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TOPICO DE GRADUACIN
INGENIERO EN ELECTRICIDAD
Especializacin:
Presentada por:
Guayaquil Ecuador
AO
2006
AGRADECIMIENTO
Alberto Larco.
ii
DEDICATORIA
A nuestros padres
y hermanos
iii
TRIBUNAL DE GRADUACION
iv
DECLARACIN EXPRESA
______________________ ___________________
____________________
v
RESUMEN
lquido, que mezclado con cido sulfrico y agua destilada forma la pasta.
una banda transportadora. Una vez empastadas las rejillas estas son
vi
transportadas hacia la etapa de recepcin en donde se proceder a
SQL Server.
bridge), con voltajes de salida de: +5V/ 18A; -5V/ 0.3A; +12V/ 4.2A; -12V/
vii
diagrama completo de la fuente y se desarrollarn los clculos que
PSpice). El diseo del circuito impreso de una sola pista ser desarrollada
velocidad.
viii
INDICE GENERAL
INTRODUCCION
CAPITULO 1
1.1 Introduccin........ 3
x
1.2.4 Proceso de curado 31
CAPITULO 2
xi
2.3.2.5 Pantallas de control y de alarmas 92
CAPITULO 3
CAPITULO 4
EN EL MICROCONTROLADOR 16F877.
4.1.1 Introduccin..135
xii
4.2.1.1 Entradas.. 139
4.3.1 Introduccin..164
Proteus..168
4.4.3 Costos171
xiii
CAPITULO 5
EDITION.
Abreviaturas........................................................................................... 223
xiv
travs del puerto de comunicacin serial RS 232. Para esto utilizamos un
ix
Glosario.................................................................................................. 229
Bibliografia.............................................................................................. 231
Anexos
xv
1
INTRODUCCION
DDE.
industriales.
seales hacia un DAC, el mismo que enva los valores analgicos que
1.1 Introduccin.
carga y la descarga.
Las bateras tienen dos polos, uno positivo (+) y otro negativo (-). Los
electrones (de carga negativa) van del polo negativo hacia el polo
positivo, o sea, son recogidos por el polo positivo. A no ser que los
cierra hermticamente.
carga.
6
voltios.
para la negativa.
bateras.
8
cadmio.
plomo-cido.
(hmeda, ventilada).
presurizacin.
11
acido
Sulfatacin de placas
producirn 12 voltios).
543 80
217 Ah 30 Kg 757 50
1100 30
1800 20
693 80
350 Ah 65 Kg 1068 50
2050 30
3050 20
Plomo-cido.
1.200 Kgs.
por la expresin:
b = c x d
descarga.
30 105 1,05
25 100 1,00
16 90 0,90
4 77 0,77
-7 63 0,63
-18 49 0,49
componente.
20
carga.
21
Bateras de Plomo-cido.
22
y agua destilada.
siguiente manera:
plomo.
de secado.
mencionados anteriormente.
Motores:
hacia el horno.
28
lo haran explotar).
Vlvulas:
principal.
29
tubera principal.
mando.
deben tener las placas una vez que salen del horno,
narramos a continuacin:
31
siguiente:
tipo de placas).
Figura 1.5. Vista de las placas una vez que son colocadas en el
sobre.
33
celdas.
cangrejo.
a altas temperaturas.
en la batera.
35
Una vez selladas y con sus respectivos bornes, las bateras son
tipo, para que la carga sea uniforme. Todas las lneas de carga
bateras producidas.
LOOKOUT.
Figura 2.1. Pantalla inicial del Default Panel que aparece al iniciar
Lookout.
ODBC.
Developers Manual.
Microsoft Excel.
histricos de datos.
servidor.
milisegundos.
Una forma para visualizar los valores del servidor OPC, es crear
Database.
52
seccin Drivers.
Los elementos del objeto del GE_Series90 son en lazados con los
bits (.bmp) o archivos Meta File (.wmf) para que el programa los
reconozca.
54
Lookout.
Developers Manual.
componentes.
58
de la siguiente forma:
dicha opcin.
siguiente:
SwT_MB2.value
not(\\.\Servidor\GE1.Q4)
SeqMain.Jump3.5 = not(SwT_MB1.value)
SeqMain.Jump3.7 = not(Sw_Limtnogrid.value)
SwT_MB2.value) or SeqMain.F
Grid Picker.
62
transportadora 2.
en la banda transportadora 2.
SeqMain.A).
cerrados.
67
Figura 2.12. Objetos switch que representan los rels trmicos de los
parmetros.
momento.
72
desplazamiento horizontal.
Multistate.
Condicin
horno.
auxiliares del PLC (objeto GE1) y los objetos de la pantalla del horno.
77
GE1.M20 = \\.\Process1\Exp8
GE1.M21 = \\.\Process1\Pb_HornoON.value
GE1.M22=\\.\Process1\SW_OLMotorbandaHorno.value
GE1.M23 = \\.\Process1\SW_OL_CombustionFan.value
GE1.M24 = \\.\Process1\SW_OL_RecircleFan.value
GE1.M25 = \\.\Process1\SW_OL_ExhaustFan.value
expresin:
Pot_T_Horno.value>0.8*Pot_SP_Horno.value.
horno, se desactive.
81
rejillas y de su peso.
terminadas.
82
de su cuadro de dilogo.
83
SeqRecepcion.
84
SeqRecepcion.Goto1 = not(\\.\Servidor\GE1.Q4)
SeqRecepcion.Jump1.2 = \\.\Servidor\GE1.Q4
SeqRecepcion.Jump10.1 = SeqRecepcion.I
SeqRecepcion.
empastadora.
componentes de la mezcla.
mostrada.
90
el proceso completo.
grafican.
95
grfica.
Hyperpeso.visible = Radio1.2
Hyp_Dam_Pos.visible = Radio2.2
Hyp_Presion.visible = Radio2.3
Hyp_Temp_Horno.visible = Radio2.1
Hyperalt.visible = Radio1.1
Figura 2. 32. Objeto Hyper Trend para el peso de la placa (rejilla de plomo).
97
de la banda.
de control.
99
del horno.
empastadora.
102
falla.
103
>> Pulse.
3.1 Introduccin.
FIGURA 3-1 Diagrama de bloques de las etapas que conforman a una fuente conmutada.
107
FORMULAS.
POUT
PIN = . (3.1)
I *t ........................................................... (3-2)
C=
V
PIN
I= ... (3.4)
Vdc
t DESC .. (3.5)
R DESC =
2.21 * Cxeq
P IN =V AC * I IN
110
P IN =120(V)*1.79(A)
P IN =214.8 (W).
145(W )
= = 0.67
214.8(W )
Vdc = 2 * 2 * (120 )
V dc =339.4 (V)
214 .8(W )
I=
339.4(V )
I = 0.63(A).
111
0.63* (8x103 )
C= = 168(uf )
30
1
R= = 481(k)
2.21 * 2 * 0.47(uF )
Figura 3.3 Esquema del convertidor tipo Medio Puente de nuestra fuente. Notemos que el modo de trabajo de
los transistores y el transformador es el mismo independiente de la alimentacin utilizada (120 o 240 V)
114
3 * Pout
Ic = ....(3-6)
Vin
115
3 * 145W
Ic = = 1.28( A)
339.4
Ns
fS
fR = .(3-8)
4
VP
a= ...(3-9)
VS
30 Khz
fR = = 7.5 Khz.
4
300(V )
a=
80(V )
a = 3.75
1
C3 = = 1.58uF
2
(
4 * 3.14 * 7.5 * 10 )
3 2
* (3.75) 2 * 4.5 * 10 6
117
T
dt = max (3-10)
2
1
T= (3-11)
fs
I
Vc = dt .(3-12)
C
1
T= = 33,3us
30 *10 3
33.33 *10 6
dt = * 0.8 = 13.33us
2
118
Ae. Ac =
(0.68 * Pout * D )*103 .(3-13)
f * BMAX
3 * Pout .(3-14)
Ip =
Vin
119
Ae. Ac =
(0.68 *145W * 500Cm / A)*103
(20 *103 ) * Bmax
2465
Ae. Ac =
Bmax
CM = Ip * D .(3-15)
Ip=1.28 (A)
D= 500 cm/Amp
CM=1.28*500
CM= 640.83 cm.
120
( )
Vp = 100 * 2 30 = 111.42V .
CALCULOS TERICOS
C S de 0.01 uF a 0.1 uF
LT
CJ
Rs = ...........................(3-17)
a
2
1 V
PR = CS in f ...(3-18)
2 a
123
INDUCTOR.
di .(3-19)
VL = L
dt
1 ( EOUT )
1 E IN
tOFF = ..(3-20)
2 f
EOUT * tOFF
L= (3-21)
0.25 * I OUT
NUCLEO
5.067 * 10 8 ( LI OUT D 2 )
Ae Ac = .(3-22)
KBMAX
124
lg =
(0.4 * * LIOUT
2
)10 8
2
Ae BMAX .....(3-23)
BMAX l g
N= .....(3-24)
0.4 * * I OUT
CAPACITOR
I OUT
COUT = .(3-25)
8 fVOUT
VOUT
ESRmax = .(3-26)
I COUT
1
T=
f
50 2 * 5
= 20(us )
2
20
el ciclo de trabajo por cada diodo es = 0.4
50
L=
(Ein Eout )* t ...(3-28)
I L
Por lo tanto :
tOFF = 12useg
L=
(Ein Eout )* t ..(3-30)
I L
127
= 4.46 ( A2 xmH ).
Este valor es el utilizado porque es el mayor de las cuatro
fuentes.
L
N=1000 1000
...(3-31)
L
Donde :
128
L = (mH)
1000
L =(mH)/1000vueltas.
13.33 3
N = 1000 *
61
N=14.8 vueltas
f 1.1 .. (3-32)
osc =
RT *CT
336 330
%error _ capacitor = * 100 = 1.78%
336
MICROCONTROLADOR 16F877.
4.1.1 Introduccin.
Adquisicin.
analgica.
mercado
4.2.1.1 Entradas
4.2.1.2 Salidas.
4.2.1.3 Alimentacin.
polarizar el PIC.
Adquisicin.
del Procesador.
PUERTO A:
FF en TRISA.
147
PUERTO E:
valor de hFF.
PUERTO B:
PUERTO D:
PUERTO C:
unidireccional).
unidireccional).
C: RC6/TX/CK y RC7/RX/DT.
151
registro SPBRG.
Fosc
Frecuencia en Baudios=
(K*(X+1))
asncrono.
Fosc
X= 1
(K,Frecuencia Baudios)
tenemos que :
4 MHz
x= 1 = 25.04
16 9600
4 MHz
x= 1 = 5.51
64 9600
de trabajo ser:
154
4000000
Frecuencia en Baudios=
16.(25+1)
Frecuencia en Baudios= 9615 baudios
SPBRG ser:
(9615-9600)
ERROR=
A 9600
ERROR = 0,16%
n
ser 25.
por el USART.
155
y otro receptor.
interno.
160
REGISTRO DE TRABAJO
digitales:
161
REGISTRO ADCON0
ADCS1 ADCS0 CHS2 CHS1 CHS0 GO/DONE# ADON
7 0
REGISTRO ADCON1
ADFML PCFG3 PCFG2 PCFG1 PCFG0
7 0
o
frecuencias de asignacin:
ADCS1:ADCS0 FRECUENCIA
0 Fosc/2
1 Fosc/8
10 Fosc/32
11 Frc (Procede del oscilador interno).
microsegundos.
ADCS1:ADCS0 TDA
0 2.Tosc
1 8.Tosc
10 32.Tosc
11 Oscilador RC interno en el C A/D.
registros ADCS1-ADCS0.
ADRESH: L.
0.
anteriormente.
4.3.1 Introduccin.
seales.
Cada vez que se enve una letra ente el 1-8, desde la PC, el
165
salidas digitales.
mostrada a continuacin:
analgica.
166
continuacin:
entradas analgicas.
del canal, hacia la PC, para una mayor facilidad de este proceso
1. El Programa Principal.
2. Servicios de Interrupcin.
desde la PC.
simulacin Proteus.
digitales y analgicas.
171
adquisicin de datos.
4.4.3 Costos.
mercado local.
172
instrumento real.
LabVIEW nos permite agrupar datos ya sean del mismo tipo (arrays)
mas informacin.
informacin.
ver y correr este VI desde otra maquina usando un Web Browser tal
en la figura 5.1
5.2.
Indicador
Controles
sus funciones.
Estructuras
Nodos y Cables
Bloques
figura 5.3.
5.5
182
acceso a los objetos del panel frontal del cdigo creado mediante
el diagrama de bloque.
Controles
Indicadores
ambas pantallas.
colores.
siguiente manera:
datos en LabVIEW.
datos.
188
Para difiere del ciclo Mientras en que el ciclo Para se ejecuta una
Iteracin Inicial
adquisicin diseada.
cortas distancias.
conexin Terminal-mdem.
Funciones GPIB
LabVIEW 7 Express).
Adquisicin en LabVIEW.
variador de velocidad.
197
programa diseado.
198
el contenido de este.
nmero 4.
2.
203
Disminuir su Valor
en el panel de control.
(Figura 5.15).
206
de control.
207
Conclusiones y Recomendaciones
programas que operan bajo Windows, tales como Excel y SQL Server,
que nos dejan otras motivaciones para futuro poder realizar una
redes industriales.
INDICE DE FIGURAS
CAPITULO 1
FIGURA 1.5 Vista de las placas una vez que son colocadas en el
sobre.
CAPITULO 2
FIGURA 2.1. Pantalla inicial del Default Panel que aparece al iniciar
Lookout.
211
Lookout.
componentes.
banda transportadora 2.
FIGURA 2.12 Objetos switch que representan los rels trmicos de los
grfica.
terminadas.
representacin grfica.
plomo).
del proceso.
mensaje de falla.
CAPITULO 3
computadora
Alta Frecuencia
Filtro de Salida.
216
CAPITULO 4
analgicas.
adquisicin de datos.
217
CAPITULO 5
5.3
pantallas
de velocidad.
diseado.
nmero 4.
motor.
su valor.
panel de control.
digital #2.
220
INDICE DE TABLAS
CAPITULO 1
clases de bateras.
dos bateras.
CAPITULO 4
ADCS1-ADCS0.
salidas digitales.
analgica.
entradas analgicas.
adquisicin de datos.
222
INDICE DE ANEXOS
ANEXOS A
1.2 Simbologa.
ANEXOS B
ABREVIATURAS
CAPITULO 1
absorbente).
Ah Amperios-Hora.
Kgs Kilogramos.
CAPITULO 2
Datos).
225
Informacin).
Procesos).
Programable).
226
(Protocolo de Internet).
CAPITULO 3
LC Inductor-Capacitor.
RC Resistor-Capacitor.
CAPITULO 4
Transmitter.
s Microsegundos
ms milisegundos
228
Bd baudios.
Hz Hercios.
CAPITULO 5
VI Virtual Instrument.
GLOSARIO
Bd (baudios)
Unidad utilizada para medir la velocidad de transmisin de datos de un
mdem o una conexin serie entre dos equipos, o entre un equipo y un
dispositivo externo. Indica el nmero de veces por segundo que puede
cambiar la seal que se transmite. Suele coincidir con el nmero de
bits por segundo que en teora es capaz de transmitir/recibir, ya que la
modulacin de la seal normalmente se realiza a nivel de bit.
230
BIBLIOGRAFIA
www.ecosolar.giga.com.ar/bateria.htm
www.automecanico.com/auto2001/Bateria.html
www.aca.org.ar/servicios/baterias/index.htm
b) J. NATIONAL INSTRUMENT.
c) CHRYSSIS GEORGE.
VICTORIA).
232
temperatura moderada.
disipar el componente.
transistores de germanio.
resistencia trmica.
tratamos de calcular.
DATOS:
PD=5 watts ;
TJ mx. = 150C ;
TA mx. = 50C
T j TA
PD =
RJC + RCS + RSA
luego:
T j TA
RSA = ( RJC + RCS )
PD
de la siguiente figura:
Fig. 3. Curva de Resistencia Trmica vs. Fuerza de contacto en
funcin de la condicin de contacto
De la cual se ve que:
permitido:
150C 50C
RSA = 3.5
5W
RSA = 16.5C / W
de disipacin calculado.
Fig. 5. Coeficiente de disipacin.
tres categoras A, B, C.
Partimos de la expresin:
Td - Ta = Rda * Pot
de potencia.
ANEXO A1.2
SIMBOLOGIA
SIMBOLOGIA
P IN Potencia de Entrada.
... Eficiencia.
Vdc
.... Voltaje DC a la salida de esta etapa.
v del convertidor.
fR ..Frecuencia de Resonancia.
fS .. Frecuencia de conmutacin.
PR Potencia de la resistencia RS
C . .Capacitancia, (uf)
Ac 2
rea para el enrollamiento del bobinado, ( cm )
s transformador, A
Vp ..Voltaje de Rizado, V
N ...Nmero de vueltas
I COUT ..0.25* I OUT
f ..frecuencia de conmutacin
lg
Longitud de la abertura del ncleo
Anlisis de la Respuesta de
Frecuencia de la Red de Filtrado RFI
El objetivo de este anlisis es verificar que los valores de los
elementos de la red de filtrado RFI, son los adecuados para reducir
el ruido producido por los elementos de conmutacin de la fuente.
Como expusimos en el capitulo 4, la frecuencia de conmutacin del
convertidor de la fuente es aproximadamente 30 Khz. El objetivo de
la red de filtrado RFI es atenuar las seales producidas por la fuente
de frecuencias cercanas o mayores a este valor. Es por esto que
llevaremos el circuito inicial a su equivalente en dominio de
frecuencia, como lo muestran las figuras 1 y 2 de este anexo.
2
Z2 =
CyS
Donde:
2
Z3 =
S (2Cx + Cy )
Reemplazando Z1:
Vo R
= = G ( s)
Vi 2 LS + R + 2 S 2 LRCx
K
G ( s) =
(S / n )2 + 2S + 1
n
Por lo tanto:
K =1
1
n 2 =
2 LC x
2 2L
=
n R
Donde n es el valor de la frecuencia de corte, que es el valor en el
d
cual la ganancia se atena a razn de -40 Decada .
Los valores de los elementos que forman parte de esta red son los
siguientes:
L = 3.3mH
4700 = pF
R = 64.32
siguiente ecuacin:
n = 2f
f = 28.64 KHz.
Para seales con frecuencias mayores a este valor, su magnitud se
d
atenuar a razn de -40 Decada .
Con esto certificamos que la red de filtrado RFI reduce todos los
ruidos generados por los elementos de conmutacin de la fuente.
ANEXO A1.4
DATASHEETS DE LOS
PRINCIPALES INTEGRADOS
DE LA FUENTE DE
CONMUTACION, DESCRITA
EN EL CAPITULO 3.
ANEXO B1.1
INTEGRADO ULN2003AN
www.datasheet.archive.com
ANEXO B1.2
INTEGRADO TLC7628CN
www.ti.com
ANEXO B1.3
INTEGRADO TL084
www.ti.com
ANEXO B1.4
INTEGRADO PIC16F877A
www.microchip.com
ANEXO B1.5
ACOPLADORES 4N25-4432
www.datasheet.archive.com
ANEXO B1.6
OPAM OPA4342
www.datasheet.archive.com
ANEXO B1.7
INTEGRADO MAX232
www.datasheet.archive.com
ANEXO B1.8
LABVIEW 7.1
www.datasheet.archive.com