60 as como el resistor R60 forman una
fuente de corriente tipo WIDLAR. En dicha fuente, en lugar de conectarse al transistor Q 49 como diodo,
las corrientes de base de Q49 y Q60 son proporcionadas por un separador (buffer) de ganancia unidad
formado por los transistores Q50 - Q53 intercalado desde el colector de Q49. Este separador cumple la
misma funcin que se le asigna a un transistor cuando reemplaza el corto circuito en las fuentes tipo
espejo disminuyendo la corriente que se le extrae al colector de Q49 (beta helper) y haciendo que VCE49
= 2 VBEu en lugar de VBEu como ocurre si Q49 se conectara como diodo. Una de las razones por las que
se utiliza este rebuscado circuito Q50 - Q53 es que si la tcnica (beta helper) se llevara a cabo en forma
tradicional con un nico transistor, este aumento de V CE49 generara un necesario incremento en la
tensin de alimentacin VCC de manera que los transistores que conducen la corriente de referencia de
la fuente o corriente IIN operasen en la regin lineal fuera de saturacin. A cambio de ello, para reducir
el requerimiento de VCC el aludido buffer se conforma como un seguidor por emisor complementario lo

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cual significa que el esta conformado por un par de transistores seguidores tipo pnp Q 50 y Q51 y otro par
de seguidores npn Q52 y Q53. Si VEB51 = VBE52 entonces en la ecuacin de malla VCE49 + VEB51 VBE52
VBE53 = 0 el resultado es que VCE49 = VBEu53 que reduce en aproximadamente 0,7 V el requerimiento de
tensin de alimentacin comparado con el circuito convencional. Similarmente los transistores
seguidores complementarios Q54 Q57 suministran las corrientes de base de los transistores Q47 y Q58
que conforman as otra fuente de corriente en este caso espejo. Asimismo, los transistores Q 48 y Q59
operando en configuracin base comn y que conforman cascode con Q 47 y Q60 reducen la dependencia
de las corrientes en Q47 y Q60 respecto de la tensin de alimentacin VCC.

Para concentrarnos en la parte principal de este circuito de polarizacin se ha realizado su


circuito equivalente en la figura 6.35., en donde se han removido las partes de beta helpers y cascodes
con sus elementos asociados.

Esta simplificacin nos permite comprobar que el


corazn de dicho circuito de polarizacin no es mas que
una fuente de corriente autopolarizada utilizando a la
tensin trmica que fuera ya estudiada en el apartado
5.6.9.3 del capitulo precedente en su figura 5.50.11.

En el circuito de la figura 5.50.11 se describe que los


transistores T3 y T4 se encuentran apareados y tambin
que el transistor T2 posee dos emisores mientras que T1
tiene solo uno, lo cual indica que el rea de emisor de T 2
es el doble de la de T1 . Similares condiciones se
mantienen en los circuitos de las figuras 6.34 y 6.35 en
donde el rea de emisor del transistor Q60 es el doble de la
correspondiente al Q49. Como resultado de ello las
corrientes de colector de dichos transistores pueden ser
halladas, asumiendo y VA ambas infinito, aplicando la
ecuacin (33):
6.35.Circuito equivalente al de la figura 6.34

Si R60 es constante estas corrientes resultan proporcionales a la temperatura absoluta (PTAT). Si


bien en el circuito de las figuras 6.34 y 6.35 los betas y las tensiones de Early no son infinito, en la
practica estas ecuaciones tambin proporcionan las correspondientes corrientes debido a la utilizacin
de las tcnicas de beta helpers y cascode oportunamente incorporadas. El circuito de polarizacin
produce entonces dos tensiones de C.C. en los nodos rotulados Bias 1 y Bias5 , que son usados para
establecer escalares copias de corriente de 6 A en los transistores pnp y npn del amplificador
operacional, respectivamente. As, mientras estas escalares copias de corriente de 6 A son
proporcionales a la temperatura absoluta (PTAT), las transconductancias de los transistores que
conducen estas corrientes resultan independientes de la temperatura.

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El resistor R57 en la figura 6.34 esta previsto en el circuito de polarizacin para el caso que no se
establezca corriente al aplicar la tensin de alimentacin. Sin R 57 los transistores podran permanecer
cortados debido a que la diferencia de potencial entre el nodo Bias1 y masa se encuentra muy prximo a
VCC . En cambio con la presencia de R 57 el transistor Q55 lleva el potencial de Bias1 hacia abajo
permitiendo el arranque de la conduccin de corriente. En el estado estable, la corriente por R 57 causa
un incremento de corriente en el transistor Q 56 produciendo un pequeo efecto de sobrecarga en la
operacin del circuito de polarizacin.

6.2.- Polarizacin de la etapa de entrada:

La figura 6.36 presenta un esquema simplificado de la etapa de entrada del amplificador


operacional. Dicho circuito muestra una estructura de cascodo doblado en dos circuitos amplificadores
diferenciales complementarios de modo de lograr una operacin rail to rail en lo que respecta a la
tensin de entrada de modo comn en ambas polaridades y sin embargo la transconductancia de esta
etapa de entrada resulta independiente de la tensin de entrada de modo comn.

El nodo Bias1 perteneciente al circuito de polarizacin de la figura 6.34 y especficamente Q 58 y


R58 del mismo, en conjunto con el transistor Q11 y resistor R11 de la figura 6,36 forman una fuente de
corriente espejo con resistencia de degeneracin de emisor, de modo que en dicho circuito:

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Similarmente: de modo que despreciando
las corrientes de base por simplicidad, los 3 A provenientes de Q12 circulan a travs de Q8 y R8 fijando
la tensin de la base de Q5 con relacin a masa en un valor de:

Asumiendo que en la entrada del Op.Amp. se encuentre aplicada una tensin de entrada de
modo comn nicamente Vic, los transistores Q3 y Q4 en conjunto pueden ser vistos como formando
una mitad del amplificador diferencial de entrada con Q 5 como la otra mitad del circuito. Este par
diferencial se comporta como un amplificador totalmente desbalanceado por cuando Q 3 y Q4 en
conjunto tienen un rea semiconductora de emisor (as como una corriente de saturacin) mayor que la
del transistor Q5 causando una tensin de Off Set no nula. Despreciando esta tensin de Off Set por
simplicidad, entonces si Vic es menor o igual a 0,8 V, los 6 A provenientes de Q11 circulan en el par
diferencial de entrada pnp Q3 y Q4 , y Q5 y Q7 as como el par diferencial de entrada npn Q1 y Q2 todos
permanecen cortados. Por otro lado, si V ic mayor o igual a 0,8 V, el par diferencial de entrada de pnp se
encuentran cortados y los 6 A de corriente provenientes de Q11 circulan por Q5 donde es copiada por la
fuente de corriente espejo conformada por Q7 y Q6 para activar el par diferencial de entrada de npn Q1
y Q2 .

En ambos casos extremos, la transconductancia de la etapa de entrada permanece constante,


determinada por la corriente de polarizacin de 6 A. En la regin de transicin, alrededor de V ic igual
a 0,8 V, ambos pares diferenciales de entrada Q 1 y Q2 as como Q3 y Q4 se encuentran activos. El
ancho de dicha zona es de alrededor de +/- 3 V T = +/- 78 mV. En esta regin, parte de los 6 A
provenientes de Q11 circulan por el par Q3 - Q4 y el resto circula por Q5 quien finalmente polariza
activamente el par Q1 y Q2 por intermedio de Q6 . Como consecuencia, la suma de las corrientes de Q 1
y Q4 no es mas que los 6 A ignorando a sus corrientes de base as como al efecto de modulacin del
ancho de la base y el desapareamiento. En tanto la transconductancia de cada par diferencial de entrada
es proporcional a sus corrientes de polarizacin y dado que la transconductancia total de la etapa de
entrada de este Op.Amp. es la suma de la correspondiente a ambos pares diferenciales, dicha
transconductancia total no depende de la tensin de entrada de modo comn Vic .

Para obtener una alta ganancia de tensin en esta etapa de entrada, los transistores Q 9 , Q10 , Q13
y Q14 de las fuentes de corriente que adicionan las salidas de ambos pares diferenciales
complementarios, deben operar en su regin activa, fuera de saturacin a fin de presentar una alta
resistencia de salida roe . As, mientras Bias1 es ajustado de modo que
BiasCM deber ser ajustado de modo que IC9 e IC10 tambin sean exactamente de 6 A. Si acaso estas
corrientes IC9 e IC10 fueran simplemente determinadas por este valor constante (y no hubiera modo de
ajustar BiasCM) la tensin de modo comn de salida en los nodos 9 y 10 se volvera muy sensible a
pequeos desapareamientos entre los transistores Q9 , Q10 , Q13 y Q14 . Por ejemplo, suponiendo que por
Q9 y Q10 circularan los 6 A como se esperaba pero por Q13 y Q14 la corriente fuese de unos 6,1 A
cada uno causado por un pequeo incremento en el rea semiconductora de sus emisores, entonces la
tensin de salida de modo comn se incrementara con el objeto de que se satisfaga la ley de Kirchoff
en los nodos 9 y 10 forzando a los transistores Q 13 y Q14 a operar en su regin de saturacin para hacer
bajar sus corrientes a 6 A. Similarmente si Q9 y Q10 impulsaran corrientes levemente superiores a las

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correspondientes a Q13 y Q14 la tensin de salida de modo comn debera caer hasta que se alcance a
cumplir la ley de Kirchoff en los nodos referidos. La situacin asi descripta determina que la tensin de
salida de modo comn no se encontrara bien controlada en el circuito de la figura 6.36 correspondiente
a esta primera etapa. Este problema es superado por intermedio de la segunda etapa del Op.Amp. la
cual ajusta el valor de BiasCM de modo de determinar la tensin de salida de modo comn en el valor
adecuado para que los transistores Q9 , Q10 , Q13 y Q14 todos operen fuera de saturacin.

6.3.- Polarizacin de la segunda etapa del Op.Amp.:

La figura 6.37 presenta el circuito esquemtico de la segunda etapa del NE5234. Los nodos 9 y
10 son los terminales de salida de la primera etapa y por consecuencia la entrada de esta segunda. Los
capacitores C21 y C22 son utilizados para introducir compensacin de frecuencia y evitar as
perjudiciales oscilaciones, tema que se tratara oportunamente. El otro terminal del capacitor C22 se
conecta en la salida del Op.Amp. como se vera al estudiar su etapa de salida. Ambos capacitores son
ignorados en el presente anlisis. Las configuraciones seguidor por emisor de los transistores Q 21 y Q22
tienen por objeto reducir la carga de la segunda etapa sobre la primera. Para un primer anlisis ignore la
presencia de Q23 y Q24 ya que los mismos se encuentran normalmente cortados (protecciones). Los
transistores Q25 , Q26 , Q27 y Q28 forman un par diferencial en el cual cada rama del par diferencial se
compone de dos transistores. Este par diferencial tiene por objetivo amplificar la tensin de salida
diferencial de la primera etapa vod1 y su desdoblamiento permite obtener dos salidas, ambas en fase
entre si, una sobre el nodo 25 y la otra en el nodo 26, tal como es requerido por la etapa de salida.

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De la misma forma como se describiera en la primera etapa, ahora Q 15 y R15 en conjunto con Q58
y R58 del circuito de polarizacin de la figura 6.34, forman una nueva fuente de corriente no simtrica
de modo de establecer una corriente de

Similarmente

y tambin

Por simplicidad asuma que IC19 e IC16 determinan que VEB21 = VEB22 = 0,7 V. Despreciando las corrientes
de base, la corriente IC15 circula a travs del diodo Schotky D 1 determinando que la diferencia de
potencial que aparece entre bornes de dicho diodo sea

en donde IS(D1) es la corriente de saturacin inversa de dicho diodo. Tomando a dicha corriente en un
valor de 6 . 10-13 A, dicha tensin resulta

El resistor R29 en conjunto con los transistores Q29 y Q30 conforman una fuente de corriente
WIDLAR y como sabemos la ecuacin de malla en la que intervienen los diodos base emisor de esta
fuente

En el Op.Amp. NE5234 la relacin IS29/IS30 = 7 por lo que

Dado que IC30 = IC20 = 6,6 A la solucin por prueba y error de esta ecuacin arroja como resultado
una corriente IC29 = 42 A. En consecuencia la corriente disponible para activar a los transistores Q25,
Q26, Q27 y Q28 es IC29 - ID1 = 39 A . Digamos que V9 y V10 representen los potenciales de los nodos 9
y 10 contra masa y aceptemos que V9 = V10 . Entonces

Por simplicidad asuma que estas corrientes determinan tambin que

Digamos ahora que Vcmout1 represente la tensin de modo comn de salida de la primera etapa
incluyendo tanto su componente de continua como la componente de seal. Esta tensin es el valor
medio de las tensiones presentes en los nodos 9 y 10, es decir

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Similarmente digamos que Vbiascm represente la tensin del nodo BiasCM con referencia a la masa.
Principios de funcionamiento de la primera y segunda etapa determinan conjuntamente a ambas
tensones, como se anticip precedentemente y se pasa a describir detalladamente a continuacin.

Considere la primera etapa en donde Vbiascm y Vcmout1 son respectivamente una tensin de entrada
y la otra de salida de la misma. La relacin entre estas dos tensiones esta determinada por la
transferencia del amplificador emisor comn con resistencia de degeneracin en su emisor (Q 9 y Q10) y
su carga activa (Q13 y Q14). Digamos que vbiascm , v9 y v10 representen a los cambios en las tensiones
entre los nodos BiasCM . 9 y 10 con referencia a masa, respectivamente. Llamemos asimismo A a la
ganancia de pequea seal definida por el cociente (v9/vbiascm ), entonces tambin A = vbiascm/v10 debido a
la simetra. En otras palabras A es la ganancia de tensin de modo comn establecida entre el nodo
BiasCM y la salida de la primera etapa. La polaridad de esta ganancia A es negativa ya que si se
incrementa la tensin del nodo BiasCM esto aumenta las corrientes de Q9 y Q10 reduciendo la tensin de
salida de modo comn. La magnitud de la ganancia A es grande pero no ser calculada en esta
oportunidad por cuanto su valor no es importante para realizar un estudio de primera aproximacin
para hallar los puntos de operacin. Asuma que A es infinito cuando Q 9 , Q10 , Q13 y Q14 operan en su
zona activa y lineal.

Asuma que la tensin de entrada de modo comn del amplificador operacional vic es mucho
menor que los 0,8 V de umbral antes definido. Entonces Q 1 y Q2 se encuentran cortados. Mientras
lllas diferencias de potencial de C.C. sobre las resistencia R13 y R14 son

Si , Q13 y Q14 operaran en la regin lineal mientras Vcmout1 este


por debajo de VCC 0,3 V.

Para cumplimentar la ley de Kirchoff en los nodos 9 y 10, Q 9 y Q10 deben adaptarse y
conducir la misma corriente impuesta por los transistores Q 13 y Q14 la cual es de 6 A bajo
condiciones nominales. Asumamos que estas corrientes determinan que las tensiones VBE9 = VBE10 = 0,7
V. Tambin, mientras vic sea menor o igual a 0,8 V y la
corriente de C.C. a travs de R9 y R10 es

y como resultado la tensin de C.C. sobre estas resistencias es

Asumamos que . Entonces Q9 y Q10 operan en la regin activa y


si Vcmout1 es mayor a 0,3 V entonces Vbiascm es

Este comportamiento esta resumido en la grafica de la figura 6.38 en donde se presentan dos
curvas de Vcmout1 en relacin a Vbiascm una de ellas rotulada como Caractersticas del Amplificador. Para

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Vbiascm menor que 0,9 V ella describe que Vcmout1 permanece constante en un valor V CC 0,3 V por
cuanto Q13 y Q14 saturan. Para Vbiascm mayor que 0,9 V esta curva describe que Vcmout1 permanece
constante en un valor 0,3 V por que Q9 y Q10 saturan. Para Vbiascm igual a 0,9 V Vcmout1 cae desde VCC
0,3 V a 0,3 V por cuanto A es infinito como se asumi previamente.

Figura 6.38 Presenta las curvas de Vcmout1 en relacin a Vbiascm . La


Caracterstica del Amplificador originada en la primer etapa y la
Caractersticas de realimentacin derivada de la segunda etapa.

Ahora considere la segunda etapa, en esta la Vcmout1 es la tensin de entrada, mientras que Vbiascm
es la de salida. Asumamos que en la primer etapa la tensin de salida de modo comn se incrementa en
vcmout1 . Entonces la tensin entre los emisores de los transistores Q 21 y Q22 y masa tambin se
incrementa en aproximadamente vcmout1 por cuanto estos transistores se comportan como seguidores por
emisor. Estos cambios causan que la tensin entre el colector del transistor Q 29 y masa se eleve tambin
aproximadamente vcmout1 por cuanto las tensiones entre base y emisor de los transistores Q 25 - Q28
permanecen casi constantes. Estos resultados se originan en el hecho de que la combinacin de Q 25 y
Q26 por un lado y Q27 y Q28 por otro forman un par diferencial. Mientras la entrada de este par
diferencial es una seal de modo comn pura bajo las condiciones descriptas precedentemente, las
corrientes de colector de cada uno de estos transistores individualmente son aproximadamente
constantes asumiendo que la fuente de corriente de polarizacin Q 29 posee una alta resistencia de salida.
Adems, desde el punto de vista de las componentes de C.C, los seguidores de emisor Q21 y Q22
modifican los niveles de tensin V9 y V10 hacia arriba en 0,7 V. y el par diferencial desdoblado Q 25
Q28 cambia el nivel de la salida del seguidor por emisor hacia abajo en la misma cantidad. En
consecuencia por cuanto la cada de tensin sobre el diodo Schotky permanece constante, la tensin
entre el nodo BiasCM y masa es la tensin de modo comn de salida de la primera etapa modificada hacia
arriba en 0,4 V. Mientras que la tensin de colector de Q 29 se eleva en vcmout1 en este ejemplo, la tensin
entre el nodo BiasCM y masa se eleva en la misma cantidad. Como resultado la tensin entre el nodo
BiasCM y masa es

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Esta ecuacin se ha representado grficamente en la figura 6.38. En dicha figura su
representacin se ha rotulado como Caracterstica de Realimentacin (Feedback Characteristic) por
cuanto la funcin de la segunda etapa es tomar una muestra o censar, modificar el nivel y retornar hacia
la primera etapa la tensin de salida de modo comn para controlar el punto de operacin del modo
comn. Dicho lazo es un ejemplo de realimentacin negativa por cuanto si se produjese un aumento de
vcmout1 ello aumenta vbiascm lo cual entonces reduce vcmout1 mediante la operacin del amplificador de
modo comn de ganancia A mencionado al describir el circuito de la primera etapa. No obstante lo
dicho cabe aclarar que este lazo de realimentacin negativa acta sobre la tensin de modo comn de
salida de la primera etapa y no tiene ninguna influencia sobre la tensin de salida de modo diferencial
de dicha primera etapa. Por ejemplo, suponga que la tensin V 9 se modifica incrementalmente y la
tensin V10 cambia disminuyendo la misma cantidad. Entonces la tensin entre el nodo 29 y masa
permanece constante ya que Q25 y Q26 tendera a aumentarla mientras que Q27 y Q28 hara lo propio
pero para disminuirla y con igual intensidad. Como resultado de ello vbiascm permanece constante y el
lazo inactivo. Es por ello que el citado lazo es denominado Lazo de Realimentacin de Modo Comn.

La figura 6.38 presenta un anlisis grafico para describir como se alcanza el punto de
polarizacin. Dos variables son las principales en este anlisis vcmout1 y vbiascm . Cada una de estas
variables influye sobre la otra de dos formas o caminos: por las caractersticas del Amplificador y del
Lazo de Realimentacin antes descriptos. Cuando ambas caractersticas se satisfacen el dispositivo
opera en el punto de interseccin de dichas curvas caractersticas donde el valor medio de Vbiascm = 0,9
V y el valor medio de Vcmout1 = 0,5 V. En principio, un A finito, VEB21 = VEB22 diferentes a VBE25 = VBE26
= VBE27 = VBE28 altera el punto de operacin ligeramente, pero Q 9 , Q10 , Q13 y Q14 en la practica
todava operan en su regin activa para un amplio rango de condiciones del proceso, fuentes de
alimentacin y rangos de temperatura.

6.4.- Anlisis de C.C. de la etapa de salida:

En muchos amplificadores operacionales la etapa de salida es una configuracin colector


comn, tal como se viera en el 741. En este ultimo dicha configuracin permite obtener el bajo valor
deseado de resistencia de salida y una muy buena eficiencia en el manejo de energa pero la principal
limitacin de dicha configuracin es su baja capacidad de excursin ya que su tensin de salida puede
variar entre 1,4 V por arriba de la tensin de alimentacin negativa (V EE + 1,4) hasta 0,8 V por debajo
de la tensin de alimentacin positiva (VCC 0,8). Estas caractersticas no constituyen serias
limitaciones cuando las tensiones de alimentacin pueden llegar hasta unos +/- 15 o 20 V, pero
significara excursin prcticamente nula si la alimentacin fuera de VCC = +2 V y VEE = 0 V.

Para superar estas limitaciones el amplificador operacional NE5234 no utiliza transistores en


configuracin colector comn para excitar a su terminal de salida. En la figura 6.39 se presenta el
diagrama esquemtico de su etapa de salida. Los nodos 25 y 26 son los terminales de entrada de esta
etapa y coinciden con los de salida de su segunda etapa. All los capacitores C 25 y C26 en serie con los
resistores R25 y R26 son los circuitos de compensacin de frecuencia que evitan oscilaciones y no sern
tenidos en cuenta en este estudio.

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La salida es excitada por los transistores Q 74 y Q75 que operan en configuracin emisor comn.
Resultado de dicha configuracin, la resistencia de salida de esta etapa es alta pero la misma se baja
dramticamente mediante aplicacin de realimentacin negativa por fuera del Op.Amp. La principal
razn para utilizar este tipo de etapa de salida es que ello puede excitar a su terminal de salida en un
rango de tensin que va desde V CE75(sat) o cerca de 0,1 V por arriba de la tensin de alimentacin baja
hasta VCE74(sat) o nuevamente 0,1 V por debajo de la tensin de alimentacin mas alta. En otras
palabras esta etapa permite obtener una excursin de salida del tipo rail to rail.

El objetivo de diseo es lograr que el transistor Q 74 este en condiciones de enviar 10 mA hacia


el terminal de salida. Similarmente, Q75 debera estar en condiciones de enviar los mismos 10 mA hacia
la carga. La corriente de polarizacin de los transistores Q25 y Q26 en la figura 6.37 es de alrededor de
10 A cada una. Para este limite requerido de circulacin de corriente hacia o desde los terminales 25 y
26 de dicho circuito, la ganancia de corriente de la etapa de salida debe ser de aproximadamente 1000.
Para alcanzar este requerimiento cuando el transistor Q75 impulsa corriente hacia la carga se emplea el
seguidor de emisor Q68. La ganancia de corriente entre el terminal 26 y el de salida es
aproximadamente 75 . 68 = 2(npn) que alcanza un valor mas grande que 1000 por cuanto el mnimo
valor de la ganancia de corriente de un transistor npn (npn) es de 40 para este proceso de fabricacin.

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Por otro lado cuando el transistor Q 74 impulsa corriente hacia la carga, la ganancia de corriente podra
ser menor que 1000 si Q74 fuera nicamente excitado con un seguidor por emisor ya que la ganancia de
corriente de los transistores pnp puede llegar a tener un valor mnimo de 10 en dicho proceso. Para
superar este inconveniente el separador que excita la base del transistor Q74 es un seguidor por emisor
complementario Q64 Q65 consiguiendo una ganancia de corriente entre el terminal 25 y el de salida
que resulta aproximadamente 64 .65 . 74 = 2(pnp) . (npn) .

Los nodos rotulados Bias1 y Bias5 son los mismos que se han observados en la figura 6.34. Desde
el punto de vista de C.C. dada la fuente espejo tambin puede aplicarse

Los transistores Q62 y Q63 en conjunto con los resistores R62 y R63 forman una nueva fuente de corriente
espejo no simtrica y en ella se observa que

Sin embargo dicha relacin se basa en que la diferencia de potencial en R 62 y en R63 son idnticas, ya
que la diferencia de potencial en los diodos base emisor de Q62 y Q63 es despreciable. Con las corrientes
calculadas precedentemente, la diferencia entre las tensiones base-emisor de los transistores ,
asumiendo que los mismos son idnticos, resultan ser:

mientras la diferencia de potencial sobre R 62 resulta ser (6 A . 14 K) = 84 mV, aqu las diferencias
entre las tensiones base emisor antes calculada no resulta despreciable por lo que corresponde plantear
la ecuacin de la ley de Kirchoff considerando betas infinitos, o sea

(z)

As resolviendo por prueba y error el resultado es que IC63 = 33A y despreciando las corrientes de
base tambin IC64 = IC63 = 33A . La corriente en R 65 es IR65 = VEB74 / R65 y resulta igual a I C65
despreciando las corrientes de base. En la practica, VEB74 depende de IC74 . Un caso en que I C74 es
grande ( mayor que 1 mA) es considerado mas adelante. En dicho caso, V EB74 es tambin grande. Por
ejemplo VEB74 = 0,75 V . Por lo tanto .

Mientras las tensin base-emisor del transistor Q 69 es igual a aquella de Q49 en la figura 6.34,
las corrientes IC69 = IC49 = 6 A. Despreciando las corrientes de base, tambin I C68 = IC69 = 6 A . Sin
embargo considerando dichas corrientes de base no nulas, las mismas tienen a menudo una influencia
significativa en el comportamiento de la etapa de salida, especialmente sobre I C64 , IC65 e IC68 , las
cuales sern recalculadas tiempo despus de haber determinado I C74 e IC75 . Los transistores Q70, Q72
y Q73 normalmente operan cortados y en principio no sern considerados.

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Las corrientes de C.C. de los otros transistores integrantes de la etapa de salida estn
determinadas por el circuito de polarizacin de dicha etapa que se representa en la figura 6.40. Los
nodos Pbase y Nbase son los terminales de salida de la etapa de salida y constituyen las entradas a
dicho circuito de polarizacin. El nodo Bias 2 es una salida que se transforma en entrada en el circuito
de la segunda etapa de la figura 6.37. y no ser considerado en un principio. El nodo Bias 3 proviene de
la segunda etapa. VBE31 = VBE30 , IC31 = IC30 = 6,6 A . Esta corriente es copiada por las configuraciones
espejo Q32 - Q33 y Q34 Q35 de modo que IC35 = 6,6 A despreciando las corrientes de base y la
modulacin del ancho de la base. Aplicando la relacin de Widlar arroja I C44 = 6 A . Similarmente
IC36 = (R58/R36). 6 A = 14 A . Entonces IC37 = IC38 = IC36 = IC35 = 7,4 A. El nodo Bias5 proviene del
circuito de polarizacin de la figura 6.34. En consecuencia VBE41 = VBE49 y como en el NE5234 (IS41 /
IS49) = 3 , IC41 = 3 . IC49 = 18 A.

Para describir la interaccin entre los circuitos de las figuras 6.39 y 6.40, la figura 6.41 presenta
un diagrama esquemtico simplificado de la etapa de salida del NE5234 incluyendo su circuito de
polarizacin. Por simplicidad en dicho circuito todos los transistores que normalmente se encuentran
cortados no se han incluido y las corrientes de polarizacin que se han calculado precedentemente se
encuentran representadas mediante generadores independientes de corriente. Como en muchas etapas
de salida tambin en este caso la etapa de salida opera en clase AB. Sin embargo las relaciones bsicas

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entre las corrientes de colector del par de transistores de salida es diferente aqu, comparado con
aquellas correspondientes a la mayora de las etapas de salida de muchos Op.Amp., tal como se
detallar mas adelante.

En amplificadores operacionales cuyas etapas de salida se encuentran constituidas por


transistores operando en clase AB Clsica, la tcnica de polarizacin consiste en imponer que el
producto de las corrientes de polarizacin de los dos transistores de salida como una constante. Tal el
caso del Op. Amp. 741 en donde el par de salida Q 14 y Q20 se encuentran polarizados mediante el
circuito conformado por los transistores Q18 y Q19 y como se recordara, el planteo de la ley de Kirchoff
sobre la malla donde intervienen las tensiones base-emisor de todos dichos transistores arrojaba la
ecuacin:

lo cual implica que ninguna de las dos corrientes ni IC14 ni IC20 pueden anularse cuando la restante se
hace grande. Sin embargo en la ecuacin de Kirchoff en la mencionada malla se han despreciado
algunos trminos por simplicidad. Por ejemplo las cadas de tensin que aparecen en las resistencias no
nulas de las regiones de base y de emisor del par de transistores de salida. Estas cadas extra

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incrementan la magnitud de la tensin VBE del transistor excitador, en forma proporcional al aumento
de la corriente por la carga enviando al corte al transistor inactivo en algn punto. Como resultado de
ello se produce un incremento en el tiempo requerido para volver hacia atrs la operacin de dicho
transistor y se empeora la distorsin de cruce.

Para superar este inconveniente los transistores de la etapa de salida del amplificador
operacional NE5234 se encuentran polarizados de modo que nunca pueden cortarse aun en los
extremos de excursin mxima de la tensin de salida. El circuito compara las corrientes de los dos
transistores de salida y controla la pequea corriente a travs del lazo de realimentacin negativa
cuando la corriente de salida es grande. Dicha corriente de salida puede ser sensada incorporando
elementos en serie con el colector o el emisor del transistor de salida. Sin embargo la cada de tensin a
travs de dichos elementos podra no ser nula y reducira la excursin de la tensin de salida. Entonces
para optimizar dicha excursin de salida estas corrientes son sensadas por intermedio de las tensiones
base-emisor de los transistores de salida. Estas tensiones son manipuladas y enviadas al par diferencial
Q45 Q46 para su comparacin. Este amplificador diferencial opera sobre las tensiones de las bases de
dichos transistores VB45 y VB46 . Para VB46 :

En otras palabras, la funcin logaritmo natural mapea la corriente de colector de Q75 en comparacin
con su tensin base-emisor la cual es igual a la tensin VB46 por la ecuacin de malla de Kirchoff.

Por medio de VB45 , las variaciones de la tensin emisor-base de Q 74 es convertida en variaciones


de corriente de colector del transistor Q43 y vuelta atrs a travs de Q 42 y R42 . Entonces de acuerdo a
Kirchoff:

donde

como R42 = R43 sustituyendo la ultima en la anterior se obtiene:

(a)

en donde se ha asumido que I S75 = IS74 . IS42 / I S43 . Dicha ecuacin expresa que VB45 es igual a la
tensin base-emisor del transistor equivalente Q75 cuya corriente de colector es IC74 . Esta conversin
permite que IC74 sea comparada con IC75 por Q45 Q46 en un modo no sensible a las diferencias entre
las corrientes de saturacin de los transistores pnp y npn.

Si

en el par de transistores, el que mayor tensin de base alcance pasara a funcionar al corte. Bajo esta
condicin, la tensin de los emisores de estos transistores contra tierra es controlada por aquel

14
transistor de salida que conduzca la mayor corriente. Esta tensin redirige la entrada sobre una de las
ramas del amplificador diferencial Q39 Q40. La otra entrada presenta una tensin constante dispuesta
por IREF = IC36 - IC35 circulando por los transistores conectados como diodo Q 37 y Q38. Los transistores
Q39 y Q40 forman el corazn del amplificador diferencial, y este amplificador funciona dentro de un
lazo de realimentacin negativa. Por ejemplo, asuma que el transistor Q 75 conduce una gran corriente
de modo de volcar el terminal de salida hacia abajo. Entonces el lazo controla la corriente de colector
de Q74 . Si la tensin presente en la base del transistor Q 40 crece por alguna razn, entonces IC40 es
incrementada e IC39 es reducida. Como resultado de ello, la tensin entre el nodo 25 y masa se
incrementa, lo cual aumenta la tensin entre el nodo Pbase y masa por cuanto Q 64 y Q65 operan como
seguidores de emisor. Este cambio reduce VB45 por cuanto el amplificador emisor comn Q43 presenta
una ganancia de tensin inversora en muy bajas frecuencias. Finalmente reduciendo V B45 disminuye la
tensin entre la base de Q40 y masa por cuanto la diferencia de potencial V EB45 permanece siempre
constante. En otras palabras, el lazo responde a los cambios en la tensin de la base de Q 40 accionando
sobre dicha tensin, en la direccin opuesta al cambio original. Un razonamiento similar puede hacerse
si se considera que Q74 conduce una gran corriente de modo de llevar al terminal de salida del Op.
Amp. a un nivel alto. El lazo descripto posee realimentacin negativa. Si la ganancia de dicho lazo es
grande entonces el mismo fuerza a que la tensin entre la base de Q40 y masa sea igual a la tensin entre
la base de Q39 y masa. Este resultado puede ser visto como aquella caracterstica de equipotencialidad
de los terminales de entrada de un amplificador operacional ideal.

Cuando tanto Q45 como Q46 se encuentran ambos en conduccin la relacin entre las corrientes
de colector de Q74 y Q75 queda determinada por la interrelacin entre las ecuaciones de Kirchoff de
nodos y de mallas que se plantean en el circuito de la figura 6.41. Primero, a partir de la ecuacin de
nodo:

(b)
y tambin a partir de la ecuacin de malla:

(c)

finalmente, otra vez el planteo de mallas arroja:

donde IR39 e IR40 son las corrientes en las resistencias R39 y R40 respectivamente. En tanto que el
potencial de la base de Q40 es forzado a coincidir con el potencial de la base de Q 39 (ambos con
referencia a masa) debido a la accin de la realimentacin negativa,

y por ello la ecuacin anterior se reduce a

Introduciendo la ecuacin del diodo en cada uno de estos trminos:

15
Ignorando las corrientes de base IC37 = IC38 = IREF = IC36 - IC35 , por lo que

(d)

Tambin, sustituyendo la ecuacin del dio en los tres primeros trminos de la ecuacin (c) as como en
la (a) en su ultimo termino el resultado es:

Asumiendo que los transistores Q45 y Q46 son idnticos, se deriva que:

sustituyendo (b) en esta ultima

despejando IC46 se obtiene:

reemplazando esta corriente en la ecuacin (d):

(e)

En el Op.Amp. NE5324 IREF = 7,4 A e IC44 = 6 A tal como se calculara precedentemente. Tambin
considerando (IS75/IS37) = 10 en tanto que (IS46/IS38) = 2 , cuando la corriente en la carga es nula (I L = 0)
la ultima ecuacin (e) arroja un resultado de

Cuando IL es grande y negativa ella circula a travs del transistor Q75 , haciendo VBE75 tambin grande
y suficiente para cortar al transistor Q46 . En consecuencia el lazo de realimentacin negativa en la
figura 6.41 impone la corriente de colector de Q 74 . Para hallar el valor de I C74 debe plantearse el
limite de la ecuacin (e) para IC75 tendiendo a infinito o sea:

Similarmente cuando IL es grande y positiva ella es sostenida por el transistor Q 74 y Q45 pasa a operar
al corte cuando

16
Estas ultimas ecuaciones proporcionan la corriente en los transistores de salida inactivos a
consecuencia que su complementario impulsa una corriente a la carga tan grande como para cortar a los
transistores Q45 y Q46 en cada caso. Estas corrientes resultan ser la mitad de la corriente de polarizacin
que circula por ambos transistores de salida cuando la corriente en la carga es nula.

La salida suministra o drena corriente, dependiendo de la tensin de salida y de la carga. Como


resultado de ello, las propiedades de la etapa de salida son dependientes tanto de la tensin como de la
corriente de salida. Por ejemplo, asuma que la corriente de salida es I L = 1 mA y que fluye hacia fuera
del terminal de salida. Asimismo asuma que la resistencia de carga es R L = 2 KA partir de la ley de
Kirchoff de los nodos

Sustituyendo esta condicin en la ecuacin (e) precedente y resolviendo IC75 para el Op.Amp. NE5324
se obtiene IC75 = 210 A . Por lo tanto IC74 = 1,2 mA. Si la corriente en la carga se incrementara en 1,1
mA, IC75 disminuira solo unos pocos A y permanecera en un valor cercano a los 210 A mientras
IC74 se ubicara cerca de 1,3 mA. En otras palabras, la corriente en Q 75 es siempre constante bajo estas
condiciones por cuanto su corriente esta regulada por el lazo de realimentacin negativa antes
descripto.

Ahora que las corrientes de colector de Q74 y Q75 han sido determinadas, estamos en condiciones
de calcular las corrientes en los colectores de Q42 , Q43 , Q45 y Q46 . Ignorando las corrientes de base, la
ley de Kirchoff de las mallas aplicada al circuito de las uniones base-emisor de los transistores Q 43 y
Q74 da como resultado:

La relacin de reas de emisor de los transistores Q43 y Q74 es de 3/32, por lo cual

Resolviendo esta ecuacin por el mtodo de prueba y error como en el caso de la fuente de corriente
Widlar la misma da como resultado IC43 = 28 A. Como consecuencia IC42 = 28 A y la tensin de
entrada a la etapa diferencial Q45-Q46 es:

por cuanto la relacin de reas de semiconductor de los emisores de Q75 y Q42 es 10. A partir del estudio
de la linealidad del par diferencial

17
y

donde IC45 es mayor que IC46 debido a que VB45 es superior a VB46.

Finalmente con IC74 = 1.2 mA e IC75 = 210 A, recalcularemos las corrientes de colector de
los transistores Q64 , Q65 y Q68 , tomando en cuenta las corrientes de base no nulas y asumiendo que npn
= 40 y pnp = 10 , entonces IB74 = (1,2 mA/10) = 120 A. En consecuencia

Esta ecuacin ignora a la corriente de base de Q 66, cosa razonable ya que el rea semiconductora de
emisor de dicho transistor es 32 veces mas pequea que la correspondiente al transistor Q74 . As
entonces, para IB65 = 20 A y

Similarmente, IB75 = (210 A / 40) = 5,3 A y

Ignorando la corriente de base de Q71 que es diez veces mas maquea que la de Q75.

La figura 6.42 presenta la relacin de reas semiconductoras de emisor de todos los transistores
del Op.Amp. NE5324, las corrientes de colector calculadas precedentemente, y las corrientes de
colector obtenidas mediante la simulacin mediante SPICE bajo las condiciones descriptas en los
prrafos anteriores. Las corrientes de colector de Q55 y Q64 muestran importantes errores. El transistor
Q55 es un seguidor por emisor que excita al nodo Bias 1 de la figura 6.34. El calculo de IC55 ignoran a las
corrientes de base de todos los transistores que poseen sus bases conectadas a dicho nodo Bias 1. Estos
clculos no se vuelven a repetir aqu por cuanto arrojan muy pequeas diferencias en los parmetros
que se determinan posteriormente. Similarmente Q64 es un seguidor por emisor que excita al seguidor
por emisor Q65 en la figura 6.39. El error en IC64 se debe a los clculos de IC62 . Ignorando las corrientes
de base, IC62 es estimada en 6 A y la ecuacin (z) (pagina 11) resuelta por el mtodo de prueba y error
determina IC63 en 33 A. Sin embargo la combinacin de corrientes de base de Q62 y Q63 es entonces

18
(39 mA/npn), lo cual es alrededor de 1 A con npn = 40. Como resultado IC62 se ubica entre unos 5 o 6
A. Cuando IC63 es recalculada por el procedimiento de prueba y error con la ecuacin (z) con el nuevo
valor de IC62 el resultado es IC63 = 24 A. Aunque el cambio entre 33 y 24 A no parece ser importante,
la corriente de colector de Q64 se reduce significativamente debido a este cambio por cuanto la misma
esta determinada por la diferencia entre estas dos corrientes. A partir de la ley de Kirchoff de los nodos:

19
en lugar de los 13 A calculados precedentemente.

Por supuesto que las estimaciones hechas en un principio para las corrientes I C55 e IC64 podan
haberse sustituido por clculos que contemplaran ya en ese momento a las corrientes de base, sin
embargo este procedimiento podra acarrear un significativo nivel de complejidad. En la practica un
anlisis de primera aproximacin permite asumir cierto grado de simplificacin. Por ejemplo las
corrientes de base siempre pueden despreciarse en los estudios de polarizacin. As, despus el
dispositivo puede ser simulado y mediante la comparacin de los resultados con la simulacin ello
puede indicar el ajuste de algn parmetro que originalmente haya sido despreciado, justo como se ha
llevado a cabo en este trabajo. Este procedimiento tiene la ventaja de su simplicidad. Estos anlisis
simplificados constituyen un mtodo de trabajo muy apropiado en la practica por cuanto el diseo es el
procedimiento inverso al anlisis. Las hiptesis simplificativas permiten a los diseadores ajustar sus
proyectos realizando rpidas verificaciones de sus comportamientos bajo diferentes condiciones. Estos
procedimientos le permiten al diseador poner nfasis en cada uno de los parmetros que limitan el
comportamiento satisfactorio de su proyecto en cada una de dichas condiciones.

6.5.- Transistores que se encuentran normalmente inactivos:

Considere el circuito de la figura 6.36. y en el que la tensin de entrada de modo comn es tal
que los transistores Q1, Q2 y Q6 operen la regin activa y lineal. Si la tensin de entrada al
amplificador diferencial se incrementa, la corriente de Q2 aumenta y la del transistor Q1 disminuye.
Por lo tanto la tensin entre el nodo 2 y tierra cae y la correspondiente al nodo 1 con referencia de tierra
sube. La cuestin es que cuando Q1 y Q2 operan en la regin lineal ellos introducen un desplazamiento
de fase de 180 o entre las tensiones de sus colectores y las de sus bases. Ahora suponga que la tensin
de entrada de modo comn se incrementa hasta alcanzar 100 o 200 mV por debajo de V CC de modo
que Q1 y Q2 pasan a saturacin. Bajo estas condiciones la unin colector-base de estos transistores
pasan a polarizarse en forma directa, y la tensin presente en dicha juntura permanece
aproximadamente constante. En consecuencia, incrementando la tensin de entrada diferencial del Op.
Amp. ello produce un incremento en la tensin presente entre el nodo 2 y tierra y simultneamente una
disminucin en la tensin del nodo 1 con igual referencia. En otras palabras, la operacin de los
transistores en saturacin hace que los mismos dejen de invertir la fase de las tensiones que
normalmente introducan. Invirtindose la polaridad de la ganancia de la etapa de entrada se invierte la
polaridad de la ganancia del operacional, transformndose una realimentacin negativa en positiva con
la consiguiente posibilidad de inestabilidad. Un problema similar ocurre cuando la tensin de entrada
de modo comn alcanza valores tan negativos como V EE en los que los transistores Q3 y Q4 pasan a
saturacin (efecto LATCH UP).

Este problema ocurre cuando la tensin de entrada de modo comn va mas all de los limites o
rango permitido por el Op. Amp. En principio este problema puede ser subsanado especificando la
tensin de entrada de modo comn mxima de modo que ningn transistor de entrada pueda llegar a
saturar. Sin embargo tomando la precaucin de que nunca la polaridad de los terminales de entrada del
circuito puedan invertirse se amplia considerablemente el campo de aplicacin del Op.Amp.

La figura 6.43 presenta el diagrama esquemtico de una parte de la etapa de entrada del NE5234
con los transistores Q1d , Q2d , Q3d y Q4d los cuales fueran omitidos en la figura 6.36 por simplicidad.
Las uniones base-emisor de estos transistores se encuentran cortocircuitadas, por lo tanto cada uno de
estos transistores es en realidad un diodo entre sus terminales de colector y base. Cuando Q 1 y Q2

20
saturan, sus junturas colector-base se polarizan en directo. La base de Q 1d esta conectada a la base de
Q1 y la base de Q2d se encuentra conectada a la base de Q2 . Los colectores de Q1d y Q2d se hallan
conectados a los colectores de Q1 y Q2 respectivamente. En consecuencia, con un apareamiento de
transistores perfecto y para una tensin de entrada de modo comn exclusivamente, V BC1 = VBC1d =
VBC2 = VBC2d y las uniones colector-base de estos cuatro transistores se encuentran igualmente
polarizadas.

Para impedir el cambio de polaridad de terminales precedentemente descripto, los transistores Q 1d y Q2d
poseen mayores reas semiconductoras que Q1 y Q2 (en el NE5234 la relacin de reas es 2) . Cuando
la uniones base-colector comienzan a tener polarizacin directa, las uniones de Q 1d y Q2d conducen una
mayor corriente que aquellas de Q1 y Q2 . De este modo, los cambios en la tensin de entrada aplicada
al terminal no inversor ejercen mayor influencia en el nodo 1 que en el nodo 2 y los cambios en la
tensin de entrada aplicada al terminal inversor producen mayor influencia en el nodo 2 que en el nodo
1. Como consecuencia, cuando la tensin de entrada diferencial se incrementa, la tensin entre el nodo
1 y tierra aumenta mientras que la del nodo 2 disminuye como ocurre en operacin normal. Similar
comportamiento tiene lugar en el par diferencial pnp. Este circuito permite que el rango de tensin de
entrada de modo comn pueda extenderse hasta unos 700 mV por debajo de VCC hasta cerca de unos
700 mV por arriba de VEE. En los extremos alto y bajo unos cientos de mV por debajo de dichos
limites, los transistores de la etapa de entrada operan en saturacin y en algunos Op.Amp. sus
especificaciones no lo aclaran. Sin embargo la ganancia del amplificador operacional no se invierte en
fase en el rango precedentemente detallado. Excedindose dicho rango pueden sobrevenir daos en los
transistores Q1d , Q2d , Q3d y Q4d . Es posible incorporar resistores en serie con estos terminales de
entrada para evitar dichos daos limitando la corriente a travs de dichos diodos cuando pasan a
conduccin.

21
Los transistores Q23 y Q24 en la figura 6.37 normalmente permanecen cortados. Sus bases se
encuentran conectadas al nodo Bias2 el cual es una salida del circuito de polarizacin de la figura 6.40.
La tensin entre el nodo Bias2 y masa es VEB38 = 0,7 V aproximadamente. Por lo tanto si las tensiones
entre el nodo 9 o el nodo 10 contra masa se incrementara hasta alcanzar 1,4 V cuando una seal
diferencial grande es aplicada a los terminales de entrada del amplificador operacional, Q 23 y Q24 pasan
a conduccin para prevenir posibles ulteriores incrementos en estas tensiones. Esta limitacin es muy
importante para evitar que los transistores Q16 y Q19 saturen, reduciendo la demora requerida para un
manejo apropiado en caso de una sbita reduccin en la magnitud de la tensin diferencial de entrada.

Los transistores Q67 y Q70 en la figura 6.39 tambin se encuentran normalmente cortados. Estos
transistores pasan a conduccin para limitar la corriente a la carga IL y prevenir as la destruccin de
los transistores Q74 y Q75 . Por ejemplo si el transistor Q67 se encuentra cortado su tensin base-emisor
es

El transistor Q67 pasa a conduccin cuando su tensin base-emisor alcanza VBEu = 0,7 V por lo que
rescribiendo la anterior ecuacin para esta condicin

Dado que el rea semiconductora del transistor Q74 es 32 veces mas grande que la del Q66 , Q67 entrara
en conduccin cuando

Una vez que Q66 entra en conduccin , el eleva la cada de tensin en R 63 disminuyendo as la corriente
IC63. Este cambio reduce la capacidad del transistor Q63 de hacer bajar la tensin de la base de Q65, el
cual limita la capacidad de Q65 para hacer bajar la tensin de la base de Q74 . Como consecuencia la
corriente de este ultimo queda limitada al valor precedentemente estimado de alrededor de 16 mA.
Similar comportamiento posee el circuito de limitacin de la corriente del transistor Q 75 . La corriente
es sensada por Q71. Cuando IC75 se hace grande, Q70 pasa a conduccin tirando hacia abajo la tensin
del emisor de Q18 en la figura 6.37, reduciendo la corriente I C18 limitando la corriente que el puede
proveer para elevar el potencial del nodo 26 y limitar la corriente IC75. (vea el Problema 6.25).

Los transistores Q72 y Q73 en la figura 6.39 se encuentran normalmente cortados. Su propsito
es limitar el grado en que Q74 y Q75 puedan saturar. Esta limitacin es importante ya que permite que
los transistores de salida alcancen dicha condicin sin acumular excesiva carga de portadores
minoritarios en su regin de base en modo de no incrementar el tiempo necesario para que pasen a la
condicin contraria disminuyendo as la distorsin de cruce. Si Q 74 comienza a saturar su juntura base
colector empieza a recibir polarizacin directa. Como resultado de ello la tensin entre el nodo 25 y
masa cambia hacia abajo en 0,7 V por efecto de Q 64 y simultneamente para arriba en igual cantidad
por Q65 , VEB72 = 0 aproximadamente. El transistor Q72 pasa a operar en su regin activa inversa cuando
Q74 comienza a saturar. En este modo de operacin, la corriente de Q 72 circula hacia su terminal de
colector y sale por su terminal de emisor y hacia el nodo 25. Esta corriente eleva la tensin presente
entre este nodo y tierra el cual reduce la tensin de salida y evita aquel efecto cuando Q74 satura.
Similarmente, cuando el transistor Q75 comienza a saturar, su juntura base-colector comienza a
polarizarse en forma directa, lo cual polariza en forma directa la juntura base-colector del transistor Q 73.
Este transistor entonces opera en su regin activa inversa colectando corriente desde el terminal 26 para

22
reducir la tensin entre dicho nodo y masa y en el limite evitar las consecuencias de la saturacin de
Q75.

6.6. Anlisis dinmico de bajo nivel del Op.Amp. NE5324:

Nuestro prximo objetivo es la determinacin de las propiedades dinmicas de bajo nivel del
amplificador operacional. Con tal objetivo subdividiremos el circuito en tres partes, la etapa de entrada,
la segunda etapa y la etapa amplificadora de salida estudiando cada una de ellas. En esta seccin
consideraremos hfenpn = onpn = 40 , hfepnp = opnp = 10 y VA(npn) = 30 V y VA(pnp) = 20 V salvo aclaracin
en contrario. Estos valores son tan solo estimados como limites mnimos de lo que se presenta
normalmente en la practica.

Etapa de Entrada:

La etapa de entrada de este amplificador diferencial es un circuito totalmente diferencial,


formado por dos pares de emisores comunes y su resistencia de entrada depende de cual de los pares
estn conduciendo. Supongamos que VIC < 0,8 V. Entonces el par npn Q1-Q2 se encuentra cortado, y
Q11 se encuentra polarizando al par pnp Q3-Q4. La figura 6.44. presenta el medio circuito equivalente
para este modo de operacin. La resistencia de carga es R in2/2, la cual es la mitad de la resistencia de
entrada de la segunda etapa. Mientras el transistor Q 3 opera con su emisor a masa de pequea seal, la
resistencia de entrada de este medio circuito diferencial es h ie3 y por lo tanto la resistencia de entrada
diferencial es:
Rid = 2 hie3
Entonces, dado que

Para una tensin de entrada diferencial, los terminales de base de Q9 y Q13 de pequea seal tambin
estn conectados a masa como se puede observar en la figura 6.44. Por consecuencia ambos
transistores operan como amplificadores base comn y como ambos poseen resistencias conectadas en
sus terminales de emisor a tierra, sus resistencias de salida que llamaremos R up1 para Q13 y Rdown1 para
Q9 resultan:

23
R13
Rup1 = roe13 . (1 + hfe13 . ) con RB13 = 0 , as
R13 + RB13 + hie13

33
Rup1 = 3,33 . 106 . ( 1 + 10 . ) = 3,33 . 106 . 5,42 = 18 M
33 + 0 + 41,6

Similarmente, si la resistencia de salida por colector de Q 3 es mucho mas grande que R9, entonces la
resistencia de salida Rdown1 es:

R9
Rdown1 = roe9 . (1 + hfe9 . ) con RB9 = 0 , as
R9 + RB9 + hie9

22
6
Rup1 = 5,0 . 10 . ( 1 + 40 . ) = 5,0 . 106 . 5,42 = 27 M
22 + 0 + 166,4

con la cual, la resistencia de salida de la primer etapa es:

La transconductancia diferencial de la primera etapa, que definiremos como G md1 = (Icd9/vid),


dada su carga activa resultara:

R9 gm9 R9 40 . 6 . 10-6 . 22 . 103


Gmd1 = gm3 . = gm3 . = 40 . 3 . 10-6 .
hib9 + R9 1 + gm9 R9 1 + 40 . 6 . 10-6 . 22 . 103

Gmd1 = 120 (A/V) . 0,84 = 100 A/V

Como se apunto oportunamente en el prrafo 6.2 la transconductancia diferencial de la primera etapa


del Op.Amp. no depende de la tensin de entrada de modo comn.

Segunda Etapa:

24
Mientras los potenciales de los nodos 9 y 10 son iguales y de signo contrario cuando la
excitacin es exclusivamente diferencial, los emisores de los transistores Q 25 y Q28 se encuentran
conectados a tierra para pequea seal (tierra virtual). Entonces la resistencia de entrada de la segunda
etapa resulta ser:

Ri2 = 2 [hie21 + (hfe21 + 1) . (hie25 // hie26)]

suponiendo que la resistencia que se observa en el colector de Q16 es mucho mayor que (hie25 // hie26).
Dado que hie25 = hie26
10 11 40
Ri2 = 2 [ + . ] = 1,3 M
-6 -6
40 . 4 . 10 2 40 . 10 . 10

Para hallar la resistencia de salida previamente determinaremos la resistencia vista desde los
colectores de Q17 y Q18 hacia arriba del circuito, que llamaremos Rup2 para luego hacer lo propio con la
parte inferior del circuito desde dichos colectores a la que llamaremos R down2. En el primer caso se trata
de sendos circuitos del tipo Re sin puentear por lo que

R17
Rup2 = roe17 . (1 + hfe17 . ) con RB17 = 0 , as
R17 + RB17 + hie17

9,3
Rup2 = 0,952 . 106 . ( 1 + 10 . ) = 0,952 . 106 . 5,38 = 5,1 M
9,3 + 0 + 11,9

Ahora mirando hacia abajo desde los colectores de Q25 y Q26

(a)

Donde RE25 es la resistencia equivalente de pequea seal que presenta el circuito conectado en el
emisor de Q25 . Suponiendo que la resistencia vista desde el colector de Q 29 es muy alta como para ser
despreciada, RE25 es la resistencia vista desde los emisores de Q26 y Q28. Mientras los colectores de Q27 y
Q28 estn conectados a masa para pequea seal (V CC), la resistencia vista entre cada uno de sus
emisores y masa es hib27 y hib28 = (1/gm28). Sin embargo para Q26 su determinacin resulta mucho mas
complicada por cuanto la resistencia conectada en su colector puede ser muy grande. Llamemos R in3 a
la resistencia de entrada de la tercer etapa en el nodo 26, entonces RE25 es

con re = hib = (1/gm) .

Si [Rin3(26) / gm26 ro26)] << re26 que se convierte en realidad debido al bajo valor de o(npn) aqu supuesto
entonces:

25
Sustituyendo este resultado en la ecuacin anterior (a):

Como resultado de ello la resistencia de salida de la segunda etapa vista hacia adentro del terminal 25
resulta

(b)

Llamemos Rin3(25) a la resistencia de entrada de la tercera etapa en su terminal 25. Si R in3(25) es


aproximadamente igual a Rin3(26) entonces el resultado al que llegamos en (b) tambin representa la
resistencia de salida de la segunda etapa desde su terminal 26 hacia dentro de la misma.

La figura 6.45 representa el circuito equivalente de la segunda etapa preparado para la


determinacin de la transconductancia de la misma. El resistor identificado como R up2 representa la
resistencia de pequea seal vista desde el colector de Q17 o de Q18 en el circuito de la figura 6.37.
Dicha resistencia fue calculada precedentemente y su resultado fue de 5 M cada una. Las resistencias
rotuladas como Rin3(25) y Rin3(26) como se dijo precedentemente representan las resistencias de entrada de
la tercera etapa en los terminales 25 y 26, respectivamente. Llamemos v 9, v10 y v25 a las diferencias de
potencial de pequea seal referidas a masa en los nodos 9, 10 y 25, respectivamente. Los emisores de
los transistores Q25 - Q28 se encuentran flotantes en la figura 6.45 por cuanto Q 29 en la figura 6.37 opera
como una fuente de corriente con una resistencia de salida mucho mas grande que la resistencia vista
hacia dentro de los emisores de Q25 - Q28 . Llamemos av21 y av22 a las ganancia de tensin de pequea
seal de los seguidores por emisor Q21 y Q22 en la figura 6.37 , respectivamente.

26
Cada seguidor de emisor tiene como carga R L = hie25//hie26 = hie27//hie28 = hie25/2 por lo que las
mencionadas ganancias de tensin de dichas etapas resultan:

(hfe21 + 1 ) .[ roe21 // (hie25/2)]


av21 = av22 = =
hie21 + [(hfe21 + 1 ) .[ roe21 // (hie25/2)]] +

av21 = av22 = 0,90

La transconductancia de la segunda etapa la definimos como

Por cuanto la tensin de modo comn de salida de la primera etapa se fija en un valor constante, tal
como se mostr en la figura 6.38 , v 9 = vod1/2 y v10 = - vod1/2 . donde vod1 es la tensin de modo
diferencial de salida de la primera etapa. Por simplicidad en la bsqueda de la transconductancia de
esta segunda etapa, asumiremos que v10 = 0 . Este cambio introduce una tensin de modo comn no
nula en la entrada de la segunda etapa. Sin embargo esta entrada de modo comn causa un muy
pequeo cambio en Gm2 debido a que la fuente de corriente Q29 de polarizacin de la segunda etapa
posee una muy elevada resistencia de salida. Imponiendo v 10 = 0 tambin reduce la tensin de entrada
diferencial a la segunda etapa a la mitad pero como el modelo de pequea seal es lineal ello se vera
compensado al considerar tambin la mitad de la corriente de salida i o y no cambia el valor de G m2.
Como resultado

Debido a la caracterstica de linealidad del circuito equivalente de pequea seal para la


determinacin de la corriente io es posible aplicar el teorema de superposicin. La figura 6.46 presenta
un circuito equivalente adecuado para la determinacin de la primera de las componentes de io.

27
Los terminales de base de los transistores Q25 y Q26 son excitados separadamente, y la base de Q26 se
halla conectada a masa de pequea seal en este paso en que se intenta determinar la primera de las
componentes io1 . Las resistencias conectadas al nodo 25 se han eliminado ya que la corriente i o1 circula
por ellas. Para hallar io1 el transistor Q25 responde a la configuracin tipo emisor comn con resistencia
de emisor sin puentear. La resistencia equivalente dinmica total conectada en el terminal de emisor de
Q25 en los clculos previos la hemos llamado R E25 = 0,85 K . A partir de las caractersticas de
transferencia de dicha configuracin amplificadora

La figura 6.47 presenta el circuito equivalente adecuado para la determinacin de la segunda de las
componentes de la corriente io en este segundo paso.

Aqu el terminal de base del transistor Q25 se encuentra conectado a masa de seal. Para
determinar la corriente de colector del transistor Q 26 que llamamos ic26 este transistor Q26 se presenta
como una nueva configuracin amplificadora tipo emisor comn con resistencia de emisor sin puentear.
La resistencia total y equivalente conectada en el nodo de emisor del transistor Q 26 que llamamos RE26
corresponde al paralelo de la resistencia de entrada de tres transistores Q27, Q28 y Q25 en configuracin
base comn por lo que.

RE26 = hib27 // hib28 // hib25 = hib25 / 3 = 0,85 K

Entonces la resistencia de salida por colector de Q26 dada dicha resistencia de emisor resulta ser

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Para hallar la corriente de colector de Q26 hay que considerar el divisor resistivo de corriente que se
observa conectado en el nodo de colector de dicho transistor, de modo que:

en donde se ha considerado que Rin3(26) << RC26 en la ultima aproximacin.

Debido a que los transistores Q25, Q27 y Q28 son tres transistores idnticos con sus terminales de
base conectados a masa, la corriente ic26 se divide en tres partes iguales de modo que la parte i o2 resulta
ser
io2 = - ic26 / 3 y como io = io1 + io2

La transconductancia as calculada se obtuvo tomando al nodo 25 como terminal de salida de la


segunda etapa. Para el circuito que considere como salida al nodo 26 esta misma transconductancia es
aplicable tanto como Rin3(26) = Rin3(25) . Cuando IC74 >> IC75 o IC74 << IC75 la polarizacin con
realimentacin o estabilizacin en la etapa de salida duplica esta transconductancia para la va de
excitacin de salida como se describi antes.

Etapa de Salida:

En la seccin 6.1 hemos adoptado como corriente de carga I L = 1 mA. En este caso el circuito
de polarizacin de la etapa de salida regula la corriente de colector del transistor Q 75 para que sea
siempre constante. Mientras Q75 es excitado por el seguidor de emisor Q68 , la corriente de base de Q68
debe permanecer constante bajo estas condiciones. Para describir este resultado consideraremos el
circuito de la figura 6.48 el cual presenta el circuito equivalente de pequea seal de la parte principal
de la segunda etapa mas la etapa diferencial Q39 Q40 proveniente del circuito de polarizacin que
controla a la etapa de salida.

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La salida de este modelo circuital son los terminales 25 y 26 que excitan las bases de los transistores
Q64 y Q68 en la figura 6.39.

Primero consideremos la segunda etapa. Los terminales de salida son excitados por un circuito
totalmente balanceado, y la carga conectada en los mismos en la tercer etapa tambin lo es. Por lo tanto
la corriente de pequea seal que fluye hacia los nodos 25 y 26, rotulada como corriente i en la figura
6.48 tiene igual valor en ambos terminales.

Ahora consideremos el par diferencial Q39 Q40 . Este par conforma una etapa de entrada de un
amplificador diferencial que opera dentro de un lazo de realimentacin negativa que mantiene I C75
siempre constante cuando IC74 >> IC75 , tal como se ha descripto con anterioridad. En la figura 6.48 la
base del transistor Q39 esta referida a masa de seal por cuando las corrientes de colector de los
transistores Q37 y Q38 en la figura 6.40 son constantes. Por otro lado la base del transistor Q 40 es
excitada por una diferencia de potencial de seal rotulada como v b40 aplicada entre dicha base y masa.
Mientras Q75 es excitada por Q68 manteniendo constante a la corriente IC75, lo cual significa que la
componente de corriente de seal en la base de Q 68, es decir ib68 debe ser nula aproximadamente. Por lo
tanto Q40 debe inyectar una corriente de seal i hacia el nodo 26 bajo estas condiciones tal como
muestra la figura 6.48. En razn de que la corriente total del par diferencial es constante, Q 39 debe
inyectar la misma corriente i al nodo 25. Este resultado duplica el valor de la corriente de pequea
seal en la base de Q64 , ib64, llevndolo a (2.i) , doblando efectivamente el valor de Gm2 para la salida
25 y haciendo cero a la transconductancia G m2 en la salida 26 cuando IC74 >> IC75 . Por lo tanto en el
estudio del comportamiento de la etapa de salida se pondr nfasis en la parte circuital que tiene como
entrada al nodo 25 . En el caso opuesto (es decir I C74 << IC75 ) la parte que tiene al terminal 26 como
entrada es la parte predominante. Cuando IC74 = IC75 ambos trayectos deben ser considerados.

Ignorando la resistencia vista hacia abajo del colector de Q39 , la resistencia de entrada de la
tercer etapa (figura 6.40) en el nodo 25 es:

Ri3(25) = hie64 + (hfe64 + 1 ) . RE64 (x)

En esta ecuacin RE64 es la resistencia dinmica presente en el emisor de Q64, la cual es

Similarmente, RE65 es la resistencia dinmica conectada en el terminal de emisor contra masa.


Ignorando la resistencia vista desde la base del transistor Q43 en la figura 6.40, RE65 es

hfe66 VT hfe74 VT
RE65 = R65 // hie66 // hie74 = R65 // [ ] // [ ]
IC66 IC74

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Dado que el rea de emisor del transistor Q74 es treinta y dos (32) veces mas grande que la del transistor
Q66:

con lo cual:

entonces:

con lo cual reemplazando en la ecuacin (x) y teniendo en cuenta adems que tal como se calculo
previamente IC64 = 4 A.

La resistencia de salida de este etapa

La transconductancia de esta etapa es:

Donde av64 y av65 son las ganancias de tensin de los seguidores de emisor Q64 y Q65, respectivamente.
Dado que ro64 >> RE64:

(hfe64 + 1 ) . RE64 41 . 3,5 . 103


av64 = = = 0,36
hie64 + [(hfe64 + 1 ) . RE64] + 41 . 3,5 . 103
Dado que ro65 >> RE65:

(hfe65 + 1 ) . RE65 11 . 200


av65 = = = 0,63
hie64 + [(hfe64 + 1 ) . RE64] + 11 . 200

En consecuencia:

Ganancia de lazo abierto del operacional:

La ganancia de tensin de la primera etapa cuando se encuentra cargada por la segunda:

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La ganancia de tensin de la segunda etapa cuando se encuentra cargado por la tercera:

En la ecuacin anterior la transconductancia Gm2 se ha multiplicado por dos (2) debido al efecto de la
polarizacin con realimentacin (estabilizacin) antes detallado. La ganancia de tensin de la tercera
etapa cuando la misma se encuentre cargada por una resistencia equivalente de carga RL = 2 K por la
que circula una corriente de 1 mA es:

Finalmente, la ganancia a lazo abierto del amplificador operacional tipo NE5234 resulta ser:

Esta ganancia es en realidad el mnimo valor de ganancia que pueda presentarse en estos
circuitos integrados en razn de que se ha tomado el mnimo valor de resistencia de carga RL bajo el
cual se aseguran todas las especificaciones del mismo, y adems en estos clculos se han empleado los
mnimos valores de tensiones de Early y ganancias de corriente de todos los transistores que puedan
aparecer en esta tecnologa y por lo tanto los valores tpicos de ganancia son mucho mayores.

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