UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM.

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA.

Circuitos Electrnicos I

Asignacin # 3:

Investigacin - Fabricacin de materiales semiconductores por el mtodo de

crecimiento epitaxial

Integrantes:

Ivn Muoz G. (8-888-2386)

Ricardo Revello (3-736-206)

Javier Montoya (3-738-244)

Profesor: David Crdoba

Grupo: 1IE-331

Fecha de entrega:20/02/17
 QU ES EL MTODO DE CRECIMIENTO EPITAXIAL?

El crecimiento epitaxial o epitaxia es uno de los procesos en la fabricacin de circuitos

integrados. La epitaxia es el crecimiento ordenado de una capa monocristalina que mantiene
una relacin definida con respecto al substracto cristalino inferior.

A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o sustrato, se hace crecer una
capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este. Mediante esta
tcnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor,
que son los que definen su carcter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta
casi su punto de fusin y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse,
recristalice con la estructura adecuada.
El crecimiento epitaxial puede dividirse en dos categoras muy amplias:
- Homoepitaxia: La capa que se crece es qumicamente similar al substrato, es la
epitaxia ms simple e involucra la extensin de la red del substrato en una res de
material idntico.
- Heteroepitaxia: La capa que se crece difiere en trminos qumicos, estructuta
cristalina, simetra o parmetros de red con respecto al substrato.

Clasificacin de las tcnicas de crecimiento epitaxial, basado en el transporte fsico del

material semiconductor hacia la oblea calentada.

- Crecimiento epitaxial en fase lquida (LPE)

La epitaxia en fase liquida es el crecimiento de capas epitaxiales sobre sustratos
cristalinos por precipitacin de un slido directamente desde una fase liquida. Es un
proceso muy utilizado en compuestos III-V y II-VI, pudiendo realizarse estructuras
multicapas con composiciones y dopajes homogneos y bien controlados.

Para la obtencin de estructuras que contengan varias capas con diferentes

composiciones, en la actualidad se utiliza una tcnica llamada barquilla deslizante.
Esta barquilla se compone de dos partes: el tronco y el deslizador.
 El tronco generalmente no se mueve y tiene unas cavidades hechas sobre un bote de
grafito de alta pureza donde se alojan las fases lquidas de diferentes composiciones.
Cada una de estas composiciones posee los elementos necesarios y los dopantes que
originan las capas epitaxiales.
El deslizador tambin de grafito tiene una cavidad en la cual se deposita el substrato,
ste se desliza en relacin con el tronco y de esta manera el substrato se pone en
contacto con cada una de las fases lquidas contenidas en las cavidades del tronco.
Un termopar es introducido en el interior de la barquilla para indicar exactamente la
temperatura existente en el sustrato, dato que debe ser perfectamente conocido y
controlado.
El conjunto est colocado en un tubo cerrado de cuarzo, por ambos lados y calentado
por un horno que permite saltos de temperatura de forma controlada.
Durante la epitaxia un flujo de H2 purificado recorre el tubo eliminando el oxgeno y
el vapor de agua que pudiera contaminar el proceso.
Si al mismo tiempo se baja la temperatura del horno, entonces sobre la superficie del
substrato se van a cristalizar capas epitaxiales; la composicin de estas capas depende
de la temperatura y de las composiciones de las fases lquidas.
El espesor de algunas de las capas se puede regular variando el intervalo de la
temperatura en el que se realiza el proceso de cristalizacin o bien variando el
volumen de la fase lquida.

- Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE)

Es el crecimiento epitaxial de lminas delgadas de semiconductores compuestos
mediante la reaccin de haces moleculares trmicos de los elementos constituyentes
con la superficie de un sustrato cristalino, mantenido a temperatura adecuada y en
condiciones de ultra vaco.
Consiste en la evaporacin de fuentes slidas de manera que se producen haces
moleculares y se dirigen sobre un sustrato caliente sobre el cual se deposita el
material. Es una tcnica habitual en el crecimiento de heteroestructuras de
semiconductores por la gran perfeccin cristalina que alcanza. Los haces moleculares
inciden sobre un sustrato y diversas reacciones qumicas ocasionan la deposicin de
monocapas sucesivas. Mediante el adecuado control de las especies qumicas de los
haces se puede variar la composicin de las capas epitaxiales.

- Crecimiento epitaxial en fase de vapor (VPE)

El crecimiento epitaxial en fase de vapor es el proceso en el que el material es
trasportado al sustrato en forma de vapor, generalmente formado por compuestos.
Estos, una vez alcanzado el sustrato se descomponen, y se incorporan a su superficie.
Es hoy en da el proceso ms ampliamente utilizado.