Memorias

Explicaremos los conceptos bsicos de los elementos que al-

macenan informacin para ser procesada por una computado-
ra. Nos detendremos en los elementos bsicos para que com-
prenda su estructura, pero tambin expondremos algunos
chips poderosos de ltima generacin.

Por Peter Parker

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Introduccin maciones y la evolucin de las tc-

nicas electrnicas, principalmente la
Existen informaciones que precisan fsica de los semiconductores, nos
ser almacenadas solamente por los ha llevado a tipos cada vez ms
perodos en que la computadora sofisticados y con mayor capacidad.
ejecuta alguna tarea, como tambin La capacidad operacional de una
informaciones que deben ser alma- computadora est en la posibilidad
cendas por tiempo indeterminado, que tiene la mquina de almacenar
pues de el- una gran cantidad de informaciones
las depende y procesarlas, siguiendo un determi-
la propia nado procedimiento y llegar a los
inicial- resultados.
izacin de De esta forma, lo que puede hacer
las opera- una computadora no depende sola-
ciones mente de su velocidad y del nmero
cuando de operaciones que conoce, sino
conectamos tambin de la cantidad de informa-
la mquina. ciones que el mismo puede almace-
Las memo- nar y procesar.
rias son los Este ltimo punto depende de un
dispositivos sector de gran importancia en la in-
que almace- formtica: el que trata sobre las
nan infor- memorias.

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lgicos. En las computadoras an-

tiguas existan memorias de n-
cleos magnticos que, como mues-
tra la figura 2, almacenaban
informaciones por la magnetizacin
de pequeos anillos de ferrite orga-
nizados segn una matriz.
Posean, las lneas por donde se
grababan las informaciones, las
lneas de lectura y tambin las lneas
de borrado.
Otro tipo de memoria, que tambin
Fig. 2 fue muy utilizada, es la formada por
La unidad de informacin es el bit, cintas de papel perforado, o incluso
que puede ser 1 0. Una memoria tarjeta. Las perforaciones repre-
para un circuito electrnico puede sentaban el 1 y la falta de per-
ser una simple llave, un flip-flop o foracin el 0.
un capacitor, donde la llave cerra- La evolucin del circuito integrado,
da significa el almacenamiento de mientras tanto, nos llev a un tipo
un bit 1. de memoria ms compacta, con
mayor capacidad de almacenamien-
Un flip-flop con su salida en el nivel to de informaciones, o sea, mayor
alto almacena el nivel 1 y el capaci- cantidad de bits y mayor velocidad
tor cargado almacena el 1 (figura 1). de operacin.
La operacin con grandes canti- Vea que la necesidad de realizar mil-
dades de informaciones y el hecho lones de operaciones por segundo
de que los bytes que forman las en la computadora tipo PC, exige
Fig. 3 palabras son constitudos por de- que tenga rpido acceso a las infor-
terminado maciones.
nmero de Fig. 4
bits (4,8,16
32), llev
a la necesi-
dad de ten-
er disposi-
tivos bien
elaborados
para alma-
cenamien-
tos de los
niveles

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Tenemos, as, circuitos especiales
que pueden almacenar informa-
ciones, denominados memorias,
cuya capacidad se mide en millares,
decenas de millares e, incluso, cen-
tenares de millares de bits y que se
usan en los computadores.
Est claro que la existencia de estas
memorias no elimina todava la
necesidad de emplear tambin al-
gunos procesos de almacenamiento
ms tradicionales, como el disco
rgido, el disco flexible y la cinta
magntica.
Estos elementos de memoria poseen
una capacidad mucho mayor que las
propias memorias del tipo semicon-
ductor, pudiendo medirse en cen-
tenares de kilobits, o incluso, en
millones de bits. Nos interesan es-
pecialmente, en este artculo, las
memorias de tipo semiconductor,
que se caracterizan por su velocidad,
y que, en algunos casos, por la posi-
bilidad de ser borradas y reprogra-
madas.
Fig. 5 La celda bsica de memoria semi-
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conductora parte de un flip-flop,
que es una configuracin cuya es-
tructura aparece en la figura 3.
El flip-flop o multivibrador bi-
estable (o tambin bscula bi-
estable) es una configuracin que
admite solamente dos situaciones
estables. Cuando el transistor Q1
est saturado, obligatoriamente Q2
est en corte, y cuando Q1 est en
corte, Q2 obligatoriamente est sat-
urado. Para que el circuito pase de
una situacin a otra, es necesario
aplicar un impulso externo.
Si invertimos una secuencia de flip-
flops, como muestra la figura 4, las
salidas que corresponden al 0 (tran-
sistor saturado) o 1 (transistor en
corte) forman un byte o una pal-
abra que estar almacenada en el
circuito.
Los primeros tipos de memorias es-
taban formadas por un conjunto de
flip-flops. Partiendo de una
situacin en que la salida de todos
los flip-flops queda en cero, pode-
mos, a partir de la entrada de
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Fig. 6 datos, llevar los flip-flops a almace-
nar la informacin deseada.
Un inconveniente es la necesidad de
tener una entrada para activar cada
flip-flop, lo que significa muchas
conexiones si queremos constituir
una memoria de gran capacidad.
El agregado de un decodificador
permite no slo dirigir la informa-
Fig. 7 cin hacia los flip-flops deseados,
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sino tambin hacer su lectura. Ten-
emos, en la figura 5, una mejor or-
ganizacin para la memoria.
Los flip-flops se disponen en 32 filas
de 4, o sea, formando 32 palabras de
4 bits. Se trata de una memoria de
128 bits, pero organizada en la for-
ma 32 x 4.
A travs de un decodificador pode-
mos seleccionar, por medio de nive-
les lgicos, qu fila de flip-flops ser
activada, ya sea para la grabacin de
la informacin (almacenamiento), o
para la lectura.
Es importante observar que, como
trabajamos siempre con la base 2, la
capacidad de una memoria ser
siempre una potencia de ese
nmero, como por ejemplo: 2, 4, 8,
16, 32, 64, 128, 256, 512, 1.024,
2.048, etc.
Pero incluso con el uso de un de-
codificador, que permita el acceso al
punto exacto de la memoria en que
est la informacin deseada, si
quisiramos capacidades muy
grandes todava deberamos
tener una organizacin mejor.
Las matrices que forman cada
chip pueden ser dispuestas en
conjuntos, de modo que no
tengamos solamente la selec-
cin de la lnea de un chip en
que est la informacin desea-
da, sino tambin la seleccin
del propio chip.
A partir de aqu debemos in-
troducir ciertos trminos im-
portantes, para que usted se
familiarice mejor con lo que
estamos explicando. Estos tr-
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posiciones posibles.
I0... In - Estas son las entradas de
datos o Inputs (I).
En ellas aplicamos la informacin
que debe ser grabada en la clula
determinada por el direccionamien-
to o direccin.
00 0n - Estas son las salidas de
datos o Outputs (0). En ellas
obtenemos las informaciones que
minos se refieren a los nombres que estn en la clula determinada por el
Fig. 8
se encuentran en los manuales y dia- direccionamiento o direccin.
gramas referidos a memorias (figura En algunos chips de memoria para
7). Damos ejemplos: no tener un nmero muy grande de
pines, por ejemplo 8 para entrada y
A0 A3 - Son las lneas de direc- 8 para salida, podemos emplear slo
cionamiento de datos o direc- 8, conmutando su funcin por la
ciones. Aplicando niveles lgicos aplicacin de un nivel lgico en un
en estas entradas, informamos a la nico pin. Tenemos entonces los
memoria qu lnea se debe activar, o pines I/0 (entrada y salida) que sir-
sea, damos la direccin de la lnea ven para lectura o grabacin de
dentro de la memoria. Vea que, si datos. Como lectura en ingls es
tuviramos para direccionamiento 4 Read y la grabacin o escribir es
entradas, slo tendremos 16 combi- Write, estos pines de seleccin de
naciones posibles o 16 direcciones. la funcin aparecen con la abre-
Si tuviramos 8 ya tendremos 256 viatura R/W.
Fig. 9
R/W - Se trata, como vimos, del
terminal en que elegiremos si la
memoria ser leda o grabada. La
barra sobre W indica que esta fun-
cin est activa cuando aplicamos
un nivel cero (0 o LO) en este pin.
As R/W significa que, el nivel HI
en esta entrada muestra que la
memoria esta en la posicin de lec-
tura y el nivel bajo (LO) la lleva a la
posicin de grabacin de la infor-
macin.
S, S1 - Estas entradas hacen la se-
leccin del chip.
Vss/Vdd - Son los pines de ali-

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mentacin. cilador que sincroniza tanto la

RAMs - Memorias de grabacin como la lectura.
acceso aleatorio En un chip tpico de RAM no en-
contramos solamente una matriz de
Son memorias que se pueden leer o clula donde se almacenan las infor-
grabar a travs de seales apropi- maciones. Adems, tenemos los cir-
adas. Se trata de una memoria cuitos decodificadores, buffers que
voltil, o sea, que pierde todas las amplifican tanto las seales de salida
informaciones grabadas cuando se como las de entrada, y muchos
desconecta su alimentacin. otros.
El nombre acceso aleatorio (del Una memoria dinmica (RAM
ingls RANDOM) se debe al hecho dinmica) es siempre del tipo MOS
de que el tiempo de acceso a una de- y tiene la estructura que mostramos
terminada informacin depende de en la figura 7.
su direccin. En una cinta, por Cada clula tiene transistores MOS
ejemplo, este tiempo de acceso de- y un elemento capacitivo, cuya carga
pende de la posicin de la informa- determina el bit almacenado, o sea,
cin: llegamos ms rpido a una in- si es un 0 o un 1.
formacin que est al comienzo de Estas clulas tienen un inconve-
la cinta que a una que est al final. niente: el capacitor que almacena la
Las RAMs se pueden clasificar en informacin tiende a descargarse
estticas y dinmicas, segn el tipo con el tiempo, e incluso rpida-
de clula que usan, y tambin mente. Esto significa que la memo-
pueden ser bipolares o MOS, segn ria precisa que se restaure la infor-
la tecnologa de fabricacin. macin peridicamente; o sea: debe
Fig. 10 En la RAM esttica basta direc- haber un medio de revisar la carga
cionar el del capacitor y aqullos que estn
dato y con la misma en un nivel muy bajo
aplicarlo deben ser recargados, de modo
en las en- que no se pierda la informacin. Ev-
tradas identemente, los que estn en el
para que nivel bajo, o sin carga no precisarn
sea esto. Existe entonces un circuito de
grabado. refresco (Refresh) que, en interva-
En una los regulares de tiempo, del orden
RAM de milisegundos, restaura las cargas
dinmica de cada capacitor.
existe un La clula de una RAM esttica, por
circuito otro lado, tiene una estructura difer-
de clock ente, como muestra la figura 8.
u os- Esta clula consiste en un flip-flop y,

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por lo tanto, no tiene elementos ca-
pacitivos, lo que significa que no
necesita de ciclo de refresco.
Por otro lado, la misma tiene como
desventaja el hecho de que es mu-
cho ms lenta, y por este motivo es
mucho menos usada.
Las clulas bipolares son tambin
estticas (flip-flop), pero son ms
rpidas que las MOS. El hecho de
que los elementos bipolares presen-
tan mayor consumo que los CMOS
tambin debe ser tenido en cuenta.
Estas memorias son empleadas du-
rante el funcionamiento del com-
putador para recibir informaciones
externas, para almacenar informa-
ciones durante los procesos de cl-
culos, perdiendo todas las informa-
ciones cuando el aparato es
desconectado de su alimentacin.
ROMS - Memorias
solamente de lectura
Las Read Only Memories (ROM), o
Fig. 11 memorias solamente de lectura, son
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programadas durante el proceso de
fabricacin con una informacin
que no puede ser alterada ms.
Los datos existentes en estas memo-
rias pueden ser extrados a voluntad,
pero no puede hacerse ninguna al-
teracin en los mismos o bien
grabar nuevas informaciones.
Como se trata de una memoria no
voltil, los datos grabados per-
manecen por tiempo indetermina-
do, incluso cuando se desconecta la
alimentacin del aparato.
En estas memorias se graban las in-
formaciones que inician la op-
eracin de la computadora y que
corresponden a la realizacin de to-
das las operaciones previstas por el
fabricante.
La organizacin general de una
memoria de este tipo no escapa a las
reglas: las clulas que almacenan ca-
da bit son organizadas en forma de
matriz. Existen, a la vez, circuitos de
decodificacin y direccionamiento
de datos, as como amplificadores y
buffers. Tambin se pueden elaborar
estas memorias tanto en tecnologa
bipolar como CMOS.
En la figura 9 tenemos una estruc-
tura simplificada de una memoria de
este tipo.
A partir de un proceso especial de
fabricacin, la impedancia de la
zona de contacto metlico puede
hacerse alta o baja a partir de la uti-
lizacin de una mscara de progra-
macin.
Segn la impedancia del punto
(clula) sea alta o baja, cuando se
hace el direccionamiento de la lec-
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polariza de modo que establece el

nivel lgico 0 1 en la salida, como
muestra la figura 11.
Este tipo de memoria puede ser
apagada, cuando sometemos el
chip a rayos ultravioletas. Como las
mismas son apagables (erase =
apagar), se las denomina EPROM.
Esta memoria puede ser provista to-
talmente apagada y ser programa-
da por el usuario. Para apagar un
programa ya existente, basta expon-
erla a la radiacin ultravioleta.
Para borrarla, basta exponer el chip
Fig. 12 tura tendremos o no , la conduccin a este tipo de radiacin. Y una vez
del transistor, con la aparicin de los programada, podemos tapar la ven-
niveles 0 1 en la salida. tana de modo de no tener una pr-
Otro tipo de memoria ROM usa dos dida de informaciones por inciden-
transistores conectados en serie y cia de radiacin.
entre ellos la salida, como muestra Un tipo de ROM solo programable,
la figura 10. o sea PROM, tiene la estructura que
Durante la programacin, podemos aparece en la figura 12.
aplicar alta tensin a otro transistor, En cada clula existen microfusibles,
Fig. 13
generando en su base una carga es- que se obtienen del propio chip du-
(izquierda)
Fig. 14 ttica que se mantendr. rante el proceso de fabricacin. Es-
Fig. 15
(centro) Esta carga, segn el transistor, lo tos fusibles son a base de nquel-

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cromo y gunos inconvenientes, como, por

pueden ser ejemplo, el hecho de que no se con-
fundidos con siga una corriente precisa para la
una corriente fusin de los fusibles, adems del
muy baja, del hecho de que los que son rotos
orden de 15 pueden volver a entrar en corto.
mA, que es la Con respecto a memorias comer-
corriente de ciales, en la figura 13 se muestra una
programacin. ICM4164MC, y en la figura 14 una
De esta forma, ICM41000A de 16 bits.
aplicamos cor- Los 16 bits de direccionamiento son
rientes en los introducidos en dos etapas: el termi-
fusibles, que nal RAS se usa para retener los 8
deben ser ro- primeros bits y el CAS, para los 8
tos, abriendo bits siguientes.
as el circuito y La ICM41000AC, se trata de una
estableciendo RAM dinmica de un Megabit, or-
un nivel lgico ganizada en la forma 1.048 x 1. La
Fig. 16 0. alimentacin es de 5V y posee ca-
Los fusibles que se mantienen intac- pacidad de E/S comn, a travs de
tos garantizan el nivel lgico 1. la operacin de escritura anticipada,
Fig. 17 Este tipo de memoria presenta al- adems de la capacidad de realizar
ciclos de lec-
tura modifica-
da-escrita, re-
fresh de
apenas RAS,
despus CAS.
Las entradas
de direcciones
mutiplexadas
para lnea y
columna per-
miten el en-
capsulamiento
en slo 18
pines, lo que
facilita el au-
mento de la
densidad del
sistema.

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La memoria ICM41256A es del tipo
dinmica, con capacidad de 256K,
organizada en la forma 262.144 x 1.
Su alimentacin se hace con tensin
nica de 5V y todas las entradas son
compatibles con dispositivos TTL.
En la figura 15 tenemos la disposi-
cin de sus pines.
Su caracterstica de modo pgina
dop permite una alta velocidad de
acceso. Las entradas de direc-
cionamiento multiplexadas para
lnea y columna permiten el encap-
sulamiento en slo 16 pines.
La ICM6116A es una RAM esttica
de ITAUCOM de 16k, organizada
en 2.048 palabras de 8 bits. Sus
Fig. 18 pines aparecen en la figura 16.
(izquierda) En la figura 17 tenemos su organi-
Fig. 19 zacin interna, en forma de un dia-
(centro)
grama de bloques. Las salidas son
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del tipo tri-state y las entradas son
compatibles con la tecnologa TTL,
lo que permite su interfaceamiento
directo con estructuras de Bus con-
vencionales. La modalidad de stand
by de esta memoria permite reducir
su consumo de 250mW a apenas
5W.
La alimentacin se hace con tensin
de 5V y dispensa de circuitos de re-
fresh.
La memoria ICM6264L es una
RAM esttica de 64k, organizada en
8.192 palabras de 8 bits. En la figura
18 tenemos la disposicin de sus
pines.
Debido a su bajo consumo, esta
memoria es recomendada en las
aplicaciones en que se usen bateras
Fig. 20
de back up. Dispensa de clocks y re-
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fresh y sus salidas son compatibles usa una lmpara de 15 W/cm2, con
con tecnologa TTL. la memoria colocada a una distancia
El chip ICM2716 es una memoria de 2,5 cm, durante aproximada-
EPROM, de 16k, organizada en mente 15 a 20 minutos.
2.048 palabras de 8 bits.
Su alimentacin se hace con 5V y la
tensin de programacin es de 25V. Otras Memorias
En la figura 19 tenemos la disposi-
cin de sus pines. ICM2732A
Todas las entradas y salidas son Es una EPROM de 32k, organizada
compatibles con las de los disposi- en la forma de 4096 palabras de 8
tivos TTL. Su operacin no exige el bits. En la figura 20 tenemos sus
empleo de clocks. Esta memoria pines. Las entradas y salidas son
posee 5 modalidades de operacin: compatibles con dispositivos TTL y
* datos saliendo, su operacin es esttica, no exigien-
* alta impedancia, do el empleo de clocks.
* datos entrando en la progra- Las dems caractersticas son seme-
macin, jantes a las de la ICM2716A.
Fig. 20 * alta impedancia con programacin Fig. 21
inhibida y
* verificacin ICM2764AS
de los datos Esta memoria
saliendo. EPROM est
El borrado de organizada en
la memoria se 8.192 palabras
puede prac- de 8 bits. Sus
ticar con la dems carac-
exposicin a la tersticas son
luz ultraviole- semejantes a
ta, cuya longi- las de los tipos
tud de onda anteriores de
sea de aproxi- EPROMS de
madamente menor capaci-
4.000 dad. Un es-
Angstrons. quema corre-
El fabricante spondiente al
recomienda es- encapsulado
pecficamente con la ubi-
la longitud de cacin de los
onda de 2.537 terminales se
Angstrons. Se ve en la figura

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21.
ICM27128AS
Se trata de una memoria organizada
en 16.384 palabras de 8 bits, cuya
disposicin de pines aparece en la
figura 22. Las dems caractersticas
son semejantes a las de las
EPROMS citadas anteriormente.
Chips de Ultima Generacin
As como, en un comienzo, se con-
sideraba que una memoria de 64k
era poderosa, con el avance de la
tecnologa fueron apareciendo sis-
temas del tipo PRML o E2PRML,
capaces de almacenar y procesar in-
formacin a una velocidad superior
Fig. 23
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a los 200 Mbit/s.
Un ejemplo es el sistema 32P4802
de Silicom Systems, capaz de leer
informacin de un canal de datos a
alta velocidad, por poseer capacidad
de memoria para procesar los datos.
En la figura 23 se reproducen al-
gunos chips de este tipo, con el ob-
jeto de que se vaya familiarizando
con esta tecnologa, que abordare-
mos en prximos nmeros.
Una idea acerca de esto es el inte-
grado 78Q2250, que no corre-
sponde a una memoria pero s posee
una en su interior.
Se trata de un sistema tranceptor
ATM que provee una transmisin
full con interfase de lnea de recepcin.