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UNIDAD I

EL DIODO Y EL TRANSISTOR

1. INTRODUCCIN A LOS SEMICONDUCTORES

Por naturaleza, algunos materiales forman cuerpos caracterizados por una


geometra regular y son llamados cristales. Se dice que tales sustancias son
cristalinas; en cambio otros slidos carecen de forma definida y son
denominados plsticos o amorfos. Entre las sustancias cristalinas hay tanto
elementos simples como compuestos, as como metales y no metales. La
mayora de los minerales naturales son sustancias cristalinas.

Figura N 1: Fotografa de un Cristal

En lo externo, el cristal presenta caras planas dispuestas segn cierta simetra


particular. En lo interno, el cristal est caracterizado por un ordenamiento
definido de sus tomos en un sistema muchas veces repetido, el que se
denomina estructura cristalina bsica.
El carcter cristalino de una substancia no siempre se reconoce a simple vista,
pues sus cristales individuales son muy pequeos y estn aglomerados
irregularmente, de modo que el aspecto del conjunto se confunde con el de una
sustancia amorfa. Cuando un trozo de material cristalino est formado por un
cristal nico y no por un conglomerado de cristales, se habla de un monocristal.

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Figura N 2: Estructura Cristalina

De los monocristales pueden cortarse placas, barras y es frecuente llamarlos


cristales errneamente. Del mismo modo se llaman cristales a las placas de
germanio utilizadas en los diodos y en los transistores.

Figura N 3: tomo de Germanio

Figura N 4: tomo de Silicio

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tomos de Germanio y silicio en los que se muestra su nmero atmico y los


electrones de valencia en su ltima capa (4 e- - claros ) los crculos oscuros
indican los espacios para un electrn de enlaces.
El germanio y el silicio son por ahora los semiconductores ms utilizados en la
electrnica. Sin embargo, se presta mucha atencin al Silicio, a causa de su
capacidad de funcionar a temperaturas ms elevadas que las que admite el
germanio.

Los semiconductores comunes incluyen elementos qumicos y compuestos


como silicio, germanio, selenio, arseniuro del galio, y otros. En un
semiconductor puro, o intrnseco, como el silicio, los electrones de valencia, o
los electrones exteriores de un tomo se aparean y se comparten entre los
tomos para hacer un enlace del tipo covalente que unen el cristal . Estos
electrones de valencia no generan espontneamente la corriente elctrica.

Figura N 5: tomos de Silicio enlazado con un tomo de Fsforo

Figura N 6: tomos de Silicio enlazado con un tomo de Aluminio

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Obsrvese que cuando el silicio se enlaza con un tomo como el fsforo sobra
un electrn libre, por tanto esta impureza generar un semiconductor tipo n.
Cuando se enlaza con un tomo de aluminio en cambio, le falta un electrn
para completar los cuatro enlaces covalentes, generndose un espacio libre
denominado hueco, por tanto, esta impureza generar un semiconductor tipo p.

Para producir electrones de conduccin se usa la temperatura o la luz, para


excitar los electrones de valencia fuera de sus enlaces, al moverse libres dejan
los llamados huecos o regiones de carga positiva que contribuye al flujo de la
corriente elctrica. Se dice que estos agujeros son portadores de electricidad
positiva. Este es el origen fsico del aumento en la conductividad elctrica de
semiconductores por la temperatura. En cambio en el de dopado, otro mtodo
para producir a los portadores libres de electricidad, se agregan impurezas al
semiconductor.

La diferencia en el nmero de electrones de valencia entre el material agregado


(donadores o aceptadores de electrones), y el organizador ( el semiconductor )
da lugar a los dos tipos, negativo (tipo n) o positivo (tipo p) de
semiconductores. Este concepto se ilustra en el diagrama; acompaando al
silicio est el fsforo (P); sus cinco electrones de valencia reemplazan a un
tomo de silicio y proporcionan electrones negativos extras. En un
semiconductor de tipo p, tomos con tres electrones de valencia como el
aluminio (Al) lleva al sistema a una deficiencia de electrones, o a agujeros que
actan como elementos de carga positivos. Los elementos de carga positivos
extras o agujeros pueden dirigir electricidad.

2. EL DIODO SEMICONDUCTOR

2.1 CONSTITUCIN INTERNA

En la constitucin interna de un diodo encontramos dos tipos de


semiconductores, unidos a travs de una regin llamada juntura, estos
tipos de semiconductores son denominados por el exceso de portadores
que ellos presentan, en el caso del tipo n, son los electrones y del tipo
p, son los elementos de carga positiva denominados huecos.

Semiconductor tipo n Semiconductor tipo p

Juntura

Figura N 7: Estructura interna de un Diodo de unin o juntura

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Figura N 8: Smbolo

2.2 FUNCIONAMIENTO

En un Diodo ideal la corriente pasa slo en una direccin. Si un voltaje


positivo es aplicado con la convencin de polaridades mostrado en la
figura. A travs de sus terminales denominados respectivamente nodo
y Ctodo.

nodo Ctodo
Batera + VD _ Resistencia de Carga

ID

Sentido de Corriente

Figura N 9

En este caso el diodo es considerado en polarizacin directa (forward


biased) en la cual no presenta resistencia, y la corriente fluye en la
direccin de la flecha, dicha corriente es limitada nicamente por una
resistencia externa. Cuando la polaridad de la batera es contraria, el
diodo es polarizado en inversa (reverse biased) y no fluye corriente
entre sus terminales. La direccin de corriente asumida es convencional
(no corresponde al flujo de electrones).
Un diodo real slo es aproximado en su comportamiento a uno ideal.
Cuando un diodo real es polarizado en directa, la corriente crece
exponencialmente con el voltaje y la resistencia interna toma un valor
finito.

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Germanio

Corriente en el Diodo
ID
VD VD

Regin de Ruptura 0.6 V 0.2 V


Voltajes Umbrales

Figura N 10

Para propsitos ms prcticos, se observa que no fluye una corriente


apreciable hasta que sea aplicado un voltaje de 0.5 a 0.7 voltios de
polarizacin directa (Este dato corresponde a un diodo de silicio). Pero
una vez alcanzado estos valores de voltaje la corriente crece
rpidamente. En efecto existe un umbral de conduccin (VT), el cual es
de 0.6 voltios aproximadamente. Este rpido crecimiento exponencial de
la corriente es representado atravs de una aproximacin por tramos
(piecewise approximation) como se muestra en la figura anterior.

Ntese que el voltaje en el diodo en la regin de polarizacin directa es


siempre aproximadamente la misma (0.6 v. Para el Silicio) y casi
independiente de la variacin de corriente. El diodo de Germanio
presenta un voltaje umbral bien definido en aproximadamente 0.2 v,
mientras que los diodos de Arseniuro de Galio (GaAs Diodos emisores
de luz) tienen un voltaje umbral de 1.6 v. En la figura se muestra un
diodo de Silicio, Germanio y un Diodo Emisor de Luz (LED).

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Figura N 11: Diodos de Arseniuro de Galio, Germanio y Silicio

La corriente de polarizacin inversa en un diodo real es pequea (un


valor tpico suele ser de 10-8 Amperios) y aproximadamente
independiente al voltaje aplicado al diodo hasta que se alcanza la regin
de ruptura con valores de voltaje de polarizacin inversa altos. A este
punto se lo denomina regin de rompimiento por Avalancha o Zener, la
corriente crece rpidamente con el incremento del voltaje inverso.
La temperatura es un parmetro importante, el valor del voltaje umbral
sufre una variacin (un corrimiento) a valores menores cuando la
temperatura crece, de acuerdo al siguiente grfico.

Variacin de Voltaje Umbral

Temperatura Co

Figura N 12

Para muchas aplicaciones, los parmetros ms importantes que


distinguen a los varios tipos de diodos son el mximo voltaje de
operacin y la corriente. El mximo voltaje se refiere al de polarizacin
inversa y especifica el mnimo voltaje en el cual el rompimiento por
avalancha ocurre para cada dispositivo. Debido a que el rompimiento
puede producirse incluso por rpidos pulsos o picos de voltaje, el diodo
debe de ser escogido con un voltaje inverso lo suficientemente alto para
que no lo afecte los voltajes transitorios de valor alto que pudieran
ocurrir. De manera similar el pico mximo de corriente para un diodo es
especificado, y la corriente que circula por el diodo en un circuito
determinado debera de ser substancialmente menor al valor mximo.

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Otros parmetros a tener en cuenta en la seleccin de un diodo son la


rapidez de conmutacin entre el estado de conduccin y no conduccin
y la corriente inversa de prdidas (current leakage).

3. EL DIODO RECTIFICADOR

El Diodo proyectado para aplicaciones de rectificadores de fuentes posee una


capacidad de corriente relativamente alta y usualmente valores altos de voltaje
inverso.
Un pequeo rectificador tpico sera capaz de manejar 1 A. en promedio y un
pico de 10 A. con un voltaje inverso de 100 V. o ms. Unidades que sobrepasen
los 100 A. o 1 kV. son disponibles. Las unidades grandes poseen un tornillo que
les permite ser montados de manera que puedan disipar calor a travs de
disipadores de aluminio, debido al calentamiento interno motivado por la
conduccin de niveles altos de corriente. La caja que contiene al diodo
denominado case es usualmente conectado al terminal de ctodo con excepcin
de aquellas unidades designados con R (inverso) en los cuales est conectado
al nodo.
Debido a que la corriente de fuga (reverse bias) puede ser apreciable y la
respuesta en el tiempo (velocidad de conmutacin entre conduccin y no
conduccin) comparativamente bajo en los diodos rectificadores, su trabajo no
suele ser satisfactorio en otras aplicaciones.

4. EL DIODO ZENER

Dispositivos diseados para trabajar en la regin de rompimiento inverso son


denominados como reguladores de voltaje o diodos Zener. Un buen diodo
regulador debe de poseer un codo de rompimiento marcado y una pronunciada
inclinacin en la curva caracterstica de voltaje corriente en la regin de
polarizacin inversa.

Punto de Operacin Regin de Polarizacin Directa

Regin de Polarizacin Inversa Codo de Rompimiento

Figura N 13

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La operacin de este diodo regulador es a travs de un resistor y una fuente de


voltaje que lo polarice inversamente como se muestra en la figura, el diodo
debe de mantener el voltaje entre sus terminales aproximadamente constante,
el smbolo que lo representa es un tanto distinto al correspondiente a un diodo
simple

Sentido de la corriente Diodo Zener

Figura N 14

Figura N 15: Fuente de poder doble

5. EL TRANSISTOR BIPOLAR

En el transistor, una combinacin de dos uniones puede usarse para lograr


amplificacin. Un tipo, llamado el transistor de unin de n-p-n, consiste en una
capa muy delgada de material del tipo p entre dos secciones de material del
tipo n, colocado en un circuito como el mostrado en la figura.

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Sentido del Flujo de corriente

Figura N 16

El color claro indica un semiconductor tipo n y el oscuro uno tipo p.

6. FUNCIONAMIENTO

El material del tipo n a la izquierda del diagrama es el elemento del emisor del
transistor y constituye la fuente de electrones. Permitir el flujo directo de
corriente por la unin n-p es su trabajo, el emisor tiene un voltaje negativo
pequeo con respecto a la capa del tipo p que controla el flujo de electrones. El
material del tipo n al otro lado en el circuito sirve como el elemento del colector
que tiene un voltaje positivo grande con respecto a la base para prevenir el
flujo inverso. Similar en funcionamiento al tipo n-p-n es el transistor de unin
p-n-p que tambin tiene dos uniones, pero en el cual las corrientes fluyen en
sentidos contrarios. Ntese la diferencia en el tamao y espesor del emisor, la
base y el colector.

7. CURVAS CARACTERSTICAS

Las caractersticas de entrada y salida de un Transistor n-p-n se muestran en


el siguiente grfico. Se ha exagerado la variacin no lineal por propsitos de
ilustracin; se ha asumido la usual configuracin emisor comn.
Se nota que la caracterstica corriente voltaje de entrada por base es idntica a
la de un diodo, sto es dado a que la juntura base emisor es en realidad un
diodo. Una sola curva es mostrada debido a que las variaciones del voltaje de
colector, lo afectan pero de manera muy leve. Es interesante notar que la
resistencia de entrada del transistor es alta y posee una variacin no lineal
(exponencial) con respecto al voltaje de base; esta resistencia es definida como
la inversa de la variacin entre la corriente de base y el voltaje de base a
emisor.

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Sentido de las Corrientes

Caracterstica de Entrada Caracterstica de Salida

Figura N 17

El valor de esta resistencia se encuentra por lo general en el rango de 100 a


1000 Ohms. Con respecto a la caracterstica de salida mostrado en el grfico se
puede ver que la corriente de colector aparentemente es constante frente a las
variaciones del voltaje de colector, pero que en la regin en la cual el voltaje de
colector es pequeo, se produce una respuesta diferente (Regin de
Saturacin) o tambin cuando el voltaje de colector es bastante alto Voltaje de
Ruptura (Voltage break-down).

Zona de Saturacin Zona Activa

Zona de Corte

Figura N 18

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Por cada valor de corriente de base, se obtiene una corriente mayor y


proporcional en el colector, esta relacin de proporcionalidad es denominada
ganancia de corriente (usualmente denominada); este parmetro est definido
de la siguiente manera:

= Ic
Ib

Es necesario mencionar que este parmetro presenta variaciones dependientes


de la temperatura, no obstante para muchos propsitos se puede considerar
constante. Este es uno de los parmetros ms importantes en un transistor.
Existe otro denominado alfa ( ) el cual nos da la relacin entre la corriente de
colector y la de emisor mediante la siguiente expresin:

= Ic
Ie

Figura N 19: Tipos Diferentes de empaques de Transistores

Los valores mximos de operacin de un transistor con respecto a voltaje,


corriente y potencia son especificados para cada tipo particular de transistor
pero a manera general, podemos decir que por ejemplo el mximo valor de
voltaje break-down para muchos transistores est en el rango de 15 a 100
voltios, la mxima corriente pico tpicamente est en el rango de 50 a 500 mA.
Pero podra llegar al orden de los 10 A. para ciertos dispositivos de potencia. La
mxima potencia de disipacin est en el orden de 0.1W a 150W. Es necesario
tener cuidado de hacer trabajar al dispositivo sin llegar a su lmite de

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temperatura de operacin; es recomendable tener un margen considerable para


asegurar la vida til del dispositivo.

8. MODELOS EQUIVALENTES

A continuacin se muestran dos modelos o circuitos equivalentes que tratan de


representar el comportamiento de este dispositivo; en el primero se muestra
una simplificacin de su comportamiento o caracterstica de entrada y salida; en
este caso conformado por un diodo entre base y emisor. Y una fuente de
corriente dependiente de la corriente de base entre el colector y emisor; algo
que debemos recordar es que el voltaje de operacin del transistor entre base y
emisor est representado por el voltaje de operacin del diodo el cual se
tomar como 0.6 voltios.

El segundo, es el modelo convencional para pequea seal o de parmetros


hbridos; ste es ligeramente diferente al anterior, aqu se representan las
resistencias de entrada y salida del transistor y su equivalente en parmetros
hbridos:

Modelo Simplificado Modelo Hbrido

Figura N 20

Ri = h ie
= h fe
go = h oe

Si estos parmetros son conocidos ya sea por medicin o por la informacin


que los fabricantes de dispositivos dan en los manuales, es posible realizar los
clculos para poder determinar el comportamiento del transistor en un circuito
determinado.

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Anotaciones:

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