1

Informe No. 8 Caracterizacin de transistores

de unin bipolar BJT
UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA
C. Avila Correa cdavilac@unal.edu.co , A. Esteban afestebanb@unal.edu.co , A. Woodcock
awoodcocks@unal.edu.co

Resumen. In this practice there were verified and cha-
racterized the regions of operation of a transistor BJT, by
means of the analysis of simple circuits and the study of the
behavior of the transistors.
Index Terms. BJT, beta, curvas caractersticas, NPN.
I. I NTRODUCCIN
saturacin inversas. El BJT puede considerarse como un
circuito abierto [1].
En saturacin ambas uniones estn polarizadas en
directa, la corriente de colector puede ser apreciable,
pero la diferencia de potencial entre colector y emisor
es pequea. El BJT se comporta como un interruptor
cerrado [1].

D Urante muchos aos el transistor de unin bipo-

lar fue el dispositivo preferido en el diseo de
circuitos discretos e integrados, pero tiempo despus
El manejo del transistor entre corte y saturacin se
aproxima al control de un interruptor entre conduccin
y corte [1].
fueron reemplazados por los transistores MOSFET y en
la actualidad su uso es menor. A pesar de esto, los BJT se El modo de trabajo activo inverso es similar al directo,
caracterizan por ser menos susceptibles a las variaciones teniendo en cuenta la polarizacin de las uniones y reali-
ambientales, funcionar bien a altas frecuencias y por zando un anlisis similar se puede concluir que el modo
sobre todo ser excelentes amplificadores. A continuacin inverso no es prctico para aplicaciones de amplificacin,
se analizarn las curvas caractersticas del BJT con el fin sin embargo se utiliza en circuitos digitales [1].
de lograr una mayor comprensin de su funcionamiento,
se estudiarn sus zonas de operacin y las condiciones
necesarias para polarizarlo.

II. M ARCO T ERICO

II-A. Regiones de operacin BJT
En un BJT las uniones pueden ser polarizadas en
directa o inversa de forma independiente. En la tabla
1 se muestran los modos de operacin fundamentales
del transistor [1].

Tabla I
M ODOS DE OPERACIN DEL BJT

Modo Emisor-Base Colector-Base

Activo-Directo Directa Inversa Figura 1. Regiones de trabajo de un BJT en configuracin Base comn
Corte Inversa Inversa [2].
Saturacin Directa Directa
Activo-Inverso Inversa Directa

En el modo de trabajo activo-directo, para una pola-

rizacin inversa de la unin B-C de algunas dcimas
de V, se obtiene que la corriente de emisor puede ser
III. ANALISIS DE RESULTADOS
controlada a travs del potencial por tanto la de colector.
Los planteamientos anteriores indican que el transistor
se comporta como una fuente de corriente controlada
cuando se utiliza en el modo activo-directo. Esta forma III-A. Curva caracterstica IC vs VBE
de operacin del BJT en aplicaciones de amplificacin en
circuitos analgicos [1].
En corte las dos uniones estn polarizadas en inversa, En esta parte de la prctica, se mont el circuito
IE e IC se aproximan a los valores de sus corrientes de mostrado en la figura 2.
 2

III-B. Curva caracterstica IC vs VCE

En esta seccin, se obtuvieron las curvas caractersti-
cas de dos maneras. La primera montando el circuito
mostrado en la figura 5 y visualizando su funcin de
transferencia (Figura 6 y 7).

Figura 2. circuito para la caracterizacin del transistor tomado de

guia de lab.

Despus, se procedi a obtener la funcin de transfe-

rencia de dicho circuito. La cual se muestra a continua-
cin Figura 5. Segundo circuito para la caracterizacin del transistor.

Figura 3. Funcin de transferencia entre V0 y VS . (CH1 = 10 mV y

CH2 = 200mV) Figura 6. Funcin de transferencia del circuito 2 (R1 = 4, 3k)

Para la segunda parte de este punto, se cambi la

fuente de AC por una DC y se empez a aumentar
la tensin a razn de 0,2 V hasta llegar a 2 V. Las
mediciones obtenidas se muestran en la figura 4.

Figura 7. Funcin de transferencia del circuito 2 (R1 = 6, 5k)

Por otra parte, se obtuvieron las curvas de trans-

ferencia usando el trazador de curvas, en donde se
Figura 4. IC en funcin de VBE pueden apreciar las diferentes zonas de funcionamiento
 3

del transistor (Saturacin, corte, zona activa y ruptura). Se comprobaron mediante datos experimentales,
Adems de la caracterizacin del valor el cual fue de que el anlisis terico de un circuito con BJT con-
223. cuerda (Teniendo en cuenta las incertidumbres) con
la realidad
Se apreci que una distinta polarizacin puede cam-
biar la aplicacin para la cual se usa el transistor.
Por ejemplo conmutadores, amplificadores o com-
puertas lgicas.
Es importante tener en cuenta que la constante
del transistor bipolar, nos sirve para calcular que
tanto se va a amplificar una seal, por lo que lo
ms recomendable en un ambiente de laboratorio
es caracterizar el transistor ya que incluso entre
transistores del mismo tipo este valor podra ser
diferente.
Se pudo apreciar que la grfica tensin base emisor
vs la corriente de colector, llega a un determinado
Figura 8. Curvas caractersticas del BJT 2n2222. punto en el cual la corriente se estabiliza y no vara
ante variaciones de VBE
III-C. Polarizacin del transistor

V. PREGUNTAS SUGERIDAS

1) Que comportamiento se observa en Vo en com-

paracin con la entrada sinusoidal Vs?
Como la funcin de transferencia es exponencial, si vs
aumenta, tambin lo hace vo; al igual que si disminuye
uno, el otro tambin lo har.
2) Para cual valor mnimo de VBE el transistor
cambia su estado a encendido?
A partir de 0.5 V empieza a pasar corriente por el
colector, lo que indica que el transistor entro en zona
activa.
3) Que regiones de operacin puede identificar en los
Figura 9. tres topologias con bjt grficos?
Se puede apreciar la regin de saturacin que es cuando
Q1 EMISOR COMUN es muy inestable a cambios aun no hay corriente de colector y la regin activa
de temperatura variando excesivamente el beta. que es cuando la tensin base-emisor se estabiliza en
aproximadamente 0,7 V.
Q2 POLARIZACION POR DIVISOR es mas estable 4) Que diferencia puede encontrar entre la grfica
a cambios de temperatura dependiendo muy poco de Vo vs VBE mostrada en el osciloscopio y la grfica
el beta. construida a partir de las mediciones con los multme-
tros?
Q3 es de aplicacin en zona de corte siendo indife- Primero que la seal qued invertida en el eje x y segun-
rente al beta logrado estados de corte y saturacin. do que en el osciloscopio no se puede apreciar cuando
se estabiliza IC o dicha corriente es muy pequea.
Tabla II 5) Qu puede concluir acerca del del transistor?
MEDICIONES DE TRES TOPOLOGIAS CON CAMBIO DE TEMPERATURA
Se puede concluir que es muy importante, ya que rela-
1 2 3 ciona la ganancia de corriente entre IB , IE e IC . Por lo
Grados 25 60 25 60 25 60 cual, cualquier alteracin del beta afectara de manera
VCE (V) 6,06 6,6 5,5 5,6 10 10
IB 103,2 uA 101 uA 487,8 uA 490,2 uA 0 0
significativa el circuito
IC 19,7 mA 16,9 mA 44,178 mA 42,9 mA 0 0 6) Cual de las configuraciones es mas estable con
BETA 190 167 90 88 0 0 respecto a la variacin de temperatura? Por que?
La configuracin de 2 resistencias de base, 1 de colector
IV. CONCLUCIONES y 1 de emisor; ya que en los clculos no se presentaba
El funcionamiento de cualquier transistor BJT (NPN en todas las ecuaciones.
o PNP) depende de como se polaricen sus termina- 7) Cual es una posible aplicacin de cada una de
les. las configuraciones de polarizacin?
 4

La primera configuracin se puede usar como un con-

mutador, la segunda como amplificador y la tercera se
podra usar como un negador.

R EFERENCIAS
[1] A. Santiesteban, Funcionamiento y caractersticas del transistor
bipolar..
[2] Annimo, "DISPOSITIVOS UTILIZADOS EN ELEC-
TRNICA DE POTENCIA"[Online], Disponible en:
http://electropotenciamei.blogspot.com.co/2011/12/dispositivos-
utilizados-en-electronica.html.