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Apndice

Parmetros hbridos:
determinacin grfica y
ecuaciones de conversin
(exactas y aproximadas) A
A.1 DETERMINACIN GRFICA DE LOS PARMETROS h
Utilizando derivadas parciales (clculo) se puede demostrar que la magnitud de los parmetros
h para el circuito equivalente de seal pequea del transistor en la regin de operacin para la
configuracin en emisor comn se puede calcular aplicando las siguientes ecuaciones:*

`
0vi 0vbe vbe
hie = =  (ohms) (A.1)
0ii 0ib ib VCE = constante

`
0vi 0vbe vbe
hre = =  (sin unidades) (A.2)
0vo 0vce vce IB = constante

`
0io 0ic ic
hfe = =  (sin unidades) (A.3)
0ii 0ib ib VCE = constante

`
0io 0ic ic
hoe = =  (siemens) (A.4)
0vo 0vce vce IB = constante

En cada caso, el smbolo  se refiere a un pequeo cambio en esa cantidad alrededor del pun-
to de operacin quiescente. Es decir, los parmetros h se determinan en la regin de operacin
por la seal aplicada de modo que el circuito equivalente ser el ms preciso disponible. Los va-
lores constantes de VCE e IB en cada caso se refieren a una condicin que se debe cumplir cuan-
do los parmetros se determinan a partir de las caractersticas del transistor. Para las configura-
ciones en base comn y en emisor comn, la ecuacin correcta se obtiene sustituyendo
simplemente los valores apropiados de vi, vo, ii e io.
Los parmetros hie y hre se determinan a partir de las caractersticas de entrada o de base,
mientras que los parmetros hfe y hoe se obtienen a partir de las caractersticas de salida o de
colector. Como hfe en general es el parmetro de mayor inters, analizaremos primeramente pa-
ra este parmetro las operaciones implicadas con ecuaciones, como las ecuaciones (A.1) a (A.4).
El primer paso para determinar cualquiera de los cuatro parmetros hbridos es localizar el

* La derivada parcial viii proporciona una lectura del cambio instantneo en vi debido a un cambio instantneo en ii.

869
870 APNDICE A

Recta de carga
(constante)

Punto Q

FIG. A.1
Determinacin de hfe.

punto de operacin quiescente como se indica en la figura A.1. En la ecuacin (A.3) la condicin
VCE = constante requiere que los cambios en la corriente de base y en la corriente de colector
ocurran a lo largo de la lnea recta vertical trazada a travs del punto Q que representa un volta-
je fijo de colector a emisor. La ecuacin (A.3), por tanto, requiere que un pequeo cambio en la
corriente de colector se divida entre el cambio correspondiente en la corriente de base. Para una
precisin mxima, estos cambios debern hacerse lo ms pequeos posible.
En la figura A.1, el cambio de ib se elige para que abarque de IB1 a IB2 a lo largo de la lnea
recta perpendicular trazada en VCE. El cambio correspondiente de ic se encuentra luego al trazar
las lneas horizontales desde las intersecciones de IB1 y IB2 con VCE = constante hasta el eje
vertical. Lo que falta es sustituir los cambios resultantes de ib e ic en la ecuacin (A.3). Es decir,

12.7 - 1.72 mA
` `
ic
120 - 102 mA VCE = 8.4 V
hfe = =
ib VCE = constante
10-3
= = 100
10 * 10-6
En la figura A.2 se traza una lnea recta tangente a la curva IB a travs del punto Q para estable-
cer una lnea IB  constante como lo requiere la ecuacin (A.4) para hoe. Luego se selecciona un
cambio de vCE y el cambio correspondiente de iC se determina al trazar las lneas horizontales al
eje vertical en las intersecciones sobre la lnea constante  IB. Sustituyendo en la ecuacin (A.4),
obtenemos

Punto Q

(constante)

FIG. A.2
Determinacin de hoe.
12.2 - 2.12 mA APNDICE A 871
` `
ic
110 - 72 V IB = +15 mA
hoe = =
vce IB = constante
0.1 * 10-3
= = 33 MA/V  33 : 10-6 S  33 MS
3
Para determinar los parmetros hie y hre, primero se debe localizar el punto Q en la curva de
caractersticas de entrada o de base como se indica en la figura A.3. Para hie, se traza una lnea
tangente a la curva VCE  8.4 V a travs del punto Q para establecer una lnea VCE  constante
como lo requiere la ecuacin (A.1). Luego se selecciona un pequeo cambio en vbe y de ese
modo se obtiene un cambio de ib. Sustituyendo en la ecuacin (A.1), obtenemos
1733 - 7182 mV
` `
vbe
120 - 102 mA VCE = 8.4 V
hie = =
ib VCE = constante
15 * 10-3
= = 1.5 k
10 * 10-6

(constante)

Punto Q

FIG. A.3
Determinacin de hie.

El ltimo parmetro, hre, se encuentra trazando primero una lnea horizontal a travs del punto
Q en IB  15 mA. La opcin natural es seleccionar entonces un cambio de vCE y hallar el cam-
bio resultante en vBE como se muestra en la figura A.4.
Sustituyendo en la ecuacin (A.2), obtenemos

1733 - 7252 mV
`
vbe 8 * 10-3
= 4 : 104
120 - 02 V
hre = = =
vce IB = constante 20
Para el transistor cuyas caractersticas aparecen en las figuras A.1 a A.4, el circuito equiva-
lente de seal pequea hbrido resultante se muestra en la figura A.5.
Como ya antes lo mencionamos, los parmetros hbridos para las configuraciones en base
comn y en colector comn se determinan utilizando las mismas ecuaciones bsicas con las va-
riables y caractersticas apropiadas.
La tabla A.1 incluye los valores parmetros tpicos en cada una de las configuraciones de
la amplia variedad de transistores disponibles. El signo menos indica que en la ecuacin (A.3)
a medida que se incrementa la magnitud de una cantidad dentro del cambio seleccionado, la
magnitud de la otra se reduce.
872 APNDICE A

Punto Q
(constante)

FIG. A.4
Determinacin de hre.

FIG. A.5
Circuito equivalente hbrido completo para un transistor
cuyas caractersticas aparecen en las figuras A.1 a A.4.

TABLA A.1
Valores de parmetros tpicos para las configuraciones de transistores CE, CC y CB

Parmetro CE CC CB
hi 1 k 1 k 20
hr 2.5 * 10-4 1 3.0 * 10-4
hf 50 -50 - 0.98
ho 25 mA/V 25 mA/V 0.5 mA/V
1>ho 40 k 40 k 2 M
A.2 ECUACIONES DE CONVERSIN EXACTAS APNDICE A 873

Configuracin en emisor comn


hib
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hie = = hic

hib hob - hrb11 + hf b2


11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hre = = 1 - hrc

-hf b11 - hrb2 - hob hib


= - 11 + hfc2
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hfe =

hob
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hoe = = hoc

Configuracin en base comn


hie hic
11 + hfe211 - hre2 + hie hoe
hib = =
hic hoc - hfc hrc
hie hoe - hre11 + hfe2 hfc11 - hrc2 + hic hoc
11 + hfe211 - hre2 + hie hoe
hrb = =
hic hoc - hfc hrc
-hfe11 - hre2 - hie hoe hrc11 + hfc2 - hic hoc
11 + hfe211 - hre2 + hie hoe
hf b = =
hic hoc - hfc hrc
hoe hoc
11 + hfe211 - hre2 + hie hoe
hob = =
hic hoc - hfc hrc

Configuracin en colector comn


hib
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hic = = hie

1 + hf b
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hrc = = 1 - hre

= - 11 + hfe2
hrb - 1
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hfc =

hob
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hoc = = hoe

A.3 ECUACIONES DE CONVERSIN APROXIMADAS


Configuracin en emisor comn
hib
hie   bre
1 + hf b
hib hob
hre  - hrb
1 + hf b
-hf b
hfe  b
1 + hf b
hob
hoe 
1 + hf b
874 APNDICE A Configuracin en base comn
hie - hic
hib    re
1 + hfe hfc
hie hoe hic hoc
hrb  - hre  hrc - 1 -
1 + hfe hfc
- hfe 11 + hfc2
hf b   -  -a
1 + hfe hfc
hoe - hoc
hob  
1 + hfe hfc

Configuracin en colector comn


hib
hic   bre
1 + hf b
hrc  1
-1
hfc   -b
1 + hf b
hob
hoc 
1 + hf b
Apndice
Factor de rizo y
clculos de voltaje
B
B.1 FACTOR DE RIZO DE UN RECTIFICADOR
El factor de rizo de un voltaje se define como
valor rms del componente de ca de la seal
r =
valor promedio de la seal
la cual se puede expresar como
Vr 1rms2
r =
Vcd
Como la componente de voltaje de ca de una seal que contiene un nivel de cd es
vca = v - Vcd
el valor rms del componente de ca es
2p
Vr 1rms2 = c v2ca du d
1>2
1
2p L0
2p
= c 1v - Vcd22 du d
1>2
1
2p L0
2p
= c 1v2 - 2vVcd + V 2cd2 du d
1>2
1
2p L0
= 3V 21rms2 - 2V 2cd + V 2cd41>2
= 3V 21rms2 - V 2cd41>2
donde V(rms) es el valor rms del voltaje total. Para la seal rectificada de media onda,
Vr 1rms2 = 3V 21rms2 - V 2cd41>2

= ca b - a b d
Vm 2 Vm 2 1>2
2 p

= Vm c a b - a b d
1 2 1 2 1>2
2 p

Vr 1rms2 = 0.385Vm 1media onda2 (B.1)

875
876 APNDICE B Para la seal rectificada de onda completa
Vr 1rms2 = 3V 21rms2 - V 2cd41>2

= ca b - a b d
2
Vm 2Vm 2 1>2
12 p

= Vm a - 2b
1 4 1>2
2 p

Vr 1rms2 = 0.308Vm 1media onda2 (B.2)

B.2 VOLTAJE DE RIZO DEL FILTRO DE CAPACITOR


Suponiendo una aproximacin de la forma de onda del rizo triangular como se muestra en la
figura B.1, podemos escribir (vea la figura B.2)
Vr 1p-p2
Vcd = Vm - (B.3)
2
Durante la descarga del capacitor, el cambio de voltaje a travs de C es

Vr 1p-p2 =
IcdT2
(B.4)
C
Basados en la forma de onda triangular que aparece en la figura B.1,
Vr 1p-p2
Vr 1rms2 = (B.5)
2 13
(obtenida mediante clculos no mostrados).

vo
Vr (p-p)
Vr (rms) =
2 3 Forma de onda
triangular
aproximada

Vr (p-p)

Vm
Vcd

t
T1 T2
T
T 4
2

FIG. B.1
Voltaje de rizo triangular aproximado para un filtro de capacitor.

FIG. B.2
Voltaje de rizo.
Utilizando los detalles de la forma de onda de la figura B.1 se obtiene APNDICE B 877
Vr 1p-p2 Vm
=
T1 T>4
Vr 1p-p21T>42
T1 =
Vm
T T Vr 1p-p21T>42 2TVm - Vr 1p-p2T
Asimismo, T2 = - T1 = - =
2 2 Vm 4Vm
2Vm - Vr 1p-p2 T
T2 = (B.6)
Vm 4
Como la ecuacin (B.3) se puede escribir como
2Vm - Vr 1p-p2
Vcd =
2
podemos combinar la ltima ecuacin con la ecuacin (B.6) para obtener
Vcd T
T2 =
Vm 2
la cual, insertada en la ecuacin (B.4), da

Vr 1p-p2 = a b
Icd Vcd T
C Vm 2
1
T =
f

Vr 1p-p2 =
Icd Vcd
(B.7)
2 fC Vm
Combinando las ecuaciones (B.5) y (B.7), resolvemos para Vr (rms):

Vr 1p-p2
Vr 1rms2 =
Icd Vcd
= (B.8)
213 4 13 f C Vm

B.3 RELACIN DE Vcd Y Vm CON EL RIZO r


El voltaje de cd desarrollado a travs del capacitor de filtrado de un transformador que propor-
ciona un voltaje pico Vm se puede relacionar con el rizo como sigue:
Vr 1rms2 Vr 1p-p2
r = =
Vcd 2 13Vcd
Vr 1p-p2 Vr 1p-p2>2 Vr 1p2 Vm - Vcd
Vcd = = = =
213r 13r 13r 13r
Vm - Vcd = 13rVcd
Vm = 11 + 13r2Vcd

Vm
= 1 + 13r (B.9)
Vcd

La ecuacin (B.9) es vlida tanto para circuitos rectificadores con filtro de capacitor de media
onda como de onda completa y su grfica aparece en la figura B.3. Como un ejemplo, con rizo
de 5% el voltaje de cd es Vcd  0.92Vm o dentro del 10% del voltaje pico, mientras que con 20% de
rizo el voltaje de cd se reduce a slo 0.74Vm, el cual es ms que el 25% menos que el valor
pico. Observe que Vcd se encuentra dentro del 10% de Vm con rizo menor que 6.5%. Esta canti-
dad de rizo representa el lmite de la condicin de carga ligera.
878 APNDICE B Vcd /Vm =
1
1+ 3r
1.000

Carga ligera (Vcd dentro de 10% de Vm)

0.900

0.800

Vm Vcd
%r
0.700 Vcd Vm
0.5 1.009 0.991
1.0 1.017 0.983
2.0 1.035 0.967
0.600 2.5 1.043 0.958
3.5 1.060 0.943
5.0 1.087 0.920
7.5 1.130 0.885
10.0 1.173 0.852
15.0 1.260 0.794
20.0 1.346 0.743
25.0 1.433 0.698

0 5 10 15 20 25 %r
Carga ligera
(< 6.5%)

FIG. B.3
Grfica de Vcd/Vm como una funcin de %r.

B.4 RELACIN DE Vr (RMS) Y Vm CON EL RIZO r


Tambin podemos obtener una relacin que conecta Vr(rms), Vm, y la cantidad de rizo tanto
para circuitos de rectificador con filtro de capacitor de media onda como de onda completa
como sigue:
Vr 1p-p2
= Vm - Vcd
2

Vr 1p-p2>2 Vm - Vcd Vcd


= = 1 -
Vm Vm Vm
13Vr 1rms2 Vcd
= 1 -
Vm Vm
Utilizando la ecuacin (B.9), obtenemos
13Vr 1rms2 1
= 1 -
Vm 1 + 13r
Vr 1rms2 1 1 + 13r - 1
a1 - b = a b
1 1
=
Vm 13 1 + 13r 13 1 + 13r

Vr 1rms2 r
= (B.10)
Vm 1 + 13r

La ecuacin (B.10) se traza en una grfica en la figura B.4.


Como Vcd se encuentra dentro de 10% de Vm para un rizo  6.5%,

Vr 1rms2 Vr 1rms2
 = r 1carga ligera2
Vm Vcd
y podemos utilizar Vr(rms)/Vm  r para un rizo  6.5%
APNDICE B 879

Carga ligera

Carga ligera
(<6.5%)

FIG. B.4
Grfica de Vr(rms)Vm como una funcin de %r.

B.5 RELACIN QUE CONECTA EL NGULO DE CONDUCCIN,


EL PORCENTAJE DE RIZO, E Ipico/Icd PARA CIRCUITOS
DE RECTIFICADOR CON FILTRO DE CAPACITOR
Utilizando la figura B.1, podemos determinar el ngulo u1 al cual el diodo comienza a conducir
como sigue: Dado que
v = Vm sen u = Vm - Vr 1p-p2 con u = u1
Vr 1p-p2
tenemos u1 = sen-1 c 1 - d
Vm
Aplicando la ecuacin (B.10) y V r 1rms2 = V r 1p-p2>2 13 se obtiene
Vr 1p-p2 213Vr 1rms2
=
Vm Vm
Vr 1p-p2 2 13Vr 1rms2
= 1 - 2 13 a b
r
de modo que 1 - = 1 -
Vm Vm 1 + 13r
1 - 13r
=
1 + 13r

1 - 13r
y u1 = sen-1 (B.11)
1 + 13r
donde u1 es el ngulo al cual se inicia la conduccin.
Cuando la corriente se hace cero despus de que se cargan la impedancia en paralelo RL y C,
podemos determinar que
u2 = p - tan-1 vRLC
Podemos obtener una expresin para vRLC como sigue:
Vr 1rms2 1Icd>413 fC21Vcd>Vm2 Vcd>RL 1
r = = =
Vcd Vcd 4 13fC Vm

2p a b
1
Vcd>Vm 1 + 13r
= =
413fCRL 4 13vCRL
880 APNDICE B 2p 0.907
4 13 11 + 13r2r r 11 + 13r2
de modo que vRLC = =

Por lo tanto la conduccin cesa a un ngulo

0.907
(B.12)
11 + 13r2r
u2 = p - tan-1

Basados en la ecuacin (15.10b), podemos escribir


Ipico Ip
1onda completa2
T 180
= = =
Icd Icd T1 u

1media onda2
360
= (B.13)
u
En la figura B.5 se da una grfica de IpIcd como una funcin del rizo para operacin tanto de
media onda como de onda completa.

Ip /Icd
Onda completa Media onda
20 40
Ipico
c Icd Onda
%r
%r
2 1 Media onda completa
15 30 0.5 10.79 33.36 16.68
1.0 15.32 25.30 11.75
2.0 21.74 16.56 8.28
2.5 24.33 14.80 7.40
3.5 28.84 12.48 6.24
10 20 5.0 34.51 10.43 5.22
7.5 42.32 8.51 4.25
10.0 48.89 7.36 3.68
15.0 59.96 6.00 3.00
20.0 69.40 5.19 2.59
5 10 25.0 77.84 4.62 2.31

0
0 5 10 15 20 25 %r

1 3r 0.907
1 = sen 1 2 = tan1 c = 2 1
1+ 3r r (1 + 3 r)

FIG. B.5
Grfica de IpIcd contra %r para una operacin de media onda
y onda completa.
Apndice

Grficas y tablas
C
TABLA C.1
Alfabeto griego

Nombre Mayscula Minscula


alfa  a
beta  b
gamma g
delta d
psilon  e
zeta z
eta h
theta u
iota i
kappa
k
lambda l
mu m
nu  n
xi  j
omicron  o
pi p
rho  r
sigma s
tau  t
psilon  y
fi f
ji  x
psi c
omega v

881
882 APNDICE C TABLA C.2
Valores estndar de resistores comerciales

Ohms 12 Kilohms 1k2 Megohms 1M 2


0.10 1.0 10 100 1000 10 100 1.0 10.0
0.11 1.1 11 110 1100 11 110 1.1 11.0
0.12 1.2 12 120 1200 12 120 1.2 12.0
0.13 1.3 13 130 1300 13 130 1.3 13.0
0.15 1.5 15 150 1500 15 150 1.5 15.0
0.16 1.6 16 160 1600 16 160 1.6 16.0
0.18 1.8 18 180 1800 18 180 1.8 18.0
0.20 2.0 20 200 2000 20 200 2.0 20.0
0.22 2.2 22 220 2200 22 220 2.2 22.0
0.24 2.4 24 240 2400 24 240 2.4
0.27 2.7 27 270 2700 27 270 2.7
0.30 3.0 30 300 3000 30 300 3.0
0.33 3.3 33 330 3300 33 330 3.3
0.36 3.6 36 360 3600 36 360 3.6
0.39 3.9 39 390 3900 39 390 3.9
0.43 4.3 43 430 4300 43 430 4.3
0.47 4.7 47 470 4700 47 470 4.7
0.51 5.1 51 510 5100 51 510 5.1
0.56 5.6 56 560 5600 56 560 5.6
0.62 6.2 62 620 6200 62 620 6.2
0.68 6.8 68 680 6800 68 680 6.8
0.75 7.5 75 750 7500 75 750 7.5
0.82 8.2 82 820 8200 82 820 8.2
0.91 9.1 91 910 9100 91 910 9.1

TABLA C.3
Valores de capacitores tpicos

pF MF
10 100 1000 10,000 0.10 1.0 10 100 1000
12 120 1200
15 150 1500 15,000 0.15 1.5 18 180 1800
22 220 2200 22,000 0.22 2.2 22 220 2200
27 270 2700
33 330 3300 33,000 0.33 3.3 33 330 3300
39 390 3900
47 470 4700 47,000 0.47 4.7 47 470 4700
56 560 5600
68 680 6800 68,000 0.68 6.8
82 820 8200
Apndice
Soluciones a problemas
impares seleccionados
D
Captulo 1
5. 6.40 * 10-19 C
15. 7.197 mA
17. (a) 0.1 mA
19. 0.4 mA
21.75C: 1.1 V, 0.01 pA; 25C: 0.85 V, 1 pA; 125C: 1.1 V, 105 A
25. 325
27. - 10 V: 100 M; -30 V: 300 M
29. Rcd = 76 , rd = 3
31. 1 mA: 52 ; 15 mA: 1.73
33. 22.5
35. rd = 4
37. 0 V: 3.3 pF; 0.25 V: 9 pF
39. 0.2 V: 7.3 pF; -20 V: 0.9 pF
45. 0.1 mA: 700 ; 1.5 mA: 70 ; 20 mA: 6
47. 104C
49. 129.17C
51. 20 V: 0.06 %/C; 5 V: -0.025%/C
53. 0.3 mA: 400 ; 1 mA: 95 ; 10 mA: 13
55. 2.3 V
57. (a) 75 (b) 40

Captulo 2
1. (a) IDQ M 21.5 mA, VDQ M 0.92 V, VR = 7.08 V (b) IDQ M 22.2 mA, VDQ = 0.7 V,
VR = 7.3 V (c) IDQ = 24.24 mA, VDQ = 0 V, VR = 8 V
3. R = 0.62 k
5. (a) I = 0 mA (b) I = 0.965 A (c) I = 1 A
7. (a) Vo = 9.5 V (b) Vo = 7 V
9. (a) Vo1 = 11.3 V, Vo2 = 0.3 V (b) Vo1 = - 9 V, Vo2 = - 6.6 V
11. (a) Vo = 9.7 V, I = 9.7 mA (b) Vo = 14.6 V, I = 0.553 mA
13. Vo = 6.2 V, ID = 1.55 mA
15. Vo = 9.3 V
17. Vo = 10 V
19. Vo = - 0.7 V
21. Vo = 4.7 V

883
884 APNDICE D 23. vi: Vm = 6.98 V; vd: positivo mximo = 0.7 V, pico negativo = - 6.98 V; id: pulso
positivo de 2.85 mA
25. Pulso positivo, pico = 155.56 V, Vcd = 49.47 V
27. (a) IDmx = 20 mA (b) Imx = 36.71 mA (c) ID = 18.36 mA
(d) ID = 36.71 mA 7 IDmx = 20 mA
29. Forma de onda rectificada completa, pico = - 100 V; PIV = 100 V
31. Forma de onda rectificada completa, pico = 56.67 V; Vcd = 36.04 V
33. (a) Pulso positivo de 3.28 V (b) Pulso positivo de 14.3 V
35. (a) Recortado a 4.7 V (b) Recorte positivo a 0.7 V, pico negativo de 12 V
37. (a) Excursin de 0 V a 40 V (b) Excursin de 5 V a 35 V
39. (a) 28 ms (b) 56 : 1 (c) Excursin de 1.3 V a 21.3 V
41. Red de la figura 2.179 con la batera invertida
43. (a) Rs = 20 , VZ = 12 V (b) PZmx = 2.4 W
45. Rs = 0.5 k, IZM = 40 mA
47. Vo = 339.36 V

Captulo 3
3. Polarizado en directa y en inversa
9. IC = 7.921 mA, IB = 79.21 mA
11. VCB = 1 V: VBE = 800 mV
VCB = 10 V: VBE = 770 mV
VCB = 20 V: VBE = 750 mV
Slo ligeramente
13. (a) IC M 4.5 mA (b) IC M 4.5 mA (c) Despreciable (d) IC = IE
15. (a) IC = 3.992 mA (b) a = 0.993 (c) IE = 2 mA
17. Av = 50
21. (a) b cd = 117.65 (b) acd = 0.992 (c) ICEO = 0.3 mA (d) ICBO = 2.4 mA
23. (a) b cd = 83.75 (b) b cd = 170 (c) b cd = 113.33
25. b cd = 116, acd = 0.991, IE = 2.93 mA
31. IC = ICmx, VCB = 5 V
VCB = VCBmx, IC = 2 mA
IC = 4 mA, VCB = 7.5 V
VCB = 10 V, IC = 3 mA
33. IC = ICmx, VCE = 3.125 V
VCE = VCEmx, IC = 20.83 mA
IC = 100 mA, VCE = 6.25 V
VCE = 20 V, IC = 31.25 mA
35. hFE : IC = 0.1 mA, hFE  43
IC = 10 mA, hFE  98
hfe : IC = 0.1 mA, hfe  72
IC = 10 mA, hfe  160
37. IC = 1 mA, hfe  120
IC = 10 mA, hfe  160
39. (a) b ca = 190 (b) b cd = 201.7 (c) b ca = 200 (d) b cd = 230.77 (f) S

Captulo 4
1. (a) IBQ = 32.55 mA (b) ICQ = 2.93 mA (c) VCEQ = 8.09 V (d) VC = 8.09 V
(e) VB = 0.7 V (f) VE = 0 V
3. (a) IC = 3.98 mA (b) VCC = 15.96 V (c) b = 199 (d) RB = 763 k
5. (b) RB = 812 k (c) ICQ = 3.4 mA, VCEQ = 10.75 V (d) b cd = 136 (e) a = 0.992
(f) ICsat = 7 mA (h) PD = 36.55 mW (i) Ps = 71.92 mW ( j) PR = 35.37 mW
7. (a) RC = 2.2 k (b) RE = 1.2 k (c) RB = 356 k (d) VCE = 5.2 V (e) VB = 3.1 V
9. ICsat = 5.13 mA
11. (a) IC = 2.93 mA, VCE = 8.09 V (b) IC = 4.39 mA, VCE = 4.15 V
(c) %IC = 49.83%, %VCE = 48.70% (d) IC = 2.92 mA, VCE = 8.61 V
(e) IC = 3.93 mA, VCE = 4.67 V (f) %IC = 34.59%, %VCE = 46.76%
13. (a) IC = 1.28 mA (b) VE = 1.54 V (c) VB = 2.24 V (d) R1 = 39.4 k
15. ICsat = 3.49 mA
17. (a) IC = 2.28 mA (b) VCE = 8.2 V (c) IB = 19.02 mA (d) VE M 2.28 V APNDICE D 885
(e) VB = 2.98 V Mtodo aproximado vlido
19. (a) RC = 2.4 k, RE = 0.8 k (b) VE = 4 V (c) VB = 4.7 V (d) R2 = 5.84 k
(e) b cd = 129.8 (f) 103.84 k 7 58.4 k (comprobaciones)
21. I. (a) IC = 2.43 mA, VCE = 7.55 V (b) IC = 2.33 mA, VCE = 7.98 V
(c) Mtodo aproximado: %IC = 0%, %VCE = 0%
Mtodo exacto: %IC = 2.19%, %VCE = 2.68%
(d) %IC = 2.19% vs. 49.83% para el problema 11, %VCE = 2.68% vs. 49.70%
para el problema 11 (e) La configuracin de divisor de voltaje es menos sensible
II. %IC y %VCE son muy pequeos
23. (a) IC = 2.01 mA (b) VC = 17.54 V (c) VE = 3.02 V (d) VCE = 14.52 V
25. VC de 5.88 V a 8.31 V
27. (a) IB = 23.78 mA, IE = 2.88 mA, VE = - 2.54 V
29. (a) IE = 3.32 mA (b) VC = 4.02 V (c) VCE = 4.72 V
31. (a) IB = 13.04 mA (b) IC = 2.56 mA (c) b = 196.32 (d) VCE = 8V
33. RB = 430 k, RC = 1.6 k, RE = 390
35. RE = 1.1 k, RC = 1.6 k, R1 = 51 k, R2 = 15 k
37. I = 2 mA
39. I = 4.6 mA
41. IC  2.216 mA, VC  4.69 V, VCE  VC
43. IE  2.212 mA, VC  3.37 V
45. RC = 0.625 k, RB = 44.79 k
51. (a) VC  18 V (b) VCE se reduce
(c) VE se incrementa (d) VE  0.06 V
(e) abierto en el circuito de la base
53. (a) S(ICO) = 78.1 (b) S(VBE) = - 1.512 * 10-4 S (c) S(b) = 21.37 * 10-6 A
(d) IC = 1.33 mA
55. (a) S(ICO) = 83.69 (b) S(VBE) = - 1.477 * 10 - 4 S (c) S(b) = 4.83 * 10-6 A
(d) IC = 1.087 mA
57. (a) S(ICO) = 91, IC = 0.892 mA; S(VBE) = - 1.92 * 10-4 S, IC = 0.0384 mA;
S(b) = 32.56 * 10-6 A, IC = 0.7326 mA (b) S(ICO) = 11.08, IC = 0.109 mA;
S(VBE) = - 1.27 * 10-3 S, IC = 0.254 mA; S(b) = 2.41 * 10-6 A,
IC = 0.048 mA (c) La configuracin de divisor de voltaje es ms estable

Captulo 5
1. (a) 0 (b) Recorte (c) 80.4%
3. 1 kHz: XC = 15.92 ; 100 kHz: XC = 0.1592 ; S, mejor a 100 kHz
5. (a) 20 (b) 0.588 V (c) 58.8 (d) q (e) 0.98 (f) 10 mA
7. (a) 1.04 k (b) 24.69 mA (c) 77.67 (d) - 89.6
9. (a) Zi = 497.47 , Zo = 2.2 k (b) Av = - 264.74 (c) Zi = 497.47 , Zo = 1.98 k
(d) Av = - 238.27, Ai = 53.88
11. (a) IB = 23.85 mA, IE = 2.41 mA, re = 10.79 , IC = 2.38 mA (b) Zi = 1.08 k,
Zo = 4.3 k (c) Av = - 398.52 (d) Av = - 348.47
13. re = 20.625 , VCC = 30.68 V
15. (a) re = 5.34 (b) Zi = 118.37 k, Zo = 2.2 k (c) Av = - 1.81
(d) Zi = 105.95 k, Zo = 2.2 k, Av = - 1.81
17. (a) re = 5.34 (b) Zi = 746.17 , Zo = 2.2 k (c) Av = - 411.99
(d) Zi = 746.17 , Zo = 1.98 k, Av = - 370.79
19. (a) re = 8.72 , bre = 959.2 (b) Zi = 142.25 k, Zo = 8.69
21. (a) IB = 4.61 mA, IC = 0.922 mA (b) re = 28.05 (c) Zi = 7.03 k,
Zo = 27.66 (d) Av = 0.986
23. Av = 163.2
25. RC = 1.6 k, RF = 33.59 k, VCC = 5.28 V
27. (a) Zi = 0.62 k, Zo = 1.66 k (b) Av = - 209.82
29. Ai = 100
31. Ai = 125.76
33. Ai = 0.9868  1
35. Ai = 72.27
886 APNDICE D 37. (a) AvNL = - 326.22; RL = 4.7 k, AvL = - 191.65; RL = 2.2 k, AvL = - 130.49;
RL = 0.5 k, AvL = - 42.92 (b) sin cambio
39. (a) AvNL = - 557.36, Zi = 616.52 , Zo = 4.3 k (c) AvL = - 214.98, AvS = - 81.91
(d) Ais = 49.04 (e) AvS = - 120.12 (f) AvS = - 118.67 (g) sin cambio
41. (a) AvNL = - 226.4; RL = 4.7 k, AvL = - 154.2; RL = 2.2 k, AvL = - 113.2;
RL = 0.5 k, AvL = - 41.93 (b) no se ve afectado
43. (a) AvNL = 0.983, Zi = 9.89 k, Zo = 20.19 (c) AvL = 0.976, AvS = 0.92
(d) AvL = 0.976, AvS = 0.886 (e) sin ningn efecto (f) Av = 0.979, AvS = 0.923
45. (a) Av1 = - 97.67, Av2 = - 189 (b) Av = 18.46 * 103, AvS = 11.54 * 103
(c) Ai1 = 97.67, Ai2 = 70 (d) AiT = 6.84 * 103 (e) sin ningn efecto (f) sin ningn efecto
(d) en fase
47. VB = 3.08 V, VE = 2.38 V, IE  IC = 1.59 mA, VC = 6.89 V
49. VB1 = 4.4 V, VB2 = 11.48 V, VC2 = 14.45 V
51. Vo = - 1.86 V
53. Av = 0.997  1
55. VB1 = 4.48 V, VC2 = 5.58 V, IC = 104.2 mA
57. re = 21.67 , bre = 2.6 k
63. 4.2%
65. 4.86%
67. (a) 8.31 (b) hfe = 60, hie = 498.6 (c) Zi = 497.47 , Zo = 2.2 k
(d) Av = - 264.74, Ai = 60 (e) Zi = 497.47 , Zo = 2.09 k
(f) Av = - 250.90, Ai = 56.73
69. (a) Zi = 9.38 , Zo = 2.7 k (b) Av = 283.43, Ai = - 1
(c) a = 0.992, b = 124, re = 9.45 , ro = 1 M
71. (a) 814.21 (b) - 357.68 (c) 132.43 (d) 2.14 k
75. (a) 75% (b) 70%
77. (a) hoe = 200 ms (b) 8.6 k
79. (a) hfe (b) hoe (c) hoe  30 mS hasta 0.1 mS (d) a medio intervalo
81. (a) No saturado (b) R2 no conectada a la base

Captulo 6
3. (a) VDS M 1.4 V (b) rd = 233.33 (c) VDS M 1.6 V (d) rd = 533.33
(e) VDS M 1.4 V (f) rd = 933.33 (g) rd = 414.81 (h) rd = 933.2
(i) En general, s
11. (a) ID = 9 mA (b) ID = 1.653 mA (c) ID = 0 mA (d) ID = 0 mA
15. IDSS = 12 mA
17. VDS = 25 V, ID = 4.8 mA
ID = 10 mA, VDS = 12 V
ID = 7 mA, VDS = 17.14 V
19. S
21. ID = 4 mA (correspondencia exacta)
29. IDSS = 11.11 mA
31. VDS = 25 V
35. VT = 2 V, k = 5.31 * 10-4
ID = 5.31 * 10-4 1VGS - 2 V22
37. VGS = 27.36 V

Captulo 7
1. (c) IDQ M 4.7 mA, VDSQ = 6.36 V (d) IDQ M 4.69 mA, VDSQ = 6.37 V
3. (a) ID = 3.125 mA (b) VDS = 9 V (c) VGG = 1.5 V
5. VD = 18 V
7. IDQ M 2.6 mA, VGS = - 1.95 V
9. (a) IDQ = 3.33 mA (b) VGSQ M - 1.7 V (c) IDSS = 10.06 mA (d) VD = 11.34 V
(e) VDS = 9.64 V
11. VS = 1.4 V
13. (a) IDQ M 5.8 mA, VGSQ M - 0.85 V, IDQq, VGSQp (b) 216
15. (a) IDQ = 2.7 mA, VGSQ = - 2 V (b) VDS = 8.12 V, VS = 2 V
17. (a) IDQ = 4 mA (b) VDQ = VDSQ = 4.8 V (c) Ps = 48 mW, PD = 19.2 mW APNDICE D 887
19. (a) IDQ = 9 mA, VGSQ = 0.5 V (b) VDS = 7.69 V, VS = - 0.5 V
21. (a) IDQ = 5 mA, VGSQ = 6 V (b) VD = 13 V, VS = 3.75 V
23. (a) VB = VG = 3.2 V (b) VE = 2.5 V (c) IE = 2.08 mA, IC = 2.08 mA, ID = 2.08 mA
(d) IB = 20.8 mA (e) VC = 5.67 V, VS = 5.67 V, VD = 11.42 V (f) VCE = 3.17 V
(g) VDS = 5.75 V
25. RS = 2.4 k, RD = 6.2 k, R2 = 4.3 M
27. (a) JFET en saturacin (b) El JFET no conduce (c) cortocircuito del drenaje a la compuerta
29. circuito abierto entre el circuito divisor de voltaje y la compuerta del JFET.
31. (a) IDQ = 4.4 mA, VGSQ = - 7.25 V (b) VDS = - 7.25 V (c) VD = - 7.2 V
33. m = 0.533, M = 0 (a) VGS = - 1.96 V, IDQ = 2.7 mA (d) VDS = 11.93 V,
VD = 13.95 V, VS = 2.03 V, VG = 0 V
35. m = 0.4545, M = 0.303 (a) IDQ = 2.76 mA, VGSQ = - 2.04 V
(b) VDS = 7.86 V, VS = 2.07 V

Captulo 8
1. 6 mS
3. 8.75 mA
5. 12.5 mA
7. 2.4 mS
9. 40 k, - 180
11. (a) 4 mS (b) 2.8 mS (c) 2.8 mS (d) 2 mS (e) 2 mS
13. (a) 0.75 mS (b) 100 k
15. gm = 5.6 mS, rd = 66.7 k
17. Zi = 10 M, Zo = 1.72 k, Av = - 5.375
19. Zi = 10 M, Zo = 2.83 k, Av = - 8.49
21. Zi = 1 M, Zo = 730 , Av = - 2.19
23. Zi = 9.7 M, Zo = 1.96 k, Vo = - 214.4 mV
25. Zi = 9.7 M, Zo = 1.82 k, Vo = 198.8 mV
27. Zi = 356.3 , Zo = 3.3 k, Vo = 0.706 mV
29. Zi = 275.5 , Zo = 2.2 k, Av = 5.79
31. Zi = 10 M, Zo = 506.4 , Av = 0.745
33. 11.73 mV
35. Zi = 10 M, Zo = 1.68 k, Av = - 9.07
37. Zi = 9 M, Zo = 242.1 , Av = 0.816
39. Zi = 1.73 M, Zo = 2.15 k, Av = - 4.77
41. 203 mV
43. - 3.51 mV
45. RS = 180 , RD = 2 k

Captulo 9
1. (a) 3, 1.699, -0.151 (b) 6.908, 3.912, -0.347 (c) Los resultados difieren en 2.3
3. (a) Igual: 13.98 (b) Igual: -13.01 (c) Igual: 0.699
5. GdBm = 43.98 dBm
7. GdB = 67.96 dB
9. (a) GdB = 69.83 dB (b) Gv = 82.83 dB (c) Ri = 2 k (d) Vo = 1385.64 V
11.(a) Av = 1> 21 + 11950.43 Hz>f 22 (b) 100 Hz: Av = 0.051
1 kHz: Av = 0.456
2 kHz: Av = 0.716
5 kHz: Av = 0.932
10 kHz: Av = 0.982
(c) f1 = 1950.43 Hz
13. (a) 10 kHz (b) 1 kHz (c) 5 kHz (d) 100 kHz
15. (a) re = 28.48 (b) Avmedio = - 72.91 (c) Zi = 2.455 k (d) AvS = - 54.68
(e) fLS = 103.4 Hz, fLC = 38.05 Hz, fLE = 235.79 Hz (f) f1 M fLE
888 APNDICE D 17. (a) re = 30.23 (b) Avmedio M 0.983 (c) Zi = 21.13 k (d) Avs medio M 0.955
(e) fLS = 71.92 Hz, fLC = 193.16 Hz (f) f1 M fLC: f1 M 210 Hz 1PSpice2
19. (a) VGSQ = - 2.45 V, IDQ = 2.1 mA (b) gmo = 2 mS, gm = 1.18 mS (c) Avmedio = - 2
(d) Zi = 1 M (e) Avs M Av = - 2 (f) fLG = 1.59 Hz, fLC = 4.91 Hz,
fLS = 32.04 Hz (g) f1 M 32 Hz
21. (a) VGSQ = - 2.55 V, IDQ = 3.3 mA (b) gmo = 3.33 mS, gm = 1.91 mS
(c) Avmedio = - 4.39 (d) Zi = 51.94 k (e) AvS medio = - 4.27
(f) fLG = 2.98 Hz, fLC = 2.46 Hz, fLS = 41 Hz (g) f1 M fLS = 41 Hz
Zi considerablemente menor, pero an bastante mayor que Rsig como para producir un
efecto mnimo en Avs; Zi reducido, sin embargo, puede elevar el nivel de fLG
23. (a) fH1 M 293 kHz, fHo = 3.22 MHz (b) fb = 8.03 MHz, fT = 883.3 MHz
25. (a) fH1 M 584 MHz, fHo = 2.93 MHz (b) fb = 5.01 MHz, fT = 400.8 MHz
27. (a) gmo = 3.33 mS, gm = 1.91 mS (b) Avmedia = - 4.39, AvS media = - 4.27
(c) fHi = 1.84 MHz, fHo = 3.68 MHz
29. f2 = 1.09 MHz
31. (a) v = 12.73 * 10-3 3sen 2p1100 * 1032t + 3 sen 2p1300 * 10 2 +
1 3

1
5 sen 2p1500 * 1032t + 17 sen 2p1700 * 1032t + 19 sen 2p1900 * 1032t4
(b) BW = 500 kHz (c) fLo M 3.53 kHz

Captulo 10
1. Vo = - 18.75 V
3. Vi = - 40 mV
5. Vo = - 9.3 V
7. Vo vara de 5.5 V a 10.5 V
9. Vo = - 3.39 V
11. Vo = 0.5 V
13. V2 = - 2 V, V3 = 4.2 V
15. Vo = 6.4 V
17. IIB
+
= 22 nA, IIB-
= 18 nA
19. ACL = 80
21. Vo1compensacin2 = 105 mV
23. CMRR = 75.56 dB

Captulo 11
1. Vo = - 175 mV, rms
3. Vo = 412 mV
7. Vo = - 2.5 V
11. IL = 6 mA
13. Io = 0.5 mA
15. fOH = 1.45 kHz
17. fOL = 318.3 Hz, fOH = 397.9 Hz

Captulo 12
1. Pi = 10.4 W, Po = 640 mW
3. Po = 2.1 W
5. R1efectiva2 = 2.5 k
7. a = 44.7
9. %h = 37%
13. (a) Pi mxima = 49.7 W (b) Po mxima = 39.06 W (c) % Mximo = 78.5%
17. (a) Pi = 27 W (b) Po = 8 W (c) %h = 29.6% (d) P2Q = 19 W
19. %D2 = 14.3%, %D3 = 4.8%, %D4 = 2.4%
21. %D2 = 6.8%
23. PD = 25 W
25. PD = 3 W
Captulo 13 APNDICE D 889

9. Vo = 13 V
13. Periodo = 204.8 ms
17. fo = 60 kHz
19. C = 133 pF
21. C1 = 300 pF

Captulo 14
1. Af = - 9.95
3. Af = - 14.3, Rif = 31.5 k, Rof = 2.4 k
5. Sin realimentacin: Av = - 303.2, Zi = 1.18 k, Zo = 4.7 k
Con realimentacin: Aif = - 3.82, Zif = 45.8 k
7. fo = 4.2 kHz
9. fo = 1.05 MHz
11. fo = 159.2 kHz

Captulo 15
1. Factor de rizo  0.028
3. Voltaje de rizo  24.2 V
5. Vr = 1.2 V
7. Vr = 0.6 V rms, Vcd = 17 V
9. Vr = 0.12 V rms
11. Vm = 13.7 V
13. %r = 7.2%
15. %r = 8.3%, %r = 3.1%
17. Vr = 0.325 V rms
19. Vo = 7.6 V, IZ = 3.66 mA
21. Vo = 24.6 V
25. Icd = 225 mA
27. Vo = 9.9 V

Captulo 16
3. 33.25 mA
5. 95C
7. (a) CT = 41.85 pF (b) k M 71 * 10 - 12
9. Mayor, Tr  16.73  13
11. T1 = 50C
13. Q( - 1 V)  82, Q ( -10 V)  5000; Q (- 10 V)/Q(-1 V) = 60.98;
BW (Q = - 1 V) = 121.95 kHz, BW (Q = - 10 V) = 2000 Hz
19. IT = 5 mA, VT = 60 mV; IT = 2.8 mA, VT = 900 mV
21. fp M 2228 Hz
23. (a) 3750 : 7500 (b) M 8400 (c) BW = 4200
25. (a) Silicio (b) Naranja
27. (a) M 0.9 /fc (b) M 380 /fc (c) M 78 k/fc Regin de baja iluminacin
29. Vi = 21 V
31. A medida que fc se incrementa, tr y td se reducen exponencialmente
33. (a) f M 5 mW (b) 2.27 lm
35. f = 3.44 mW
41. Niveles bajos
45. R M 20 k
47. R1termistor2 = 90

Captulo 17
5. (a) S (b) No (c) No (d) S, no
11. (a) M 0.7 mW/cm2 (b) 82.35%
890 APNDICE D 17. (a) RB2 = 1.08 k (b) RBB = 3.08 k (c) VRB = 13 V (d) VP = 13.7 V
19. IB = 25 mA, IC = 1 mA
21. (a) Para temperaturas decrecientes, 0.53%/C (b) S
23. IC>IF = 0.44 Relativamente eficiente
25. (a) IC 3 mA (b) R : t M 2.3 : 1
27. Zp = 87 k, ZV = 181.8; un grado
29. (a) S, 8.18 V (b) R 6 2 k (c) R = 1.82 k
NDICE

A Aplicaciones prcticas (cont.) de polarizacin de emisor no puenteado,


Aisladores optoelectrnicos, 858 detector de polaridad, 110-111 316
Alfa, 137, 144 espejo de corriente, 226-227 de polarizacin del emisor, 171-175, 197-
Amortiguador, 107 fuente de corriente constante, 222 199, 214-217,231-232, 261-268
Amplificador, 138 fuente luminosa modulada por sonido, 339- de polarizacin por medio del divisor de
acoplado 340 voltaje, 176-182,197, 199-200, 215-216,
por RC, 296-298, 545-548 generador 219-220, 230-231,257-260, 285-287, 18-
por transformador, 545-547 de onda cuadrada, 112-113 319, 343-349,423-428, 489-490
amp-op (amplificador operacional), 594 de ruido aleatorio, 337-339 de polarizacin fija, 164-170, 195, 213,
clase A, 677 indicador de nivel de voltaje, 227 216, 217-220, 231-232, 254-257, 283-
acoplado por transformador, 677 interruptor con transistor, 221-222 285, 316-317,320-321
alimentado en serie, 673 mezclador de audio, 333-345 de realimentacin de cd del colector, 278-
clase C, 700 de tres canales, 514-517 281
conversin analgica a digital, 718 niveles de voltaje de referencia, 111-112 de realimentacin del colector, 274-278,
de acoplamiento directo, 545-548 preamplificador, 335-336 350-352
de BiFET, 604 rectificacin, 103-106 del espejo de corriente, 200-202
de BiMOS, 604 red de temporizacin, 457-458 en base comn, 134-138, 189-190, 253-254,
de CMOS, 401-402,604 redes de desfasamiento, 520-521 255-257, 72-274, 321-322, 330-331
de instrumento, 653 regulador, 112-113 en colector comn, 145-146,190-191, 251-
de realimentacin; frecuencia y fase, 752 resistor controlado por voltaje, 450-453 253, 254, 74-278
distorsin, 693 respaldo de batera controlado, 110 en emisor comn, 139-145,251-253, 254-
equilibrado (push-pull) casi complementario, sistema de alarma con un CCS, 223-224 257, 274-281, 283-287, 297-307, 333-
690 sistema de fibra ptica, 458-460 340
inversor, 570-572, 610 sistema detector de movimiento, 521-522 en seguidor- emisor, 188-189, 268-272, 319
no inversor, 610 voltmetro, 455-457Circuitos realimentados en cascada, 297-298
operacional no inversor, 453-455 prcticos, 748 construccin, 132
sumador, 611 Armnicos, 584-586 corriente
Amplificador operacional, 224,453-455, 517-519, Arsnico, 2-19 de fuga, 133-134
594, 607, 625 Arseniuro de galio, 2-19, 42-48, 369 de saturacin en inversa, 212-220
aplicaciones, 641 tomo donador, 8 corte, 134-135, 140-141, 147, 162-164, 206-
especificaciones, 615, 621 208, 225
Amplificadores de potencia, 671 B diseo, 195-200
Anlisis Bardeen, John, 131 diversas configuraciones de polarizacin, 190-
de baja frecuencia, 549-569 Bel, 542 195
BJT, 555-564 Beta, 141-144 efecto de Rs y RL, 282-287
curva de fase, 555-556 Bipolar, 368 efectos de la temperatura, 212-213
curva logartmica, 551-552 BJT (transistores de unin bipolar) estabilizacin, 163, 173-174, 212-220
frecuencia de ruptura, 550 alfa, 137, 144 frecuencias de ruptura, 572
JFET, 565-570 amplificador, 138 fuente de corriente, 202-204
por computadora con acoplamiento directo, 545-548 ganancia de corriente, 281-282
Mathcad, 50, 52-55, 64-65, 182, 265-266, acoplado por RC, 296-298, 545-548 grfica de Bode, 552
380-382, 421, 489-490, 445, 554-555 acoplado por transformador, 545-548 hojas de especificaciones, 147-151
Multisim, 50-52, 119-121, 231-232, 350- inversor, 570-572 identificacin de terminales, 153-154
352, 464-465, 528-529, 568-570 anlisis lmites de operacin, 146-147
PSpice, 50-51, 114-119, 156-158, 230-231, en alta frecuencia, 572-578 modelado, 248-265
343-350, 406-407, 462-464, 523-529, en baja frecuencia, 548-570 modelo
560-564, 567-568, 578, 581-582 de ca, 246-367 de Giacoletto, 574-575
por medio de la recta de carga por computadora, 156-158, 182, 230-232, pi hbrido, 248, 329-330, 574-575
BJT, 167-170, 174-175, 182, 186 265-266, 343-350, 560-564 re , 248, 251-254, 257-264
diodos, 60-65 por medio de la recta de carga, 167-170, normalizacin, 150-151
Ancho de banda, 547 174-175, 182, 186 operacin, 132-147
Angstrom, 43 aplicaciones, 220-227, 333-340 par de realimentacin, 307-310
nodo, 47-48 aproximacin del sistema de dos puertos, polarizacin de cd de realimentacin de
Antilogaritmo, 540 286-291 voltaje, 183-188, 215-216, 219
Aplicaciones prcticas beta, 141-144 polarizacin de cd, 137-138, 144-145, 161-245
amplificador operacional no inversor, 453-455 capacitancia de efecto Miller, 570-572 portadores
aseguramiento de la polaridad, 109-110 circuito equivalente hbrido, 248, 316-328, mayoritarios, 132-133
compuertas lgicas, 225 329-337 minoritarios, 132-133
configuracin de proteccin, 106-109 configuracin producto de ganancia por ancho de banda, 576
conmutacin silenciosa, 517-520 Darlington, 299-307, 350 pruebas, 151-153
controlador de relevador, 220-221 de autopolarizacin, 483-489 punto quiescente, 162-164
de MOSFET, 460-461
891
redes en base comn, 134-138, 189-190, 253-254, compuertas AND/OR, 64-76
de combinacin, 438-442 254-257, 272-274, 321-322, 33 1-332 configuraciones de diodos
de conmutacin, 206-210 en colector comn, 145-146, 190-191,254 en paralelo, 71-74
regin en compuerta comn, 493-497 en serie, 65-71
activa, 140, 162 en emisor comn, 139-145, 251-253, 260-287, en serie-paralelo, 71-74
de empobrecimiento, 132-133 274-281, 283-287, 297-307, 330-333, corriente de saturacin en inversa, 11-19,
lineal, 164 333-340 31
relacin de fase, 251, 261, 263, 265, 273, 275, en emisor seguidor, 188-189, 268-272, 320 de barrera Schottky, 801
280 de polarizacin de potencia, 809
respuesta en frecuencia, 538-593 de emisor, 171-175, 196-199, 214-217, dopado, 5, 7-9, 38
saturacin, 146, 162-163, 166-167, 174, 182, 231-232, 261-268 ecuacin de Shockley, 13-19
186, 206-208, 225 de emisor no puenteado, 318 efectos de la temperatura, 5,6, 18-19, 32-35,
sistemas en cascada, 294-298, 513 fija, 164-170, 195, 213, 216, 218-220, 40-41
solucin de fallas, 210, 333-334 231-232, 254-257, 283-285, 317-318, electrn volt, 7
tabla de resumen, 286 321-322, 413-417, 480-482 electrones de valencia, 3-7
transistor npn, 132 por medio del divisor de voltaje, 176-182, emisores de luz. Vea LED
transistor pnp, 132-154 197, 198-199, 216-217, 218-219, enlace covalente, 3-5
trazador de curvas, 151-152 230-231, 257-260, 285-287, 318-319, entradas senoidales, 76-82
variacin de los parmetros hbridos, 330-332 343-345, 423-428, 489-500 flujo de electrones, 9
Brattain, Walter H., 131 de realimentacin GaAs, 2-19, 42-48
Brechas de energa, 43-44 de cd del colector, 278-281 germanio, 2-19,42
del colector, 274-278, 349-351 hojas de especificaciones, 32-35
C en seguidor de fuente, 490-493 hueco, 9
Campo elctrico, 369 en cascada, 294-298, 511-513 ideal, 19-21, 29-30, 64
Candela, 44-45 Configuraciones de diodos iones aceptores, 9
Candela-pie, 44-45 en paralelo, 71-74 LCD, 42
Capacitancia, 30-31, 107 en serie, 65-74 LED, 7,41-48, 69, 72-73,93, 110-111,
de difusin, 30-31 Configuraciones de proteccin, 106-109 218-219
de efecto Miller, 5 70-572 Conservacin de la energa, 247 materiales
de transicin, 30-31 Constante de Planck, 43-44 extrnsecos, 7-10
Caractersticas de transferencia, 376-382, Control de fase de resistencia variable, 837 intrnsecos, 3-5
473-477 Controlador tipo n, 7-19
Cargador de bateras, 103-106 de despliegue en pantalla, 652 tipo p, 7-19
Ctodo, 47-48 de relevador de MOSFET, 460-462 movilidad relativa, 5
Celdas de relevador, 220-22 1 niveles
fotoconductoras, 817 de temperatura, 838 de energa, 5-7
solares, 822 Conversin de red en escalera, 720 de resistencia, 21-30, 33, 35
CI, 2 Convertidor RS-232C a TTL, 732 notacin, 35
Cientficos e inventores Convertidores digital a analgico, 718 Ohl, Russell, 20
Bardeen, John, 131 Corriente PIV, 16, 79, 81-82
Brattain, Walter H., 131 de fuga, 133-134 polarizacin, 10-13
Dacey, Dr. G.C., 369 de saturacin, 371-373 portador
DeForest, Lee, 131 de saturacin en inversa, 11-19, 31, 212-220 mayoritario, 9-13
Fleming, J.A., 131 Corrientes y voltajes de compensacin, 615, 618 minoritario, 9-13
Kilby, Jack St. Clair, 2 Cortocircuito, 68 portadores libres, 4, 8, 10-13
Ohl, Russell, 20 parmetro de impedancia de entrada, 256 potencia mxima, 33
Ross, Dr. Ian, 369 transferencia en directa, parmetro de relacin pruebas, 36-37
Shockley, William Bradford, 376 de corriente, 256 punto quiescente, 23, 62
Circuito Criterio de Nyquist, 753 rectificacin
abierto, 68 Curva universal de polarizacin del JFET, 447- de media onda, 79-82
AND/OR, 844 450 de onda completa, 79-82
de alarma, 841 rectificadores, 33, 76-83, 103-106, 339
del amplificador diferencial, 597 D redes multiplicadoras, 100-103
del oscilador sintonizado, 760 Dacey, Dr. G.C., 369 regin
equivalente hbrido, 248,311-316, 316-328 DDM, 36, 152-153 de empobrecimiento, 10-13
integrado, 2 Decibeles, 543-547 de ruptura de avalancha, 16
resonante en paralelo, 764 DeForest, Lee, 131 de ruptura en inversa, 16-19, 38-41,46
resonante en serie, 763 Detector, 110-111 Zener, 16-19
Circuitos de polaridad, 109-111 regulador, 95-100
de espejo, 309-311 de proximidad, 846 resistencia
de instrumentos, 651 Diac, 845 de cuerpo, 15, 25-26
de interfase, 731 Dielctrico, 386 de contacto, 15, 25-26
de oscilador, 740 Diferenciador, 614 semiconductores, 1-58
de realimentacin, 740 Diodo silicio, 2-19, 42
en simetra complementaria, 689 ideal, 19-21, 29-30, 64 sujetadores, 89-92
equilibrados (push-pull), 689 Shockley, 845 tiempo de almacenamiento, 31
integrados analgicos/digitales, 711 Zener, 38-41, 92-100, 111-l13, 203-204, 399 tiempo de recuperacin en inversa, 31
multiplicadores, 100-103 Diodos, 1-130, 315-316, 340, 399 trazador de curvas, 37
multiplicadores de voltaje, 100-103 anlisis tnel, 809
Coeficiente de temperatura, 40-41 de cd, 59-130 varactor, 805
negativo, 5 por computadora, 49-55, 64-65, 114-121 voltaje
positivo, 5 por medio de la recta de carga, 60-65 de rodilla, 17, 28-30
Compuertas aplicaciones prcticas, 103-113 trmico, 13
AND, 64-65 tomos donadores, 8 Zener, 38-41, 92-100, 111-113, 203-204,
lgicas, 225 capacitancia, 30-31 399
OR, 64-65 de difusin, 30-31 Diseo
Configuracin de transicin, 30-31 BJT, 192-199
cascodo, 297-298 caractersticas, 14-19 JFET, 442-444
Darlington, 299-307, 350 circuitos equivalentes, 27-31, 39 MOSFET, 444
de autopolarizacin, 417-423, 448-450, coeficiente Disipador de calor, 104
483-489 de temperatura negativo, 5 de transistores de potencia, 697
de temperatura positivo, 5 Disparo de SCR, 851

892
Dispositivos Generador M
de dos terminales, 801 de onda cuadrada, 112-113 Malla de enganche de fase (PLL), 727
pnpn, 831 de ruido aleatorio, 337-339 Margen
Distorsin armnica, 694 Germanio, 2-7, 42 de fase, 754
DMM, 36, 152-153 Grfica de ganancia, 754
Dopado, 5, 7-9, 38 de Bode, 553 Materiales
Duplicador, 101-102 de fase, 548 extrnsecos, 7-10
de voltaje, 101-102 semilogartmica, 33-34, 541-542 intrnsecos, 3-5
Grficas en dB, 547 semiconductores, 2-19
E enlace covalente, 3-5
Ecuacin de Shockley, 13-19, 376-382 H extrnsecos, 7-10
Efectos Hojas de especificaciones, 32-35, 44-45, 147-151, germanio, 2-7
de la temperatura, 5-6, 18-19, 32-35, 212-213 382-384 hueco, 9
de un amplificador de mltiples etapas, BJT, 147-151 intrnsecos, 3-5
582-583 diodos, 32-35 movilidad relativa, 5
Eficiencia, 46 JFET, 382-384 niveles de energa, 5-7
de conversin, 247 LED, 44-45 portador mayoritario, 9-13
Electrn, 3-4 Hueco, 9 portador minoritario, 9-13
volt, 7 tipo n, 7-19
Electrones I tipo p, 7-19
de valencia, 3-7 Impedancia Mathcad, 50, 52-55, 64-65, 265-266, 380-382,
libres, 4, 8 de entrada con realimentacin, 743 421, 488-489, 545, 554-555
Electronics Work Bench (EWB), Multisim, 737 de salida con realimentacin, 744 Medidor de pantalla digital, 36, 152-153
Emisores infrarrojos (IR), 818 Indicador de nivel de voltaje, 227 MESFET, 369, 402-405,413
Enlace covalente, 3-5 Inductor, 106-107, 212 caractersticas, 403
Entrada Infrarrojo, 42 construccin, 402-403
doble, 595 Integrador, 612 operacin, 403
sencilla, 594 Intensidad luminosa axial, 44-45 smbolos, 403
Equivalente de Thvenin, 286-287, 334-335 Interruptor, 221-222 Mtodos de los sistemas de dos puertos, 286-291
Escala logartmica, 33-34, 54 1-542 controlado de silicio, 839 Mezclador de audio, 333-335, 516-517
de apagado por compuerta, 841 Micrfono, 336-337
Espejo de corriente, 200-202, 226-227
de transistor, 221-222 Milivoltmetro
Estabilizacin, 212-220
esttico en serie, 836
de ca, 652
Inversor, 402-403
F de cd, 652
Ion aceptor, 9
Factor Modelo
de amplificacin de Bohr, 3-4
J de Giacoletto, 574-575
de base comn, en cortocircuito, 137 JFET
de corriente directa de emisor comn, 142 pi hbrido, 248, 329-330, 574-575
anlisis re, 248, 251-254, 257-259, 330-345
de estabilidad, 163, 173-174, 203-211 en alta frecuencia, 579-582
Filtro, 338 Modelos equivalentes. Vea DIODOS; BJT; JFET;
en baja frecuencia, 565-570
de capacitor, 776 MOSFET
de ca, 472-537
pasoaltas, 657 de cd, 412-471 MOSFET, tipo empobrecimiento, 386-391,
pasobajas, 655 por computadora, 380-381, 406-407, 428-432, 439, 445-446, 497-498
pasobanda, 658 462-465, 523-529, 565-570, 581-582 canal p, 445-446
RC, 779 aplicaciones, 450-461, 514-522 caractersticas, 388-389
Filtros activos, 655 canal n, 370-374 configuracin del divisor de voltaje,
Fleming, J.A., 131 capacitancia de efecto Miller, 579 429-431,497-498
Flujo configuracin construccin, 386-387
convencional, 9 en compuerta comn, 493-497 de autopolarizacin, 431-432
de electrones, 9 de polarizacin fija, 413-417, 480-482, controlador de relevador, 460-461
Fotodiodos, 813 523-525 efectos de Rs y RL, 508-511
Fotones, 3-4, 41-42 construccin, 370 hojas de especificaciones, 391
Fototransistores, 856 de cpsula, 383 identificacin de las terminales, 401
Frecuencia diseo, 442-444, 503-505 modelo equivalente, 497
de ruptura, 546-547, 572 efectos de Rs y RL, 508-511 operacin, 387-389
fundamental, 584 en cascada, 511-513 smbolos, 400
Frecuencias frecuencias de ruptura, 579-580 solucin de fallas, 514
banda de, 546-547 impedancia de entrada, 478 tabla de resumen, 439
de corte, 225-226, 546-547 redes de combinacin, 439-442 MOSFET, tipo mejoramiento, 386, 392-399,
de esquina, 546-547 trazador de curvas, 384-385 433-438, 498-505
de mediana potencia, 546-547 anlisis por computadora, 463-464
Fuente de corriente K canal p, 445-446
constante, 222-223, 603 Kilby, Jack St. Clair, 2 caractersticas, 392-396
controlada por corriente, 650 de transferencia, 395-396
controlada por voltaje, 650 L CMOS, 401
Fuente de voltaje LCD, 4 configuracin
controlada por corriente, 650 LED, 7, 41-48, 69, 72-73, 93, 110-111,227 de realimentacin del drenaje, 499-502
controlada por voltaje, 64 brechas de energa, 43-44 por medio del divisor de voltaje, 436-438,
Fuente luminosa modulada por sonido, candela, 44-45 502-503
339-341 caractersticas, 44-45 construccin, 392
Fuentes construccin, 42-43 diseo, 444
controladas, 649 eficacia, 46 efectos de RS y RL, 508-511
de alimentacin, 773 espectro de frecuencia, 42-44 hojas de especificaciones, 397-398
Funcin exponencial, 13-15 fotones, 41-42 identificacin de terminales, 398
intensidad luminosa axial, 44-45 manejo, 399
G longitud de onda, 42-44 modelo equivalente, 498-499
GaAs, 2-19, 42-48, 369 candelapie, 44-45 operacin, 392-393
Ganancia Lenguaje, 50 polarizacin de realimentacin, 433-436
de corriente, 281-282 Logaritmo comn, 539-545 smbolos, 396-397
de magnitud constante, 609 Logaritmos, 538-545 solucin de fallas, 514
de realimentacin, 742 naturales, 539 tabla de resumen, 439
unitaria, 609 Longitud de onda, 42-44 VMOS, 400-401

893
Movilidad relativa, 5 Recorte, 108-109 Sensor de voltaje, 841
Multmetro digital, 36, 15 2-153 Rectificacin, 33, 103-106, 340 Serie de Fourier, 583-585
Multiplicador de ganancia constante, 641 de media onda, 76-79, 83 Shockley, William Bradford, 376
Multisim, 50-52, 119-121, 231-232, 350-352, de onda completa, 79-82 Silicio, 2-19, 42
464-465, 528-529, 568-570 Rectificadores, 33, 76-83 Sistema
controlados de silicio (SCR), 832 de alarma con un CCS, 223-224
N Red de fibra ptica, 458-460
Neutrones, 3-4 de conmutacin silenciosa, 517-520 de iluminacin de emergencia, 839
Niveles de fuente de corriente, 202-204 detector de movimiento, 521-522
de energa, 5-7 de temporizacin, 457-458 Software, 50-55
de resistencia, 21-27 Redes Solucin de fallas, 332-333, 444-445,
de voltaje de referencia, 111-112 de conmutacin, 206-210 BJT, 210-212, 332-333
Normalizacin, 45, 150-151, 548 de corrimiento de fase, 520-521 JFET, 444-445, 513-514
Ncleo, 3-4 Regin Sujetadores, 89-92
activa, 134-135, 140, 162 Suma de voltajes, 645
O de corte, 134-135, 140-141, 147, 162-164, Superposicin, 248, 334-335
Octava, 551 200-202
Ohl, Russell, 20 de empobrecimiento, 10-13, 132-133, T
Ohmmetro, 36-37, 152-153 388 Tablas de resumen
Operacin de operacin, 146-147 amplificadores con transistor BJT con carga
de amplificador clase B, 684, 687 de ruptura de avalancha, 16 incluidos los efectos de R, 288-289
de un CI temporizador, 721 Zener, 16-19 amplificadores con transistor BJT sin carga,
de un oscilador, 755 Regulacin de voltaje 287
de una unidad comparadora, 712 en derivacin, 785 regulacin de conmutacin, 787
en modo comn, 596, 602, 627 en serie, 781 transistores de efecto de campo, 404
en modo diferencial, 626 Regulador, 95-100, 103, 112-113 Zi, Zo y Av para varias configuraciones de
encendido/apagado de nMOS, 604 de carga de bateras, 837 FET, 506-508
encendido/apagado de pMOS, 604 de voltaje Termistores, 825
inestable, 721 ajustable, 791 Tetravalente, 3
monoestable, 724 de CI, 788 Tiempo
Oscilador Reguladores de voltaje, 781 de almacenamiento, 31, 209
Colpitts, 760 Rejilla de control, 131 de descenso, 209
controlado por voltaje, 725 Relacin de fase, configuracin de levantamiento, 209
de cristal, 763, 765 de polarizacin de emisor, 262 de recuperacin en inversa, 31
de corrimiento de fase, 756 de realimentacin de cd del colector, 280 Tierra virtual, 609
de CI, 758 de realimentacin del colector, 275 Tipos de conexin de realimentacin, 741
con FET, 757 del divisor de voltaje, 260 Transconductancia, 473477
con transistor, 758 en base comn, 273 Transformacin
de monounin, 766 en emisor comn, 259 de corriente, 678
de puente de Wien, 759 en emisor seguidor, 270 de impedancia, 678
de relajacin, 854, 863 Relacin de vueltas, 103 de voltaje, 678
Hartley, 761 Relevador, 106-107 Transformador, 81-82, 101-105
de enclavamiento, 844 con derivacin central, 81-82
P Resistencia Transistor
Pantallas de cristal lquido, 819 de ca, 23-26, 33, 35 BJT npn, 132
Par de realimentacin, 307-310 de ca promedio, 26-30 pnp, 132-154, 203-204
Parmetro de cd, 21-23 de efecto de campo. Vea JFET; MOSFET
de admitancia de salida de circuito abierto, de contacto, 15, 25-26 de unin. Vea JFET
256 de cuerpo, 15, 25-26 regulacin de voltaje, 774
de relacin de voltaje de transferencia inverso dinmica, 23-26 semiconductor de xido metlico. Vea
de circuito abierto, 256 Resistor controlado por voltaje, 374, MOSFET
Pentavalente, 3, 7 450-453 semiconductor metlico. Vea MESFET
Polarizacin, 10-13, 161-245, 412-471 Respaldo de batera controlado, 110 voltaje de rizo, 774
Polarizacin de cd Respuesta en alta frecuencia de monounin, 848
de realimentacin de voltaje, 183-190 BJT, 572-578 programable, 860
BJT, 161-245 JFET, 579-582 Transistor de punto de contacto, 131-132
JFET, 412-471 Resta de voltajes, 646 Trazador de curvas, 37, 151-152, 384-385
Portador(es) Realimentacin Triac, 847
mayoritario, 9-13, 132-133 de corriente en serie, 749 Triodo, 131
minoritario, 9-13, 132-133 de voltaje Triplicador, 102-103
libres, 10-13 en derivacin, 742, 751 de voltaje, 102-103
Potencial de ionizacin, 3 en serie, 742 Trivalente, 3, 8
Preamplificador, 336-337 Ross, Dr. Ian, 369 Tubo de vaco, 131
Probador de transistores, 152 Ruido
Producto de ganancia por ancho de banda, 576 blanco, 337-339 V
Prueba, 36-37, 151-153 de disparo, 338-339 Valor nominal de PIV, 16, 79, 81-82
BJT, 151-153 de Johnson, 336-338 Velocidad de razn de cambio, 619
de onda cuadrada, 583-586 fluctuante, 338-339 VMOS, 400-401
diodos, 36-37 rosa, 337-338 Voltaje
PRV, 16, 79, 81-82 Ruptura Zener, 16-19 de rodilla, 17, 28-30
PSpice, 50-51, 114-119, 156-158, 230-232, de ruptura inverso, 16-19,46
343-350, 406-407, 462-464, 523-528, S inverso pico, 16,79, 8 1-82
558-562, 567-568, 578, 581-582 Salida doble, 595 trmico, 13
Saturacin, 134-135, 146, 162-164, 166-167, Voltmetro, 455-457
R 174, 182, 186, 206 207, 225
Rechazo en modo comn, 597, 628 SCR, 340-341
Recortadores, 82-89 activado por luz, 842
en paralelo, 86-89 Seguidor
en serie, 83-86 de voltaje, 648
unitario, 610

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