Leccin 8

Dispositivos Semiconductores de Potencia

8.1 Introduccin.
8.2 Diodos.
8.3 Transistores.
8.4 Tiristores.

Apndice: Disipadores de calor

F. J. Ferrero
Electrnica de Potencia y Medida 1 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia
 8.1 Introduccin
DIODOS

Estados ON y OFF controlados por el circuito de potencia.

TRANSISTORES

Conmutan entre ON y OFF mediante una seal de control aplicada.

al terminal de control.
BJT, MOSTET, IGBT

TIRISTORES

Pasan a ON mediante una seal de control aplicada al terminal de control.

El circuito de potencia les hace pasar a OFF.
SCR, GTO, MCT, etc.

Electrnica de Potencia y Medida 2 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Encapsulados
Diodos Transistores

Fast
1500V
168A
1.8V

Tiristores

1300 V/1800A 500 V/24A

Electrnica de Potencia y Medida 3 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Comparacin de dispositivos

Electrnica de Potencia y Medida 4 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 8.2 Diodos de potencia
iD

A K
+ vD - iD
iD

I
VR
vD
vD
VF
0 Regin
inversa
de bloqueo

VF = tensin de codo; VR = tensin de ruptura

Electrnica de Potencia y Medida 5 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Caractersticas estticas
Ejemplo: 1N400X

Electrnica de Potencia y Medida 6 Leccin 9. Dispositivos semiconductores de potencia

 El diodo en conmutacin

Cuando el diodo pasa al estado OFF circula una corriente inversa durante un
cierto tiempo, trr.
iD

iF trr = tiempo de recuperacin inversa

t rr
t
Qrr

I RM

Electrnica de Potencia y Medida 7 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Tipos de diodos de potencia

Se clasifican en funcin de la rapidez (trr)

VRRM IF trr

Estndar 100 V 600V 1 A- 50 A > 1s

Fast 100 V- 1000 V 1 A 50 A 100 ns 500 ns

Ultra Fast 200 V- 800 V 1 A- 50 A 20 ns 100 ns

Schottky 15 V- 150 V 1A- 150 A < 2 ns

Electrnica de Potencia y Medida 8 Leccin 9. Dispositivos semiconductores de potencia

 8.3 Transistores

En E. P. su comportamiento es el un interruptor controlado.

iT Cerrado = ON

+ vT - Abierto = OFF

Un interruptor ideal

Estado OFF bloquear tensiones directas e inversas muy elevadas.

Estado ON conducir corrientes elevadas con cada de tensin nula.
Conmutar entre ON y OFF de forma instantneamente cuando se dispare.
Disparar el interruptor con un consumo de potencia despreciable.

Electrnica de Potencia y Medida 9 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Disipacin de potencia
Seal de
control del
interruptor

On
t
Off Off
ton
toff

v T, i T

vd vd
Io

v on
t
t c(on)
p T(t) tc(off)

vd I o
1
Wc( off) VdI0tc( off)
2
Won
t
1
Wc( on ) VdI0tc( on )
2

Electrnica de Potencia y Medida 10 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Transistor de unin bipolar (BJT)

RC iC
C (Colector)

iB RC VCC
+
vCE
B (Base) -
VBB iB

E (Emisor)
iC

iB5
Controlado por corriente de base: iB
I iB4

iB3
iB2
iB1
iB1=0 vCE
vCE(sat)

Electrnica de Potencia y Medida 11 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 El transistor en conmutacin

iC

En el estado OFF IB = 0
ON
En el estado ON VCE = 0

OFF
VCE

IC
Para llevar a ON el transistor: IB f (hFE = 5 50)
h FE

Electrnica de Potencia y Medida 12 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Configuraciones Darlington

hFE mayor
iC
C C iC

B B

iB iB

E
E

Electrnica de Potencia y Medida 13 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 MOSFET de potencia

iD
(Drenador) D
+
iD
D vDS
G
+ -
+
vDS vGS -
G
(Puerta) -
S
+
vGS -
S
iD
(Fuente)
VGS =7V

Controlado por tensin de puerta: vGS 6V

On
Conduce si vGS > vGS (umbral) 5V

(3 5V) Off 4V
vDS

Electrnica de Potencia y Medida 14 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Caractersticas de un MOSFET

Tensin de ruptura, VDS

Resistencia en conduccin, RDSon

Corriente mxima, ID

iD
D
+

G
vDS
RDSon
-
+
vGS -
S

Cuanto menor es RDSon mejor es el transistor

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 Ejemplo de MOSFET de potencia

www.ir.com

Electrnica de Potencia y Medida 16 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Ejemplo de MOSFET de potencia

Electrnica de Potencia y Medida 17 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

MOSFET Bipolar
G
E

Se controlan por vGE (como los MOSFET).

Alta capacidad de manejar corriente (como los bipolares).

En estado ON la tensin VCE(ON) es pequea: 2 3V.

Ms rpidos que los BJT y menos que los MOSFET.

Electrnica de Potencia y Medida 18 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 IGBT frente a MOSFET

Aplicaciones tpicas del IGBT

Control de motores
Sistemas de alimentacin ininterrumpida
Sistemas de soldadura
Iluminacin de baja potencia (<100 kHz)

Electrnica de Potencia y Medida 19 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Ejemplo: IRG4BC

Electrnica de Potencia y Medida 20 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 8.4 Tiristores

SCR (Silicon Controlled Rectifier)

DIAC TRIAC

GTO

Electrnica de Potencia y Medida 21 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 SCR
+ v AK - Entra en conduccin (ON) aplicando un pulso positivo
A K de corriente de corta duracin, iG.
iA iG Una vez que entra en conduccin puede quitarse iG
G
Deja de conducir (OFF) cuando iA se hace negativa

i
A i
A
Estado ON

Paso de OFF a ON Estado ON

con un pulso de iG
Regin
de bloqueo Estado
inverso OFF OFF a ON

V V
AK 0 AK
Bloqueo Bloqueo
Tensin de Tensin de inverso directo
ruptura inversa ruptura directa

Electrnica de Potencia y Medida 22 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Encapsulados

Electrnica de Potencia y Medida 23 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Principales parmetros

Electrnica de Potencia y Medida 24 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Disparo del tiristor

+ iA
+
Vs v AK
- -
iG

1. iG superior a un cierto valor.

2. Hay que mantener el disparo hasta que iA sobrepase un cierto valor

(corriente de enclavameinto, latching current)

3. Un vez dispardo, el SCR sigue conduciendo aunque no tenga iG

Electrnica de Potencia y Medida 25 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Apagado del tiristor
Apagado esttico
Apagado dinmico

IA
IA
s
IMANTENIMIENTO

VAK VAK

Se apaga de forma natural cuando

iA baja por debajo de Imantenimiento El apagado se realiza de forma
forzada por un circuito.
Aplicaciones de red (50 Hz) Aplicaciones de f ms alta (kHz)

Electrnica de Potencia y Medida 26 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Ejemplo de aplicacin

V1

R1 Disparo
VR

VT VR

VT

Electrnica de Potencia y Medida 27 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 GTO (Tiristor de apagado por puerta)
iA + vAK -
A K Se lleva a ON mediante un pulso de iG de corta duracin

iG Se lleva a OFF aplicando una vGK negativa

G iA iA

Off

On
vAK vAK
0

Adecuado para manejar elevadas tensiones y corrientes con frecuencias

de conmutacin entre pocos cientos de Hz a 10 kHz

Electrnica de Potencia y Medida 28 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Ejemplo

Electrnica de Potencia y Medida 29 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Conmutacin a OFF de un GTO

Requieren un circuito (snubber) para reducir la dv/dt que se produce en

el GTO en la conmutacin a OFF.

Snubber

C iA vAK
G
Circuito de
gobierno de R D
puerta

K t

Electrnica de Potencia y Medida 30 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 TRIAC
iT12
Conduce en ambos sentidos (bidireccional).
T1 T2
Se puede disparar con corrientes entrantes o salientes
Aplicaciones de baja potencia
G
iT12

iG disparado
T1 T2 VT12
iG disparado

Electrnica de Potencia y Medida 30 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 DIAC

iT12 No es un interruptor.
T1 T2 Se dispara al sobrepasar una tensin caracterstica.
Se corta cando la corriente pasa por cero.

iT12

VT1-T2
- 30 V 30 V

Se emplea para disparar tiristores

Electrnica de Potencia y Medida 31 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Disparo de tiristores

RL (Carga)
R
IG
A VA

IG

Electrnica de Potencia y Medida 30 Leccin 8. Dispositivos semiconductores de potencia

 Disipadores de calor
Importancia del diseo trmico
 Transferencia de calor por conduccin

Tj = Temperatura de la unin
Tj = Ta + Pd Rja Ta = Temperatura ambiente
Pd = Potencia media disipada por el dispositivo
Rja = Rjc+ Rcd + Rda Rjc = Resistencia trmica unin-carcasa, C/W
Rcd = Resistencia trmica carcasa-disipador
Rda = Resistencia trmica disipador-ambiente
 Clculo de disipadores de calor
Tj,max Ta,max
Rja mxima: Rja =
Pd

(Rjc+ Rcd + Rda) < Rja Rda < Rja (Rjc+ Rcd)

Ejemplo

Transistor TO-3, Tj = 125C; Ta, max = 55C; Rjc = 0.9C/W

Rcd = 0,4C/W (lmina de mica)

TO-3
125 55
Rda p (0,9 + 0,4) = 1,39 C/W
26
 Calculo de disipadores de calor

Rda

Si no se puede alcanzar Rda se acude a un ventilador:

Rda x F

F depende del rgimen de funcionamiento m3/h o l/seg. de aire

que desplaza
Factores de correccin