1.

Definir , , , , , , , ,

: Incluye los niveles de contacto de la base, de la masa de la base y de difusin de

resistencia de la base. El primero se debe a la conexin real con la base. El segundo
incluye la resistencia de la terminal externa a la regin activa del transistor y el ltimo
es la resistencia real dentro de la regin activa de la base. En general es de algunos a
unas decenas de ohms.

: La resistencia entre las terminales de base y emisor cuando el dispositivo est en la

regin. La resistencia es simplemente .

: La resistencia entre las terminales de base y colector cuando el dispositivo est en

la regin. La resistencia es muy grande y crea una ruta de realimentacin de los
circuitos de salida a los de entrada en el modelo equivalente. Por lo general es mayor
que , lo cual la coloca en el intervalo de los megaohms.

: La resistencia entre las terminales de base y emisor cuando el dispositivo est en

la regin. La resistencia de salida es la que normalmente aparece a travs de una
carga aplicada. Su valor, el que por lo general vara entre 5 y 40, se determina
a partir del parmetro hbrido .

: Capacitancia entre las terminales de entrada de la base y el emisor, esta es una

capacitancia de transicin.

: Capacitancia entre las terminales de entrada de la base y el colector, esta es una

capacitancia de difusin.