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1.

A qu tipo de diodo pertenece la curva de la figura 1 y cul sera la potencia disipada


por este para una corriente de 20 A y una temperatura de juntura de 175C.
R. Diodo Schottky, 10 W.
2. Cul es el valor mnimo de voltaje que debe aplicarse a la compuerta del transistor de
la figura 2 para asegurar que fluya una corriente de 200 A si la temperatura de juntura
es de 150C. R. 9,4 V.
3. Para el circuito de la figura 3, cul sera el espesor de la base si se quiere obtener el
mayor valor de voltaje de colector-emisor apagado (Vces). R. 20 micrmetros.
4. Para un transistor con un snubber de bloqueo que trabaja a 60V con una corriente de
carga de 15 A, cunto se supone (segn las formulas) que es el valor mximo posible de
la corriente de descarga del capacitor. 3A -->Vd/Rs=0,2Io
5. De los tres tipos de transistores de potencia vistos en clases, cul recomienda para la
etapa de potencia de un control de velocidad de motores de induccin que trabajan con
un voltaje de 480 Vrms?
Recomendara un IGBT ya que son excelentes para trabajar con voltajes mayores de 200
V y se pueden usar sin problemas en circuitos de 50kHz-100kHz
6. Dibuje el diagrama de un circuito de polarizacin que permita fijar el voltaje de
encendido de un Darlington de potencia Vce on en 2,1 V.

7. Diga una razn por la cual el valor del capacitor del snubber de bloqueo no debera ser
5CS1.
Las prdidas totales tienen un mnimo para un valor cercano a 0,5 CS1, un valor de 5 solo
origina ms prdidas y costos innecesarios, mayor tiempo de conmutacin.
8. A que se debe que los mosfet de potencia presenten una elevada resistencia de
encendido Rds-on cuando son diseados para soportar altos voltajes.
La regin n- debe ser ms grande para poder soportar altos voltajes, y la misma tiene una
resistividad alta, conceptos de fabricacin.
9. Si se tiene un IGBT y un mosfet de potencia que manejan ambos 40 A y soportan el
mismo voltaje, cul usted esperara que tenga un tiempo de bloqueo menor y por qu.
El mosfet tendr un tiempo de bloqueo menor, ya que el IGBT presenta el fenmeno de la
cola de corriente al momento del bloqueo, la cual hace que los tiempos de cada de la
corriente se catapulten.
10. Qu tipo de transistor de potencia recomendara para una aplicacin automotriz y
porqu?
Mosfet, debido a que para aplicaciones de bajo voltaje como lo es la automotriz, las
prdidas por conduccin en estos dispositivos son bajas por que sus resistencias de
encendido son pequeas.
11. Para un transistor bipolar de potencia cul espesor de la regin n le permitira soportar
mayores voltajes. 200 micrmetros.
12. La recuperacin reversa de un diodo de potencia es un fenmeno que se da cuando?
El diodo est conduciendo y se polariza el mismo inversamente.
13. Con relacin a la electrnica de potencia: Las prdidas por conmutacin afectan el
tamao del disipador de calor.
14. En cuanto a los transistores de potencia: Los snubbers utilizados reducen las prdidas
por conmutacin.
15. Dibuje el diagrama de un circuito de polarizacin que permita fijar el voltaje de
encendido de polarizacin que permita fijar el voltaje de encendido de un BJT de
potencia (Vce on) en 2,1 V.
Un diodo en el colector y tres en serie en la base. Para 1.4V solo 2 diodos en base.

16. En una aplicacin que utiliza un diodo de potencia con un VRRM de 200 V, por qu razn
no debo sustituirlo por uno con VRRM de 800V.
Para incrementar el voltaje se debe aumentar la capa n-, lo que aumenta la resistencia del
diodo, la corriente solo depende de la carga por lo tanto aumenta la potencia del
dispositivo lo que causa recalentamiento.
17. Por qu los diodos schottky presentan un voltaje de umbral menor que los diodos
estndar?
Porque la unin rectificadora se forma entre un metal y un semiconductor al electrodo
negativo.
18. Explique el fenmeno de recuperacin reversa con una ilustracin y en no ms de tres
lneas.

Durante el bloque la corriente del diodo se invierte durante un tiempo trr, durante este
tiempo la corriente alcanza un mximo conocido como Irr.
19. Por qu razn la ganancia de corriente en los BJT de potencia presenta valores tan
bajos?
Para lograr soportar altos voltajes, se requiere un dopado pequeo por lo que se aumenta
ancho de la base, lo que disminuye la ganancia.
20. Qu es el fenmeno de segunda ruptura, cuando puede presentarse y qu puede
hacerse para evitarlo?
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha que se produce cuando tenemos
polarizada la unin base - emisor en directo. La densidad de potencia que se concentra
en dicha zona es proporcional al grado de polarizacin de la base, a la corriente de
colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un
fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la temperatura,
se utilizan otras configuraciones de circuito.
21. Para qu sirve el parmetro RJA?
Para definir la facilidad con la que el dispositivo puede eliminar el calor generado en la
juntura cuando no se usa disipador de calor.
22. Dibuje el diagrama esquemtico que muestre los componentes y su interconexin para
un Darlington de tres etapas.

23. Un circuito que trabaja en DC alimenta una carga inductiva conmutada por un
transistor de potencia, si se le informa que, aunque existe el valor de voltaje DC y que el
transistor tiene seal en la base, la carga no funciona, que acciones tomara para reparar
el circuito?
-Cambiar la carga. -Verificar el voltaje Vce. -Comprobar que el transistor est
funcionando. -Cambiar la configuracin de conexin. -Incorporar red snubber.
24. El IGBT es un transistor con entrada MOS y salida tecnologa bipolar.
25. El IGBT soporta mayor potencia que el transistor MOS y trabaja a mayores tensiones.
26. El tiempo de encendido de un transistor es igual al tiempo de subida ms el tiempo de
retardo y el tiempo de apagado es igual al de almacenamiento ms el de cada.
27. El silicio es el elemento ms utilizado en la fabricacin de transistores de potencia.
28. Un mosfet en conmutacin ON trabaja en la zona hmica, la conduccin es debida a un
solo portador (unipolar).
29. VRSM es tensin inversa de pico no repetitiva. VRMW(Tensin inversa de pico de trabajo).
VRRM(Tensin inversa de pico repetitivo). VBR(Tensin de ruptura). VR(Tensin inversa
continua).
30. Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se
quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su
valor final.
31. Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en
que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de
salida alcanza el 10% de su valor final.
32. Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar
entre el 90% y el 10% de su valor final. Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que
emplea la seal de salida en evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.