158 DISLOCACIONES Y MECANISMOS DE ENDURECIMIENTO 7.1 INTRODUCCION En el Capitulo 6 se vio que los materiales pueden experimentar dos tipos de deformacién: deformacién elastica y deformacién plastica. La resistencia y la dureza son medidas de la resistencia del material a la deformacién plasti- ca, la cual es una deformacién permanente. A escala microscdpica, la defor- macién plistica se debe af movimiento neto de un gran niimero de étomos en respuesta a una tensidn aplicada. Durante este proceso, los enlaces inte- ratémicos deben ser rotos y formados de nuevo. En los sélidos cristalinos, la deformacién plastica involucra normalmente el movimiento de dislocacio- nes, defectos lineales cristalinos que fueron introducidos en Ja Seccién 4.4. En este Capitulo se analizan las caracteristicas de las dislocaciones y su pa- pef en la deformacién plistica. Ademds, lo que es probablemente mas im- portante, se presentan varias técnicas de refuerzo de los materiales de una sola fase, y los mecanismos responsables se describen en términos de dislo- caciones. Finalmente, as iltimas secciones de este capitulo estén dedicados ala restauraci6n y ala recristalizaci6n ~pracesos que ocurren en los metales deformados pidsticamente, normalmente a temperaturas elevadas- y, tam- bién, al crecimiento del grano, DISLOCACIONES Y DEFORMACION PLASTICA En los primeros estudios de los materiales se constat6 que la resistencia te6- rica de un cristal perfecto es muy superior al valor medido experimental- ‘mente. Durante los afios 30, se pens6 que esta discrepancia en la resistencia ‘mecéinica se podia explicar por la existencia de un tipo de defecto fineal cris- talino que desde entonces se ha llamado dislocaci6n. Sin embargo, no fue hasta la década de los cincuenta cuando fue confirmada la existencia de tal defecto mediante observacién directa con el microscopio electr6nico. Desde entonces se ha desarrollado una teoria de dislocaciones que es capaz de ex- plicar muchos de los fendmenos fisicos y mecénicos de los materiales crista- linos, principalmente metales y cerémicas. 7.2. CONCEPTOS BASICOS Los dos tipos basicos de dislocaciones son la dislocaci6n de cuita y la disto- caci6n helicoidal. En una dislocacién de cutia, existen distorsiones localiza- das de [a red alrededor del borde de un semiplano adicional de étomos, el cual también define la dislocacién (Figura 4.3), Una dislocacién helicoidal puede ser visualizada como el resultado de una distorsién de cizalladura; la linea de la dislocacién pasa a través del centro de una espiral, formada por rampas de planos atémicos (Figura 4.4). Muchas dislocaciones en los mate- tiales cristalinos tienen tanto componentes helicoidales como de cufia; en- tonces se denominan dislocaciones mixtas (Figura 4.5). La deformacién pléstica corresponde al movimiento de un gran nimero de dislocaciones, Una dislocacién de cufia se mueve en respuesta a una ciza- Madura aplicada en una direcci6n perpendicular a la linea de ta dislocaci6n; Ja mecénica del movimiento de tas dislocaciones se muestra en la Figura 7.1. Sea A el plano adicional inicial de étomos. Cuando la cizalladura es aplicada de la manera indicada (Figura 7.1), el plano A es forzado hacia la derecha;dela dislocacién de lac @ % Tensién de cizalladura Tensién de cizalladura Escal6n unidad Broducide por desizamiento igura 7.1 Cambios en las pasiciones atémicas que acompafian al movimiento de una distocacién de cura a medida que ésta se mueve en respuesta a una tensién de cizalladura aplicada. (a) El semiplano adicional de dtomos se indica por A; (6) La dislocacién se mueve una distancia interatémica hacia la derecha a medida que A se une con e' semiplano inferior de B; en el proceso, el semiplano superior de B se Convierte en el semiplano adicional.(c) $e forma un escalén sobre la superficie del cristal a medida que el semipiano adicional llega ala superficie. (Adaptado a partir de A. G. Guy, Essentials of Materials Science, McGraw-Hill 800k Company, New York, 1976, p. 153.) éste a su vez empuja la parte superior de los planos B, C, D y asf sucesiva- mente, en la misma direcci6n. Si la cizalladura aplicada es suficientemente elevada, los enlaces interatémicos del plano B se rompen a Jo largo del plano de cizalladura, y la parte superior del plano B se convierte en el semiplano adicional de étomos y el plano A se wne con la mitad inferior del plano B (Fi- gura 7.16). Este proceso se repite para los oiras planos, del tal manera que el semiplano adicional se mueve de derecha a izquierda en pasos discretos mediante la sucesiva y repetida rotura de los enlaces y desplazamientos de magaitud igual a distanicias initerat6micas de la mitad de los planos superio- res. Antes y después del movimiento de una dislocacién a través de alguna determinada region del cristal, la distribucién de los étomos es ordenada y perfecta; la estructura de la red es distorsionada tinicamente durante el paso del semiplano adicional de étomos. Finalmente éste puede emerger en la su- perficie de la derecha del cristal, formando un escalén de magnitud igual a una distancia interatémica; esto se muestra en la Figura 7.1c. El proceso mediante el cual se produce la deformacién plastica por el movimiento de dislocaciones se denomina deslizamiento; el plano a lo largo del cual se mueve la dislocacién se denomina plano de deslizamiento, tal como se indica en la Figura 7.1. La deformacién plastica macrosc6pica co- rresponde simplemente a Ia deformacién permanente que resulta del movi- miento de dislocaciones, o sea deslizamiento, en respuesta a una tensiGn de cizalladura aplicada, tal como se presenta en la Figura 7.2a. El movimiento de dislocaciones es andlogo al modo de locomocién em- pleado por una oruga (Figura 7.3), la cual forma una encorvadura cerca de stl extremo posterior al estirar su titimo par de patas tna distancia igual a la unidad. La encorvadura se mueve hacia adelante mediante la subida y el desplazamiento de pares de patas. Cuando la encorvadura alcanza el extre- mo anterior, toda la oruga se ha movido hacia adelante una distancia igual a la separacién entre patas. La encorvadura de la oruga y st. movimiento co-160 So Ry SISLOCACIONES ¥ MECANISMOS OF dl s ENOURECIMENTO SL oN el movimiento Fig 7.2 La formacién de un escar len sobre la superficie de un cristal por medio de (a) una dslocacion de cua y (8) una dslocacién helicoidal. Nétese ‘ ‘que para_una de cura, la linea de bx islocacion se mvewe en la d-recion de @ la tension de cialladuraaplicada ¢ en el ‘as0 de una helicoida, el movimiento de Ia linea de a disiocaciin es perpendicu- lara Ia diteccién de la tension. (Adap- tado de H. W. Hayden, W. G. Mofiat, ¥ | 1. Wulf, The Structure and Properties of = -Jt SX ‘Materials, Vol. 8, Mechanica! Sehavion 1.70. Copyright © 1965 John Wiley & op Sons, New York. Reproducido con per ‘miso de john Wiley & Sons.) © Direccioa el movimiens rresponde al semiplano adicional de étomos en el modelo de dislocacién de cufa de la deformacién plastica. El movimiento de una dislocacién-heticoidal en respuesta a una cizalla- dura aplicada se muestra en 1a Figura 7.2b; la direccién del movimiento es perpendicular a la direccién de la tensién. Sin embargo, la deformacién plas- tica neta producida por el movimiento de ambos tipos de dislocaciones es la misma (véase la Figura 7.2). La direccién del movimiento de las dislocacio- nes mixtas no es ni perpendicular ni paralela a la cizalladura aplicada, sino que es una direccién intermedia Virtualmente todos los materiales contienen algunas dislocaciones que son introducidas durante la solidificacién, la deformacién plastica, 0 como consecuencia de tensiones térmicas que resultan del enfriamiento rapido. EL ntimero de dislocaciones, o sea la densidad de dislocaciones de un material, se expresa como la longitu total de dislocacién por unidad de volumen o, lo que es equivatente, e} ntimero de dislocaciones que cruzan la unidad de rea de una seccién al azar. Las unidades de densidad de dislocacién son mi- limetros de dislocacién por milimetro cbico, o sencillamente, por milimetro. eer gia = gt gene ep £3888 op 3888 2 gg 3 Une PAHs HES BE Figura 7.3 Representacién de la analogia entre el movimiento de una oruga y el de una dislocaciéa,py commen Traccion boy") pe + Sy) cuadrado. Densidades tan bajas como 10° mm” se encuentran normalmente en cristales metdlicos cuidadosamente preparados. Para metales fuertemen- te deformados, la densidad puede llegar a valores tan altos como entre 10° y 10" mar?, El tratamiento térmico de un metal deformado puede disminuir Ia densidad hasta alrededor de 10° y 108 mm”. 7.3 CARACTERISTICAS DE I AS DISLOCACIONES Varias caracteristicas de las dislocaciones son importantes con respecto a las propiedades mecénicas de tos metales. Estas incluyen os campos de tensio- nes que existen alrededor de Jas distocaciones, los cuales determinan la mo- vilidad de éstas, asf como su capacidad para multiplicarse. Cuando los metales son deformados plasticamente, una fracci6n de la energia de deformacién (aproximadamente 5%) es retenida internamente; el resto es disipado en forma de calor. La mayor proporcién de esta energia almacenada lo es en forma de energfa de deformacién asociada con disloca- ciones. Consideremos Ia distocacién de cufta mostrada en la Figura 7.4. Tal como se ha mencionado antes, existe una distorsiGn de la red de étomos al- rededor de ta linea de la dislocacién debido a la presencia del plano extra de 4tomos. Como consecuencia, existen regiones en las cuales se producen de- Tormaciones de Ia red de compresi6n, de traccién y de cizalladura sobre tes tomos vecinos, Por ejemplo, los dtomos por encima de la linea de disloca- (én y los adyacentes a ella son comprimidos. Como resultado, estos étomos experimentan una deformacién de compresin relativa a los dtomios posicio- nados en el cristal perfecto y lejos de la disiocaci6n; esto se ilustra en la Fi- gura 7.4, Directamente debajo del semiplano adicional de étomos, el efecto es justamente el opuesto; los étomos de la red sufren una deformacién de tracci6n, tal como se muestra. En la vecindad de las dislocaciones de cufia también existe una deformacién de cizalladura. En el caso de una disloca- cin helicoidal, las deformaciones de la red son puramente de cizalladura Estas distorsiones de Ia red pueden ser consideradas como campos de defor- maciones que irradian a partir de la linea de la distocacién. Las deformacio- nes s€ extienden en los 4tomos vecinos, y su magnitud dismunuye con la distancia radial a la linea de la dislocaci6n. 161 73 CARACTERISTICAS DELAS DISLOCACIONE Figura 7.4 Regiones de compresién (obscura) y traccign (en color) alrededor de ura distocacion de cufa. (Adaptado de W. G. Moffat, G. W. Pearsall, Wulf, The Structure and Properties of Materials, Vol. |, Structure, p. 85. Copyright © 1964'John Wiley & Sons, New York. Reproducido con permiso de Jeha Wiley & Sons, Inc.)162 ‘DISLOCACIONES ¥ MECANISMOS DF ENDURECIMIENTO. Figura 7.5 (a) Dos dislocaciones de cua del mismo signo y en el mismo plano de deslizamiento se repelen.; Cy T indican regiones de compresién y de traccion. (b) Dislocaciones de cuna de signo opuesto y en el mismo plano de deslizamiento se ejercen fuerzas de atraccién. Cuanclo se encuentran se an {quilan y dejan una regién de cristal per fecto. (Adaptado de H.W. Hayden, W. G. Moffat, y . Wulff, The Structure and Properties of Materials, Vol. Il, Mechani- cal Behavior, p. 75. Copyright © 1965 John Wiley & Sons, New York. Reprodu- ‘ido con permiso de John Wiley & Sons.) @ Aniquilacion io de dislocaciones Araccién \ a7, Stare Cristal perfecto Los campos de deformaciones que rodean a las dislocaciones interactian unos con otros de tal manera que sobre cada distocacién se ejerce una fuerza que corresponde al efecto combinado de todas las otras dislocaciones pre- sentes. Por ejemplo, consideremos dos dislocaciones de cufia que tienen el mismo signo y el mismo plano de deslizamiento, tal como se representa en fa Figura 75a, Los campos de deformacién de traccién y de compresin de cada dislocacién estén en el mismo lado del plano de deslizamiento; la inte- raccién del campo de deformaciones es tal que entre estas dos dislocaciones se produce una fuerza de repulsi6n mutua que tiende a separarlas. Por otro lado, dos dislocaciones de signo opuesto y en el mismo plano de desliza- miento se atraen, tal como se indica en fa Figura 7.5b, y se producird su ani- quilacién cuando se encuentren, O sea, los dos semiplanos adicionales de tomos se alinean y se convierten en un plano perfecto. Las interacciones entre dislocaciones son posibles entre dislocaciones de cuta, helicoidales y/ 0 dislocaciones mixtas asi como con diversas orientaciones. Estos campos de deformaciones y de fuerzas asociadas son importantes en los mecanisios de refuerzo de los metales. Durante Jz deformacién plistica, el ntimero de dislocaciones aumenta dramaticamente, Se sabe que la densidad de dislocaciones en un metal que ha sido muy deformado puede ser tan alta como 10! mm, Los limites de grano, asf como los defectos internos ¢ irregularidades superficiales tales como ralladuras y muescas, actiian como concentradores de tensiones, facili- tando asf la formacin de dislocaciones durante Ja deformacién. En algu- nas circunstancias, las dislocaciones existentes también pueden multiplicarse.7.4 SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO. Las dislocaciones no se mueven con el mismo grado de facilidad sobre todos los planos cristalograficos de étomos y en todas las direcciones cristalogriti- cas. Normalmente existe un plano preferido, y en éste existen direcciones es- pecificas a lo latgo de las cuales ocurre el movimiento de las dislocaciones, Este plano se denomina plano de deslizamiento; pot consiguiente, la direc- cién del movimiento se denomina direcci6n de deslizamiento, Esta combi- nacién de plano y direccién de deslizamiento se denomina sistema de deslizamiento. El sistema de deslizamiento depende de la estructura crista- lina de los metales y es tal que la distorsién atémica que acompafia al movi- miento de una dislocacién es minima, Para una determinada estructura cristalina, el plano de deslizamiento es el plano que tiene la distribucién més densa de étomos, es decir, tiene la mayor densidad planar de étomos. La di- recci6n de deslizamiento corresponde a la direccién, en este plano, que es més compacta, es decir, que tiene la mayor densidad lineal, Las densidades at6micas superficiales y lineales fueron discutidas en la Seccién 3.10. Consideremos, por ejemplo, la estructura cristalina FCC, cuya celdilla unidad se muestra en la Figura 7.6a. Existe un conjunto de planos, la familia {111}, todos los cuales son muy compactos. Se indica un plano del tipo (111) en la celdilla unidad; en la Figura 7.66, este plano est4 colocado en el plano de la pagina, en el cual los dtomos estén ahora representades como efrculos y cuyos vecinos més proximos se tocan. El deslizamiento ocurte a lo largo de las direcciones del tipo(110) sabre los planos {111}, tal como esté también indicado en la Figura 7.6, Por consi- guiente, {111} (110) representa la combinacién de plano y de direccién de deslizamiento, 0 sea, el sistema de deslizamiento para la estructura FCC. La Figura 7.66 muestra que un determinado plano de deslizamiento puede con- tener mas de una direcciGn de deslizamiehto. Por tanto, pueden existir dife- rentes sistemas de deslizamiento para una determinada estructura cristalina; el niimero de sistemas de deslizamiento independientes representa las dis- tintas combinaciones posibles de planos y direcciones de destizamiento. Por ejemplo, en el caso de cristales ciibicos centrados en las caras, existen 12 temas de deslizamiento: 4 planos {111}, y dentro de cada plano tres diteccio- nes (110) independientes, Los posibles sistemas de deslizamiento para las estructuras BCC y HC estén indicados en la Tabla 7.1. Para cada una de estas estructuras, el desli- Figura7.6 (a) Sistema de desliza- mento {171K170) en una ceil unidd FCC. (b) El plano (111) de (a) y tres post: bles lineas de deslizamiento (110) (tal ‘conta se indica mediante flechas) conte- nidas en el plano.EP RE eo PS Pe ee ees ‘Mimero de Plano de Direccion de sistemas de Metales desticamiento | deslizamienio | —deslizamiento Giibico centrado en las caras Cu, Al, Ni, Ag, Au {ill} (To) 2 Giibico centrado a el euerpo 4 Fea, W, Mo {10} ai | 2 Fea, W {211} amy 2 Fea, K G21} 1) 24 TTexagonal compacto (Ca Za, Mg, Ti, Be {0001} (1120) 3 Ti, Mg, Zr {1010} (1130) 3 Ti, Mg {1071} (1120) 6 zamiento es posible en més de una familia de planos (por ejemplo, {110}, 211}, y {321} para la estructura BCC). En el caso de metales con estas es- ‘tructuras cristalinas, algunos de estos sistemas solamente operan a tempera- turas elevadas. a Los metales con estructuras cristalinas FCC 0 BCC tienen un ntimero elevado de sistemas de destizamiento (por lo menos 12). Estos metales son bastante diictiles debido a la extensa deformacién plastica que puede conse- uirse en los varios sistemas, Por el contrario, los metales HC tienen pocos sistemas de deslizamiento activos y son bastante fragiles, 7.5 EL DESLYZAMIENTO EN MONOCRISTALES El estudio det deslizamiento se simplifica si el proceso se trata primero en monocristales y después se extiende de forma apropiada a los materiales po- licristalinos. Tal como se mencioné previamente, las dislocaciones de cusia, helicoidales y mixtas se mueven en respuesta a la cizalladura aplicada a lo largo de un plano de deslizamiento y en una direccién de destizamiento. Aun cuando el esfuerzo aplicado sea una traccién (0 compresién) pura, exis- ten componentes de cizalladura con excepciGn de las direcciones paralelas 0 perpendiculares a la direccién de la tensién, Estas se denominan tensiones de cizalladura resueltas, y sus magnitudes dependen no s6lo de la tensién aplicada, sino también de la orientacién del plano y de la direcci6n de desii zamiento en este plano. Sea 9 €! Angulo entre la normal al plano de destiza- miento y la direccién de la fuerza aplicada, y sea A el dngulo entre la direeci6n de destizamiento y la direccién de la tensién aplicada, tal como se indica en la Figura 7.7; entonces puede demostrarse que la tensidn de ciza- ladura resuelta tp es: p= 005 $008 A cy