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232 POLARIZACIN

DE CD DE LOS BJT

FIG. 4.107
Verificacin de los resultados del ejemplo 4.4 con Multisim.

Aun cuando la etiqueta puede decir Bf  50, el transistor seguir teniendo los parmetros prees-
tablecidos guardados en la memoria. Para cambiar los parmetros, el primer paso es hacer clic en
el dispositivo para establecer sus lmites. Luego seleccione Edit, seguido por Properties, para des-
plegar el cuadro de dilogo BJT_NPN. Si ya no esta presente, seleccione Value y luego Edit
Model. El resultado ser el cuadro de dilogo Edit Model en el cual puede ajustar beta e Is a 50 y
1 nA, respectivamente. Luego seleccione Change Part Model para obtener otra vez el cuadro de
dilogo BJT_NPN y seleccione OK. El smbolo de transistor en la pantalla ahora tendr un aste-
risco para indicar que se modificaron los parmetros preestablecidos. Haga un clic ms para que
desaparezcan los cuatro marcadores y el transistor se ajusta con sus nuevos parmetros.
El ampermetro en la red se ajusta seleccionando la opcin Indicador (la dcima tecla hacia
abajo en la primera barra de herramientas vertical) para obtener el cuadro de dilogo Select a
Component. Bajo Family seleccione AMMETER, y bajo Component seleccione AMME-
TER H. Haga clic en OK y aparecer en la pantalla con etiquetas adicionales. Pueden eliminar
las etiquetas mediante la secuencia Edit-Properties-Display. Si se quitan todas las marcas, haga
un clic ms en OK para que aparezca el ampermetro que se muestra en la figura 4.107. Para los
voltmetros, seleccione la opcin VOLTMETER V.
Por ltimo, la red se debe simular con uno de los mtodos descritos en el captulo 2. En este
ejemplo, el conmutador se puso en la posicin 1 y luego se regres a la posicin 0 una vez que
se estabilizaron los valores Indicator. Los niveles de corriente relativamente bajos fueron en
parte responsables del bajo nivel de este voltaje.
Los relativamente pocos comentarios requeridos aqu para analizar redes de transistores son
una clara indicacin de que el anlisis se puede ampliar dramticamente sin tener que aprender
un nuevo conjunto de reglas: una muy bien recibida caracterstica de la mayora de paquetes de
software de tecnologa.

PROBLEMAS

*Nota: Los asteriscos indican los problemas ms difciles.
4.3 Configuracin de polarizacin fija
1. Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.108, determine:
a. IBQ.
b. ICQ.
c. VCEQ.
d. VC.
e. VB.
f. VE.
PROBLEMAS 233
ICQ

VC
+
VB
VCEQ
IBQ _
VE

FIG. 4.108
Problemas 1, 4, 11, 52
y 56 a 58.

2. Dada la informacin que aparece en la figura 4.109, determine:


a. IC.
b. RC.
c. RB.
d. VCE.
3. Dada la informacin que aparece en la figura 4.110, determine:
a. IC.
b. VCC.
c. b.
d. RB.

12 V VCC

IC IC

RC
RB RB
VC = 6 V
+
VCE = 80 B
I B = 40 A

FIG. 4.109 FIG. 4.110


Problema 2. Problema 3.

4. Encuentre la corriente de saturacin 1ICsat2 para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.108.
*5. Dadas las caractersticas del transistor BJT de la figura 4.111:
a. Trace una recta de carga en las caractersticas determinadas por E  21 V y RC = 3 k para una
configuracin de polarizacin fija.
b. Seleccione un punto de operacin a la mitad entre el corte y la saturacin. Determine el valor de
RB para establecer el punto de operacin resultante.
c. Cules son los valores resultantes de ICQ y VCEQ?
d. Cul es el valor de b en el punto de operacin?
e. Cul es el valor de a definido por el punto de operacin?
f. Cul es la corriente de saturacin 1ICsat2 para el diseo?
g. Trace la configuracin de polarizacin fija resultante.
h. Cul es la potencia de cd disipada por el dispositivo en el punto de operacin?
i. Cul es la potencia suministrada por VCC?
j. Determine la potencia disipada por los elementos resistivos tomando la diferencia entre los resul-
tados de las partes (h) e (i).
234 POLARIZACIN IC (mA)
DE CD DE LOS BJT
110 A
100 A
10 90 A
80 A
9
70 A
8
60 A
7
50 A
6
40 A
5
30 A
4

3 20 A

2
10 A
1
IB = 0 A

0 5 10 15 20 25 30 VCE (V)

FIG. 4.111
Problemas 5, 10, 19, 35 y 41.

4.4 Configuracin de polarizacin de emisor


6. Para el circuito de polarizacin estabilizado por emisor de la figura 4.112, determine:
a. IBQ.
b. ICQ.
c. VCEQ.
d. VC.
e. VB.
f. VE.
7. Dada la informacin proporcionada en la figura 4.113, determine:
a. RC.
b. RE.
c. RB.
d. VCE.
e. VB.

RC
ICQ RB
VC
+ +
VB VB
VCEQ VCE
IBQ _ _
VE

RE

FIG. 4.112 FIG. 4.113


Problemas 6, 9, 11, 48, 51 y 54. Problema 7.
8. Dada la informacin provista en la figura 4.114, determine: PROBLEMAS 235
a. b.
b. VCC.
c. RB.
9. Determine la corriente de saturacin 1ICsat2 para la red de la figura 4.112.
*10. Utilizando las caractersticas de la figura 4.111, determine lo siguiente para una configuracin de pola-
rizacin de emisor si se define un punto Q en ICQ = 4 mA y VCEQ = 10 V.
a. RC si VCC = 24 V y RE = 1.2 k.
b. b en el punto de operacin.
c. RB.
d. Potencia disipada por el transistor.
e. Potencia disipada por el resistor RC.
*11. a. Determine IC y VCE para la red de la figura 4.108.
b. Cambie b a 135 y determine el nuevo valor de IC y VCE para la red de la figura 4.108.
c. Determine la magnitud del porcentaje de cambio de IC y VCE utilizando las siguientes ecuaciones.

IC1parte b2 - IC1parte a2 VCE1parte b2 - VCE1parte a2


%IC = ` ` * 100%, %VCE = ` ` * 100%
IC1parte a2 VCE1parte a2

d. Determine IC y VCE para la red de la figura 4.112.


e. Cambie b a 150 y determine el nuevo valor de IC y VCE para la red de la figura 4.112.
f. Determine la magnitud del porcentaje de cambio de IC y VCE con las siguientes ecuaciones:

IC1parte c2 - IC1parte d2 VCE1parte c2 - VCE1parte d2


%IC = ` ` * 100%, %VCE = ` ` * 100%
IC1parte d2 VCE1parte d2

VCC

RB

FIG. 4.114
Problema 8.

g. En cada una de las partes anteriores, la magnitud de b se increment 50%. Compare el porcen-
taje de cambio de IC y VCE para cada una de las configuraciones y comente sobre cul parece ser
menos sensible a los cambios en b .

4.5 Configuracin de polarizacin por medio del divisor de voltaje


12. Para la configuracin de polarizacin por medio del divisor de voltaje de la figura 4.115, determine:
a. IBQ.
b. ICQ.
c. VCEQ.
d. VC.
e. VE.
f. VB.
236 POLARIZACIN 13. Dada la informacin provista en la figura 4.116, determine:
DE CD DE LOS BJT a. IC.
b. VE.
c. VB.
d. R1.

R1 IC
ICQ
VC VB
VB +
VCEQ
VE
IBQ
VE

FIG. 4.116
Problema 13.
FIG. 4.115
Problemas 12, 15, 18, 20, 24,
54, 56, 57 y 60.

14. Dada la informacin que aparece en la figura 4.117, determine:


a. IC.
b. VE.
c. VCC.
d. VCE.
e. VB.
f. R1. VCC

R1
IC

+
VCE
VB
VE

FIG. 4.117
Problema 14.

15. Determine la corriente de saturacin 1ICsat2 para la red de la figura 4.115.


*16. Determine lo siguiente para la configuracin del divisor de voltaje de la figura 4.118, utilizando el
mtodo aproximado si se satisface la condicin establecida por la ecuacin (4.33).
a. IC.
b. VCE.
c. IB.
d. VE.
e. VB.
*17. Repita el problema 16 utilizando el mtodo exacto (Thvenin) y compare las soluciones. Con base
en los resultados es el mtodo aproximado una tcnica vlida si se satisface la ecuacin 4.33?
18. a. Determine ICQ, VCEQ, y IBQ para la red del problema 12 (fig. 4.115) mediante el mtodo aproxi-
mado aun cuando no se satisfaga la condicin establecida por la ecuacin (4.33).
b. Determine ICQ, VCEQ, y IBQ con el mtodo exacto.