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UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

CUESTIONARIO N1

CIRCUITO ELECTRNICO I

PREPARADO POR:
GILBERTO CASTILLO 4-782-901

LILIA HO 4-775-1584

OMAR RIVERA 8-914-656

FRANCISCO ARANGO 8-907-897

FACILITADOR

ING. DAVID CRDOBA

II SEMESTRE

MIERCOLES 23 DE AGOSTO DE 2017


DESARROLLO

1- Qu es resistividad?
R: La resistividad o resistencia especfica es una caracterstica propia de los materiales cuya
unidad es ohmiosmetro, cuantifica la fuerza con la que se opone un material dado al flujo de
corriente elctrica. Una resistividad baja indica un material que permite fcilmente el
movimiento de carga elctrica. Los metales de resistencia baja, por ejemplo: el cobre,
requieren mayores corrientes para producir la misma cantidad de calor. Los materiales de
resistencia baja tambin exhiben una baja resistencia constante.

La resistencia especfica se define como:



= donde:

es el rea transversal medida en metros al cuadrado (2)
es la resistividad medida en ohmios-metro
es la longitud del material medida en metros
es el valor de la resistencia elctrica en Ohmios

"L" longitud, "S" seccin y "" resistividad

Si analizamos la frmula se deduce que:


A mayor longitud y menor rea transversal del elemento, ms resistencia
A menor longitud y mayor rea transversal del elemento, menos resistencia
2- Qu es conductividad?
R: La conductividad es el nombre que designa a una propiedad fsica que est presente en
algunos cuerpos, materiales o elementos y que hace que los mismos sean capaces de conducir
a travs de ellos a la electricidad o al calor. Es decir, aquellos materiales conductores de
electricidad o de calor tienen la facilidad de dejar pasar libremente a travs de ellos a la
corriente elctrica.

La conductividad depende de la estructura atmica y molecular del material. Los metales son
buenos conductores porque tienen una estructura con muchos electrones con vnculos dbiles,
y esto permite su movimiento. La conductividad tambin depende de otros factores fsicos del
propio material, y de la temperatura.
La conductividad es la inversa de la resistividad; por tanto = /, y su unidad es el S/m
(siemens por metro) o 1 1 . Usualmente, la magnitud de la conductividad () es la
proporcionalidad entre el campo elctrico y la densidad de corriente de conduccin
: =

Conductividad elctrica
3- Qu determina la conductividad?
R: La conductividad depende de las propiedades fsicas presentes en el grupo de los metales
como la estructura atmica y molecular del material, la temperatura ambiental; cuyas
propiedades los hacen buenos conductores permitiendo determinar la salinidad (contenido de
sales) de suelos y substratos de cultivo, ya que se disuelven stos en agua y se mide la
conductividad del medio lquido resultante. Suele estar referenciada a 25 C y el valor obtenido
debe corregirse en funcin de la temperatura. Coexisten muchas unidades de expresin de la
conductividad para este fin, aunque las ms utilizadas son dS/m (deciSiemens por metro),
mmhos/cm (milimhos por centmetro) y segn los organismos de normalizacin europeos
mS/m (miliSiemens por metro). El contenido de sales de un suelo o substrato tambin se puede
expresar por la resistividad (se sola expresar as en Francia antes de la aplicacin de las
normas INEN).

Ejemplo de conductor
4- Dentro de la estructura atmica que son los niveles de energa?
R: Los niveles de energa son estados energticos en donde se pueden encontrar los electrones
en estados estables o no, segn el subnivel en que se encuentran ya sea, cerca del ncleo o en
las ltimas capas.

En funcin de la capa que ocupe un electrn tiene una u otra energa de ah que se diga que
ocupa una capa de cierto nivel energtico. La existencia de capas se debe a dos hechos: el
principio de exclusin de Pauli que limita el nmero de electrones por capa, y el hecho de que
slo ciertos valores de la energa estn permitidos (tcnicamente estos valores coinciden con
los autovalores del operador hamiltoniano cuntico que describe la dinmica de los electrones
que interaccionan electromagnticamente con el ncleo atmico).
Si bien un electrn no puede adoptar cualquier tipo de energa sino slo unas determinadas
asociadas a los niveles energticos de cada tomo, s es posible, si se aporta energa a los
electrones, que estos "salten" a otros niveles de energa superiores, pasando el tomo a estar
en un estado excitado. La electrodinmica cuntica implica que estos estados excitados del
tomo, donde un electrn ocupa un nivel energtico alto existiendo huecos en los niveles
inferiores son inestables, por lo que al cabo de unos instantes el electrn "decae" a niveles ms
bajos y emite la energa sobrante en forma de fotones.

tomo con niveles de energa definidos

5- Enuncie el principio de Exclusin de Pauli?


R: El principio de exclusin de Pauli, fue desarrollado por el fsico austriaco Ernst Pauli en el
ao 1925. Este principio de la cuntica dice que Dos electrones en un tomo no pueden tener
los cuatro nmeros cunticos iguales
Esto significa que dos electrones que se encuentren en un tomo no podrn poseer a la vez
iguales nmeros cunticos. Este hecho explicara que los electrones se dispersen en capas o
niveles en torno al ncleo del tomo y por lo cual, los tomos que posean mayor nmero de
electrones ocupen mayor espacio, debido a que aumenta el nmero de capas de las que consta
el tomo. El nmero mximo de electrones que puede tener una capa o nivel es de 22
6- Qu son las bandas de energa?
R: Los niveles de energa de los electrones en los tomos de un cristal no coinciden con los
niveles de energa de los electrones para tomos aislados. En un gas, por ejemplo, se pueden
despreciar las interacciones de unos tomos con otros y los niveles de energa no se ven
modificados. Sin embargo, en un cristal el campo elctrico producido por los electrones de los
tomos vecinos modifica los niveles energticos de los electrones de los tomos de sus
alrededores.
De este modo el cristal se transforma en un sistema electrnico que obedece al principio de
exclusin de Pauli, que imposibilita la existencia de dos electrones en el mismo estado,
transformndose los niveles discretos de energa en bandas de energa donde la separacin
entre niveles energticos se hace muy pequea. La diferencia de energa mxima y mnima es
variable dependiendo de la distancia entre tomos y de su configuracin electrnica.
Dependiendo de la distancia interatmica y del nmero de electrones de enlace entre otros
factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas que pueden estar llenas, vacas o
separaciones entre bandas por zonas prohibidas o bandas prohibidas, formndose as bandas
de valencia, bandas de conduccin y bandas prohibidas.

Bandas de energa
7- Qu es un electrn-voltio?
R: El electronvoltio (smbolo eV) es una unidad de energa que representa la variacin de
energa cintica que experimenta un electrn al moverse desde un punto de potencial hasta
un punto de potencial cuando la diferencia = = 1 , es
decir, cuando la diferencia de potencial del campo elctrico es de 1 voltio. Equivale a
1,602176565 1019 J, obtenindose este valor de multiplicar la carga del electrn
(1,602176565 1019 ) por la unidad de potencial elctrico (V).

Esta unidad es muy adecuada para cuando estamos tratando con problemas donde las energas
tienen estos rangos ya que trabajar con Julios sera muy incmodo teniendo que manejar
muchas potencias de 10 negativas.
Adems, generalmente encontraremos que en fsica de partculas se expresan las energas, las
masas, los tiempos y las distancias en esta unidad. Para recordar por qu todas estas
magnitudes se expresan como si fueran energas podemos revisitar la entrada sobre Unidades
Naturales.

As el electronvoltio no es ms que una unidad adecuada para las mediciones en un acelerador


y la fsica de altas energas. Muchas veces se emplean notaciones como MeV, GeV, TeV.
Esto no es ms que usar los prefijos del sistema internacional aplicados a la unidad
electronvoltio (eV).

Elemento donde se experimenta esta interaccin fsica


8- Qu es un Material conductor, semiconductor y aislante?
R: a) Material conductor: Es un material que permite el paso de la energa, ya sea esta
calorfica, elctrica u otra. Son materiales cuya resistencia al paso de la electricidad es muy
baja. Los mejores conductores elctricos son metales, como el cobre, el oro, el hierro y el
aluminio, y sus aleaciones, aunque existen otros materiales no metlicos que tambin poseen
la propiedad de conducir la electricidad, como el grafito o las disoluciones y soluciones salinas
(por ejemplo, el agua de mar) o cualquier material en estado de plasma.

Ejemplos de materiales conductores

b) Material semiconductor: Son aquellos que a temperaturas muy bajas se comportan como
aislantes, es decir, no conducen la electricidad, pero que cuando la temperatura aumenta por
encima de un cierto valor se convierten en muy buenos conductores. Algunos materiales
semiconductores son por ejemplo el silicio, el germanio y el selenio.

Ejemplos de materiales semiconductores


c) Material aislante: Un material aislante es aquel que, debido a que los electrones de sus
tomos estn fuertemente unidos a sus ncleos, prcticamente no permite sus desplazamientos
y, por ende, el paso de la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de tensin entre
dos puntos del mismo. En estos materiales para conseguir una determinada corriente sera
necesario aplicar una tensin muchsimo ms elevada que en el conductor; ello no ocurre dado
que se produce antes la perforacin de la aislacin que el paso de una corriente elctrica
detectable. Se dice entonces que su resistividad es prcticamente infinita.

Ejemplos de materiales aislantes


9- Explique la formacin de las bandas de energa en:
R: a) Los conductores: En un conductor las dos bandas estn solapadas, no necesitndose
ninguna energa para alcanzar la conduccin.
Las bandas de valencia, que son bandas en las que se hallan los electrones de valencia y pueden
estar llenas o semillenas, dependiendo de la configuracin electrnica del metal, y bandas de
conduccin, que pueden hallarse vacas o parcialmente vacas y facilitan la conduccin porque
son energticamente accesibles. De hecho, los metales son conductores porque las bandas de
valencia y de conduccin se superponen, y esto hace que los electrones se muevan con libertad
de una a otra.

b) Los semiconductores: Las bandas de valencia y de conduccin no se superponen, pero


la diferencia energtica entre ambas es pequea, por lo que una pequea aportacin energtica
har que puedan promocionar electrones a la banda de conduccin y, por tanto, conducir la
corriente elctrica.

c) Los aislantes: En un aislante la separacin entre la banda de valencia y la banda de


conduccin es muy grande (10 eV), y esto significa que un electrn en la banda de valencia
necesita mucha energa para ser liberado y convertirse en un electrn libre necesario para la
conduccin; es decir las dos bandas estn tan alejadas que la banda de conduccin es
inaccesible, motivo por el cual son incapaces de conducir la corriente.

Modelo de bandas para aislantes, semiconductores y conductores


10- Explique que es un enlace covalente?
R: Un enlace covalente es un enlace de tomos reforzado por compartir electrones. Por
ejemplo, en un cristal de silicio o germanio puros, los cuatro electrones de valencia de un
tomo forman un arreglo de enlace con cuatro tomos adyacentes, dando lugar a un enlace
covalente. Si bien la unin covalente generar una unin ms fuerte entre los electrones de
valencia y su tomo, an es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energa
cintica por causas naturales, para romper la unin covalente y asumir el estado "libre".

Enlace covalente de dos tomos

11- A qu llamamos material intrnseco y extrnseco?


R: Los materiales intrnsecos (Puros) son aquellos semiconductores que han sido
cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan
puro como se puede obtener a travs de la tecnologa moderna.
El material extrnseco (Compuestos) es aquel que ha sido sujeto a un proceso de dopado.
Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos
semiconductores: el tipo n y el tipo p.

12- Explique el proceso de dopado?


R: Es un proceso mediante el cual se introducen tomos de valencias diferentes para aumentar
la cantidad de portadores. Pentavalentes y trivalentes produciendo exceso de electrones
material tipo N o un Exceso de huecos material tipo P

Exceso de Electrones produce la liberacin de ellos.


13- Cules son los elementos semiconductores ms utilizados?
R: Los semiconductores ms utilizados son el silicio y el germanio ya que poseen
caractersticas especiales. Por ejemplo, al aplicar calor aumentan su conductividad. Conforme
se eleva la temperatura, un mayor nmero de electrones de valencia absorben suficiente
energa trmica para romper el enlace covalente y as contribuir al nmero de portadores libres.

Material semiconductor, Germanio.

14- Qu es un material tipo N y tipo P?


R: Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adicin de un nmero
predeterminado de tomos de impureza al germanio o al silicio.

El tipo n se crea a travs de la introduccin de elementos de impureza que poseen cinco


electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsnico y fsforo.

El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con
tomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan con
mayor frecuencia para este propsito son el boro, galio e indio.

Material tipo P y material tipo N


15- Qu es un par electrn hueco?
R: Cuando se rompe un enlace covalente, un electrn abandona su tomo padre, dejando un
espacio vaco denominado hueco con una carga igual a la del electrn que se liber y se
convirti en un portador libre de carga. Esto da como origen a lo que se denomina un Par
electrn hueco

16- Cules son los portadores Mayoritarios y Minoritarios?


R: Los portadores mayoritarios son los producidos por el dopado y los minoritarios son
producidos trmicamente.

17- Qu es la juntura PN?


R: Teniendo un material tipo N rico en electrones y un material tipo P rico en huecos podemos
mediante la unin de estas partculas crear lo que se denomina la juntura PN.

18- Cmo se produce la regin de vaciamiento?


R: En el momento en que los dos materiales se unen, los electrones y los huecos en la regin
de la unin se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la regin prxima a
la unin. En esta regin de iones positivos y negativos revelados se llaman regin de vaco
debido a la disminucin de portadores libres.

Regin de vaciamiento
19- Explique el comportamiento de la juntura PN en polarizacion directa?
R: Con la polarizacin directa, la unin p-n impulsa los huecos desde el material tipo p a la
unin y los electrones desde el material tipo n a la unin. En la unin, los electrones y huecos
se combinan con los iones prximos al lmite reduciendo el ancho de la regin de
empobrecimiento, de modo que se mantendr una corriente continua.

Polarizacin directa

20- Explique el comportamiento de la juntura PN en polarizacin inversa?


R: Se invierte la polaridad de la fuente, el diodo se polariza en inversa, el terminal negativo
de la batera conectada al lado P y el positivo al N, esta conexin se denomina "Polarizacin
Inversa". El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los
electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la unin.

Polarizacin inversa
21- Qu es el efecto avalancha y el efecto Zener?
R: El efecto avalancha. En conexin inversa de los diodos ocurre el efecto por avalancha o
tambin llamado por multiplicacin. Los diodos admiten unos valores mximos en las
tensiones, existe un lmite para la tensin mxima en inversa con que se puede polarizar un
diodo sin correr el riesgo de destruirlo.

Justo en el lmite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones. Y estos
electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el electrn y
rebota, pero a la velocidad es muy grande y por ello la Energa Cintica es tan grande
que al chocar cede energa al electrn ligado y lo convierte en libre. El electrn incidente sale
con menos velocidad que antes del choque. O sea, de un electrn libre obtenemos dos
electrones libres.

Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrn de un enlace
covalente, ceden su energa y se repite el proceso y se crea una multiplicacin por avalancha.

El efecto Zener: La Ruptura Zener ocurre cuando los electrones de valencia son liberados de
sus enlaces debido al gran campo elctrico sin alcanzar un nivel al que se produzcan colisiones
de gran energa.

Este es otro efecto que puede estropear el diodo, y es muy parecido al anterior. Se suele dar en
diodos muy impurificados, diodos con muchas impurezas.

Al tener la zona de carga espacial muy pequea y seguimos teniendo la misma tensin (0.7
V), tenemos muy juntos los tomos de impurezas teniendo as ms carga en menos espacio.
En esta situacin se crea un campo elctrico muy intenso. Y el efecto es como la carga de un
condensador.

Funcionamiento del diodo Zener


22- Qu es el voltaje de umbral?
R: La tensin umbral es el valor de tensin en polarizacin directa a partir del cual un diodo
conduce y la cual podemos identificar como .

A partir de una tensin superior a la tensin umbral la intensidad que circula por el diodo
aumenta mucho con una ligera variacin en el valor de la tensin de polarizacin.

Voltaje Umbral
23- Qu es la corriente de difusin y de desplazamiento?
R: Corriente de difusin: El efecto de difusin se produce cuando existe un gradiente de
concentracin de portadores con la distancia, producindose un desplazamiento de portadores
que trata de establecer el equilibrio. Este desplazamiento de portadores dara lugar a un
transporte neto de carga a travs de una superficie y por tanto a una corriente de difusin. sta
corriente aparece en forma espontnea cuando de un lado del semiconductor hay mayor
concentracin de portadores que en otro lado.

Corriente de desplazamiento: es una cantidad que est relacionada con un campo elctrico
que vara en el tiempo y puede ocurrir ya sea en el vaco o en un dielctrico donde existe el
campo elctrico. No es una corriente fsica, que ocurre cuando una carga se encuentra en
movimiento. Pero si tiene las unidades de corriente elctrica y se asocia un campo magntico.

Corriente de difusin Corriente de desplazamiento


24- Qu es la capacitancia de transicin y de difusin?
R: Capacitancia de transicin: En la regin de polarizacin inversa existe una regin de
agotamiento (libre de portadores) que se comporta como un aislante entre las capas de carga
opuesta. Debido a que el ancho de esta regin (d) se incrementar mediante el aumento del
potencial de polarizacin inversa, la capacitancia de transicin que resulta disminuir.

Capacitancia de difusin: Se encuentra en la regin de polarizacin directa, pero este es


mucho menor que un efecto de capacitancia directamente dependiente de la velocidad a la que
la carga es inyectada hacia las regiones justo fuera de la regin de agotamiento. El resultado
es que niveles crecientes de corriente resultaran niveles crecientes de la capacitancia de
difusin.

25- Qu es el tiempo inverso de recobro?


R: Tiempo inverso de recobro ( ): Depende del tiempo de cada y del tiempo de
almacenamiento. Se define como la suma de ambos.

= +

Tiempo de almacenamiento ( ): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la


intensidad hasta llegar al pico negativo.

Tiempo de cada ( ): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta


que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso.