Universidad de Chile

Facultad de Ciencias Físicas y Matemáticas

Departamento de Ingeniería Eléctrica

Práctica II: Verano 2005

DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE MICROONDAS

Autor: Enrique Román Asenjo

Profesor encargado: Dr. Javier Ruiz del Solar
Fecha: Abril, 2005
11. Diseño de Amplificadores de Microondas

11.1 Introducción

11.2 Consideraciones de diseño

11.3 Propiedades básicas de redes de dos puertos

10.3.1 Propiedad de conservación del factor de desadaptación en redes
sin pérdidas
10.3.2 Definiciones de Ganancia
10.3.3 VSWR, coeficiente de reflexión y factor de desadaptación en
amplificadores multietapa

11.4 Ganancia en función de los parámetros de Scattering

11.5 Estabilidad

11.5.1 Noción de estabilidad en amplificadores

11.5.2 Adaptación de impedancias y estabilidad
11.5.3 Círculos de estabilidad

11.6 Círculos de ganancia constante

11.7 Ruido

11.7.1 Orígenes y tipos de ruido en dispositivos activos

11.7.2 Modelación del ruido
11.7.3 Ruido en redes de dos puertos
11.7.4 Figura de ruido
11.7.5 Círculos de Figura de ruido constante
11.7.6 Figura de Ruido para etapas en cascada
11.7.7 Temperatura equivalente de ruido

11.8 Estrategia de diseño de amplificadores de microondas

11.8.1 Diseño de amplificadores de una etapa

11.8.2 Diseño de amplificadores de dos etapas

11.9 Anexos

11.9.1 Transformaciones bilineales y mapeo de círculos en el plano

complejo

11.10 Referencias, recursos computacionales y sitios de interés

11.11 Bibliografía
11. Diseño de Amplificadores de Microondas

11.1 Introducción

El objetivo de este capítulo es mostrar los fundamentos del diseño de

amplificadores de microondas de pequeña señal desde el punto de vista ingenieril, es
decir, queremos diseñar un amplificador que cumpla con un conjunto de
requerimientos del sistema, tales como ganancia, figura de ruido, ancho de banda y
razón de onda estacionaria (VSWR) a la entrada y salida del amplificador, a partir de
los parámetros de red de dos puertos del dispositivo suministrados por el fabricante.
La metodología de diseño mostrada aquí se basa en el uso de la matriz de
parámetros de Scattering (o parámetros S) del transistor (polarizado en zona lineal).
Otros parámetros de red de dos puertos tales como los parámetros y, a pesar de haber
sido usados durante muchos años han sido desplazados por los parámetros S entre
otras razones gracias a la rapidez y precisión de su medición con equipos
automatizados especializados. Hoy en día todos los transistores de pequeña señal
disponibles en el mercado están caracterizados por parámetros S, medidos en varias
condiciones de polarización distintas y en un amplio rango de frecuencias.

Figura 11.1: Parámetros S del transistor ATF-34143 (Low Noise Pseudomorphic HEMT) en
condiciones de polarización VDS = 3V, IDS = 20mA, para distintas frecuencias.

En la figura 10.1 se muestran los parámetros S del transistor ATF-34143, el

mismo utilizado en la primera etapa del amplificador de bajo ruido (LNA) del receptor
del Small Radio Telescope.1 Las condiciones de polarización del ATF-34143 en el LNA
del receptor del SRT son VDS = 2.5V, IDS = 10mA. Dada la rapidez y precisión con que
el fabricante puede medir los parámetros S del dispositivo, el diseñador de un LNA
puede solicitar al fabricante información específica para condiciones de polarización o
frecuencias no especificadas en el data sheet del dispositivo.

1
Datasheet del ATF-34143 y esquemático del LNA del SRT disponibles en http://web.haystack.mit.edu/SRT/
 La ganancia, estabilidad, adaptación de impedancia y VSWR a la entrada y
salida de un amplificador, pueden ser expresadas en ecuaciones en función de los
parámetros S. En general los parámetros S nos dan toda la información que
necesitamos para el diseño, sin embargo no nos dicen nada acerca del ruido del
dispositivo. Como veremos más adelante, el ruido se puede caracterizar por un
conjunto de parámetros también suministrados por el fabricante del dispositivo,
medidos en varias condiciones de polarización y en un amplio rango de frecuencias.

Figura 11.2: Parámetros de ruido del transistor ATF-34143 (Low Noise Pseudomorphic HEMT) en
condiciones de polarización VDS = 3V, IDS = 20mA, para distintas frecuencias.

La carta de Smith es una herramienta indispensable en la visualización de las

diferentes restricciones que se deben considerar en el diseño de un amplificador de
microondas. Estas restricciones se traducen círculos de ganancia constante, círculos de
figura de ruido constante, y círculos de factor de desadaptación constante. Más
adelante derivaremos e interpretaremos estos conceptos.

Los amplificadores de microondas usualmente se construyen en Circuitos

Integrados de Microondas (MIC) tanto híbridos como monolíticos (MMIC). En
construcción híbrida las líneas de transmisión y las mallas de adaptación usualmente
se hacen como elementos de circuito microstrip sobre un substrato dieléctrico y los
componentes discretos (condensadores, resistencias, transistores, etc.) se conectan
soldando. Los dispositivos discretos vienen con terminales conductores para facilitar su
inserción en un circuito híbrido.
En los MIC monolíticos (MMIC) todos los elementos que conforman el circuito
(líneas de transmisión, redes de adaptación, elementos activos y pasivos, etc.) se
construyen en un único cristal semiconductor. Esta tecnología es principalmente
utilizada en la producción a gran escala.
11.2 Consideraciones de diseño

En general se pueden distinguir los siguientes objetivos en el diseño de

amplificadores de microondas:

• Máxima ganancia de potencia

• Mínima figura de ruido para la primera etapa.
• Ganancia estable, ie, sin oscilaciones.
• Razón de onda estacionaria (VSWR) cercana a la unidad, tanto en la entrada
como en la salida.
• Ganancia uniforme en una cierta banda de frecuencia.
• Respuesta en frecuencia de la fase lineal, ie, sin distorsión.
• Insensibilidad a cambios en los parámetros S o cambios en la polarización.

Es importante notar que existen muchos compromisos o trade offs entre estos
objetivos de diseño. Por ejemplo, en el diseño de amplificadores de bajo ruido es
necesario sacrificar ganancia y VSWR a la entrada a cambio de una figura de ruido
aceptable (más adelante definiremos figura de ruido).
Las especificaciones de diseño están todas interrelacionadas lo cual hace el
problema casi inmanejable sin el uso de una estrategia de optimización computacional,
dado que cada requerimiento impone restricciones sobre los otros, y las ecuaciones
que definen estas restricciones no son sencillas. Por esta razón la visualización de las
restricciones en una carta de Smith facilita enormemente la comprensión del conflicto
entre los requerimientos.

Una vez que el diseñador elije el transistor y define su punto de polarización,

mediante el uso de los parámetros de Scattering y los parámetros de ruido diseña el
circuito que cumple con los requerimientos, en particular diseña las mallas de
adaptación a la entrada y salida del dispositivo. Más adelante veremos como las mallas
de adaptación a la entrada y a la salida determinan entre otros factores la figura de
ruido y la ganancia.

Los diseñadores disponen de una gran variedad de dispositivos en el mercado.

La selección de un dispositivo para una aplicación en particular no es trivial.
Típicamente el diseñador parte con el análisis de los parámetros S del dispositivo. La
selección del transistor se basa principalmente en los requerimientos de ganancia y
ruido a una cierta frecuencia, tipo de empaquetamiento y voltajes de operación
disponibles.
Los parámetros S se miden insertando el transistor en un circuito de prueba con
líneas de 50 Ω tanto a la entrada como a la salida, polarizando el dispositivo con
voltajes y corrientes adecuados. Luego es importante tener en cuenta que el diseño
debe dejar un margen a la variación de los parámetros S, los cuales no solo dependen
de la polarización y la frecuencia, sino que también de la temperatura y de transistor
en transistor (aún del mismo modelo).

A diferencia del diseño de amplificadores de pequeña señal, el diseño de

amplificadores de gran señal requiere tomar en cuenta las características no lineales
de los transistores y además poner atención a la disipación de potencia del dispositivo
y el diseño de disipadores de calor. La metodología de diseño de amplificadores de
pequeña señal usando redes lineales de dos puertos sirve como primera aproximación
al diseño de amplificadores de gran señal, particularmente en conexión con estabilidad.
El diseño de amplificadores de microondas de gran señal queda fuera del alcance de
este capítulo.
11.3 Propiedades básicas de redes de dos puertos

11.3.1 Propiedad de conservación del factor de desadaptación en redes sin

pérdidas

Zs Red
sin pérdidas
Zin ZL

Vs

Figura 11.3: Red lineal de dos puertos sin pérdidas conectada a una fuente y una carga

En el esquema de la figura 11.3 se muestra una red lineal de dos puertos sin
pérdidas, conectada a una fuente de voltaje con una impedancia de fuente
Z s = Rs + jX s , y una carga de impedancia Z L = RL + jX L . La impedancia mirando a la
red desde el lado de la fuente es Z in = Rin + jX in . La potencia que entra a la red está
dada por
2
1 1 Vs
Pin = | I |2 Rin = Rin (11.1)
2 2 Z s + Z in
Vs
donde I = .
Z S + Z in

A partir de la ecuación (11.1) se observa que la potencia que entra a la red

alcanza su valor máximo cuando Z s = Z in ( Rs = Rin y X s = − X in ), ie, cuando las partes
*

imaginarias se cancelan en el denominador de la expresión.

Definimos como la potencia disponible de la fuente Pava a la máxima potencia
que puede entrar a la red (y que entra totalmente a la red cuando la impedancia de
entrada está adaptada conjugada con la impedancia de la fuente). Entonces, se tiene

2 2
1 Vs 1 Vs
Pava Pin max = Rin = (11.2)
2 Rs + Rin 2 4 Rs

Cuando Z s ≠ Z in entonces la potencia que entra a la red es menor que la

*

potencia disponible de la fuente y está dada por

2 2
1 Vs 1 Vs 4 Rs Rin 4 Rs Rin
Pin = Rin = ⋅ = Pava ⋅
2 Z s + Z in 2 4 Rs Z s + Z in Z s + Z in
 ⇔ Pin = M ⋅ Pava (11.3)

4 Rs Rin
donde M (11.4)
Z s + Z in

La expresión anterior nos dice que cuando no hay adaptación de impedancia la

potencia que efectivamente entra a la red es una fracción M de la potencia disponible
de la fuente. Definimos M como el factor de desadaptación de impedancia (mismatch
factor) a la entrada de la red. El factor de desadaptación también se puede ver como
un coeficiente de transmisión de potencia.

También se puede definir el factor de desadaptación de impedancia a la salida

como:

PL = M L Pava , L

donde Pava , L es la potencia disponible entregada por la red a la carga y PL es la

potencia efectivamente entregada a RL .

Como la red es sin pérdidas, por definición la potencia que entra a la red se
traspasa completamente a la carga, ie, Pin = PL . Además se puede demostrar2 que la
potencia disponible de la fuente es igual a la potencia disponible entregada por la red a
la carga, ie, Pava = Pava , L . Luego para una red lineal pasiva sin pérdidas se tiene que el
factor de desadaptación es el mismo a la entrada y a la salida, ie, se conserva
( M = M L ).

En general para varias redes lineales pasivas sin pérdidas (recíprocas) en

cascada como se muestra en la figura 11.4 se puede demostrar que:

Pava , S = Pava ,1 = Pava , 2 = ⋅ ⋅ ⋅ = Pava , L (11.5a)

M = M1 = M 2 = ⋅ ⋅ ⋅ = M L (11.5b)

Pin ,1 = MPava , s , Pin ,2 = M 1 Pava ,1 , … (11.5c)

2
Véase [1], cáp. 5, sección 5.7, págs. 335-336.
Zs Red
s in pérdidas
M M1 M2 ML ZL

Vs

Pava,s Pin Pava,1 Pin1 Pava,2 Pin2 Pava,L PL

Figura 11.4: Conexión en cascada de varias redes sin pérdidas entre la fuente y la carga

En una red lineal activa (ie, no reciproca) el factor de desadaptación no se

conserva. Por ejemplo en el caso de un amplificador visto como red de dos puertos, la
potencia entregada a la carga es mayor que la potencia a la entrada.
11.3.1 Definiciones de Ganancia

Red lineal activa

Zs
Ms ML
Gp ZL

Vs

Pava,s Pin Pava,L PL

Figura 11.5: Red lineal activa con ganancia de potencia Gp

Para el amplificador básico de la figura 11.5 se definen las siguientes ganancias:

PL
i) Ganancia de potencia: G p
Pin
PL
ii) Ganancia de transductor: G
Pava , s
Pava , L
iii) Ganancia de potencia disponible: Ga
Pava , s

Para el caso de redes lineales pasivas sin pérdidas, la ganancia de potencia es

unitaria ( G p = 1 ).

Si las impedancias están adaptadas conjugadas a la entrada y a la salida del

amplificador entonces la ganancia de potencia es máxima, y se cumple que
G p = G = Ga = Gmax y M S = M L , siempre y cuando el dispositivo sea absolutamente
estable.3 Si las impedancias no están adaptadas conjugadas entonces la ganancia de
potencia no es máxima.

3
Más adelante veremos que solo se puede usar adaptación de impedancias conjugadas cuando el dispositivo
es absolutamente estable.
11.3.1 VSWR, coeficiente de reflexión y factor de desadaptación en
amplificadores multietapa

Figura 11.6: Amplificador de dos etapas con mallas de adaptación

En la figura 11.6 se muestra un amplificador de dos etapas con mallas de

adaptación entre etapas, conectado a líneas de transmisión de impedancia
característica Z c tanto a la entrada como a la salida. Entre cada etapa existen
coeficientes de reflexión definidos por las respectivas impedancias entre etapas. En
+
particular, el coeficiente de reflexión que enfrenta la onda de voltaje incidente V está
dado por
Z − Zc Z −1
Γ= =
Z + Zc Z + 1
donde Z = Z / Z c es la impedancia de entrada a la malla de adaptación 1, normalizada.

La potencia incidente proveniente de la línea de transmisión está dada por

1
Pinc = | V + |2 Yc y la potencia que entra a la malla 1 es Pin ,1 = M s Pinc , donde M s es el
2
factor de desadaptación de impedancia entre la línea de transmisión y la malla 1.

Se puede demostrar que Pin ,1 = (1− | Γ |2 ) Pinc , lo que nos entrega la siguiente
ecuación que relaciona el factor de desadaptación con el coeficiente de reflexión:

M s = 1− | Γ |2 (11.6)

Con la ecuación (11.6) y usando la expresión de VSWR en función del

coeficiente de reflexión se puede obtener la siguiente ecuación que relaciona la razón
de onda estacionaria VSWR1 a la entrada de la malla de adaptación 1 con el factor de
desadaptación Ms:

1+ | Γ | 1 + 1 − M s
VSWR1 = = (11.7)
1− | Γ | 1 − 1 − M s
 Notar que el factor de desadaptación a la entrada y a la salida de las mallas de
adaptación es el mismo, esto porque las suponemos sin pérdidas.4 Luego la razón de
onda estacionaria VSWR1 también depende del grado de desadaptación entre Zs y
Z in .
Entonces, el diseño de la malla 1 además de definir un M s que produzca una
figura de ruido óptima, al mismo tiempo debe mantener las restricciones de VSWR a la
entrada y la estabilidad del amplificador con una ganancia aceptable según los
requerimientos. Más adelante veremos este problema en detalle.

Recordando que las mallas de adaptación (lineales, pasivas y sin pérdidas)

tienen ganancia unitaria, es fácil ver que la potencia que recibe la carga está dada por

PL = GP1GP 2 Pin GP Pin (11.8)

donde definimos GP como la ganancia de potencia de las dos etapas. También se

puede reescribir la ecuación anterior en función de la ganancia de transductor G:

PL = GP Pin = GP (1− | Γ |2 ) Pinc GPinc (11.9)

4
Más adelante veremos que en la práctica siempre se tratan de minimizar las pérdidas resistivas en las mallas
de adaptación porque contribuyen con ruido termal al sistema.
11.4 Ganancia en función de los parámetros de Scattering

Figura 11.7: Esquema básico de un amplificador

Queremos encontrar expresiones que relacionen la ganancia de potencia del

amplificador, con los parámetros de Scattering y las impedancias de fuente y carga (o
bien con los coeficientes de reflexión en la fuente y en la carga).
En el circuito básico de la figura 11.7 el amplificador se conecta a la fuente y a
la carga a través de líneas de transmisión de impedancia característica Z c . Suponemos
estas líneas de transmisión de largo despreciable.
Los coeficientes de reflexión en la carga y en la fuente están dados por

V2+ Z L − 1 V1+ Z s − 1
ΓL = y Γs =
V2− Z L + 1 V1− Z s + 1

donde las impedancias se encuentran normalizadas, ie, Z L = Z L / Zc y Z s = Z s / Zc .

Las ondas incidentes y reflejadas de voltaje se relacionan a través de la matriz

de parámetros de Scattering de la siguiente forma:

V1− = S11V1+ + S12V2+ (11.10)

V2− = S 21V1+ + S 22V2+ (11.11)

A partir de (11.10) y (11.11) y la definición de Γ L y Γ s , se puede demostrar

que
V1− S11 − ∆Γ L
Γ in = (11.12)
V1+ 1 − S22 Γ L

V2− S22 − ∆Γ s
Γ out = (11.13)
V2+ 1 − S11Γ s

donde se define ∆ S11S 22 − S12 S 21 .

 Los factores de desadaptación de impedancia M s y M L están dados por

4 Rs Rin 4 Rout RL
Ms = y ML = .
| Z s + Zin |2 | Z out + Z L |2

Usando las expresiones de los coeficientes de reflexión en función de las

impedancias se demostrar que

(1− | Γ s |2 )(1− | Γin |2 )

Ms = (11.14)
|1 − Γ s Γin |2

(1− | Γ out |2 )(1− | Γ L |2 )

ML = (11.15)
|1 − Γ out Γ L |2

Para obtener la ganancia de potencia G p necesitamos calcular Pin y PL :

PL =
1
2 { } *
Re VL I L , donde VL = V2− (1 + Γ L ) e I L = YcV2− (1 − Γ L )

Pin =
1
2 { } *
Re Vin I in , donde Vin = V1+ (1 + Γ in ) e I in = YcV1+ (1 − Γ in )

Usando las expresiones anteriores se llega a

1
PL = Yc | V2− |2 (1− | Γ L |2 ) (11.16)
2

1
Pin = Yc | V1+ |2 (1− | Γ in |2 ) (11.17)
2

Usando las ecuaciones anteriores, finalmente se puede demostrar5 que

(1 − Γ L ) S 21
2 2
P
Gp = L = (11.18)
Pin 1 − S11 + Γ L ( S 22 2 − ∆ 2 ) − 2 Re {Γ L ( S 22 − ∆S11* )}
2 2

(1 − Γ L )(1 − Γ s ) S 21
2 2 2
P
G= L = (11.19)
Pava , s (1 − S 22 Γ L )(1 − S11Γ s ) − S12 S 21Γ s Γ L 2

donde ∆ = S11S 22 − S12 S 21 .

5
La derivación completa de las expresiones de ganancia se encuentra en [1], cáp. 10, sección 10.5, págs. 730-
733.
11.5 Estabilidad

11.5.1 Noción de estabilidad en amplificadores

La estabilidad o la resistencia a la oscilación de un amplificador de microondas

es uno de los más importantes objetivos de diseño. La estabilidad se puede determinar
a partir los parámetros S, las mallas de adaptación a la entrada y a la salida y las
terminaciones del circuito.

A altas frecuencias un transistor presenta una retroalimentación intrínseca de la

salida a la entrada, principalmente debido a las capacitancias finitas presentes en el
dispositivo.6 De esta forma el dispositivo puede ser potencialmente inestable y a
menos que el circuito sea diseñado adecuadamente puede oscilar, inutilizando su uso
como amplificador.
Mirando el problema desde el punto de vista de ondas, las condiciones de
estabilidad establecen que la potencia reflejada en los puertos del amplificador debe
ser menor que la potencia incidente, ie, los coeficientes de reflexión mirando hacia los
puertos del amplificador deben ser en módulo menores que uno. Cuando el
amplificador cumple las condiciones de estabilidad para todo valor de impedancias de
fuente y carga se dice que el amplificador es absolutamente estable. Si se cumplen las
condiciones solo para ciertos valores restringidos de impedancia el amplificador es
potencialmente estable. En caso contrario es inestable.

Notar que si los coeficientes de reflexión mirando hacia los puertos del
amplificador son de módulo mayor que uno, entonces las partes reales de las
impedancias de entrada y salida del dispositivo tendrán parte real negativa. Por
ejemplo, si en el amplificador de la figura 11.7 se tiene que Z in = − Rin + jX in , entonces:

1/ 2
Z in − Z c ⎡ ( Rin − Z c ) 2 + X in2 ⎤
| Γ in |= =⎢ ⎥ >1
Z in + Z c ⎣ ( Rin + Z c ) 2 + X in2 ⎦

Luego una condición necesaria para la estabilidad absoluta del dispositivo a una
frecuencia dada es que las resistencias de entrada y salida (ie, Rin = Re {Z in } y
Rout = Re {Z out } ) sean positivas. El caso límite se da cuando la impedancias son
reactivas puras, ie, Z in = jX in ( ⇔ | Γ in |= 1 ) y Z out = jX out ( ⇔ | Γ out |= 1 ).

En las siguientes secciones se muestran la obtención de un criterio de

estabilidad en función de los parámetros S y su relación con la adaptación de
impedancias, y la visualización gráfica en el plano complejo del “dominio de
estabilidad” o el subconjunto de valores de los coeficientes de reflexión de fuente y
carga que determinan estabilidad absoluta.

6
Notar que ahora ya no es válida la hipótesis de que la ganancia del dispositivo es unilateral. Esto equivale a
decir que existe un coeficiente de transmisión de la salida a la entrada (que puede ser no nulo) y corresponde
al parámetro de Scattering S12 .
11.5.2 Adaptación de impedancias y estabilidad

En el circuito de la figura 11.7 se puede obtener máxima transferencia de

potencia (ie, M s = M L = 1 y G p = G = Gmax ) adaptando las impedancias, ie, eligiendo
* *
Z s = Z in ( ⇔ Γ s = Γ*in ) y Z L = Z out ( ⇔ Γ L = Γ*out ). Utilizando las ecuaciones (11.12) y
(11.13) se tiene que las condiciones para adaptar las impedancias equivalen al
siguiente sistema:

S11 − ∆Γ L
Γ*s = Γ in = (11.20a)
1 − S 22 Γ L

*
S 22 − ∆*Γ*S
Γ L = Γ*out = (11.20b)
1 − S11* Γ*s

Resolviendo el sistema anterior para Γ s y Γ L se obtienen las siguientes

soluciones:

1
Γ sM = ⎡⎣ A1 ± ( A12 − 4 | B1 |2 ) 1/ 2 ⎤⎦ (11.21a)
2 B1
1
Γ LM = ⎡ A2 ± ( A22 − 4 | B2 |2 ) 1/ 2 ⎤⎦ (11.21b)
2 B2 ⎣

donde
A1 = 1+ | S11 |2 − | S22 |2 − | ∆ |2
A2 = 1+ | S22 |2 − | S11 |2 − | ∆ |2
B1 = S11 − ∆S 22
*

B2 = S22 − ∆S11*

Ahora hay que ver cuales son las soluciones del sistema (11.20) que producen
| Γ sM |< 1 y | Γ LM |< 1 . Para esto notamos que si Ai2 − 4 | Bi |2 < 0 (i=1,2), entonces
1 1
Γ sM = ⎡⎣ A1 ± j (4 | B1 |2 − A12 ) 1/ 2 ⎤⎦ y Γ LM = ⎡⎣ A2 ± j (4 | B2 |2 − A22 ) 1/ 2 ⎤⎦ , y además se
2 B1 2 B2
cumple que | Γ sM |=| Γ LM |= 1 . 7

Luego concluimos que una condición necesaria para la estabilidad absoluta es

Ai2 − 4 | Bi |2 > 0 (i=1,2)

| Ai |
⇔ > 1 (i=1,2) (11.22)
2 | Bi |

7
Este caso corresponde a impedancias reactivas puras, ie, con parte resistiva nula. Además G p = G = 0 , ie,
la potencia incidente en los puertos del amplificador “rebota” totalmente.
 Asumiendo la condición (11.22) se puede demostrar a partir de (11.21) que las
soluciones que permiten | Γ sM |< 1 y | Γ LM |< 1 se obtienen eligiendo el signo negativo
cuando Ai > 0 y eligiendo el signo positivo cuando Ai < 0 en (11.21).8

La condición necesaria de estabilidad A2 − 4 | B2 | > 0 se puede reescribir en

2 2

función de los parámetros S de la siguiente forma:

A22 − 4 | B2 |2 = 4 | S12 S 21 |2 ( K 2 − 1) > 0

1− | S11 |2 − | S 22 |2 + | ∆ |2
donde se define el parámetro K .
2 | S12 S 21 |

Luego concluimos que otra condición necesaria para la estabilidad absoluta es

K > 1.

Se puede demostrar que cuando las impedancias están adaptadas conjugadas la

ganancia de potencia se puede escribir como

S 21
G p = G = Gmax = ( K − K 2 −1) (11.23)
S12

S 21
donde el factor se llama figura de mérito del dispositivo.
S12

Notar que el valor límite máximo de la ganancia estable se obtiene cuando

K = 1 y su valor es

S21
GMSG = (11.24)
S12

A partir de la ecuación (11.23) se deduce que para usar adaptación de

impedancias conjugadas tiene que cumplirse la condición necesaria de estabilidad
K > 1 .9 En otras palabras no se puede usar adaptación de impedancias conjugadas si
el dispositivo (ie, el transistor) es inestable.

8
Se puede demostrar que para un dispositivo absolutamente estable se cumple que Ai > 0 (i=1,2), ie, la
solución estable se obtiene tomando el signo negativo. Véase [1], cáp. 10, sección 10.6, pág. 743.
9
Más adelante veremos bajo que condiciones esta condición también una condición suficiente para la
estabilidad absoluta.
11.5.3 Círculos de estabilidad

Como veremos más adelante, si el parámetro K es mayor que uno el dispositivo

será absolutamente estable para cualquier combinación de impedancias de fuente y
carga, y si K es menor que uno entonces el dispositivo es potencialmente estable, ie,
solo para ciertos valores de impedancias de fuente y carga se tendrá un
comportamiento estable.
El uso de los parámetros S permite graficar en una carta Smith los círculos de
estabilidad que separan las regiones de estabilidad e inestabilidad en el plano
complejo. Así disponemos de un criterio gráfico para elegir valores estables de los
coeficientes de reflexión de fuente y carga.

En la sección 11.5.1 introducimos las condiciones para la estabilidad absoluta:

S11 − ∆Γ L
| Γin |= <1 para todo | Γ L |< 1 (11.25a)
1 − S22 Γ L

S22 − ∆Γ s
| Γ out |= <1 para todo | Γ s |< 1 (11.25b)
1 − S11Γ s

Notar que a partir de (11.25) se deducen dos condiciones necesarias para

estabilidad absoluta10:

| S11 |< 1 (11.26a)

| S22 |< 1 (11.26b)

La idea es encontrar las regiones de los planos Γ L y Γ s que satisfacen | Γin |< 1
y | Γout |< 1 respectivamente. Para esto notamos que el límite entre valores estables e
inestables de Γ L será el círculo en el plano Γ L que tiene correspondencia con el
circulo unitario en el plano Γ in . Para Γ s es completamente análogo.
La correspondencia entre estos círculos se hace más fácil notando que las
relaciones Γin = Γin ( Γ L ) y Γout = Γout ( Γ s ) son transformaciones bilineales complejas.11

Haciendo uso de las propiedades de transformaciones bilineales podemos

calcular el centro Γ LC y el radio RLC del círculo en el plano Γ L que corresponde a
través de (11.12) con el círculo unitario centrado en el origen del plano Γ in :

S11∆* − S22*
| S12 S 21 |
Γ LC = RLC = (11.27)
| ∆ |2 − | S22 |2 | ∆ |2 − | S 22 |2

10
Corresponden al caso particular cuando Z L = Z c (ie, Γ L = 0 ) y Z s = Z c (ie, Γ s = 0 ).
11
Véase anexo 11.9.1.
 Análogamente se obtienen Γ sC y RsC :

S22 ∆* − S11* | S12 S 21 |

Γ sC = RsC = (11.28)
| ∆ |2 − | S11 |2 | ∆ |2 − | S11 |2

Es importante notar que la región de estabilidad en el plano Γ in (ie, la región

interior al círculo unitario) puede corresponder al interior o al exterior del círculo
| Γ L − Γ LC |= RLC en el plano Γ L , dependiendo de si éste encierra o no al origen
( ΓL = 0 ) y si el origen es estable o no. Recordar que Γ L = 0 ⇔ Γin = S11 y Γ s = 0 ⇔
Γ out = S22 , entonces:

El origen del plano Γ L es estable ssi | S11 |< 1 .

El origen del plano Γ s es estable ssi | S 22 |< 1 .

Entonces tenemos cuatro casos posibles, dependiendo de la estabilidad del

origen y si el círculo de estabilidad encierra o no al origen. Por ejemplo, si | S11 |> 1
entonces el origen del plano Γ L es inestable y si el círculo | Γ L − Γ LC |= RLC encierra al
origen, podemos decir que la región de estabilidad corresponde a la región exterior al
círculo y la correspondiente región interior es inestable.
En la figura 11.8 se muestran gráficamente los dos casos posibles cuando el
origen del plano Γ L es estable. A la izquierda se muestra el caso en que la región
estable está dentro del círculo y a la derecha se muestra el caso en que la región
estable está fuera del círculo.

Figura 11.8: Círculos de estabilidad de la carga cuando el origen es estable.

 Analíticamente las condiciones que determinan si el círculo | Γ L − Γ LC |= RLC
encierra o no al origen del plano Γ L (con la carta de Smith incluida) se pueden escribir
como:

RLC − | Γ LC |> 1 ⇔ El círculo | Γ L − Γ LC |= RLC encierra al origen del plano Γ L

(1)
junto con la carta de Smith completa (ie, contiene el círculo | Γ L |= 1 ).

(2) | Γ LC | − RLC > 1 ⇔ El círculo no encierra al origen y no intersecta la carta de

Smith.

Los casos (1) y (2) anteriores dan origen a los siguientes únicos dos casos de
estabilidad absoluta, cuando el origen Γ L = 0 es estable:

• Caso 1 absolutamente estable: RLC − | Γ LC |> 1 y | S11 |< 1 .

• Caso 2 absolutamente estable: | Γ LC | − RLC > 1 y | S11 |< 1 .

Si escribimos los dos casos anteriores en función de los parámetros S,

manipulando algebraicamente se puede demostrar12 que

• Caso 1 absolutamente estable: (K>1, | S11 |< 1 , | S12 S 21 |< 1− | S11 |2 ) es condición
suficiente para estabilidad absoluta.
• Caso 2 absolutamente estable: (K>1, | S11 |< 1 ) es condición suficiente para
estabilidad absoluta.

Γ s en forma totalmente
Por otro lado, analizando la estabilidad en el plano
análoga se obtienen las condiciones suficientes de estabilidad absoluta (K>1, | S 22 |< 1 ,
| S12 S 21 |< 1− | S 22 |2 ) y ( K > 1 , | S11 |< 1 ).

Luego, las condiciones necesarias y suficientes para la estabilidad absoluta son:

1− | S11 |2 − | S 22 |2 + | ∆ |2
K= >1 (11.29a)
2 | S12 S21 |

| S11 |< 1 (11.29b)

| S22 |< 1 (11.29c)
| S12 S 21 |< 1− | S11 |2 (11.29d)
| S12 S 21 |< 1− | S 22 |
2
(11.29e)

12
Véase [1], cáp. 10, sección 10.6, págs. 737-740
 Sumando (11.29d) y (11.29e) y utilizando K > 1 se puede demostrar que

| ∆ |2 −1
K > 1+ (11.30)
2 | S12 S 21 |

Esta última condición resume las últimas dos condiciones de estabilidad. Luego,
mirando esta desigualdad es claro que si | ∆ |< 1 entonces la condición K > 1 es
suficiente si | S11 |< 1 y | S22 |< 1 . En la práctica la mayoría de los dispositivos satisfacen
| ∆ |< 1 , luego tenemos que las condiciones suficientes13 para estabilidad absoluta son:

K >1 (11.31a)
| S11 |< 1 (11.31b)
| S22 |< 1 (11.31c)

De esta forma tenemos un criterio para determinar la estabilidad en función de

los parámetros S.

Es importante mencionar que el análisis de estabilidad mostrado en este

capítulo se hizo respecto al esquema de la figura 11.7, ie, para una sola etapa de
amplificación. En un esquema multietapa las condiciones de estabilidad mostradas
anteriormente son insuficientes porque los planos de entrada o salida de una etapa
intermedia pueden estar terminados con redes activas. Si se considera un amplificador
multietapa como una sola red de dos puertos y se analiza a través de sus parámetros
de scattering puede ser útil, pero no garantiza la estabilidad del conjunto.14

13
Asumiendo que el dispositivo satisface | ∆ |< 1 , como en la gran mayoría de los casos.
14
Véase [2].
11.6 Círculos de ganancia constante

La expresión para la ganancia de potencia obtenida en la sección 11.4 se puede

reescribir de la siguiente forma:

(1 − Γ L Γ*L ) | S21 |2
Gp =
1− | S11 |2 +Γ L Γ*L (| S22 |2 − | ∆ |2 ) − Γ L ( S22 − ∆S11* ) − Γ*L ( S22
*
− ∆* S11 )

Por conveniencia se define la ganancia de potencia normalizada g p :

g p G p / | S12 |2 (11.32)

1 − Γ L Γ*L
⇔ gp =
1− | S11 |2 +Γ L Γ*L (| S 22 |2 − | ∆ |2 ) − Γ L ( S 22 − ∆S11* ) − Γ*L ( S 22
*
− ∆* S11 )

g p ( S22 − ∆S11* ) *
g p ( S 22 − ∆* S11 ) (1− | S11 |2 ) g p − 1
Γ LΓ − Γ L
*
−Γ *
+ (11.33)
(| S22 |2 − | ∆ |2 ) g p + 1 (| S22 |2 − | ∆ |2 ) g p + 1 (| S22 |2 − | ∆ |2 ) g p + 1
L L

La ecuación de un círculo de radio R centrado en Z 0 se puede escribir como

| Z − Z 0 |2 = R 2 ⇔ ZZ * − ZZ 0* − Z * Z 0 + ( Z 0 Z 0* − R 2 ) = 0 (11.34)

Luego, comparando (11.33) con (11.34) se puede demostrar que la ecuación

(11.33) se puede reescribir de la forma:

| Γ L − Γ Lg |= RLg (11.35)

donde
*
g p ( S22 − ∆* S11 )
Γ Lg =
(| S22 |2 − | ∆ |2 ) g p + 1

(1 − 2 Kg p | S12 S 21 | + g 2p | S12 S 21 |2 )1/ 2

RLg =
(| S 22 |2 − | ∆ |2 ) g p + 1

La ecuación (11.35) especifica el conjunto de puntos que determinan una

ganancia de potencia constante g p y geométricamente corresponde a la ecuación de
un círculo en el plano ΓL .
 Recordando las expresiones encontradas en la sección 11.5.3 para el radio RLc
y el centro Γ Lc del círculo de estabilidad relativo al coeficiente de reflexión en la carga,
es interesante notar que

S11∆* − S22*
lim Γ Lg ( g p ) = Γ Lc = lim Γ Lg ( g p ) = 0
g p →∞ | ∆ |2 − | S22 |2 g p →0
y
| S12 S21 | lim RLg ( g p ) = 1
lim RLg ( g p ) = RLc = g p →0
g p →∞ | ∆ |2 − | S22 |2

Lo anterior significa que al hacer g p → ∞ los círculos de ganancia constante

tienden al círculo de estabilidad de Γ L , y el círculo de ganancia cero corresponde a la
frontera de la carta de Smith (ie, | Γ L |= 1 , que corresponde a una carga reactiva pura).
También se puede notar que Γ Lg es proporcional a Γ Lc , lo que desde el punto
de vista geométrico significa que el círculo de ganancia constante y el círculo de
estabilidad de Γ L se encuentran centrados en el mismo rayo desde el origen.

Para dispositivos absolutamente estables se grafican los círculos de ganancia

constante que corresponden a ganancias de 1dB, 2dB, 3dB, … , hasta
g p max = ( K − K 2 − 1) / | S12 S21 | .15
Para dispositivos potencialmente estables se grafica sólo hasta
g p max = 1/ | S12 S21 | , que es el caso límite cuando K = 1 .
K =1

En la figura 11.9 se muestran círculos de ganancia de potencia constante para

un transistor absolutamente estable, cuando el círculo de estabilidad relativo a la carga
cae completamente fuera de la carta de Smith. Los círculos de ganancia constante
negativa se muestran con líneas discontinuas.

15
Recordar que para dispositivos absolutamente estables la máxima ganancia de potencia está dada por
| S21 |
G p max = ( K − K 2 − 1) y ocurre cuando las impedancias están adaptadas conjugadas.
| S12 |
 Figura 11.9: Círculos de ganancia de potencia constante para un dispositivo absolutamente
estable, cuando el círculo de estabilidad cae fuera de la carta de Smith.

Otra herramienta gráfica muy útil en el diseño de amplificadores de microondas

son los círculos de Γ in . Un círculo de ganancia constante g p contiene todos los Γ L que
*

determinan tal valor de ganancia. Recordando que Γ in se relaciona con Γ L a través de

una transformación bilineal dada por la ecuación (11.12), entonces un círculo de
ganancia constante dado corresponde a través de (11.12) con un círculo de Γ in . Sin
embargo es más útil en el diseño graficar el correspondiente circulo de Γ in porque su
*

cercanía con el círculo de figura de ruido constante (que contiene valores de Γ s ) nos
permite visualizar que tan cercanos podemos diseñar los valores de Γ s y Γ in . Luego,
*

graficando el círculo de Γ in para una ganancia dada, podemos visualizar el grado de

*

adaptación de impedancias conjugadas a la entrada y su relación con la figura de ruido

y la potencia.
 Recordando la ecuación (11.12) tenemos que Γ in y Γ L se relacionan a través
de

S11 − ∆Γ L
Γ in =
1 − S 22 Γ L

∆*Γ*L − S11*
⇔ Γ = * *
*

S22 Γ L − 1
in

La ecuación anterior es una transformación bilineal que nos permite determinar

la correspondencia entre los valores de Γ L en un círculo de ganancia de potencia
constante, con un círculo con valores de Γ in .
*

Se puede demostrar que el círculo con valores de Γ in correspondiente con un

*

círculo de ganancia de potencia constante g p está dado por:

| Γ*in − Γ*in,c |= Rin

2
RLg S22 ∆* + ( S22Γ Lg − 1)( S11* − ∆*Γ*Lg )
Γ *
=
| RLg S 22 |2 − | S22 Γ Lg − 1|2
in ,c

| S12 S21 | RLg

Rin =
| RLg S22 |2 − | S22 Γ Lg − 1 |2
11.7 Ruido

11.7.1 Orígenes y tipos de ruido en dispositivos activos

En un dispositivo semiconductor el movimiento aleatorio de portadores produce

señales de voltaje y corriente que varían aleatoriamente en el tiempo (noise) y por lo
tanto no existe manera analítica de describir su forma de onda en el tiempo. Las
amplitudes de estas señales eléctricas aleatorias se pueden modelar como procesos
estocásticos con promedio nulo y valor cuadrático medio no nulo, y para la mayoría de
las aplicaciones basta con conocer sus valores rms (root mean square). Como la
potencia de estas señales eléctricas es proporcional a su amplitud al cuadrado,
entonces a los valores rms de estas señales de voltaje y corriente se les llama noise
power (potencia del ruido). En general la potencia del ruido es función de la frecuencia,
y a la potencia por unidad de frecuencia se le llama densidad espectral de potencia.

En dispositivos activos existen tres principales tipos de ruido:

• Ruido termal (thermal noise): Se genera por la agitación termal de los

electrones. Su espectro de frecuencias es plano (ie, ruido blanco) en un amplio
rango de frecuencias y depende directamente de la temperatura y la
resistividad del medio. También se le conoce como ruido de Johnson.

• Ruido de disparo (shot noise): Se debe a la fluctuación aleatoria de los

portadores que pasan a través de una barrera de potencial en un dispositivo
electrónico. Por ejemplo, debido a la naturaleza discreta de los portadores que
fluyen por una juntura p-n existe una corriente aleatoria que fluctúa sobre el
valor promedio. Naturalmente esta corriente es directamente proporcional a la
corriente de polarización del dispositivo. Al igual que el ruido termal tiene
densidad espectral de potencia constante.

• Ruido de bajas frecuencias (flicker noise): Ocurre tanto en dispositivos de

estado sólido como en válvulas al vacío. Se caracteriza por tener un espectro tal
que la densidad espectral de energía decae proporcionalmente al inverso de la
frecuencia. En general se atribuye a la dinámica caótica del sistema. También
se le llama ruido rosado (pink noise) y 1/f noise.

Flicker noise es insignificante en comparación con el ruido termal y shot noise a

partir de frecuencias de kHz en adelante. Pero en dispositivos MESFETs puede ser
importante sobre los 100 MHz. En general, flicker noise es importante solo a bajas
frecuencias.
11.7.2 Modelación del ruido

El ruido termal en un elemento resistivo se puede modelar con una resistencia

sin ruido R y una fuente de voltaje en serie en (t ) o equivalentemente con una fuente
de corriente en paralelo in (t ) = en (t ) / R .
El ruido termal se puede modelar como un proceso estacionario ergodico, ie,
dado un conjunto infinito de resistencias macroscópicamente idénticas cada una con su
propia señal de voltaje de ruido, entonces el promedio del conjunto se puede
reemplazar por el promedio temporal.
A temperatura ambiente la densidad espectral de potencia del ruido termal es
constante hasta frecuencias del orden de los 1000 GHz y decrece a frecuencias
superiores. Luego para frecuencias de microondas se asume que la densidad espectral
es constante, ie, se considera ruido blanco no correlacionado.

El promedio temporal del ruido está dado por

T
1
en (t ) = lim
T →∞ 2T ∫ e (t )dt = 0
−T
n (11.36)

La función de correlación para en (t ) es el valor promedio del producto

en (t )en (t + τ ) con τ ≥ 0 : 16

T
1
C (τ ) = en (t )en (t + τ ) = lim
T →∞ 2T ∫ e (t )e (t + τ )dt
−T
n n

La densidad espectral de potencia está dada por

∞
S n (ω ) = ℑ{C (τ )} = ∫ C (τ )e
− jωτ
dτ
−∞
La relación inversa es
∞
1
C (τ ) = ℑ−1 {S n (ω )} = ∫S (ω )e jωτ d ω
2π
n
−∞

Dado que asumimos en (t ) como ruido blanco, entonces se tiene que la densidad
espectral de potencia es constante. Luego la función de correlación está dada por

C (τ ) = C0δ (τ ) (11.37)

Sn (ω ) = ℑ{C0δ (τ )} = C0 y además S n (ω ) es función par. Luego

En efecto,
definimos la densidad espectral para ω ≥ 0 .

16
Notar que para τ = 0 la función de correlación es igual a la potencia promedio asociada al ruido, ie,
C (0) = en2 (t ) .
 La densidad espectral de potencia para el ruido termal o de Johnson en (t ) en
una resistencia R está dada por la fórmula de Nyquist:

Se (ω ) = 4kTR ω≥0 (11.38)

donde k = 1.38 × 10 [J/K] (constante de Boltzmann) y T es la temperatura absoluta de

23

la resistencia.
Equivalentemente si se modela el ruido con una fuente de corriente en paralelo
in (t ) = en (t ) / R la densidad espectral de potencia está dada por

4kT
Si (ω ) = ω≥0 (11.39)
R

Las dos ecuaciones anteriores son muy importantes porque constituyen un

modelo para el ruido blanco dependiente de la temperatura en una red resistiva.

En lo que sigue modelaremos el ruido en redes lineales de dos puertos sin

considerar el ruido 1/f (flicker noise), ie, asumiremos el ruido con densidad espectral
de potencia constante y dependiente de la temperatura. Esta hipótesis se justifica
porque la frecuencia de operación de los amplificadores de microondas estudiados aquí
es tal que el ruido 1/f es casi nulo e insignificante frente al ruido termal y shot noise.
11.7.3 Ruido en redes de dos puertos

Una red lineal de dos puertos con ruido puede modelar como una red de dos
puertos sin ruido con dos fuentes equivalentes de ruido a la entrada representando las
fuentes internas de ruido. Se usa una fuente de voltaje en (t ) en serie y una fuente de
corriente in (t ) en paralelo como se muestra en la figura 11.10. Se necesitan dos
fuentes de ruido para poder representar los ruidos equivalentes en corto circuito y en
circuito abierto a la entrada de la red. Estas dos fuentes de ruido no son
completamente independientes17 y en general existe una correlación cruzada no nula
entre en (t ) y in (t ) , ie, existe una densidad espectral de potencia cruzada no nula.
Luego la potencia total del ruido a la entrada de la red no es la suma simple de las
contribuciones de las fuentes de ruido.

Figura 11.10: Modelación de una red de dos puertos con ruido

Usando la fórmula Nyquist podemos definir la densidad espectral de potencia

de las fuentes de ruido equivalentes y la densidad espectral de potencia cruzada:

Se (ω ) = 4kTRe (11.40a)
Si (ω ) = 4kTGi (11.40b)
S x (ω ) = 2 [ S xr (ω ) + jS xi (ω )] = 4kT (γ r + jγ i ) (11.40c)

17
En general no son estadísticamente independientes, ie, están correlacionadas.
 Los parámetros Re , Gi y γ = γ r + jγ i se definen como la resistencia,
conductancia e impedancia compleja de ruido equivalentes respectivamente. De esta
forma tenemos que para describir completamente una red de dos puertos con ruido se
necesitan 4 parámetros ( Re , Gi , γ r , γ i ).

La potencia total de ruido a la entrada de la red en la figura 11.10 es igual a la

potencia total generada por las fuentes en (t ) y in (t ) , más la potencia de ruido termal
entregada por la parte resistiva de la impedancia de fuente Z s .
La corriente total generada por en (t ) y in (t ) que entra a la red sin ruido en la
figura 11.10 esta dada por
En + I n Z s
I in , n =
Z s + Z in

donde En y I n son fasores complejos rms.

Luego la potencia (rms) total asociada a las fuentes que entra a la red está
dada por

( En + I n Z s )( En* + I n* Z s* )
Pin ,n =| I in ,n |2 Rin =
| Z s + Z in |2
| En |2 Rin | I n |2 | Z s |2 Rin ( EI * Z s* + E * IZ s ) Rin
⇔ Pin ,n = + +
| Z s + Z in |2 | Z s + Z in |2 | Z s + Z in |2

Recordando que el factor de desadaptación a la entrada de la red está dado por

M = 4 Rs Rin / | Z s + Z in |2 y que para un número complejo se cumple que 2 Re Z = Z + Z *
entonces se tiene
| En |2 | I |2 ⎧ EI * Z s* Rin ⎫
Pin ,n = M + n M + 2 Re ⎨ 2⎬
(11.41)
4 Rs 4Gs ⎩ | Z s + Z in | ⎭

donde se define Gs = Re {1/ Z s } = Rs / | Z s |2 .

En la ecuación (11.41) los dos primeros términos corresponden a las

contribuciones de las fuentes en (t ) y in (t ) respectivamente. El tercer término
corresponde a la potencia generada por la interacción entre las dos fuentes.
La correlación cruzada entre in (t ) y en (t ) está dada por

T
1
C x (τ ) = in (t )en (t + τ ) = lim
T →∞ 2T ∫ i (t )e (t + τ )dt
−T
n n (11.42)

La densidad espectral de potencia cruzada está dada por

∞
S x (ω ) = S xr (ω ) + jS xi (ω ) = ℑ{C x (τ )} = ∫ C (τ )e
x
− jωτ
dτ (11.43)
−∞
 Como Cx (τ ) es función real, a partir de la ecuación anterior notamos que
S x ( −ω ) = S x* (ω ) .18 Luego concluimos que S xr (ω ) es función par y S xi (ω ) es función
impar de ω (ie, S x ( −ω ) = S x (ω ) = S xr (ω ) − jS xi (ω ) ).
*

Para calcular la potencia del ruido que entra a la red en una banda de
frecuencia ∆f centrada en ω hacemos

| En |2 = Se (ω )∆f
| I n |2 = Si (ω )∆f
En I n* = S x (ω )∆f

Reemplazando en la ecuación (11.41) resulta

M M ⎧ ( S (ω ) + jS xi (ω ) ) ( Rs − jX s ) Rin ∆f ⎫
Pin ,n = Se (ω )∆f + Si (ω )∆f + 4 Re ⎨ xr ⎬
4 Rs 4Gs ⎩ | Z s + Z in |2 ⎭

⎛ M M 4 ( S xr (ω ) Rs + S xi (ω ) X s ) ⎞
⇔ Pin ,n = ⎜ Se (ω ) + Si (ω ) + Rin ⎟ ∆f
⎝ 4 Rs 4Gs | Z s + Z in |2
⎠

⎛ M M ⎛ X ⎞ ⎞
⇔ Pin ,n = ⎜ Se (ω ) + Si (ω ) + ⎜ S xr (ω ) + s S xi (ω ) ⎟ M ⎟ ∆f (11.44)
⎜ 4Gs ⎝ ⎟
⎝ 4 Rs Rs ⎠ ⎠

De aquí se tiene que la densidad espectral de potencia del ruido que entra a la
red está dada por19

⎛
Pin ,n M M ⎛ X ⎞ ⎞
Sin ,n (ω ) = = ⎜ Se (ω ) + Si (ω ) + ⎜ S xr (ω ) + s S xi (ω ) ⎟ M ⎟ (11.45)
∆f ⎜ 4Gs ⎝ ⎟
⎝ 4 Rs Rs ⎠ ⎠

Para calcular la densidad espectral de potencia del ruido entregada a la carga

Z L basta con multiplicar por la ganancia de potencia G p (ω ) de la red:

⎛ M M ⎛ X ⎞ ⎞
S (ω ) = ⎜ Se (ω ) + Si (ω ) + ⎜ S xr (ω ) + s S xi (ω ) ⎟ M ⎟ G p (ω ) (11.46)
⎜ 4Gs ⎝ ⎟
⎝ 4 Rs Rs ⎠ ⎠

18
Para demostrarlo basta con notar que al ser Cx (τ ) real, al tomar el conjugado a la integral en (11.43) es lo
mismo que reemplazar ω por −ω .
19
No incluye el ruido termal generado por la parte resistiva de la impedancia de fuente Zs .
 Para calcular la potencia del ruido total entregada a la carga se integra
dω
S (ω )df = S (ω ) en todo el rango positivo de frecuencias:
2π
∞
dω
Pn ,out = ∫ S (ω )
0
2π

De la ecuación (11.46) se aprecia que el ruido es filtrado por la red, ie, el

espectro del ruido llega a la carga después de pasar por una cierta dinámica que
modifica su naturaleza inicial de ruido blanco, para convertirse luego en ruido con
densidad espectral no constante o ruido colorido (colored noise). El procesamiento de
las densidades espectrales de las fuentes de ruido a través de la red de dos puertos se
muestra en la figura 11.11:

Figura 11.11: Procesamiento del espectro de potencia de las fuentes de ruido

a través de la red de dos puertos

En la figura se aprecia más claramente la influencia de la correlación existente

entre las dos fuentes de ruido en la densidad espectral de potencia entregada a la
carga. Claramente si no existiera correlación la potencia a la salida sería la simple
suma de las contribuciones de cada fuente.
11.7.4 Figura de Ruido

La definición estándar para la figura de ruido F de una red de dos puertos

conectada a una fuente y una carga como en la figura 11.12 es

razón señal a ruido a la entrada S /N

F= = in in (11.47)
razón señal a ruido a la salida Sout / N out

donde Sin , Nin , Sout y Nout son las potencias de entrada de la señal, de entrada de
ruido, de salida de la señal y de salida de ruido.

Figura 11.12: Circuito estándar para la medición de la figura de ruido F

Como se ve en la figura 11.12 la definición estándar de F requiere adaptación

de impedancias conjugadas a la entrada y la parte resistiva de la impedancia de fuente
ajustada a la temperatura estándar T0 = 290 K . Si la red de dos puertos es sin ruido
entonces la razón señal a ruido es la misma a la entrada y a la salida, y la figura de
ruido resulta unitaria. En el caso real la figura de ruido es mayor que uno, porque la
red añade su propio ruido mientras que la señal y el ruido se alteran por el mismo
factor (ganancia), lo que determina que la razón señal a ruido a la salida disminuya.
La figura de ruido F recibe el nombre de spot noise figure cuando está referida
a una única frecuencia, ie, cuando se consideran las potencias en una banda ∆f
pequeña centrada en la frecuencia de referencia.
En el circuito de la figura 11.10 con fuentes equivalentes de ruido a la entrada
de la red, se puede definir F (spot noise figure) como

Pin ,n + Pin , Rs Pin ,n

F= = 1+ (11.48)
Pin , Rs Pin , Rs

donde Pin , n es la potencia de ruido total que entra a la red generada por las fuentes
equivalentes de ruido y Pn , Rs es la potencia de ruido termal que entra a la red
generada por la parte resistiva de Zs .
 Para calcular F primero expresamos Pin , n en función de la temperatura
reemplazando las densidades espectrales en la ecuación (11.44) por la respectiva
fórmula de Nyquist:

⎛ M M ⎛ X ⎞ ⎞
Pin ,n = ⎜ 4kTRe + 4kTGi + 2kT ⎜ γ r + s γ i ⎟ M ⎟ ∆f
⎜ Rs ⎠ ⎟⎠
⎝ 4 Rs 4Gs ⎝

Re G ⎛ X ⎞
⇔ Pin ,n = kT ∆f M + kT ∆f i M + 2kT ∆f ⎜ γ r + s γ i ⎟ M (11.49)
Rs Gs ⎝ Rs ⎠

La potencia de ruido termal que entra a la red generada por la resistencia de

fuente Rs está dada por
Pn , Rs = kT ∆fM (11.50)

Luego podemos calcular F a partir de (11.48) usando (11.49) y (11.50):

Pin ,n Re Gi ⎛ X ⎞
F = 1+ = 1+ + + 2⎜γ r + s γi ⎟ (11.51)
Pin , Rs Rs Gs ⎝ Rs ⎠

Notar que la ecuación anterior solo depende de la impedancia de fuente

Zs = Rs + jX s (recordar que Gs = Rs /( Rs2 + X s2 ) ) y los cuatro parámetros de ruido
Re , Gi , γ r y γ i .20

Como vimos anteriormente, debido a la naturaleza discreta de los portadores de

carga que fluyen en un dispositivo semiconductor y al movimiento aleatorio de los
electrones con energía cinética proporcional a la temperatura T, existen señales
aleatorias de corriente y voltaje con valor medio nulo y valor cuadrático medio (rms)
no nulo que llamamos ruido (en particular shot noise y thermal noise) que se modelan
con densidades espectrales de potencia constantes. En un transistor como amplificador
un aumento en la corriente de polarización implica un aumento en los valores rms de
las señales de ruido. Por el contrario a menor corriente de polarización menor será el
ruido. Luego se tiene un trade off entre bajo ruido y ganancia del dispositivo, ya que a
menor corriente de polarización menor es la ganancia.
Como la ganancia del dispositivo disminuye a menor corriente de polarización,
entonces es necesario encontrar un valor óptimo para la corriente de polarización que
determine el mejor compromiso entre ruido y ganancia.

20
Aunque la expresión de F no depende de ∆f , en la realidad ocurre que si el ancho de banda de un
amplificador está sobredimensionado entonces la razón señal a ruido a la entrada se deteriora.
 En la figura 11.13 se muestra una curva típica de figura de ruido versus
corriente de polarización I D , a 2 GHz para dos voltajes distintos. Notar que a mayor
voltaje drain-source la curva se desplaza hacia arriba, ie, aumenta el ruido.

Figura 11.13: Figura de ruido versus corriente ID , a 2 GHz con VDS de 3V y 4V.
Curva típica del transistor ATF-34143 (Low Noise Pseudomorphic HEMT).

A partir de la ecuación (11.51) se puede obtener la impedancia de fuente

óptima Z m = Rm + jX m que minimiza la figura de ruido resolviendo el siguiente
problema:

Fm = Mín F ( Rs , X s , Re , Gi , γ r , γ i )
Rs , X s

∂F
1/ 2
⎫ ⎛ Re γ i2 ⎞
=0⎪ Rm = ⎜ − 2 ⎟
∂Rs ⎪ ⎝ Gi Gi ⎠
⎬ ⇒
∂F γi
= 0⎪ Xm = −
∂X s ⎪⎭ Gi

Reemplazando los valores óptimos Rm y X m en (11.51) se obtiene la figura de

ruido óptima Fm . Luego se puede demostrar21 que

Gi
F = Fm + ⎡ ( Rs − Rm ) 2 + ( X s − X m ) 2 ⎤⎦ (11.52)
Rs ⎣

21
Véase [1], cáp. 10, sección 10.9, pág. 769.
11.7.5 Círculos de Figura de Ruido constante

La ecuación (11.52) se puede simplificar escribiendo el factor del lado derecho

en función de Z s y Z m :
Gi
F = Fm + Zs − Zm
2
(11.53)
Rs

El coeficiente de reflexión de la fuente está dado por

Z s − Zc ⎛ 1 + Γs ⎞
Γs = ⇔ Z s = Zc ⎜ ⎟ (11.54)
Z s + Zc ⎝ 1 − Γs ⎠
Análogamente,
Zm − Zc ⎛ 1 + Γm ⎞
Γm = ⇔ Z m = Zc ⎜ ⎟ (11.55)
Zm + Zc ⎝ 1 − Γm ⎠

Reemplazando (11.54) y (11.55) en la ecuación (11.53) y manipulando un poco

se obtiene la siguiente relación:

| Γ s − Γ m |2
F − Fm = 4GI (11.56)
|1 − Γ m |2 (1− | Γ s |2 )

donde GI Gi Z c es la conductancia de ruido Gi normalizada.

La ecuación (11.56) también se puede reescribir en función de la resistencia de

ruido normalizada RN Re / Z c :

| Γ s − Γ m |2
F − Fm = 4 RN (11.57)
|1 + Γ m |2 (1− | Γ s |2 )

Estas dos últimas ecuaciones son importantes porque en general, los

parámetros de ruido que entregan los fabricantes de transistores son Γ m , GN ó RN y
Fm . Con los parámetros de ruido conocidos se puede calcular la figura de ruido F para
una impedancia de fuente dada. En la figura 11.2 se muestran los parámetros de ruido
típicos de un transistor. En la tabla el fabricante entrega Fm en decibeles, Γ m (usando
la notación Γ o ) en magnitud y ángulo, RN (usando la notación Rn / 50 ) y además la
ganancia asociada Ga en decibeles. Todos estos valores se entregan tabulados para 15
frecuencias distintas entre 0.5 GHz y 10 GHz.
 La ecuación (11.56) se puede reescribir de la siguiente forma:

( F − Fm ) |1 − Γ m |2 | Γ s − Γ m |2
=
4GI 1− | Γ s |2

( F − Fm ) |1 − Γ m |2 Γ s Γ*s − Γ s Γ*m − Γ*s Γ m + Γ m Γ*m

⇔ = (11.58)
4GI 1 − Γ s Γ*s

El lado izquierdo (cuyo valor es real) depende de F y de los parámetros de ruido

entregados por el fabricante. Luego, dado un valor de la figura de ruido Fi se define la
expresión del lado izquierdo como

( Fi − Fm ) |1 − Γ m |2 ( Fi − Fm ) |1 + Γ m |2
Ni ( Fi ) =
4GI 4 RI

Reemplazando Ni en (11.58) y reordenando la ecuación se obtiene

Γ*m Γm Γ Γ* N 2 + Ni − Ni Γ m Γ*m
Γ s Γ*s − Γ s − Γ*s + m m2 − i =0 (11.59)
1 + Ni 1 + Ni (1 + Ni ) 1 + Ni

Recordando la ecuación de un círculo en el plano complejo22 tenemos que la

ecuación (11.59) se puede escribir como

2
Γ s − Γ sf = R 2f (11.60)

Γm
Γ sf =
1 + Ni
N i2 + N i (1− | Γ m |2 )
Rf =
1 + Ni

Cada punto del círculo (11.60) es un valor de Γ s que permite la obtención de

un valor Fi de la figura de ruido. Notar que el círculo es un punto cuando Fi = Fm (ie,
Γ s = Γ m ).
En la realidad, el valor de la figura de ruido es en general mayor que Fm debido
a que existe un trade off entre VSWR a la entrada y la figura de ruido. Si Γ s = Γ m
entonces la razón de onda estacionaria a la entrada podría ser demasiado grande y no
tendría sentido tener una figura de ruido mínima. Además Z s = Z m puede provocar la
inestabilidad de un transistor potencialmente estable. Luego, en general se tolera una
figura de ruido mayor que Fm .

22
| Z − Z 0 |2 = R 2 ⇔ ZZ * − ZZ 0* − Z * Z 0 + ( Z 0 Z 0* − R 2 ) = 0
11.7.6 Figura de Ruido para etapas en cascada

Figura 11.14: Amplificador de dos etapas con fuentes de ruido equivalentes

En la figura 11.14 se tiene un amplificador de dos etapas básico con fuentes

equivalentes de ruido en las entradas de las etapas. Sean F1 y F2 las spot noise figure
de las etapas 1 y 2 respectivamente.

La potencia total de ruido que entra a la primera etapa es

Pin1 = Pin ,n + Pin , Rs = F1 Pin , Rs = F1kT ∆fM 1

La potencia total de ruido que entra a la etapa 2, considerando solamente las

fuentes de ruido en (t ) y in (t ) es
' '

Pin 2 = F2 kT ∆fM 2 − Pin , Rs = ( F2 − 1)kT ∆fM 2

La potencia de ruido total a la salida del amplificador es la suma de las

contribuciones de cada etapa, amplificadas por la ganancia de potencia
correspondiente:

Pn ,out = G p1G p 2 Pin1 + G p 2 Pin 2

⇔ Pn ,out = G p1G p 2 F1kT ∆fM 1 + G p 2 ( F2 − 1) kT ∆fM 2 (11.61)

La figura de ruido F del sistema se define mirando el sistema como un

amplificador de una sola etapa con ganancia G p1G p 2 y fuentes de ruido equivalentes a
la entrada, cuya potencia de salida es G p1G p 2 FkT ∆fM 1 . Igualando esta potencia a Pn ,out
se puede calcular la figura de ruido F del sistema:

G p1G p 2 FkT ∆fM 1 = G p1G p 2 F1kT ∆fM 1 + G p 2 ( F2 − 1) kT ∆fM 2

 M2
⇔ F = F1 + ( F2 − 1) (11.62)
M 1G p1

Notar que si la ganancia de la primera etapa es del orden de 10 o más, y M 1 y

M 2 son comparables, entonces la contribución de F2 a la figura de ruido del sistema
es pequeña (recordando que F1 siempre es mayor que uno).

Se puede demostrar que para 3 o más etapas de amplificación la figura de ruido

equivalente del sistema está dada por

M2 M3
F = F1 + ( F2 − 1) + ( F3 − 1) + ... (11.63)
M 1G p1 M 1G p1G p 2

Luego, bajo la hipótesis de que los factores de desadaptación son en magnitud

comparables entre sí y que las ganancias de potencia de las etapas son del orden de
10 o más, entonces podemos decir que las etapas adicionales de amplificación en
cascada no contribuyen en gran medida a la figura de ruido del sistema.
11.7.6 Temperatura equivalente de ruido

Las fuentes de ruido a la entrada de un amplificador multietapa también se

pueden modelar asignando una temperatura Te equivalente a la parte resistiva de la
impedancia de fuente, ie, se define la temperatura de ruido Te tal que la potencia de
ruido termal que genera Rs es igual a la potencia de las fuentes de ruido, como se
muestra en la figura 11.15.

Figura 11.15: Amplificador con fuentes de ruido equivalentes a la entrada

y su equivalente sin fuentes de ruido, con temperatura de ruido Te en Rs

En la figura 11.15, igualando la potencia de ruido entregada a la carga

generada por las fuentes de ruido, con la potencia entregada a la carga proveniente
del ruido termal en Z s (a temperatura Te ) se tiene

G p1G p 2 ⋅⋅⋅ FM 1kT ∆f = G p1G p 2 ⋅⋅⋅ M 1kTe ∆f

⇔ Te = FT (11.64)

La diferencia de temperatura Te − T = ( F − 1)T se define como la temperatura de

ruido del amplificador. De esta forma podemos caracterizar el ruido de un amplificador
con una temperatura equivalente.
 Cuando todas las fuentes de ruido, incluyendo ruido del amplificador, ruido
termal, ruido captado por una antena, etc. se modelan a través de una temperatura
equivalente en Rs , entonces a esta temperatura se le llama temperatura de ruido del
sistema Tsys .
11.8 Estrategia de diseño de amplificadores de microondas

A continuación se muestra un posible algoritmo que permite diseñar un

amplificador de banda estrecha de una etapa como el de la figura 11.16, con
transistores estables o potencialmente estables. También se mostrará una posible
estrategia de diseño para una segunda etapa de amplificación.

11.8.1 Diseño de amplificadores de una etapa

Figura 11.16: Amplificador de una etapa

Se asumen conocidos los parámetros Sij , Fm , Γ m y RN o GI . Las

especificaciones de diseño son las siguientes:

• Máxima ganancia de potencia por sobre un valor mínimo

• Mínima figura de ruido por debajo de un valor máximo
• VSWR a la entrada y la salida sin exceder valores máximos

En un amplificador multietapa la VSWR a la salida de la primera etapa en

general no es un parámetro crítico. Luego si se relaja la restricción de VSWR a la salida
de la primera etapa, el grado de libertad sobre las otras restricciones es mayor y
permite una solución más óptima. Además si la VSWR a la salida de la primera etapa
es relativamente grande entonces se tiene mayor grado de libertad para las
restricciones de diseño de la segunda etapa.

A continuación se describe paso a paso el algoritmo propuesto de diseño para la

primera etapa:23

(1) Evaluar las condiciones necesarias y suficientes de estabilidad (11.29). Si se

cumplen el transistor es absolutamente estable y se sigue con los pasos (2),
(3) y (4). Si K<1 (el transistor es potencialmente estable) se sigue con los
pasos (5) y (6).

23
Véase [1], cáp. 10, sección 10.11, pág. 781.
 (2) Dado que el dispositivo es absolutamente estable, se evalúa si es posible usar
adaptación de impedancias conjugadas a la entrada y la salida manteniendo al
mismo tiempo una figura de ruido y ganancia aceptables. Se calcula Γ sM dado
por (11.21a) y luego se evalúa F usando (11.56) o (11.57) y la ganancia de
potencia usando (11.23). Si F y la ganancia son aceptables se termina. En la
práctica la figura de ruido resultante cuando se adaptan las impedancias no es
buena y se necesita un cierto grado de desajuste de impedancias y una
ganancia menor para lograr una figura de ruido aceptable. Si no se cumplen las
restricciones de diseño usando adaptación de impedancias conjugadas,
entonces seguir con el paso (3).

(3) Dado que no es posible usar Γ s = Γ sM , entonces se evalúa si es posible utilizar

Γ s = Γ m (valor que determina la mínima figura de ruido). Los valores de VSWR
a la entrada y salida de la primera etapa dependen de los factores de
desadaptación de impedancia M1 y M2 respectivamente. Luego se construye la
siguiente función objetivo:

FO = w1M1 ( Γ s , Γin ) + w2 M 2 ( Γ L , Γout )

donde w1 y w2 son pesos que determinan el nivel de importancia de VSWR a la

entrada y la salida respectivamente en la función objetivo. Maximizando la
función objetivo se obtienen los valores de óptimos de VSWR.

Dado un valor g p de la ganancia de potencia normalizada, se grafica el

correspondiente círculo de ganancia constante y su correspondiente círculo de
Γ*in .24 Luego, usando Γ s = Γ m en la función objetivo se busca en el círculo de
ganancia constante el valor de Γ L que maximiza la función objetivo.25 Una vez
encontrado el valor óptimo de ΓL se evalúan M1 y M2 y luego los
correspondientes valores de VSWR a través de (11.7). Si los valores de VSWR
son aceptables se termina. En caso contrario se puede relajar la exigencia de
ganancia, buscando en un círculo de menor ganancia constante, que
corresponde con un círculo de Γ in con radio más grande lo que permite
*

encontrar un valor óptimo de Γ in más cerca de Γ s = Γ m , y por lo tanto con

*

mejor valor de VSWR a la entrada. Este proceso se repite hasta el menor valor
aceptable de g p , y si con el mínimo valor de ganancia aceptable no se logran
valores de VSWR aceptables, entonces la única alternativa es aceptar una figura
de ruido F > Fm , como se explica en (4).

24
Recordar que un círculo de ganancia constante es un círculo con valores de Γ L , y este círculo se relaciona
a través de una transformación bilineal con un círculo con valores de Γ in como se vio en la sección 11.6.
*

El valor de Γ L que maximiza la función objetivo es aquel que corresponde al valor de Γ in más cercano
25 *

geométricamente a Γ s , ie, el valor que produce la situación más cercana posible a Γ in = Γ s .

*
 (4) Al elegir F > Fm se tiene que Γ s deja de ser un único punto Γ s = Γ m y pasa a
ser un círculo de figura de ruido constante. Luego los valores de Γ s y Γ in
*

pueden elegirse más cercanos y por lo tanto se puede mejorar la VSWR a la

entrada. Desde el punto de vista geométrico, los valores óptimos de Γ s y Γ in
*

son aquellos que están en la línea que une el centro del círculo de figura de
ruido constante con el centro del círculo de Γ in , ie, los puntos que quedan más
*

cercanos entre sí. Se puede demostrar26 que estos dos valores óptimos están
dados por:

Γ*in ,c − Γ sf Γ sf − Γ*in ,c
Γs = Rf Γ =
*
Rin
| Γ*in ,c − Γ sf | | Γ sf − Γ*in ,c |
in

Con Γ in se puede obtener el correspondiente valor de Γ L y por lo tanto M2 y

*

VSWR a la salida. Con Γ s obtenemos M1 y VSWR a la entrada. Estos cálculos se

pueden repetir para varios valores de g p y F, para construir una tabla con
valores óptimos de VSWR a la entrada en función de la ganancia g p y figura de
ruido F. Ajustando los trade offs entre los requerimientos el diseñador puede
llegar valores de Γ s y Γ L consistentes con una mínima figura de ruido y al
mismo tiempo la menor ganancia aceptable y la más grande VSWR a la entrada
tolerable.

(5) Si el transistor es potencialmente estable, dado que no se pueden adaptar las

impedancias, se parte el análisis explorando la posibilidad de elegir Γ s = Γ m .
Aquí se necesitan graficar los círculos de estabilidad para determinar si
Γ s = Γ m es estable. Si Γ m es estable se sigue el procedimiento descrito en (3)
buscando en círculos de ganancia constante, para g p < | S12 S21 |−1 . Si Γ m es
inestable entonces es aconsejable cambiar de transistor. Si se encuentran
valores aceptables de ganancia y VSWR se termina. Caso contrario se continúa
con el paso (6), donde se tiene F > Fm .

(6) Aquí el análisis es similar a (4) pero teniendo cuidado con la estabilidad, ie,
hay que verificar en cada paso que los coeficientes de reflexión sean estables,
usando los círculos de estabilidad correspondientes.

26
Es fácil ver que estos valores corresponden al vector unitario que apunta desde el centro de un círculo al
otro, multiplicado por el radio del correspondiente círculo.
11.8.1 Diseño de amplificadores de dos etapas

Figura 11.17: Amplificador de dos etapas

En el amplificador de la figura 11.17, se asume que las mallas de adaptación

MA1, MA2 y MA3 son sin pérdidas, y que en ambas etapas de amplificación se usa el
mismo tipo de transistor. La figura de ruido de la segunda etapa no contribuye en gran
medida a la figura de ruido del sistema, por lo que se relaja la exigencia de figura de
ruido y se exige más ganancia de potencia y VSWR aceptable a la salida. Sin embargo,
dado que la ganancia de la primera etapa no es tan grande (para permitir una figura
de ruido mínima) entonces la relajación la restricción para la figura de ruido de la
segunda etapa debe hacerse con cuidado.
La estrategia de diseño propuesta para la segunda etapa se basa en la
optimización de la figura de ruido y VSWR a la salida (o equivalentemente M3), para un
valor de ganancia de potencia g p dado. Esta optimización esta sujeta a la restricción
de que el factor de desajuste a la entrada es M2.

Se define la siguiente función objetivo para la segunda etapa:

Fm
FO = w1M 3 ( Γ 'out , Γ 'L ) + w2
F

donde w1 y w2 son los pesos asignados en la función objetivo. Dado que se quiere
maximizar la función objetivo, para incluir la figura de ruido se elije el término Fm / F
porque crece a medida que F disminuye y el factor Fm se agrega para hacer
comparables los ordenes de magnitud del primer y segundo término en FO.
El procedimiento se basa en buscar el mejor valor de Γ L en un círculo de
ganancia constante g p dado, tal que maximice la función objetivo.
11.9 Anexos

11.9.1 Transformaciones bilineales y mapeo de círculos en el plano complejo

La ecuación en el plano Z de un círculo de radio R centrado en Z o está dada

por:
| Z − Z 0 |2 = R 2

⇔ ( Z − Z o )( Z * − Z 0* ) = R 2

⇔ ZZ * − ZZ 0* − Z * Z 0 + ( Z 0 Z 0* − R 2 ) = 0 (A.1)

Se define una transformación bilineal27 entre el plano Z y el plano W como

AZ + B
W= ( AD − BC ≠ 0) (A.2)
CZ + D

donde A, B, C y D son constantes complejas.

Una propiedad de estas transformaciones es que siempre transforma rectas en

rectas y círculos en círculos.

Sea el círculo de radio ρ centrado en el origen del plano W , ie, | W |2 = ρ 2 .

Usando la transformación (A.2) para obtener el círculo correspondiente en el plano Z
resulta

⎛ AZ + B ⎞ ⎛ A Z + B ⎞
* * *

⎜ ⎟⎜ * * * ⎟
− ρ2 = 0
⎝ CZ + D ⎠⎝ C Z + D ⎠

( ρ 2CD* − AB* ) * ( ρ C D − A B)
2 * *
| B |2 − ρ 2 | D |2
⇔ ZZ * − Z − Z + =0 (A.3)
| A |2 − ρ 2 | C |2 | A |2 − ρ 2 | C |2 | A |2 − ρ 2 | C |2

Comparando (A.3) con (A.1) tenemos que el correspondiente círculo en el plano

Z está dado por | Z − Z 0 |2 = R 2 donde

ρ 2C * D − A* B
Z0 = (A.4)
| A |2 − ρ 2 | C |2

ρ | AD − BC |
R= (A.5)
| A |2 − ρ 2 | C |2

27
La transformación se dice bilineal porque se puede reescribir de la forma AZW + BZ + CW + D = 0
que es lineal para Z y para W, ie, es bilineal en Z y W. También se llama transformación racional lineal o
transformación de Möbius.
 En general, si el círculo en el planoW está centrado en W0 ≠ 0 entonces de
forma análoga se obtiene el correspondiente círculo en el plano Z :

| W − W0 |2 = ρ 2

AZ + B
2

⇔ − W0 = ρ 2
CZ + D

( A − CW0 ) Z + ( B − DW0 )
2

⇔ = ρ2
CZ + D

A'Z + B '
2

⇔ = ρ2 (A.6)
C 'Z + D'

donde A ' = A − CW0 , B ' = B − DW0 , C'=C y D'= D .

Luego las expresiones para el centro y el radio del correspondiente círculo en el

plano Z son las mismas del caso anterior, pero reemplazando A, B, C y D por A’, B’, C’
y D’.
11.10 Referencias, recursos computacionales y sitios de interés

Referencias

[1] Collin R., “Foundations for microwave engineering” ,McGraw-Hill,2° edición, 1992

[2] Macciarella G., “Design criteria for multistage microwave amplifiers with match
requirements at input and output”, IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques,
MTT-41, 1294–98, Aug. 1993.

Recursos computacionales

1. AMPSA MULTIMATCH SOFTWARE

• MultiMatch Amplifier Design Wizard (V8.40)

The MultiMatch V8.40 Amplifier Design Wizard is a MFC Windows

98/NT4/2000/XPTM Visual C++ program for designing radio-frequency and microwave
amplifiers, oscillators and impedance-matching networks. The MultiMatch Analysis
Module, the S-parameter Module, the Device-Modification Module, the Circle Module,
the Power Module, the Impedance-Matching Module and the Microstrip Module have
been integrated in this version. MultiMatch V8.40 is a multiple document, multiple view
WindowsTM application.

• MultiMatch Mosaic (V8.40)

MultiMatch Mosaic V8.40 is a MFC Windows 98/NT4/2000/XPTM Visual C++

program for designing radio-frequency and microwave impedance-matching networks.
The MultiMatch Impedance-Matching Module, the artwork capabilities and some of the
schematic capabilities of the Analysis Module, and the Microstrip Module have been
integrated in this version. MultiMatch Mosaic V8.40 is a multiple document, multiple
view WindowsTM application.

http://www.ampsa.com/

2. Agilent Technologies

• Agilent EEsoft EDA

Agilent EEsof EDA is the leading supplier of Electronic Design Automation (EDA)
software for high-frequency system, circuit, and modeling applications. Agilent EEsof
EDA products include Advanced Design System EDA software, which is available in a
wide range of affordable, design-focused configurations; RF Design Environment, for
large-scale RF/mixed-signal IC design in the Cadence environment; and IC-CAP device
modeling software and systems.

http://eesof.tm.agilent.com/
Sitios de interés

• LNA Bias Optimization

http://cfa-www.harvard.edu/~epedrett/msc/msc.html

• PA and LNA tools and links

http://www.circuitsage.com/

• Tonne Software: A technically-oriented site for engineers and technicians offering

to the fraternity a collection of original engineering software

http://tonnesoftware.com/

• MOS Common Source LNA Design Tutorial

http://www.odyseus.nildram.co.uk/RFIC_Circuits_Files/MOS_CS_LNA.pdf

• Experimental Amateur Radiostation PA2DW

http://www.qsl.net/pa2dw/

11.11 Bibliografía

Collin R., “Foundations for microwave engineering” ,McGraw-Hill,2° edición 1992.

Misra D., “Radio- Frequency and Microwave communication circuits analysis and
design” John Wiley & Sons, 2001.

Chang K., Bahl I., Fair V.,”RF and Microwave Circuit and Component design for
Wireless Systems”, John Wiley &Sons , 2002.

Maas S., “The RF and Microwave Circuit Design Cookbook”, Artech House, 1998.

Gonzales G., “Microwave Transistor Amplifiers Analysis and Design”, 2nd Edition,
Prentice Hall, Englewood, Cliffs, NJ, 1997.