Circuitos de Disparo de Tiristores para PDF

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING.
ELECTRICA
3-5 mtodos y circuito disparo tiristores.
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CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES
CONTROLADOS
El circuito de disparo o excitacin de compuerta de los tiristores, es una parte integral

del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en
que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutacin (tiristores), es una
funcin directa del proceso de cmo se desarrolla la conmutacin. Podemos decir
entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida
deseada y cumplir con los objetivos del sistema de control, de cualquier convertidor
de energa elctrica.
El diseo de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las caractersticas
elctricas de compuerta del tiristor especfico, que se va a utilizar en el circuito principal
de conmutacin. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes,
puede resultar conveniente disearlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores
donde se necesita la activacin de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta
eficiencia y que adems sean compactos, los circuitos integrados para activacin de
compuerta que se disponen comercialmente, son ms conveniente.
Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los
rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El
circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito
conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador
y finalmente el circuito de proteccin de la compuerta del tiristor. El diagrama en
bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relacin de estos componentes:
Tensin CA
de la red
elctrica
Proteccin de SCR1
la compuerta SCR2
del tiristor .
.
SCRn
Sincronizador Aislador del

(Detector de circuito de Carga
cruce por cero) disparo con los
circuitos de
conmutacin
Entrada
Seal de
control Circuito con
base de tiempo Generacin y
para el retardo amplificacin del
del ngulo de pulso de disparo
disparo
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Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA
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Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en
sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ngulo
(respecto al cruce por cero de la tensin de red), el pulso de disparo, en todos los
semiciclos.
Entrada seal de control: Esta seal es la que determina el retraso del ngulo de
disparo, seal generada en forma manual o a travs de un sistema realimentado. Para
este ultimo caso, la seal se genera por la interaccin de la seal de referencia, la seal
realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.).
Circuito base de tiempo: En los circuitos analgicos, la base de tiempo se genera por
medio de un circuito tipo RC, o sea a travs de la carga de un condensador, con una
constante de tiempo =CR., hasta una tensin que genera un pulso de disparo. En los
sistemas programables, la base de tiempo se genera por programacin o por medio de
un temporizador interno que se carga tambin por programacin.
Generacin de los pulsos de disparo: Para la generacin de los pulsos, se disponen de

muchas variantes de circuitos, con aplicacin de transistores bipolares o mediante
semiconductores especficos, que generan, cortos pulsos de disparo.
Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor:

fundamentalmente se utilizan dos tcnicas. Una es la de utilizar un transformador
aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio,
tambin llamado opto acoplador. Otra tcnica utilizada es a travs de las fibras pticas
con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta.
Proteccin de la compuerta: Se utilizan circuitos de proteccin contra disparos por

tensiones espurias.
Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el
circuito de disparo.
SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO
Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para
generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actan como transistores y
otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos
de relajacin (osciladores) o como disparadores por nivel de tensin.
Transistores disparadores:
UJT : Transistor unijuntura.

CUJT: Transistor unijuntura complementario
DIAC: Disparador bidirecional tipo npn.
Tiristores disparadores:
PUT: Transistor unijuntura programable.

LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz.
DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor.
SUS : Conmutador unilateral de silicio
DIAC: Diodo tiristor bidireccional
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SBS: Conmutador bilateral de silicio.
ST4 : Disparador asimtrico de GE.
Lmpara de Neon (poca aplicacin o muy limitadas)
Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicacin de tres de estos dispositivos, el

UJT, el PUT y el DIAC, que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus
aplicaciones.
Transistor unijuntura (UJT)
Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales; en dos terminales,

denominados base 1(B1) y base2 (B2), se sita una resistencia semiconductora (tipo n)
denominada resistencia interbase RBB, cuyo valor varia desde 4,7 a 10 K. En un
punto determinado de esta resistencia, se difunde una zona p que forma una juntura
didica que se conecta al tercer terminal, denominado emisor (E). El grafico muestra
la caracterstica V-I del emisor respecto a la base1 (B1), el smbolo del UJT y su
circuito equivalente:
IE Emisor Base 2
IV Smbolo Base 1
IP
IEBO VV VK VP VE
Caractersticas tensin corriente

del terminal Emisor-Base 1
Circuito elctrico
equivalente
La polarizacion se realiza aplicando una tensin positiva a la base B2 (VBB5 a 30 volt)

La mxima tensin aplicada, esta limitada por la disipacin del UJT.
___________
VBB = RBB. VDmax. La corriente IB2 vale:
IB2 = VBB / RBB
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El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente.
Si la tensin del emisor (VE) es menor a (VC), circula por la juntura una corriente
inversa denominada IEBO. Cuando la tensin del emisor supera a la tensin VC, la
juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva , inyectando
portadores minoritarios en la porcin de la resistencia RBB, comprendida entre el diodo
y la base 1(B1), haciendo que este tramo, aumente drsticamente su conductividad y
disminuya su resistencia elctrica. En esta situacin, la tensin del emisor disminuye
cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa), dado que la
tensin VC= VBB .R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. El la grafica V-I este
fenmeno comienza en el punto VP. IP.. La corriente queda limitada solamente por la
resistencia R1 y la de la fuente de tensin que polariza al emisor. ( se produce un pulso
de corriente de magnitud).
La tensin VE, para producir el disparo o sea VP, vale:
VP = (R1/R1+R2). VBB + VD. = .VBB +VD
R1/ (R1+R2) se le denomina relacin intrnseca y tiene un valor en particular para

cada tipo de UJT. La relacin intrnseca toma un valor entre 0,45 y 0,82.
La VBB, se denomina tensin nter bsica y es la tensin que se aplica entre las bases
B1 y B2.
La VD es la tensin umbral de polarizacion directa de la juntura PN, cuyo valor es
aproximadamente de 0,56 volt a 25 C y disminuye en aprox. 2 mv / C.
Cuando IE aumenta, VE disminuye (zona de caracterstica negativa) hasta un valor dado
por IV, VV, donde nuevamente comienza aumentar. Si al dispositivo, lo hacemos
trabajar por debajo de los valores de IV y VV, el valor de R1 retoma su valor original. Si
la tensin de emisor se mantiene constante y mayor que VV, R1 se mantiene en su valor
bajo y no se reestablece.
En la aplicacin, la tensin de disparo VE= VP, se debe mantener constante; pero como
varia con la temperatura, debido la valor de VD, resulta entonces necesario compensar
esta variacin. El procedimiento es colocar una resistencia de carbn en la base B2
que tiene un coeficiente de variacin positivo, para contrarrestar el coeficiente negativo
de la juntura pn. La figura muestra el circuito:
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El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma:
Vp = VD + . VBB. (1)
VBB= Vcc RB2. IB2 (2)
IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3)
Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos:
Vp = VD + . VCC - .Vcc. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2:
Vp VD + . VCC - .Vcc . RB2 / RBB
Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0,008%/C y el de RB2 es de

+0,004%/C, entonces tanto VD como el termino .Vcc . RB2 / RBB sufren las mismas
variaciones con la temperatura. Si hacemos:
VD = .Vcc. RB2 / RBB la formula anterior nos queda:
VDp= . VCC
El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior, lo obtenemos despejando de la

igualdad anterior como:
RB2 = V D. RBB / (VCC. )

Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe
incrementar en (1-. RB1) / quedando:
RB2 = V D. RBB / (VCC. ) + (1-. RB1) /
Oscilador de relajacin con UJT
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El transistor unijuntura, se lo utiliza como oscilador de relajacin, para generar pulsos
de disparo. El circuito trabaja de la siguiente forma. El capacitor, conectado entre el
emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de
tiempo) dado por el producto de CE. RE. Cuando se llega al valor de la tensin de
disparo VP. el capacitor se descarga a travs del emisor, rpidamente, dado por la
constante de descarga de CE.( R1.+ RB1. ). Cuando se llega al valor VE.= VV. , el
emisor se bloquea, parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo
de carga. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE.= VC. ) y la seal
pulsante en los extremos de RB1
Para calcular el periodo de los pulsos, partimos de la tension de carga del condensador:
VC = Vcc. (1 e-t/R.C)
Para nuestro caso el tiempo T1 lo calculamos para Vcc = Vcc VV y VC.= VP.
VC = (Vcc_VV). (1 e-T1/RE.CE)
Despejando el tiempo T1 obtenemos:
T1 = RE .CE . ln ( VCC.- VV ) / (VCC.- VP ).
El tiempo T2 de descarga es difcil de calcular por la variacin que sufre la resistencia

de descarga a travs de R1 y RB1. Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale
empricamente:
T2 (2+5.C). VEsat.
Donde VEsat es el valor dado en las caractersticas del UJT para IE = 50 mA.
No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores, resulta T1 >>T2 por lo cual el
periodo lo calculamos como:
T = T1+ T2 T1
La expresin para el periodo se puede simplificar si hacemos VV 0
T = RE .CE . ln VCC. / (VCC.- VP ).
Por otra parte como Vp = .Vcc reemplazando:
T= RE .CE . ln VCC / (VCC.- .Vcc ). = RE .CE . ln 1 / (1-)
Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646, el valor de la

relacin intrnseca vale 0,63, entonces reemplazando tenemos:
T = RE .CE.
Las condiciones de diseo para un circuito de disparo de tiristores con UJT, no son muy
rigurosas. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 . En algunas
aplicaciones su valor podr valer entre 2000 y 3000 . Si el pulso de disparo se toma de
los extremos de RB1, este tendr que tener un valor tal que la tensin continua
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producida por la corriente interbase, no tome un valor superior a la de disparo del
tiristor.
VGtmax > RB1 . Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2.)
El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 K y 3 M, para permitir que el

circuito oscile. Si es muy grande, es posible que no llegue a la tensin de disparo. Si es
muy chico, el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no
vuelve a bloquearse.
Sincronizacin de los osciladores de relajacin
El periodo de oscilacin T de estos osciladores no es muy preciso, por lo que resulta

conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision. Existen varios
mtodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la
tensin interbase, reduciendo as la tensin de disparo y obligar al UJT a dispararse.
Entrada pulsos de
sincronismo
Salida de pulsos
sincronizados
Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores
para el control de potencia elctrica en sistemas elctricos de frecuencia industrial (50 o
60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red. En todos
ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensin. Una forma es alimentar el oscilador
de relajacin con UJT con una tensin rectificada de onda completa y estabilizada con
un diodo Zener. De esta forma cuando la tensin pase por cero, todo el circuito
prcticamente esta con valor cero, el capacitor CE esta descargado y de esta forma en
cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de
tiempo T o de otra forma podr disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o
ngulo, con respecto al cruce por cero de la tensin de red.
El diodo zener cumple la funcin de estabilizar la tensin de alimentacin del generador
de pulsos, permitiendo en cada semiciclo generar el pulso, con la misma tensin de
disparo Vp.
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En el siguiente circuito, se muestra el circuito de sincronizacin junto al generador de
pulsos:
Pulso de
disparo
Tensin de
alimentacin para
sincronizacin
Control manual de potencia elctrica para un convertidor CA a CC (rectificador

controlado)
Este sistema de control, si bien es obsoleto tecnolgicamente hablando, tiene

importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del
control por fase y la importancia de la sincronizacin con la frecuencia de red.
En el circuito la sincronizacin se logra rectificando la tensin alterna en los extremos
del Triac y alimentando el circuito de disparo. En este caso se utiliza un transformador
de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensin de +24 Volt)
respecto a la tensin de alimentacin de la carga (220 V ca)
La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por
cero de la tensin de alimentacin. Para ello se modifica la base tiempo que carga al
capacitor CE, por medio de un potencimetro RE. Para este circuito si quisiramos
adaptarlo para un sistema de control automtico, el potencimetro RE, debera
reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE, en
funcin de la seal de control
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En la prxima figura se grafican las formas de ondas del circuito, as como la variacin
de la potencia en la carga en funcin del porcentaje del valor de RE.
Vtriac
Vs
Vz
Vp
VE
Vdisp
t
%VL
100
80
60
40
20
0 25 50 75 100 %RE
Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el

valor de la potencia controlada sobre la carga.
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Control pedestal
Este mtodo de control, consiste en cargar en forma rpida (cte RC bajo) al capacitor
exponencialmente hasta la tensin de disparo Vp. De esta forma, la tensin de disparo
queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potencimetro, como muestra el
circuito:
VL
(%)
100
0
0 30 60 100 Rp
En la grafica se observa que tenemos una variacin brusca en el control de la potencia

elctrica sobre la carga, con la variacin de la resistencia del potencimetro. Este
control podra aplicarse el control todo o nada como el caso de los rels estticos
asincrnicos. Este sistema manejado desde un sistema de control automtico se podra
hacer funcionar mediante un transistor, controlando la corriente de base, como muestra
la figura:
VL
ib
Para este caso cuando el transistor pasa al corte, haciendo la corriente de base cero, El
UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia mxima.
Cuando el transistor esta conduciendo, el capacitor queda cargado con una tensin baja
(VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensin de disparo Vp, del UJT; por lo que
no se entrega potencia a la carga.
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Control por pedestal y rampa exponencial
Vs
Vz %VL
Vp 100
Vc
1
Vp1 2
Vp2
t
0 t1 t2 0 100 %Rp
Vdisp.
1 para RE1.CE
2 RE2.CE
t
Este mtodo, es una combinacin de control por pedestal con rampa exponencial que
puede ser iniciada a partir de una tensin pedestal (precarga del capacitor a travs del
potencimetro y el diodo). La tensin pedestal esta determinada por el divisor resistivo
que fija el potencimetro y el tiempo de precarga, es rpido dado el valor bajo de
Rp.CE. El diodo bloquea una posible derivacin de corriente, cuando el capacitor
supera la tensin pedestal, ahora en su carga exponencial, a travs de RE.
Los tiempos de disparo t1 y t2, se logran modificando el valor de la tensin de pedestal,
con un mismo valor de constante de carga exponencial RE.CE.
En la grafica del porcentaje de VL en funcin de la variacin del potencimetro,
tenemos dos curvas 1 y 2, que corresponden para distintos valores de producto RE.CE.
Para un determinado valor de este producto, se logra mejorar la linealidad de la funcin
graficada.
Una mejora en la linealidad comentada, se logra con el control pedestal, rampa
cosenoidal.
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Control por pedestal y rampa cosenoidal
Vs
Vz %VL
Vp 100
Vc
1
2
Vp1
Vp2
t
0 t1 t2 0 100 %Rp
Vdisp.
1 para RE1.CE
2 RE2.CE
t
El control por pedestal y rampa cosenoidal, es similar al caso anterior, con la diferencia
que la tensin de carga del capacitor, despus de su precarga (pedestal) es cosenoidal.
Para lograr este tipo de rampa, el circuito que carga al capacitor a travs de RE, debe ser
alimentado por una tensin alterna senoidal, tomada en la entrada del circuito de
sincronizacin, antes de ser recortada por el diodo zener. De esta forma, la tensin del
capacitor la podemos expresar como:
Vc = V1 + 1/CE. iE.dt como iE Vmax/RE.sen wt reemplazando tenemos:
Vc = V1 + 1/CE. Vmax/RE.sen wt.dt
Vc = V1 + Vmax / RE.CE.w.( 1 cos wt ).

Este tipo de control, es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la
carga y la variacin de la tensin de pedestal (en este caso, a travs de un
potencimetro).
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Circuito completo de control manual de potencia elctrica monofsico
semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT
Este circuito, de valor conceptual, nos muestra en forma sencilla, las etapas mas
importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado). Para el caso el
circuito principal del convertidor, esta formado por el puente semicontrolado, formado
por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2. Para alimentar el circuito de
sincronizacin, control y generacin de los pulsos de disparo, se recurre al puente
monofsico formado por los diodos D1, D2, D3 y D4.
Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado, con seal de referencia,
la tensin de control ingresa directamente en el nodo del diodo para controlar el
pedestal. (Precarga del capacitor CE).
Problema: Disear el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo
con UJT, con control exponencial:
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a) Seleccin del SCR:
Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga mxima con un ngulo de

conduccin de 180, con una carga RL = 100 .
_ _

ITM = (1/2).0 (2.220/RL). Sen wt dwt = (2.220/RL.) = 1 A (corriente media)
______________________________ _
2 2
ITef. = (1/2).0 (2.220/RL) . Sen wt dwt = (2.220/RL.2)=1,55 A (corriente eficaz)
_
VRWM = Vm = 2.220 V = 310 Volt (tensin mxima inversa repetitiva).
A estos valores mximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos

entre 2 y 3. Si tomamos 2, entonces debemos seleccionar en 1 instancia un SCR con
los siguientes valores elctricos:
ITM 2A
ITef. 3 A
VRWM 600 volt
b) Calculo del circuito de disparo
b1) Determinacin de RB1:

La finalidad de RB1 es evitar como dijimos, disparos
imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca), al drenar parte de la corriente
que circula por el UJT por la resistencia internase RBB. Por lo tanto debe ser lo mas
bajo posible, siempre que asegure el disparo del SCR. Utilizaremos un UJT 2N4947 que
tiene las siguientes caractersticas, para una tensin de alimentacin de 20 volt:
RBB = 6 K , = 0,60 , Iv = 4 mA , Vv = 3 volt , Ip = 2A.
IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) 20 V / RBB = 20 v/ 6 K = 3,3 mA
Dado que la mayora de los SCR se disparan con una tensin de 0,7 a 1 volt, tomamos
entonces una tensin sobre RB1 de unos 0,3 volt. De esta forma nos permite un margen
de tensin de ruido de o,4 volt (0,7-0,3), que es un valor aceptable.
RB1 = VRB1 / IRB1= =,3 V / 3,3 mA 100
b2) Calculo de RB2 :

Esta resistencia tiene la misin de estabilizar trmicamente a los
UJT. Se determina experimentalmente o por medio de graficas. Para la mayora de los
UJT, se estabilizan con resistencias de valor entre 500 a 3 K. Nosotros la vamos a
calcular con la formula terica desarrollada anteriormente:
RB2 = V D. RBB / (VCC. ) + (1-. RB1) / = (0,6.6)/(20.0,6) + (1-0,6)/0,6.0,1 = 315
Adoptamos RB2 = 470
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b3) Determinacin de REmin, REmax y el capacitor CE.
Previamente, debemos observar la grafica de la caracterstica V-I del Terminal de

Emisor del UJT
IE Emisor IE Base 2
REmax REmin
IV VE Base 1
Smbolo
IP
IEBO VV VK VP
V Vc Vz VE
Caractersticas tensin corriente

del terminal Emisor-Base 1
Determinaremos primero, el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. Se

producir cuando el capacitor se cargue con la tensin Vc = Vp, a traves de Re y Vz
como tensin de alimentacin, Como vemos en la grafica, entonces el valor de REmin
vale:
REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz- Vz.) / Ip = (20 20.0,6) / 2A = 4 M
Esto significa que RE deber ser menor de 4 M para que la tensin en el capacitor,
llegue a la tensin de disparo Vp del UJT.
Para calcular RE min, es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la
caracterstica V- I del UJT que presente resistencia positiva, porque si ocurre esto , el
UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado. En la grafica, vemos que el punto
limite, esta dado para IV y Vv . El valor mnimo de RE lo calculamos como:
REmin = ( Vz- Vv) / Iv = (20 V- 3 V) / 4 mA = 4,25 K
El valor REmin calculado, significa que RE no debe ser inferior a 4,25 K para que el
UJT, una vez disparado, vuelva a bloquearse.
Adoptamos RE min = 10 K.
Para calcular el valor de la resistencia del potencimetro de manera tal que
RE = RE min + REp
Nos conviene tomar la media geomtrica en lugar del valor promedio, dado que los dos
valores extremos difieren mucho:
____________ __________
RE = REmin.REmax = 4,25 . 4x103 64 K
Con este valor, podemos calcular el capacitor, teniendo en cuenta que llegue a la tensin
de disparo Vp en el tiempo de t= T/2, cuando RE tiene su valor mximo.
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t CE.RE para 0,6
t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg
CE = 10 msg / 64 K = 0,156 F.
Un valor de CE fcil de conseguir es de 0,1 F, por lo que conviene recalcular el valor

de RE:
RE = t / CE = 10 mseg / 0,1 F = 100 K
Adoptamos entonces un potencimetro lineal de 100K
C) Calculo del diodo Zener y Rs
IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 K = 2 mA ;
IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) 3 mA
Estos dos ltimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo
con diodo Zener. Para evitar la tensin de codo del diodo Zener, adoptamos un valor de
la corriente de zener de 20 mA, de manera tal que cualquier variacin de la corriente de
carga, prcticamente no influye sobre la tensin de zener. Para que por el zener circule
la corriente adoptada, debemos limitarla con la resistencia Hrs., de manera que su valor,
lo podemos determinar como:
Rs = (Vm Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V- 20 V) / 25 mA = 11,6 K
Adoptamos un valor de Rs. = 12 K

Finalmente para seleccionar esta resistencia, debemos conocer su disipacin mxima:
Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3,3 W
Adoptamos una resistencia que disipe 5 W.
El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz . Vz = 20 mA . 20 V =0,4 W

Adoptamos un diodo zener de W.
Finalmente nos queda determinar el diodo D que, junto con la seal alterna provee la
sincronizacin y alimentacin del circuito de disparo. En este caso la corriente mxima
que circulara por este diodo, ser la suma de todas las corrientes parciales:
ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA.
La tensin inversa mxima que soporta resulta:

_ _
VRWM = Vm.2 = 220 .2 = 310 volt.
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Adoptamos un diodos estndar como el 1N4005, 1N4006 o el 1N4007, que soportan
una corriente mxima de1 A y una tensin inversa mxima repetitiva de 600, 800 y
1000 volt respectivamente.
Diseo prctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal, control

cosenoidal
Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior, remitindonos al clculo de los

componentes del circuito de disparo, segn la
figura:
vs
Vs
Vz
Vp
Vc
Vped=0
Vped
t de disparo wt180
1) Los valores de Rs., RB1, RB2, se determinan en forma similar al problema anterior.
2) El potencimetro que fija la tensin de pedestal se fija en forma practica en 5K y si

adoptamos CE = 0,1 F, entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensin
pedestal es de :
t = Rp.CE = 5K.0,1 F = 0,5 mseg. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5%

del tiempo de medio ciclo de 10 mseg.
3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensin de pedestal de cero volt y un
pulso de disparo en 180 o sea en 10 mseg. Como la carga del condensador es
cosenoidal, entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE:
Vc = V1 + Vmax / RE.CE.w.( 1 cos wt ).
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Para el caso V1 = 0 , cos 180 = -1 , Vc =.Vz = 0,6. 20
Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos:
RE = (Vm . 2) / ( Vz . . CE. W) = 1,56 M
El diodo D1 se adopta estndar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que
circula por el mismo es mnima lo mismo su tensin inversa.
Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado.
Para este caso, la seal de control realimentada, obtenida como seal de error,
amplificada, compensada y adaptada al circuito, se aplica como tensin de pedestal para
controlar el ngulo de fase. La figura siguiente, nos muestra el circuito simplificado:
Transistor unijuntura programable PUT
Este dispositivo, tiene un comportamiento similar al UJT, con la diferencia que la

relacin intrnseca se puede programar, mediante un divisor resistivo.
A pesar de llamarse transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de
puerta G se toma del lado del nodo en lugar del de ctodo (base del transistor pnp)
nodo (A)
A
P GA
Puerta (GA)
N
P
C
N
Smbolo
Ctodo (C)
___________________________________________________________________ 18
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
La forma tpica de polarizar al PUT, es la que se muestra en el circuito (A) de la

siguiente figura:
El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo:
VT = (Rp.VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1.Rp) / ( R1+Rp)

Para una VT determinada y mientras VAA < VT, la corriente de nodo IA es
prcticamente despreciable, estando el PUT en estado de bloqueo. Si VAA > VT en una
cantidad " Vp" , se produce una inyeccin de portadores de carga por el diodo formado
por el Terminal del nodo y compuerta, dando comienzo a la realimentacin interna que
provoca el estado de conduccin de PUT entre el nodo y el ctodo.
Una vez activado el PUT si disminuimos la tensin VAA de manera que la corriente pase
por debajo de un valor llamado de valle IV (mnima de mantenimiento), el PUT
nuevamente pasa al estado de bloqueo, de manera similar al UJT.
La prxima figura muestra la caracterstica V-I de los terminales nodo-ctodo para un
determinado valor de RT y VT
VAC
Vp
Vs
VA
VV
IGAo Ip Iv IA IAC
En forma similar al UJT, el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de

relajacin, sincronizado con la frecuencia de red. Sintetizando, el PUT puede
reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado, conectando el
Terminal nodo del PUT con el Terminal que corresponde al emisor del UJT y el
ctodo del PUT, con el terminal base2 del UJT. Se deber agregar un divisor
resistivo, para programar la relacin intrnseca .
___________________________________________________________________ 19
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
La siguiente figura, muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial
donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1, Rp) y su fuente de
alimentacin (D1, C1).
Generacin de pulsos con DIAC

El DIAC es un tiristor doble, conectado en antiparalelo, sin compuerta, que tiene la
particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales, cuando la
tensin en sus extremos supera el mximo voltaje de bloqueo directo VBO.
El dibujo siguiente, muestra la estructura interna, su smbolo y su caracterstica V-I:
A2
P1 N1 A2
IA
VA2> VA1 N2
IA
P2 A1
VA1> VA2
N3
Smbolo
A1
10 mA
VBO=-20 a-30 V
VBO=20 a 30 V
-10 mA
___________________________________________________________________ 20
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores
compuestos por:
P2 N2P1N1 para V21 >0
P1 N2P2N3 para V12<0
Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensin de activacin (20

a 30 volt), se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para
disparos de tiristores como los SCR y TRIAC
Veamos un ejemplo de aplicacin para controlar la potencia elctrica para una carga
conectada en corriente alterna, control en ambos semiciclos:
VT2-T1
Vc
Idisp
t
___________________________________________________________________ 21
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC; por el otro a un
capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensin, tipo RC. De esta forma la
tensin del capacitor estar retrasada respecto a la tensin de lnea. Cuando la tensin
del capacitor llega a la tensin de activacin del DIAC, este se dispara, inyectando un
pulso de corriente en la compuerta del TRIAC, activndolo. Cuando este ltimo se
activa, cae la tensin del circuito de disparo, por estar conectado a los terminales del
TRIAC, haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue.
Para el semiciclo negativo, el capacitor se carga inversamente, y cuando llegue a la
tensin de activacin del DIAC, se producir un pulso de corriente con polaridad
opuesta, haciendo activar el TRIAC en sentido inverso. Conectando al TRIAC
adecuadamente, se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad.
Determinacin del ngulo mnimo de activacin del DIAC:

Este se producir cuando
el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensin de alimentacin tome el valor de activacin del
DIAC o sea VBO .
VBO = Vm, sen min
min = arc.sen (VBO /Vm)
Determinacin del ngulo mximo de activacin del DIAC:
max = - min =- arc.sen (VBO /Vm)
Clculo de la constante de tiempo R.C para el ngulo de activacin mximo:
Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensin previa
Vc = vo + 1/C i dt como i = (vs vc) / R vs / R y vs = Vm. Sen wt
Vc = vo + 1/C vs/R dt = vo + 1/C. Vm/R.sen wt dwt
Vc= vo + (Vm/R,C.W)[1-cos wt]0wt
Para Wt = max. = - min =- arc.sen (VBO /Vm) = T/2
Vc = VBO = vo + (Vm/R,C.W)[1-cos wt]0 = vo + (2.Vm) / ( R.C.W).
Despejando la constante de carga obtenemos:
R.C = (2.Vm) / (VBO vo).W
Seleccionando el valor de R o de C, obtenemos el otro.
Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC
1) Este circuito, en la prctica tiene histresis, respecto a la variacin de la constante

CR., para variar la potencia en la carga, debido a la carga residual del capacitor. Para
evitar este inconveniente se reduce con el mtodo de control por doble constante de
___________________________________________________________________ 22
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
tiempo, que hace que el capacitor C2 (de la prxima figura) siempre mantenga una
carga residual, prcticamente constante, anulando el efecto de histresis.
2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva, se producir un defasaje entre la

corriente circulante por el TRIAC y la tensin de alimentacin. En este caso cuando la
corriente se hace cero, puede ocurrir que la tensin de alimentacin en ese momento,
tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicacin a
superado su mxima dv/dt. Por ello, al circuito anterior se lo debe proteger contra la
dv/dt, colocando un circuito serie RC (red amortiguadora), en paralelo con el TRIAC. El
valor de R y C necesarios, se determina por clculo o por graficas (bacos)
suministradas por el fabricante, dados en funcin de la corriente eficaz y mxima dv/dt
del TRIAC.
3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminacin con lmparas
incandescentes, se debe tener precaucin cuando se selecciona el TRIAC, que no
solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta, sino tambin la
mxima corriente pico que admite el TRIAC. Esto es necesario tenerlo en cuenta,
especialmente en las lmparas de iluminacin incandescentes dado que su resistencia
elctrica en fro es muy baja, siendo la corriente de choque o inicial, cuando se prende la
lmpara, muy alta. En lmparas de alta potencia la Inicial / I nominal es de 15:1 y en
lmparas de baja potencia 10:1.
4) Otro aspecto a tener en cuenta, es que los circuitos de control con variacin del
ngulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia, en el momento de la
conduccin, debido a los picos de la corriente producidos por la conexin a la carga a
una tensin no nula. Para evitar estas interferencias, se pueden colocar filtros de
provisin comercial para red industrial, o un filtro como muestra la siguiente figura:
___________________________________________________________________ 23
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Circuito practico final
AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO
En los convertidores de potencia elctrica con tiristores, como el caso de los

rectificadores controlados, existen diferencias de potencial entre los diversos terminales.
El circuito convertidor, propiamente dicho, esta sujeto por lo general, a tensiones
elctricas superiores a los 100 volt, mientras que los circuitos de control y formacin de
pulsos de disparo, trabajan con tensiones elctricas de baja magnitud. (Para los circuitos
de disparo de compuerta, entre 12 y 30 volt). De all la necesidad de contar con un
circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de
disparo. El aislamiento se logra utilizando opto acopladores y transformadores de
pulso.
Opto acopladores:
Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un
diodo emisor de Luz, normalmente del tipo de emisin infrarroja (ILED, de infrared
Light-emitting diode )y en su salida , tiene un semiconductor detector de luz, como
por ejemplo un fototransistor, un fotodarlington o un fototiristor. Ambos circuitos,
estn acoplados mediante un dielctrico transparente, proporcionando, entre ellos, una
aislamiento elctrico, entre 5 y 15 KV. De esta manera el circuito de control y disparo
se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de
disparo del tiristor, asegurando entre ellos una alta tensin de aislamiento.
Ejemplo:
Entrada Salida
Diodo emisor Foto transistor

de luz (ILED)
Tipos: HP24 6 KV aislamiento; HP23 , uso en fibras pticas
HP22 10 a 15 KV aislamiento
___________________________________________________________________ 24
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Existen en el mercado, opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y
bajada muy cortos. Valores tpicos para el encendido (ton) son de 2 a 2,5 s y tiempos
de apagado (toff) de 300 nseg. Estos tiempos de conmutacin, limitan las aplicaciones
en alta frecuencia. En la prxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor
del tipo SCR:
Opto acoplador
Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al
foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. El inconveniente de este tipo de
aislamiento, es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema
+Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo.
Transformadores de pulso:
Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de
tensin de muy corta duracin. Son construidos con ncleos magnticos de gran
permeabilidad, con aleaciones especiales como Hipersil, Permalloy o Ferrite. Tienen un
solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios. Con varios
devanados secundarios se pueden lograr seales pulsantes simultneas para excitacin
de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. Estos
transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequea, y el
tiempo de subida del pulso deber ser muy pequeo. Con un pulso relativamente largo,
y con baja frecuencia de conmutacin, el transformador se satura y la salida se
distorsiona.
Aislamiento y amplificacin de pulsos con transformadores de pulso

A continuacin veremos algunos circuitos tpicos de aislamiento y amplificacin de
pulsos:
1) Amplificador de pulsos de corriente
___________________________________________________________________ 25
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con
PUT. Los pulsos de corriente generados por el PUT, son amplificados por el transistor
bipolar Q1. El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario
induciendo en el secundario otro pulso de tensin que inyecta una corriente en la
compuerta del tiristor.
2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador
V1
Cuando aplicamos pulsos rectangulares positivos o de larga duracin a la red

diferenciadora, formada por C1R1, se generan pulsos cortos, positivo, en el flaco de
subida y negativo, en el flanco de bajada. El pulso negativo, es bloqueado por el
diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. El pulso positivo, produce la
conmutacin de Q1, hacindolo pasar a la saturacin, lo cual hace aparecer un voltaje
(+Vcc) sobre el primario del transformador, induciendo un voltaje pulsante en el
secundario del transformador, que se aplica entre los terminales de compuerta y ctodo
del tiristor. Cuando el pulso se retira de la base de Q1, el transistor se apaga y se induce
un voltaje de polaridad opuesta a travs del primario, haciendo conducir al diodo Dv
(diodo volante o de corrida libre). La corriente, debida a la energa magntica disminuye
a cero a travs de Dv. Durante esta disminucin transitoria, se induce el correspondiente
voltaje inverso en el secundario.
3) Generacin de pulsos largos
___________________________________________________________________ 26
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor C en paralelo con el
resistor R. El transformador conduce corriente unidireccional y el ncleo magntico
se puede saturar limitando as el ancho del pulso. (Se logran pulsos de 50 a 100seg)
4) Generacin de tren de pulsos
En numerosos convertidores de potencia elctrica, las cargas son del tipo inductiva, por
lo que el periodo de conduccin de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la
carga. La consecuencia de esto, es que no se sabe exactamente el inicio de conduccin
del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se
active). En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores.;
pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor, por lo que resulta conveniente
dispararlo con un tren de pulsos. El circuito anterior permite la generacin de un tren de
pulsos, por la accin del devanado auxiliar N3. Cuando se aplica la tensin en la
entrada V1, el capacitor C1 se carga a travs de R1, haciendo conducir a Q1; esto
provoca conduccin en el devanado primario lo que induce un pulso de tensin en N2
(hacia el tiristor) y N3, que polariza negativamente al diodo D1. Esto provoca el corte
de Q1; al desaparecer la tensin negativa sobre D1, Q1 nuevamente conduce corriente,
generando otro pulso, repitindose el proceso, lo que da lugar en la salida de N3, a un
tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensin V1 en la entrada. A este
tipo de circuito se le denomina Oscilador de pulsos de bloqueo.
5) Generacin de tren de pulsos con oscilador y compuerta lgica AND
Oscilador de pulsos
___________________________________________________________________ 27
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
A diferencia del circuito anterior, donde el mismo circuito que a travs del devanado
N3, se generaba el tren de pulsos, en este caso, se genera externamente, por medio de
otro circuito, como por ejemplo, utilizando un CI555. Con una etapa de control y
excitacin del tipo de compuerta Y (AND), se logra controlar el inicio y final del tren
de pulsos, mediante la tensin V1.
Proteccin en los circuitos de compuerta
La salida de los circuitos de disparo, se conectan normalmente, para el caso de un SCR,

entre la compuerta y el ctodo, junto con otros componentes que actan como
protectores de la compuerta. Para el circuito (A) de la figura anterior, el capacitor Cg,
cumple la misin de eliminar los componentes de ruido elctrico de alta frecuencia,
aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor.
Para el circuito (B), el resistor Rg aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor,
reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujecin y enganche.
Para el circuito (C), el diodo Dg, protege la compuerta contra el voltaje negativo. Sin
embargo, para los rectificadores controlados de silicio, como el SCR, resulta
conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta, para mejorar la
capacidad de dv/dt y tambin para reducir el tiempo de apagado.
Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A, B y C pueden
combinarse, como se observa en el circuito D, donde adems se agrego un diodo D1
que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la
corriente de compuerta.
___________________________________________________________________ 28

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING.

El circuito de disparo o excitacin de compuerta de los tiristores, es una parte integral

Sincronizador Aislador del

Generacin de los pulsos de disparo: Para la generacin de los pulsos, se disponen de

Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor:

Proteccin de la compuerta: Se utilizan circuitos de proteccin contra disparos por

SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO

UJT : Transistor unijuntura.

PUT: Transistor unijuntura programable.

Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicacin de tres de estos dispositivos, el

Transistor unijuntura (UJT)

Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales; en dos terminales,

Caractersticas tensin corriente

La polarizacion se realiza aplicando una tensin positiva a la base B2 (VBB5 a 30 volt)

IB2 = VBB / RBB

VP = (R1/R1+R2). VBB + VD. = .VBB +VD

R1/ (R1+R2) se le denomina relacin intrnseca y tiene un valor en particular para

VBB= Vcc RB2. IB2 (2)

IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3)

Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos:

Vp = VD + . VCC - .Vcc. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2:

Vp VD + . VCC - .Vcc . RB2 / RBB

Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0,008%/C y el de RB2 es de

VD = .Vcc. RB2 / RBB la formula anterior nos queda:

El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior, lo obtenemos despejando de la

RB2 = V D. RBB / (VCC. )

RB2 = V D. RBB / (VCC. ) + (1-. RB1) /

Oscilador de relajacin con UJT

Despejando el tiempo T1 obtenemos:

T1 = RE .CE . ln ( VCC.- VV ) / (VCC.- VP ).

El tiempo T2 de descarga es difcil de calcular por la variacin que sufre la resistencia

La expresin para el periodo se puede simplificar si hacemos VV 0

T = RE .CE . ln VCC. / (VCC.- VP ).

Por otra parte como Vp = .Vcc reemplazando:

T= RE .CE . ln VCC / (VCC.- .Vcc ). = RE .CE . ln 1 / (1-)

Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646, el valor de la

VGtmax > RB1 . Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2.)

El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 K y 3 M, para permitir que el

Sincronizacin de los osciladores de relajacin

El periodo de oscilacin T de estos osciladores no es muy preciso, por lo que resulta

Control manual de potencia elctrica para un convertidor CA a CC (rectificador

Este sistema de control, si bien es obsoleto tecnolgicamente hablando, tiene

Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el

En la grafica se observa que tenemos una variacin brusca en el control de la potencia

Vc = V1 + 1/CE. iE.dt como iE Vmax/RE.sen wt reemplazando tenemos:

Vc = V1 + 1/CE. Vmax/RE.sen wt.dt

Vc = V1 + Vmax / RE.CE.w.( 1 cos wt ).

Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga mxima con un ngulo de

A estos valores mximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos

b) Calculo del circuito de disparo

b1) Determinacin de RB1:

RBB = 6 K , = 0,60 , Iv = 4 mA , Vv = 3 volt , Ip = 2A.

IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) 20 V / RBB = 20 v/ 6 K = 3,3 mA

RB1 = VRB1 / IRB1= =,3 V / 3,3 mA 100

b2) Calculo de RB2 :

RB2 = V D. RBB / (VCC. ) + (1-. RB1) / = (0,6.6)/(20.0,6) + (1-0,6)/0,6.0,1 = 315

Adoptamos RB2 = 470

Previamente, debemos observar la grafica de la caracterstica V-I del Terminal de

Caractersticas tensin corriente

Determinaremos primero, el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. Se

REmin = ( Vz- Vv) / Iv = (20 V- 3 V) / 4 mA = 4,25 K

t CE.RE para 0,6

t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg