UNIVERSIDAD AUTONOMA DE CHIAPAS. FACULTAD DE CONTADURIA Y ADMINISTRACION C-1 ESCUELA DE LICENCIATURA EN SISTEMAS COMPUTACIONALES. ASIGNATURA: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA BASICA. CATEDRATICO: ING. JOSE ARMANDO SANCHEZ MENDOZA. NOMBRE DEL ALUMNO: GRUPO: __ MANUAL DE PRACTICAS. PERIODO:ecm OAPITULO 4 DISPOSITIVOS DE CONTROL DE ESTADO SOLIDO USADOS EN EL CONTROL DE MOTORES ELECTRICOS 4.1. IntropucciOn En algunos procesos industriales, donde es in y productividad maxima, se ha encontrado que de estado solide contribuyen a un mayor control. .< invencién del diodo y los dispositivos semiconductores de estado sdlido SCR}. permiten una amplia gama de posibilidades para la aplicacién ce | vitos impresos. Los dispositivos electronics de estado sdlide no hax s'oducido cambios en los aspectos bésicos de los procesos industriales; sin, «argo. nen ayudade a un mayor y més preciso control sobre éstos obtener una seguridad lispositivos electronicos Dentro de las aplicaciones mds importantes pars =: comtrol de los procesos, se tienen los rectificadores de estado sdlido aque son esenciaimente Gispositivos de estructura cristalina capaces ce modificar uno corriente alterna en un flujo de corriente unicireccional. A_un dispositive de control de coniente unidire. Nal se le conoce como Giodo. Para todo propésito practice, este fujo unidireccional esta Considerado como el equivalente de una corrienie directa pulsante Esie tipo de coriente directa es ampliamenie usado en la industria, en aplicaciones como: motores de coriente direcis para gras, elevadores, Molinos para rolado de acero, control parc accionamiento de motores y equipo electrénico en general 191ey 192 DISPOSITIVO DE CONTRO! DE ESTADO SOLIDO ‘TERIAL FLEXIBLE ae —_ ! x ‘wessroruoon SS - ae Be nesisrores a emcuremmesanoo SQA . \ \ Ne eneurre » /\ My DISPOSITIVOS DE CONTRO: A BASE DE SEMICONOUCTORES: MONTASOS EN'UN CIRCUITO IMPRESOINixwoucciON 198 CIRCUITO IMPRESO Y COMPONENTES Wr 6 ession J smacs 7. KD. ; tk cmnsion reansston res i Br 3 TRANSFORM ADU: * => eo se > CAPACHOR DE “8ICA IC DIGITAL CON, Computer aN REPRESENTACION DE COMPONENTES EN CIRCUITOS IMPRESOS Y SIMBOLOGIAwe 194 DISPOSITIVO DE CONTROL DE ESTADO SOLIDO MONTAJE DE RECTIFICADOR DE SILICIO CONTROLADO, Disipador de cater. Pasta de silicio (en embos !ades . Aislamientas cie ries Rectificador de silicic Rondana de respaisc =m 90 F > Tornillo de montaj MONTAJE DEL TRANSISTOR de monigje Aislamiento oe mi Boauila cislante Enchute de soldadu" 3 Za7PmoONn wp Transistor *InTRODUCCION 195 SOLDADURA EN CIRCUITOS IMPRESOS A. Cable de tierra. 8. Cautin de soldar. CHASIS C. Chasis. MONTAJE DE TARJETAS Fijador del tablero Rack de montaje. . Guia del circuito impreso. Tabiilla del circuito impreso. BETRERPOREER | A epseyeone UN CIRCUITO IMPRESO ES UNA TABLILLA CONSTRUIDA DE UN MATERIAL AISLANTE. COMO FOR EJEMPLO FIBRA DE VIDRIO. TRAYECTORIAS LANNADAS ¥ TERM NALES DE CONeXt cn136 DISPOSITIVO DE CONTROL DE ESTADO SOLU Las fabillas para circuitos impresos estén hechas de material aislonte. como Por ejemplo: fibra de vidrio (fendlicas con trayectorias conductores) . El propésito de las fabillas de circuitos impresos es proporcionar trayectorias eléctricas para la conexién de las componentes de un circuilo. Las frayectorias conductoras estan iocalizadas en uno o ambos lados del material aislante. Cuando se trata de circuilos complejos, se reaviere Ce ‘ablillas en capas consividas con varia’ trayectorias sobie ei material gisante. Las perforaciones son normaimente piateadas, de manera que estén localizadas sobre el mismo plano. Estas perforaciones en las tablilias permiten la conexién de pequefios conductores 4.2 Et DIODO. El diodo es un dispositive electronico que permite que ia coriente circule 3 través de él en una sola direccién y, dependiendo de cémo eslé coneciado con respecto a la polaridad del voltaje que se le aplica. Tiene dos terminales que se denominan respectivamente Gnodo {A} y catodo (C}. aun cuando no tiene. partes moviles. actUa como un switch {interruptor) de alta velocidad La mayoria de los diodos son de estado sdlido v se consiruyen de un material semiconductor de silicic. Cuando una place extremadamente pura de material de silicio se modifica por la adicién de meiericles “irpures". sé forma le que se conoce como unién "PN". Cuando a una unién PN se induce una direccién hacio él frenie 0 en sentido directo, al aplicar un voliaje terno (positive a la terminal P y negativo o la terminal N la Corriente circula {acilmente a través det diodo y, se dice entonces que ei diodo esta inducido “hacia adelante". Bajo condiciones de induccion en ei sentido inverso je! Positive a N y el negativo a P), practicamente no circula Corriente. 4.2.7 ELSILICIOTIPON La conductividad de un silico puro (que es practicamente un aislador) se puede incrementar en forma significativa (de manera que sea un semiconductor), agregando algunos materiaies (impurezas}: en estos condiciones, al semiconductor se ie denomina impuro. El comportamiento de estos semiconductores requiere de una explicacién de la constitucion de la materia&L 01000 197 Un dtomo de silicio tiene 14 electrones en orbita alrededor de su nucleo positive. Le capa exiema 0 valencia tiene 4 electrones, si esta capa externa pudiera obtener 4 elecirones adicionales, quedaria reforzada y produciria un electron de volencia fuerte; lo que representa como se forma un cristal de silicio por enlace o ligadura covalente. El fosforo es un material pentavaiente, io que significa que tiene cinco electrones en su capa externa de valencic. Cuando se agrega un pequenio Porcentaje de f6sloro al silicio, los élomos de fésforo desplazan algunos de los Giomes de silicio, y dado que sdlo cuatro de los cinco electrones son Necesarios para los propésitos de un enlace covalente, se “cede” un electron ¢ Ia estructura cristalina, El electrén formado se denomina del “lipo N" o negativo, ya que ahora tiene més electrones libres que ios que tenia cuando era silicio puro. 4.2.2 ELSiLICio Tipo P La adicién de una impureza trivalente, como es el caso del aluminio al silicio, dado que existen sdlo tres electrones en Ia capa de valencia de! aluminio, la sustiiuci6n de un atomo de silicio por uno de aluminio deja un enloce incompleto, este enlace se completa generalmente por atomo de silicio circundante, cediendo un electron para este propésito. E! Glomo ‘de aluminio edauiere una carga de frontera negativa, creandose de esta manera un “hueco" o “agujero" de donde viene este electron. En virud de que el tomo de aluminio ha dejado agujeros que pueden Gceptar electrones, el aluminio se conoce como un receptor de impurezas. La “impureza" del aluminio ha producido que el silicic “Tipo P" tenga muchos més agujeros que electrones libres, 4.2.3 LAS UNIONES P-N (a mayoria de los diodos modernos de union P-N son el resultado de-una capa de silicio tipo N y un dxido de un material de impureza como el aluminio. Juntos en el interior de un homo, cuando se alcanzan algunos Cientos de grados centigrados, un gas de los Gtomos impuros se “difunde” en el interior del semiconductor tipo N, por lo que se forma una capa delgada dei tipo P, resultando una unién P-N.198 Disrusitivu O= CONTROL DE ESTADO SOLIDO La uaidn P-N no se forma juntando dos piezas de : 1ateriales tipo P y N, debido @ que no se puede obtener Ic union “elecirén-h 1eco" o “electron-aguier por medio de la superposicién de dos placas fabrizadas de semiconductores de Gislinio tipo de conducccién, ya que entre ias placas es inevitable lo existencio de peliculas superficiales y de una capa de aire muy fina Cuande se aplica una fuente de voligje a una unin P-N y el polo positive se conecie a ia region P y el negativo a la region N. El campo elécirico de la fuente se Gebilita hasta un valor insignificante al disminuir la barrera potencial Ge la barrera P-N, Para la conexién inversa, cuando el polo negative de una fuente de voligje esta conectada a la regidn P y el polo positivo a la region N el campo exterior aumenta y aleja a los porladores de carga por ambos lados de Io unién. De esta manera, a través de la unién P-N circula una Pequefia coriente y, debido a ésta, fa resistencia inversa del diodo semiconductor es una magnitud finita. La relacién entre la resistencia inversa y la resistencia en sentido directo o hacia adelante, se le denomina “coeficiente estdtico de rectificacion". ecto etiect =] K inversa, "grecte Los principales caracteristicas de los diodos son las siguientes: a) Voltaje inverso pico. Un diodo slo puede soportar tanto voltoje inverso antes de su rurtura dieléctrico, come sus caracteristicas lo permitan, El voltaje inverso pico se encuentra generalmente dentro del rango de los 50 a los 2000 votis. dependiendo de su constuccion. Si se excede el valor del voltaje inverso pico, el diodo comienza a conducir en el sentido inverso, y en muchos casos se destruye inmediatamente. b) Corriente promedio maxima. Exisle también un limiie de la coriente que un diode puede conducit la cortiente 11éxima va en un rango de unos pocos cientos de miliamperes haste més de 2000 amperes dependiendo de la coristruccion y tamafio del diodo.c) Temperatura maxima. Un diodo nunca debe operar més alld de su temperatura nominal, Lo mayoria de los diodos de silcio pueden operar satistactoriamente si su femperatura inierna se encuentra entre (-50°C y + 200°C} la temperatura de un diodo puede cambiar 76 principalmente de sus dimensiones (volumen y masa) damenle, dependiendo Para mejorar el calor iransmitido, los diodos se montan normalmente sobre una base metdlica delgada. En instalaciones grandes, tos diodos se enfrian Bor Medios exiernos, como: ventiladores, por flujo confinue de agua desionizada o aceite. En la tabla siguiente, se dan algunas de jas propiedades mds importantes de los tipos tipicos de diodos TABLA 4.1 p PROPIEDADES DE ALGUNOS DIODOS TiPICOS Potencia [lo | fo | ice | €& | @ | t | a po relctiva | Amp | Volts | Amp | _Voits sC_| (mm) | (mm faja 1 0.8 30] 1000 | 0.05 F175 3.8 46 Media 12] 06 | 240) 1000 | 0.6 | 200) 1 32 Alta 100} 0.6 i600] 1000 | 45 | 200 25 54 | Muy alta} 1000] 1.1 10000! 2000 50 | 200 A? 26) Donde: lg = Cottiente directa promedio. Eo= Caida de voltaje correspondiente a io, lox = Valor pico de ta onda de corriente para 1 ciclo £2. = Voliaje inverso (valor pico} !2_ = Valor pico de Ia corriente inversa de dispersion correspondiente a Eo, Ty = Maxima temperatura de la union (en el interior del diodo)ae 200 DISPOSITIVO DE CONTROL DE ESTATO SOLIDO 4.2.1 CARACTERISTICAS VOLTAJE - CORRIENTE DE UN DIODC Las fropiedades de conduccién de.un diodo en sentido directo o inverso, se puecen resumir graficamente en una curva jipica para un diodo de silicio Voltcie de sentido directo de aproximadamente 9.6 volts, es requerido en la direczién directa antes que el diodo inicie la conduccién. Esto se refiere Con un voltaje de corte o de “rodilla” y es el requerido para reducir la barrera del potencial, de manera que se pueda iniciar la conduccién a través de ta union. En el momento de “unirse juntos", algunos de los electrones libres en 1a region tipo N se difunden a través de la unién a la regién de tipo P y se combinan con los agujeros. En forma similar, los agujeros se difunden del tipo P a Ia region de tipo N y se combina con los elecirones. Este proceso esiablece una frontera no neutralizada de iones positives y negativos en sentido opuesto @ los lados de la unién. Estas cargas referidas Como cargas no cubierias significan que ta regin tipo P ha adquiride una carga negativa neta y Ia region tipo N una carge neta positiva e igual 10 1GEL DIODO 201 ee Ooo - : SiMBOLO DEL DIODO - DIODOS SEMICONDUCTORES ~ EveraPio:4.1 En los siguientes circuitos, se supone que se tienen diodos de silicio con un - voltaje de 0.6 V, resolver en cada caso lo requerido: i1202 DISPOSITIVO DE CONTROL DE ESTADO SOLIDO a) Calculer el voltaje de solide: SOLUCION De disefio Vaiods = 0.6 V y esta conectado en serie con la fuente del circuito. Vsalida = Fuente - Vaiodo Vsalida = 5.0-0.6 = 4.4V 'b] Calcular el vaitaje de salida para el siguiente circuito wv x R SowciON En ei circuito, el diodo Di esté en paralelo con la fuente y antes de lo carga. por lo tanto: Vo1= 0.60 = VsalidoEL 01000 203 + Rion FV seus Sotucion La caida de voltaje a través de las resistencias es Ves + Vai = Vs - Vo Ves + Val =5.0-0.6=44V Como las resistencias son iguales: Rs =Rt 100.9 El votaje de salida es entonces: 44 v =22V208 DISPOSITWO DE CONTROL DE ESTADO SOLIDO d) Colcular el voltcie de salida para et siguiente circuito: ¥ SALIDA SOLUGIGN. El diodo esté en serie con la resistencia Ri y con la fuente, por lo tanto’ €} Calculcr el voltajé de salida para el siguiente circuito, donde el diodo esié abierto SALIDAEL DI000 205 Como ei diodo en serie con la resistencia R, esta abierto, entonces ei de salida es cero: Vs=0 8) Calcular el voltaje de salida para et siguiente circuito. Calcul lar también el vollaje a través de Rs. Sowucidn. Ei diode de 0.6 V esté en serie con ia fuente de 3V, por fo que Vs= Vi+ Vp VWs=34+0.6=3.6V También: Vas = Vs -(Vi+ Vo) = 10 - (34 0.6) = 6.4 V La corriente a través de Rs es: 64 2" _ 0.0084 1000 7 0.0064 A 15206 DisPOSITIVO DE CONTROL DE ESTADO SOuIDG CORPIENTE DIRECTA 1 Vin 100Vinm. VOUTAJE INVERSC COR? ENTE INVERS A CARACTERISTICAS VOLTAJE-CORRIENTE (DIRECTS. E INVERSA} DE UN DIODO DE SILICIO ~ 4.3 RECTIFICACION rs En los sistemas eléciticos de potencia o fuera, es mas eticiente » econ - generar y lronsmitir Corrente altema {CA} que comienie directa (=D. embargo, hay maquinas eléctricas y otros tipos de carga qué reauieren: ae CD pare operar. por lo que es necesario cambier de CA 4 2D, g ate + Proceso se le conoce como RECTIFICACION. Existen ires tines basic~c 1a ” rectificadores usados en fuenies de CD monofasicos y son o - media onda, el regiificador de or.da completa y rectificade: compieta con puente reciificader. 4.3.1 RECIIFICACION DE MEDIA ONDA Z En @lectrénica, la moyoria del equipo debe operar alimentado de una fusnta. de coriente directo. En el equipo de tipo poriatil se usan piles, = general se débe proporcionar una fuente de suministro en comer! que se puede obtener de la rectificacién de una fuente de cortiente alterna En el caso de México puede ser de 120 6 127 volis a 60 Hz. El propésito ce Ia - fuente de suminisiro de potencia es convertir la Corriente alteina er: coie directa. En virtud de que los diodos son sensitivos a la polarido : usar pers re “ticor la forma de onda de cortiente allerna en peie ei. - 16RECTIFICACION 207 onda unidireccional. El valor promedio de esi forma de onda és el valor del voltaje en corriente directa La forma mas simple de rectificacién, involucra a un diodo sencillo y como muchos circuitos a base de semiconductores {transistores). Estos se deben alimentar con bajos voliajes {dentro del rango de é voiis a 20 volis), entonces, se requiere de un transtormader que se usc Corie reductor de voligje en el lado de corriente alterna, Por ejemplo. si se supone cue el vollaje secundario en el transformador es 6.3 volis (valor eficaz 0 2MS}, para el Circuito anexo, el valor R| representa la resistencia de la carga a la que se desea entregar potencia en corriente directa. Esta carga puede ser en algunos casos tipicos Para un radio, una grabadora. un amplificador etc. Ei vollaje de entrada al diodo esta representado por una onda senoidei. cuve vaior pico es: Vy #12 X63 89 volis 1 bb BVIRADA BVC.A. ALCIRCUTTO . DERECTRCACION REC AC ADOR DE 1/2 ONDA Dis pewras C)MEDIA ONDA REC TACADA RECTACACION DEMEDIA ONDA En el medio ciclo positive de Vs, el diode D} esié orientado para la conduccién hacia el frente y conduce, permitiende que la coriente fluya hacia la resistencia R,. Como una simplificacién, se puede. despreciar el voltaje de “corte” en el diodo y su resistencia, En este caso, el voltaje a través de ia carga sera la mitad de una onda sencidal de valor pico 9 volts. 17208 DISPOSITIVO DE CONixOL NE ESTADO SOLIDO polaridad (mostrado por los itculos Con signos de polaridad). el diodo es ain 8 dirigide en sentido inverso. Esia Gccion de bloqueo significa que no circula Corriente ¢ él voltaje a través de Io Carga es cero por medio ciclo. También se desprecia la pequefic cortiente en sentido contrario que circula 4 voltaje de salida rectificado de medic onda 9 través de la carga, se le “oma algunas veces “voltaje pulsante uniditeccional” y aUn cuando no es "suave", Ia forma de onda contiene o es considerada como de corriente directa, y es bastante satistactoria para algunas aplicaciones, tales como. Cargadores de baterias 0 alimentacién a motores de co El valor promed lo de la forma de onda rectiicada se puede demostrar que es: Donde: Yep = Voligje en C.0. 0 valor p:- Io En volts. VM = Valor pico del voltaje ci =n volts. Vco | valor leide en et voltmetto conectado a travé conecia un ampérmetro de C.0. en serie Promedio de la onda que tiene la esta Corriente esta dado como. de la carga Ri. Si se on Ic carga, ésle indicaré el valor misma forma que la del valtaje. El valor de mperes} © por: Veo == (amperes) Donde: ic = Corriente directa 0 promedio en ampere