Anexo apunte MOSFET

Ante todo debemos tener en cuenta que existen dos junturas PN entre el material P del sustrato y los materiales N de
los terminales D y S. En dichas junturas existe un campo elctrico E1 uniforme en todo su contorno.

Veamos que al aplicar una tensin VGS (que a su vez aparece sobre G y D) tambin se genera un campo elctrico E0
entre los terminales G y SS. (con VDS=0), sin circulacin de corriente debido a la capa aislante sobre G.

Si analizamos la influencia de ste campo elctrico E0 sobre las junturas PN nos daremos cuenta que contrarresta el
campo elctrico en las junturas PN (E1), anulando el campo E1 a medida que crece VGS especialmente cerca del lugar
donde se acumulan los electrones. Ntese que la tensin aplicada VGS est polarizando en directa las junturas PN entre

David Chaikh
G y D y entre G y S, pero sin flujo de corriente dado que el terminal G est completamente aislado, por lo cual, en la zona
donde desaparece el campo elctrico, se juntan los electrones del material tipo N con los electrones acumulados sobre
G por el campo E0, formando de esta manera el canal entre D y S. El material N muy contaminado contribuye a la buena
conduccin entre el canal y los terminales D y S.

Luego, al aplicar una VDS, sta tiende a polarizar en inversa el campo elctrico solo de la juntura PN que hay entre SS y
D, de manera que har crecer el campo E1 provocando la reduccin, solo en esa zona, del canal formado anteriormente.

A medida que crezca la VDS, el canal se ira achicando en ese punto hasta que se produzca el estrangulamiento del
mismo.

David Chaikh