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TECNOLOGA DE CLULAS
SOLARES DE SILICIO
CRISTALINO
AUTOR: JOS LO. BALENZATEGUI MANZANARES
: Quedan reservados todos los derechos. (Ley de Propiedad Intelectual del 17 de noviembre de 1987 y Reales Decretos).
Documentacin elaborada por el autor/a para EOI (entre otras entidades).
Prohibida la reproduccin total o parcial sin autorizacin escrita de EOI.
Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Contenido
1. Introduccin...................................................................................................................5
2. Clulas fotovoltaicas: clasificacin ................................................................................6
2.1. Efecto fotovoltaico: definicin ................................................................................6
2.2. Clasificacin de clulas ...........................................................................................7
2.2.1. Por los materiales empleados............................................................................7
2.2.2. Por la estructura interna de los materiales .........................................................8
2.2.3. Por la estructura del dispositivo ......................................................................10
2.2.4. Por el tipo de aplicacin .................................................................................12
3. Evolucin Histrica de las Clulas Fotovoltaicas .........................................................14
3.1. Los primeros dispositivos fotovoltaicos.................................................................14
3.2. Nacimiento de las clulas de Silicio.......................................................................16
3.3. Superando el diseo "espacial"..............................................................................19
3.4. Rompiendo la barrera de los lmites de eficiencia ..................................................20
3.5. Clulas de Silicio de alta eficiencia .......................................................................23
4. Tecnologas de Fabricacin de Si cristalino..................................................................26
4.1. Obtencin y purificacin del Silicio ......................................................................27
4.2. Tcnicas de Crecimiento de Lingotes ....................................................................30
4.2.1. Mtodo Czochralski .......................................................................................31
4.2.2. Mtodo de Zona Flotante................................................................................32
4.2.3. Mtodos de Colada.........................................................................................33
4.3. Fabricacin de las Obleas ......................................................................................35
4.3.1. Corte de los lingotes en obleas........................................................................35
4.3.2. Obleas por crecimiento directo de lminas de silicio.......................................37
4.4. Procesamiento convencional de las obleas.............................................................38
4.4.1. Limpieza y Decapado .....................................................................................38
4.4.2. Texturizacin .................................................................................................39
4.4.3. Formacin de la unin PN ..............................................................................39
5. Tecnologas de Clulas de Si cristalino Comerciales ....................................................41
5.1. Clulas convencionales por Serigrafa ...................................................................41
5.1.1. Formacin del contacto metlico posterior......................................................41
5.1.2. Campo superficial posterior............................................................................42
5.1.3. Formacin del contacto metlico frontal .........................................................42
5.1.4. Aislamiento de las zonas P y N.......................................................................43
5.1.5. Capas antirreflexivas ......................................................................................43
5.1.6. Medida y clasificacin....................................................................................44
5.2. Clulas de contactos enterrados.............................................................................44
6. Fabricacin de Mdulos de Si cristalino .......................................................................46
6.1. Principales caractersticas del mdulo ...................................................................46
6.2. Produccin del mdulo..........................................................................................47
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
1. Introduccin
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Conviene que nos detengamos brevemente a clasificar los distintos tipos de tecnologas
que actualmente se han desarrollado, tanto en fase experimental o de laboratorio como a nivel
comercial. Esto nos va a permitir tener una visin panormica a cerca de la diversidad de
tecnologas y soluciones existentes y situar en el lugar a adecuado los distintos temas que
forman parte del curso.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Figura 2. Curva de eficiencia obtenible en funcin del Figura 3.Respuesta espectral de distintos materiales
gap del semiconductor para distintos espectros solares. utilizados en clulas fotovoltaicas.
Figura 4. Esquema de la estructura atmica de un material (a) monocristalino (b) multicristalino y (c) amorfo.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Cuaderno de apuntes
Silicio multicristalino o policristalino?
Los trminos multi y policristalino se han usado indistintamente para referirse al mismo
tipo de estructura cristalina durante muchos aos (la correspondiente al Silicio con grandes
granos) creando una gran inercia en el lenguaje incluso entre los especialistas. Sin embargo,
con el desarrollo de los materiales policristalinos en lmina delgada no es consistente aplicar el
mismo trmino a materiales con diferencias en tamaos de grano de varios rdenes de
magnitud. Adems, el Silicio es el nico material de uso fotovoltaico que se produce con
estructura multicristalina en la actualidad. Por tanto, 'poli' debemos reservarlo para aquellos
materiales con tamaos de grano por debajo de 1mm, en los que el rendimiento est
claramente determinado por las fronteras de grano, y 'multi' para el Silicio con estructura de
grandes granos, donde las interfases entre granos juegan un papel secundario en el
rendimiento final.
La Tabla que mostramos a continuacin se refiere a esta diferenciacin en lo que respecta a
las distintas estructuras en que produce el Silicio, que podran englobarse todas bajo el
epgrafe general de Silicio cristalino (c-Si). Ya hemos mencionado que, en lo que concierne a
este captulo, nos vamos a centrar en las dos primeras categoras de la tabla.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Figura 5. Cuatro clulas de Silicio comerciales con distinto tipo de material base: a) clula de Si
monocristalino; b) clula de Si multicristalino; c) clula de Si multicristalino (APEX); d) submdulo de Si
amorfo (7 clulas conectadas en serie).
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Rejilla de contacto
n
GaInP2 p
Espejo o n
Clula 1
filtro p
GaAs
selectivo
p+
Substrato
Clula 2 (b)
(a)
Figura 6. Dos ejemplos de dispositivos tandem: (a) con separacin espectral mediante espejos o filtros
selectivos; (b) estructura de un tandem monoltico.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Apiladas mecnicamente: unas clulas no tienen contacto directo con otras ms que
a travs de un artificio de tipo mecnico que las mantiene unidas. Las clulas estn
unas sobre otras igual que en el caso anterior.
Con separacin espectral: se utilizan filtros o espejos que dividen la radiacin
incidente en dos partes con distinto contenido espectral, que son dirigidas a clulas
separadas especializadas en el rango de la radiacin parcial (ver figura 6a).
(b)
(a)
Figura 7. Representacin simplificada de (a) mdulo de concentracin, (b) panel plano para aplicaciones
terrestres.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Hemos tratado de abarcar con esta clasificacin la mayor parte de los dispositivos que
actualmente se encuentran de forma frecuente en laboratorios e industria. Pueden realizarse
otras clasificaciones alternativas, pero creemos que la presentada es suficientemente
aclaratoria y descriptiva.
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Figura 8. Diagrama esquemtico del aparato descrito Figura 9. Dispositivo usado por Adams & Day para sus
por Becquerel (1839) investigaciones del efecto fotoelctrico en el selenio (1876).
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una de las placas, pero no a la otra. El dispositivo, de unos 30 cm2 de rea, se completaba
presionando una hoja de oro sobre la superficie expuesta de Se (ver Figura 10). Fritts tuvo
adems la intuicin de reconocer el enorme potencial de los dispositivos fotovoltaicos como
una fuente de energa viable. Sin embargo, durante cerca de 50 aos no se registraron otros
indicios de actividad significativos sobre materiales o dispositivos de tipo fotovoltaico.
Figura 11. Una de las primeras clulas fotovoltaicas Figura 12. Estructura de los dispositivos ms eficientes
basadas en uniones Cu/Cu2O desarrollada por desarrollados en los aos 30 de nuestro siglo.
Grondahl-Geiger en 1927.
Estos desarrollos parecieron estimular una actividad creciente en este campo. Por ejemplo,
se volvi a retomar el inters en el Selenio como material fotovoltaico. As, L.Bergmann
describi dispositivos mejorados basados en el Se en 1931. Estos demostraron ser superiores a
los dispositivos basados en Cu y se convirtieron en el producto dominante a escala comercial.
En 1939, F.C. Nix y A.W.Treptwo presentaron una clula de sulfuro de Talio (Tl2S) de
rendimiento similar. La estructura de este dispositivo as como de los basados en Se y
Cu/Cu2O de esta poca tenan un aspecto similar al de la Figura 12.
1
Por accin rectificante se entiende la de aquellos dispositivos (los rectificadores) que permiten el paso de la
corriente en un sentido y presentan elevada resistencia a su paso en sentido contrario. Un ejemplo moderno de
rectificador son los diodos de unin p-n.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Figura 13. Primeras uniones p-n en Silicio: (a) Lingote fabricado por colada
mostrando la unin natural formada por segregacin de impurezas; (b) dispositivo
fotovoltaico cortado de forma perpendicular a la unin; (c) dispositivo cortado en
direccin paralela a la unin; (d) vista superior del dispostivo (c).
Figura 14. Una de las primeras clulas de Silicio Figura 15. Dispositivo fabricado en 1952 con la unin
(1941) con uniones creadas por segregacin de creada mediante bombardeo de iones de Helio.
impurezas a partir de la recristalizacin de silicio
fundido.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
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absorcin mucho menor que el SiO junto con un mejor acoplamiento ptico entre las clulas y
las cubiertas de vidrio con que se encapsulaban las clulas. Su espesor se ajust adems para
que fueran ms efectivas a longitudes de onda cortas, dando a la clula su aspecto violeta
caracterstico.
Figura 19. Clula "violeta" con unin superficial poco Figura 20. Clula "negra" (CNR) con superficie
profunda. texturizada qumicamente.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
SiN Aluminio
Iones positivos
SiO2 (2 nm)
zona de inversin
Si-p
Aluminio
En las etapas iniciales de desarrollo, los dispositivos MIS parecan presentar algunos
problemas de estabilidad a largo plazo. Un refinamiento posterior, incluyendo un capa de
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El efecto tnel es uno de los aportes destacados de la mecnica cuntica a la fsica moderna. De una forma
muy simple, podemos describirlo de la siguiente forma: la probabilidad de que un electrn con cierto nivel de
energa atraviese una barrera de potencial de valor energtico ms elevado suficientemente estrecha no es
nula. Esto se explica porque la funcin de onda asociada al electrn puede tener una amplitud mayor que la
anchura de dicha barrera. La analoga de la partcula atravesando una montaa por su parte inferior como a
travs de un tnel es totalmente acertada.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
tipo-n ligeramente dopada sobre la superficie del substrato, dio lugar a la estructura conocida
como MINP (clula de unin metal-aislante-NP, Figura 22), y fue la primera clula de Silicio
en alcanzar una eficiencia del 18%.
Para la pasivacin de la interfase metal/Silicio, tres tcnicas diferentes han demostrado su
aplicacin en dispositivos fotovoltaicos. Una de las primeras soluciones adoptadas consisti
en el uso de una regin altamente dopada en la interfase, tal como haba demostrado la
incorporacin del BSF como elemento de pasivacin del contacto posterior y mejora del
rendimiento. Otra aproximacin opta por la reduccin del rea de contacto entre el metal y el
Silicio. Una tercera, se basa en utilizar un esquema de contacto en el que el contacto presente
por s mismo una baja velocidad de recombinacin.
La clula MINP fue la primera en adoptar esta tercera solucin. La estructura MINP
incluye un grosor mucho ms fino de xido bajo los contactos metlicos frontales que en el
resto de la superficie, lo que contribuye a pasivar la interfase metal/Silicio. A pesar de que
esto complica el proceso de produccin, fue necesario para obtener el mximo rendimiento de
la clula. El contacto frontal estaba formado por una capa mltiple de Ti/Pd/Al. El uso de una
doble capa antireflexiva evitaba tener que recurrir a la texturizacin de la superficie, ya que la
pasivacin de una superficie texturada es ms dificultosa que para una superficie plana.
Probablemente, el avance ms importante de estas estructuras MIS/MINP se tradujo en el
aumento de los valores de Voc, como hemos mencionado, debido al cuidado en reducir la
recombinacin tanto en la superficie como en el volumen de la clula.
Figura 22. Estructura de la clula MINP. Figura 23. Estructura de la clula PESC.
El siguiente paso significativo, siguiendo el mismo esquema de trabajo vino con la clula
de emisor pasivado (passivated emitter solar cell, PESC), en 1984. Su estructura, que se
muestra en la Figura 23, es muy similar a la de la clula MINP, y de hecho el cambio
introducido es muy pequeo en cuanto a su tecnologa, pero muy significativo en cuanto a
rendimiento. La modificacin consisti en realizar el contacto metlico directamente, a travs
de unas estrechas ranuras practicadas en la capa de xido. As, la pasivacin de la interfase se
produce por reduccin del rea de contacto (la superficie de contacto es inferior al 1% de la
superficie total, sin reducir la seccin total del conductor metlico). Otras caractersticas
destacadas de esta clula son el uso de una metalizacin convencional Ti/Pd/Ag por
evaporacin en vaco, un contacto posterior de aleacin de aluminio (para la formacin del
BSF), un emisor formado por difusin de fsforo no excesivamente dopado y dedos de
metalizacin menos espaciados (lo que permite eficiencias de coleccin muy altas sin
incrementar las prdidas resistivas laterales) y el uso de una capa AR doble (ZnS/MgF2).
Con una superficie plana y una doble capa AR, la PESC demostr un 19% de eficiencia.
Una mejora posterior, incluyendo la formacin de facetas en la superficie (micro-ranuras en
forma de V, como las de la Figura 24) para mejorar el atrapamiento de la luz, permiti
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
alcanzar, en octubre de 1985, un rendimiento del 20.1% con una de estas clulas PESC (ver su
estructura en la Figura 25), que aument con otros refinamientos, hasta el 20.6% en 1986.
Esta era la primera vez que una clula de Silicio sin concentracin superaba la barrera del
20% de eficiencia. El camino hacia valores de eficiencia ms elevados estaba abierto.
Figura 24. Microfotografa realizada por SEM de una Figura 25. Clula PESC con microsurcos, la primera
estructura en microsurcos para su aplicacin en clulas. clula de Si en superar el 20% de eficiencia en 1985.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
forma de puntos de contacto (ver la Figura 26), los estrictamente necesarios para extraer la
corriente elctrica, por lo cual el factor de recubrimiento en la superficie es nulo. As, la cara
frontal puede ser diseada para optimizar las propiedades pticas de la clula mientras que la
cara posterior puede tener caractersticas que proporcionen buenas propiedades elctricas.
Esto impone unos requisitos bastante ms severos en cuanto a la calidad del material de la
oblea base y a la pasivacin de las superficies que en diseos anteriores. Como buena parte de
los portadores se generan en unas pocas micras de profundidad desde la superficie, sus
longitudes de difusin deben exceder varias veces el espesor de la clula para tener una alta
probabilidad de ser recolectados. La dificultad que entraaba su fabricacin ha sido reducida
notablemente al simplificar el diseo de estos contactos haciendo que los dedos bajo los que
se forman los contactos puntuales cubran toda la superficie posterior en forma interdigitada.
Combinando los avances de la clula PESC y el concepto de la pasivacin de ambas
superficies con las tcnicas de proceso y aspectos significativos del diseo de contactos
puntuales de la clula anterior, la Universidad de Nueva Gales del Sur (UNSW, Australia)
desarrollo un dispositivo ms eficiente, la clula PERL (Passivated Emitter, Rear Locally
Diffused), cuya estructura se muestra en la Figura 27.
Figura 27. Estructura de la clula PERL, la ms Figura 28. Microfotografa que muestra un contacto roto
eficiente de las clulas actuales. en la superficie de una clula PERL.
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56 M. A. GREEN ET AL.
Table I. Conrmed terrestrial cell and submodule efciencies measured under the global AM 15 spectrum (1000 Wm 2) at
25 C
Classicationa Efc.b Areac Voc Jsc FFd Test centree Description
(%) (cm2) (V) (mA/cm2) (%) (and date)
Silicon
Si (crystalline) 247 05 400 (da) 0706 422 828 Sandia (3/99) UNSW PERL6
Si (multicrystalline) 198 05 109 (ap) 0654 381 795 Sandia (2/98) UNSW/Eurosolare6
Si (thin-lm transfer) 166 04 4017 (ap) 0645 328 782 FhG-ISE (7/01) U. Stuttgart (45 mm thick)7
Si (thin-lm submodule) 725 02 478 (ap) 2136 0525 646 Sandia (7/01) Pacic Solar (2 mm on glass)8
III-V cells
GaAs (crystalline) 251 08 391 (t) 1022 282 871 NREL (3/90) Kopin, AlGaAs window
GaAs (thin lm) 233 07 400 (ap) 1011 276 838 NREL (4/90) Kopin, 5 mm CLEFT9
GaAs (multicrystalline) 182 05 4011 (t) 0994 230 797 NREL (11/95) RTI, Ge substrate10
InP (crystalline) 219 07 402 (t) 0878 293 854 NREL (4/90) Spire, epitaxial11
Polycrystalline thin lm
CIGS (cell) 184 05f 104 (t) 0669 357 770 NREL (2/01) NREL, CIGS on glass12
CIGS (submodule) 166 04 160 (ap) 2643 835 751 FhG-ISE (3/00) U. Uppsala, 4 serial cells13
CdTe (cell) 165 05f 1132 (ap) 0845 267 755 NREL (9/01) NREL, mesa on glass
CdTe (submodule) 106 03 638 (ap) 6565 226 714 NREL (2/95) ANTEC14
Amorphous/microcrystalline Si
Si (nanocrystalline) 101 02 1199 (ap) 0539 244 766 JQA (12/97) Kaneka (2 mm on glass)15
Photochemical
Nanocrystalline dye 65 03 16 (ap) 0769 134 630 FhG-ISE (1/97) INAP
Nanocrystalline dye 47 02 1414 (ap) 0795 113 592 FhG-ISE (2/98) INAP
(submodule)
Multijunction cells
GaInP/GaAs 303 40 (t) 2488 1422 856 JQA (4/96) Japan Energy (monolithic)16
GaInP/GaAs/Ge 287 14 2993 (t) 2571 1295 862 NREL (9/99) Spectrolab (monolithic)
GaAs/CIS (thin lm) 258 13 400 (t) NREL (11/89) Kopin/Boeing (4 terminal)
a-Si/CIGS (thin lm)g 146 07 240 (ap) NREL (6/88) ARCO (4 terminal)17
a
CIGS CuInGaSe2; a-Si amorphous silicon/hydrogen alloy.
b
Efc. efciency.
c
(ap) aperture area; (t) total area; (da) designated illumination area.
d
FF ll factor.
e
FhG-ISE Fraunhofer-Insitut fur Solare Energiesysteme; JQA Japan Quality Assurance.
f
Not measured at external laboratory.
g
Unstabilised results.
Table II. Conrmed terrestrial module efciencies measured under the global AM 15 spectrum (1000 W m 2) at a cell
temperature of 25 C.
Classicationa Efc.b Areac Voc Isc FFd Test centre Description
(%) (cm2) (V) (A) (%) (and date)
Si (crystalline) 227 06 778 (da) 560 393 803 Sandia (9/96) UNSW/Gochermann18
Si (multicrystalline) 153 04 1017 (ap) 146 136 786 Sandia (10/94) Sandia/HEM19
CIGSS 121 06 3651 (ap) 2342 283 679 NREL (3/99) Siemens Solar20
CdTe 107 05 4874 (ap) 2621 3205 623 NREL (4/00) BP Solarex21
a-Si/a-SiGe/a-SiGe (tandem)e 104 05 905 (ap) 4353 3285 660 NREL (10/98) USSC (a-Si/a-Si/a-Si:Ge)22
a
CIGSS CuInGaSSe; a-Si amorphous silicon/hydrogen alloy; a-SiGe amorphous silicon/germanium/hydrogen alloy.
b
Efc. efciency.
c
(ap) aperture area; (da) designated illumination area.
d
FF ll factor.
e
Light-soaked at NREL for 1000 h at 50 C, nominally 1-sun illumination.
Copyright # 2002 John Wiley & Sons, Ltd. Prog. Photovolt: Res. Appl. 2002; 10:5561
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
multi-Si
43.9%
a-Si
7.6%
a-Si Indoor
4.3%
CdTe
0.6%
Si cinta
2.1%
Conc.
mono-Si a-Si/Cz LCS-Si 0.2%
36.3% 4.0% 1.0%
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Nos dedicaremos por tanto a analizar en primer lugar cmo se obtiene la materia prima, el
Silicio, y cmo se producen las obleas, el dispositivo bsico y primario para la fabricacin de
las clulas. Revisaremos despus cmo a partir de estas obleas se producen las clulas
fotovoltaicas y cmo stas se agrupan de forma prctica en mdulos. El alumno no debe
olvidarse, sin embargo y an a costa de ser reiterativo, que para tener una visin global de la
tecnologa fotovoltaica actual debe completar este estudio con los de los temas siguientes. El
diagrama de la Figura 30 resume el esquema de trabajo que vamos a seguir.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Para tener unas cifras de referencia, diremos que la producin mundial de Silicio metlico fue
de unas 910000 toneladas en el ao 2000, de las que la industria del Aluminio consumi
alrededor del 47% y el sector qumico cerca del 44%. La mayor parte del resto del Si metlico
atiende la demanda del sector de la microelectrnica. El precio de comercializacin de este
Silicio fue de alrededor de unos 0.50 $/pd. A nivel industrial existe un tipo de Silicio, el
ferrosilicio, con purezas entre el 55% y el 80%, que se destina principalmente a la industria
del hierro y el acero. El consumo mundial de este ferrosilicio en el 2000 equivale a
aproximadamente 1.8 Mton de Silicio.
El grado de pureza (99%) del Si metlico es sin embargo insuficiente para las aplicaciones
electrnicas y solares. La industria electrnica purifica pues este silicio de grado metalrgico
mediante el proceso que esquematiza la Figura 32, hasta obtener el llamado silicio de grado
semiconductor. Su grado de pureza es muy elevado (Silicio en un 99.9999999%, nueve
'nueves'), pero tiene un coste de produccin tambin elevado. Este silicio tiene forma de
guijarros y una estructura policristalina, por lo que se denomina a veces como silicio
policristalino o polisilicio.
El proceso arranca mediante la hidrocloracin del Silicio metalrgico mediante su
exposicin a HCl gaseoso a una temperatura de unos 300C, hasta obtener triclorosilano:
Si + 3HCl SiHCl3 + H2
El triclorosilano es lquido a temperatura ambiente y hierve a 31.7 C. Muchas impurezas
en l contenidas tienen puntos de ebullicin ms elevados, lo que permite someterlo a un
proceso fraccionado de destilacin hasta que el contenido en impurezas activas elctricamente
en el SiHCl3 est por debajo de 1 ppb. Finalmente, el triclorosilano puro se reduce mezclado
con hidrgeno mediante una reaccin inversa a la anterior. En este proceso, unas barras de
Silicio calentadas elctricamente a temperaturas elevadas (900-1100C) se exponen a la
mezcla gaseosa de triclorosilano/hidrgeno, en cuya superficie reaccionan, de forma que el
Silicio, con estructura policristalina, se va depositando sobre las barras, aumentando su
seccin. La velocidad de deposicin es bastante lenta (< 1mm/h). Cuando las barras han
alcanzado el grosor requerido, el proceso se detiene y las barras se fracturan mecnicamente
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
en trozos, manteniendo su altsima pureza (ver Figura 33). Estos trozos o guijarros son el
punto de partida para el crecimiento posterior de los lingotes.
Cuarcita + Coque
Reduccin carbotrmica
Si grado metalrgico
Hidrocloracin
SiHCl3 + impurezas
Destilacin
SiHCl3 puro
Descomposicin trmica
Si grado semiconductor
Figura 32. Proceso esquemtico de obtencin del Si de grado
semiconductor.
Hasta hace muy pocos aos, la industria fotovoltaica se ha ido nutriendo del silicio que
produca la industria microelectrnica en forma de obleas, suponiendo un porcentaje muy
significativo de su produccin. Es ms, la industria fotovoltaica es capaz de utilizar de forma
eficiente el material que la industria microelectrnica rechaza por no alcanzar los requisitos
tan elevados de pureza. Para su utilizacin efectiva en el campo fotovoltaico, es suficiente que
la pureza del silicio alcance valores de concentracin de impurezas activas del orden de 1
ppm. Esta dependencia de la industria microelectrnica no sin embargo es sostenible en un
marco en el que la industria fotovoltaica ha alcanzado un grado de desarrollo y produccin
muy elevados. Como alternativa a esta dependencia surgieron dos vas de trabajo distintas
enfocadas, por un lado, a producir silicio de pureza suficiente pero a un coste menor, y por
otro, al uso de material con estructura multicristalina. Esta segunda va la estudiaremos en el
siguiente apartado.
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Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
As, con el objetivo aadido de reducir los altos costes de fabricacin del silicio
microelectrnico, se han desarrollado procesos de purificacin especiales, ms simples, para
obtener el llamado silicio de grado solar. La Figura 34 muestra un esquema de tres de estos
procesos de purificacin que producen un silicio casi tan puro como el de grado
semiconductor, pero ms barato que este y apto para la fabricacin de clulas solares.
Describiremos resumidamente el proceso de produccin explotado en estas tres vas:
El primero parte del silicio de grado metalrgico al que se somete a un proceso de
decantacin del silicio fundido (extraccin lquido-lquido), con lo que se obtiene un
silicio prerefinado. Otro de los procesos obtiene este silicio prerefinado a partir de la
reduccin alumino-trmica de arena de cuarzo. A esto le sigue en ambos una
pulverizacin del silicio y un lavado con cidos (extraccin slido-lquido), y un soplado
de gases reactivos a travs del silicio nuevamente fundido (extraccin lquido gas).
El tercer proceso obtiene el silicio por medio de la reaccin del SiO2 con carbono, como
en el convencional. Sin embargo, ambos productos se purifican previamente, con lo que
se obtiene desde el principio un silicio bastante puro.
30
Tecnologa de Clulas de Si Cristalino
Con este mtodo se produce silicio monocristalino en forma de lingotes cilndricos (ver
Figura 35), con calidad suficiente para la mayor parte de los dispositivos electrnicos (
100 s). El proceso se esquematiza en la Figura 36. El silicio de grado microelectrnico se
funde en un crisol de cuarzo, que a su vez se coloca dentro de un susceptor de grafito, junto
con los dopantes en la proporcin adecuada. Una semilla refrigerada de silicio monocristalino
en forma de varilla se pone en contacto con su superficie y se eleva y se hace rotar lentamente
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Figura 36. Esquema del mtodo Czochralski para la Figura 37. Mtodo de Zona Flotante para la fabricacin
fabricacin de lingotes de Si cristalino. de lingotes de Si cristalino.
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denominaciones comerciales para estos materiales (Silso, Basix, Eurosil, Polix, etc) derivadas
de las modificaciones que cada fabricante introduce en el proceso de fabricacin.
Las clulas fabricadas con este material pueden alcanzar rendimientos en torno al 8085%
respecto a las producidas con CZ. Pero la facilidad de producir clulas perfectamente
cuadradas o rectangulares consiguen enmascarar bastante esa diferencia, puesto que el factor
de empaquetamiento en el mdulo es ms alto que con clulas pseudo-cuadradas. Como
resultado, muchos mdulos comerciales de Si multicristalino consiguen rendimientos finales
comparables a los demostrados con clulas monocristalinas CZ.
El mtodo ms bsico (Figura 39) consiste en verter polisilicio fundido en un molde de
grafito sobre un crisol de cuarzo, controlando el enfriamiento del crisol para obtener su
solidificacin. En este caso, no se produce segregacin de impurezas y la interaccin con el
crisol es inevitable. El bloque de Silicio, que puede alcanzar dimensiones de 60 cm 60 cm
20 cm y pesos de 250 kg (como el de la Figura 40) es luego separado del molde y cortado en
bloques ms pequeos, con secciones de entre 1010 cm2 a 2020cm2.
58 cm
20 cm
Figura 39. Uno de los mtodos de colada para la fabricacin Figura 40. Bloque de Silicio multicristalino
de lingotes de Silicio. producido con el mtodo HEM.
Existen sin embargo refinamientos sobre este mtodo bsico que consiguen material de
mejor calidad. Describiremos brevemente alguno de estos procesos.
Solidificacin Direccional (DS).
El Silicio se introduce en un crisol recubierto por SiN dentro del horno de cristalizacin.
Despus de una purga la cmara por evacuacin e insercin de un gas inerte, comienza
la cristalizacin, que abarca tres fases principales. Se comienza por la fundicin del
Silicio y despus se procede a un enfriamiento muy controlado mediante el descenso del
crisol verticalmente fuera de la zona de calentamiento del horno. De esta forma, se
produce una interfase slido/lquido horizontal que va desplazndose paulatinamente
hacia la superficie del bloque, de forma que se favorece la segregacin de impurezas
metlicas. El proceso completo puede durar unas 60 horas, con velocidades de solidifi-
cacin de unos 12 mm/hr. Tras la cristalizacin, el crisol se elimina para extraer el
bloque, y se procede al corte de la cara superior, donde se concentran las impurezas
segregadas, y de los bordes del bloque, que por el contacto con el crisol presentan altas
concentraciones de Oxgeno. Las principales limitaciones del mtodo provienen de la
larga duracin del ciclo y del uso de consumibles que deben desecharse, como el crisol.
Heat Exchanger Method (HEM)
En este mtodo el gradiente de temperatura no se controla mediante el movimiento del
crisol o de los elementos calefactores, sino que se utiliza un intercambiador de calor para
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someter al bloque cristalino a un recocido uniforme en la misma vasija del horno, tras
haber reducido la temperatura en el horno justo por debajo de la temperatura de
solidificacin. El proceso es adems asistido mediante una semilla monocristalina
refrigerada que favorece el crecimiento adecuado del cristal. El crecimiento de la
interfase slido/lquido se produce en tres dimensiones en lugar de ocurrir en un plano
como en el mtodo DS, estando la fase slida sumergida. Con estas condiciones, se
minimizan las perturbaciones trmicas y mecnicas y se promueve un crecimiento
uniforme del cristal, dando lugar a un menor nmero de defectos y dislocaciones.
Electromagnetic Continuous Pulling (EMCP)
El mtodo EMCP permite la solidificacin continua del Silicio a una velocidad de
crecimiento de 120 mm/hr, diez veces superior a la del mtodo DS. Se comienza
fundiendo una pequea cantidad de Silicio en la parte superior de un crisol especial
fragmentado en secciones. La base de este crisol la forma un mbolo de grafito que,
durante el proceso de cristalizacin acta tirando del bloque hacia abajo, mientras se
alimenta de forma continuada la parte superior del crisol con Silicio granulado. En la
zona alta del crisol, una vez que se ha producido el fundido inicial, comienzan a actuar
unas bobinas inductoras de media frecuencia que no solo calientan el Silicio lquido,
sino que crean un campo electromagntico que confina el lquido y evita que entre en
contacto con las paredes del crisol. Los segmentos inferiores del crisol estn refrigerados
por agua, lo que hace que el cristal vaya solidificando mientras el mbolo tira lentamente
del mismo. Los lingotes producidos con esta tcnica tienen secciones de 1313cm2 de
seccin y una longitud de unos 60 cm.
Cada fabricante introduce sus propias modificaciones en estos procesos, pero los principios
generales de crecimiento son muy similares.
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Figura 41. El lingote se somete a un pulido superficial Figura 42. El lingote es cortado en obleas tratando de
para eliminar defectos. aprovechar al mximo la seccin del mismo.
(a) (b)
Figura 43. Tcnicas para el corte de lingotes empleando (a) sierras de dimetro interno y (b) sierras multihilo.
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(a) (b)
Figura 46. Crecimiento de Si por epitaxia en fase lquida: (a) crecimiento inicial de cristales, (b) crecimiento de
pelculas a partir de los centros de nucleacin.
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posteriores (como los texturizados o las metalizaciones, que requieren superficies lisas). El
decapado se realiza por inmersin en una disolucin acuosa de NaOH al 30%, a 90C.
4.4.2. Texturizacin
La texturizacin consiste en la creacin sobre la superficie frontal de la oblea unas
micropirmides que permiten que parte de la luz reflejada vuelva a incidir de nuevo en el
silicio, reduciendo la reflectividad de la superficie del 30% hasta valores del 10%, tal como
muestra la Figura 47. El silicio debe ser monocristalino y con orientacin cristalina (100). Las
micropirmides se forman por un ataque qumico selectivo (en una disolucin acuosa de
NaOH o KOH al 2%, a 90C) que deja al descubierto los planos (111).
Los procesos de decapado y texturizacin dejan la superficie de la oblea oxidada (SiO2).
Estos xidos se limpian por inmersin en HF diluido, dejando la superficie totalmente limpia
para la difusin. Los iones de HF adheridos se eliminan con un aclarado en agua desionizada,
y se procede a un secado rpido para evitar la re-oxidacin.
Figura 47. Diagrama de las micropirmides formadas en la superficie mediante el texturizado y esquema de
las reflexiones en sus caras.
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Una vez depositado el fsforo en la superficie, hay que introducirlo en el interior de la red
de silicio. Para ello se introducen las obleas con el fsforo en su superficie en hornos a alta
temperatura (de 900 a 1000) y, por la diferencia de concentracin de fsforo entre la
superficie y el resto de la oblea, se produce la difusin de este hacia el interior. Los tomos de
fsforo se introducen en la red cristalina del silicio, reemplazando a sus tomos. Los hornos
utilizados pueden ser hornos de cinta, en el que las obleas se colocan horizontalmente en una
cinta transportadora metlica, o bien hornos de cuarzo, en los que las obleas se colocan en
barquillas de cuarzo en posicin vertical.
Finalmente, puede ser necesaria una nueva secuencia de limpieza para eliminar los restos
de la difusin (normalmente xidos), dependiendo del tipo de fuente usada y de las tcnicas
de predeposicin y difusin.
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Hasta aqu, el procesamiento de las obleas o clulas es comn a todas las tecnologas
industriales en vigor. La oblea (bien producida por lingotes, bien crecida en lminas y
posteriormente cortada) ha pasado por los procesos de limpieza, texturizacin, y difusin. El
orden exacto de todos estos pasos, y los que vamos a describir a continuacin, puede diferir
de un fabricante a otro, pero son comunes a todos ellos.
Antes de proseguir, conviene hacer unas pequeas precisiones a cerca del estado
tecnolgico actual. Es evidente que, entre las eficiencias obtenidas por dispositivos de
laboratorio y las de las clulas comerciales, existe un salto muy significativo. La razn
principal para ello proviene del rea final de los dispositivos y el requisito bsico de obtener
dispositivos de bajo coste de produccin. Esto implica tener tecnologas de fabricacin en
serie adaptadas a esos tamaos de dispositivo que sean simples, con una capacidad de
produccin elevada y con muy pocas prdidas (elevado rendimiento). El rea de las clulas
comerciales tiende a ser grande (actualmente entre los 100 y los 150 cm2) por la necesidad de
producir dispositivos con un rendimiento razonable al menor coste posible por unidad de
potencia (de generacin). Y est limitada por el incremento que se producira en trminos de
prdidas resistivas con substratos mucho mayores.
Las tecnologas basadas en el Silicio mono y multicristalino han dominado el mercado
durante ms de una dcada en conjuncin con la formacin por serigrafa de los contactos
metlicos. Este dominio se est viendo actualmente limitado o presionado por otras
tecnologas que o bien utilizan otros procesos para la formacin de los contactos, o bien
utilizan sustratos de menor coste (tecnologas de cinta). Sin embargo, las perspectivas son que
durante los prximos aos seguir siendo la tecnologa dominante.
Vamos a describir las dos tecnologas actuales de mayor peso comercial, que difieren
esencialmente en el proceso de formacin de los contactos metlicos.
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A esta temperatura, el frit se funde disolviendo parte del silicio y adhirindose a ste. Los
hornos ms adecuados son los de infrarrojos porque calientan uniformemente la oblea.
La forma o diseo del contacto posterior no es crtico, pudiendo ser una capa continua de
metal o presentar un enrejillado para ahorrar pasta. El nico requisito que se le exige es su
baja resistencia elctrica para no limitar la eficiencia final de la clula.
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Vidrio. no=1.5
n nSi
Capa AR. n=? =
no n
Silicio. nSi=3.6
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realiza por inmersin en distintos baos qumicos. Los bordes de la clula se atacan para
aislar las capas frontales y posteriores, como en el proceso convencional y se procede a su
medida y clasificacin dela misma forma.
La mayor innovacin en este proceso radica en la formacin de los surcos frontales y las
tcnicas de enmascaramiento con xido para permitir las difusiones y metalizaciones. En la
Figura 52 pueden apreciarse dos imgenes de los surcos y de la metalizacin del contacto
frontal en una de estas clulas. La anchura tpica de uno de estos surcos es de unas 20 micras.
(a) (b)
Figura 52. Vista de los contactos frontales realizados en las clulas BCSC. (a) vista transversal del surco tras la
primera capa metlica depositada; (b) vista superior tras la formacin del contacto completo, donde puede verse el
surco completamente lleno de metal.
Existen otras clulas en el mercado actual que se basan en el uso de sustratos producidos
por tcnicas alternativas, como el crecimiento en cintas o en lminas. El procesamiento final
de las mismas es sin embargo, muy similar al de las clulas convencionales, por lo que no
vamos a describirlo aqu. Otra tecnologa viable es la de las clulas MIS, que se han
producido a nivel comercial, pero actualmente se han dejado de producir y no est muy claro
si volver a retomar como tecnologa comercial en un futuro inmediato.
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Figura 53. Dos configuraciones posibles usando vidrio como material estructural del
mdulo en su parte frontal.
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(a)
+
(b)
Figura 54. Diagrama de conexin de las clulas dentro del mdulo fotovoltaico: (a) forma
de interconectar loscintas elctricas entre s, del positivo de una clula al negativo de la
siguiente; (b) conexin de las clulas en un circuito en serie.
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Figura 55. Imagen del proceso de fabricacin de un mdulo, en el que puede apreciarse
la estructura del laminado.
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disipando una potencia por calentamiento que puede llegar a destruir el mdulo. Cuando esto
sucede, el diodo correspondiente a las tiras donde se encuentra esa clula se polariza en directa
cortocircuitando esas tiras y desconectndolas del resto del circuito.
Finalmente se procede a medir los mdulos en condiciones estndar en un simulador solar,
clasificndolos de acuerdo con la potencia que alcanzan.
Diodos de bloqueo
_
+
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7. Resumen
8. Bibliografa
Para la realizacin de este estudio, se han manejado los siguientes documentos aunque
existen muchos otros donde pueden encontrarse descripciones ms detalladas o especficas:
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