Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque

tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control
es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces
de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben
ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de
fugas.

El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensin inversa mxima

VD: tensin de codo.

Caractersticas Estticas:[editar]
Estado de bloqueo[editar]
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de
forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms,
repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez
durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede
destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.
Parmetros en conduccin[editar]
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una
duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez
cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado
de conduccin.

Caractersticas Dinmicas[editar]
Recuperacin inversa[editar]
Una caracterstica importante de un diodo o ideal es la corriente de recuperacin inversa. Cuando un diodo pasa de
conduccin a corte, la corriente en l disminuye y, momentneamente se hace negativa antes de alcanzar el valor cero,
como se muestra en la siguiente figura.
Tiempo de recuperacin inverso:El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta
instantneamente. Si un el diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est
saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la
aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que
despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento
y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo
no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan
a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado
tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo
el exceso de portadores.

Tiempo de almacenamiento (ta): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la
intensidad hasta llegar al pico negativo.
Tiempo de cada (tc): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta
se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir
desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.
Tiempo de recuperacin inversa (trr): depende del tiempo de cada y del tiempo de
almacenamiento. Se defie como la suma de ambos. trr=ta y tc.
Factor de suavizado: SF = tc/ta
 ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por
cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin
polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la
intensidad hasta el 10 % de ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea

negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.

Recuperacin directa[editar]
Si se le aplica una polarizacin directa, se obligara al diodo a conducir. Pero, se requiere un cierto tiempo, conocido
como tiempo de recuperacin en directa, antes de que los portadores mayoritarios de toda la unin puedan contribuir al
flujo de la corriente. El tiempo de recuperacin en directo limita la velocidad de elevacin de la corriente directa.

Tensin de recuperacin directa: es la tensin mxima durante el encendido.

Tensin directa (Von): caida de tensin del diodo en rgimen permanente para la corriente nominal.
Tiempo de recuperacin directo(tfr): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin
nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante
menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de potencia apreciables.
Tiempo de subida (tr): tiempo en que la corriente pasa del 10% al 90% de su valor directo nominal.
Suele estar controlado por el circuito externo.
Disipacin de potencia[editar]
Potencia mxima disipable (Pmx): Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero
no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de
trabajo.encia de trabajo.
Potencia mxima disipable (Pmx): Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero
no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo.
Potencia media disipada (PAV): Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se
encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM): Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo
en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM): Similar a la anterior, pero dada para un pulso
nico.

Caractersticas trmicas[editar]
Temperatura de la unin (Tjmx): Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer
sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.En ocasiones, en lugar de la
temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que
significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos
valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg): Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo
cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc): Es la resistencia entre la unin del semiconductor y
el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:

Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd): Es la resistencia existente entre el contenedor

del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por
otro medio (como mica aislante, etc).

Tipos de diodos de potencia[editar]

Diodos rectificadores para baja frecuencia
Caractersticas
IF(AV): 1A 6000 A
VRRM: 400 3600 V
VFmax: 1,2V (a IF(AV)max)
trr: 10 s
Aplicaciones
Rectificadores de Red.
Baja frecuencia (50Hz).

Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast)

Caractersticas
IF(AV): 30A 200 A
VRRM: 400 1500 V
VFmax: 1,2V (a IF(AV)max)
trr: 0,1 - 10 s
Aplicaciones
Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz).
Inversores.
UPS (Sistema de alimentacin ininterrumpida).
Accionamiento de motores CA.

Diodos Schotkky
Caractersticas
IF(AV): 1A 120 A
VRRM: 15 150 V
VFmax: 0,7V (a IF(AV)max)
trr: 5 ns
Aplicaciones
Fuentes conmutadas.
Convertidores.
Diodos de libre circulacin.
Cargadores de bateras.

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin)

Caractersticas
IF(AV): 0,45A 2 A
VR: 7,5kV 18kV
VRRM: 20V 100V
trr: 150 ns
Aplicaciones
Aplicaciones de alta tensin.

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Caractersticas
IF(AV): 50A 7000 A
VRRM: 400V 2500V
VF: 2V
trr:10 s
Aplicaciones
Aplicaciones de alta corriente.