Built-in Potential

-potencial incorporado

Potencial incorporado La existencia de un campo elctrico

dentro de la regin de agotamiento sugiere que

La unin puede presentar un "potencial incorporado". De

hecho, usando (2.62) o (2.63), podemos calcular

Este potencial. Como el campo elctrico

E=

DV = dx, y como (2.62) se puede escribir como

Tenemos
Dividiendo ambos lados por p y tomando la integral,
obtenemos

Perfiles portadores en una unin pn.

Donde pn y pp son las concentraciones de agujeros en x1 y x2, respectivamente (Fig.

2.22). As,

La parte derecha representa la diferencia de voltaje desarrollada a travs de la regin de

agotamiento y Ser denotado por V0. Tambin, de la relacin de Einstein, la Ec. (2.50),
podemos sustituir Dp = p por kT = q: