Está en la página 1de 9

Ao del Buen servicio al Ciudadano

PRE INFORME

CURSO:
Laboratorio de Circuitos Electrnicos Il
DOCENTE:
Ing. MADRID CISNEROS, FRANCISCO

INTEGRANTES:
Lamberto Torres, Richard
Prez Mallco, Jaime
Lpez Farach, Isabel
Cubaz Crdova, ngel

ESCUELA:
Ingeniera Electrnica

2017
PRIMER CIRCUITO

SEAL DE ENTRADA Y SEAL DE SALIDA DEL CIRCUITO 1


SEGUNDO CIRCUITO

SEAL DE ENTRADA Y SEAL DE SALIDA DEL CIRCUITO 2


TERCER CIRCUITO

SEAL DE ENTRADA Y SEAL DE SALIDA DEL CIRCUITO 3


Hoja de Respuestas

Tabla 8-1
Datos Amplificador Source Valores DC Valores AC
Comn

Voltaje Gate VG -77.19mV -77.205mV 353.538mV

Voltaje de Source VS 4.566uV 923.377nV 923.394nV

Voltaje Drain VD 8.272V 2.592V

Corriente Drain ID 4.546mA 103.215nA

Voltaje de entrada Vin 6.715uV -6.73uV 353.553mV

Voltaje de salida Vout 42.773uV -59.235uV 2.592V

Ganancia de voltaje AV ------------- 7.33V

Desfase ---------------

Tabla 8-2

Datos Amplificador Drain Comn Valores DC Valores AC

Voltaje Gate VG 6.667mV 6.419mV 5.657V

Voltaje de Source VS 3.203V 3.322V

Voltaje Drain VD 15V 0V

Corriente Drain ID -r- 0A

Voltaje de entrada Vin 115.598uV -115.827uV 5.657V

Voltaje de salida Vout 0V 0V

Ganancia de voltaje AV 0V 0V

Tabla 8-3

Datos Amplificador Gate Comn Valores Calculados

Ganancia de Voltaje 1.516V

rm 444.44 OHMS
Cuestionario

1. Con respecto al amplificador Drain Comn conteste las siguientes preguntas:

a. Qu ventaja tiene el amplificador Drain Comn con respecto al amplificador


Emisor Comn?

Las ventajas que posee el amplificador drain comn son:

-posee una alta impedancia de entrada

-baja impedancia de salida

- Generan un nivel de ruido menor

- Son ms estables con la temperatura

La ganancia de este
amplificador se obtiene con
la ayuda de la frmula: AV =
gm x Rs/ [1 + (gm x Rs)].

b. Qu desventaja tiene el amplificador Drain Comn con respecto al amplificador


Emisor Comn?

Los amplificadores en emisor comn tienen:

- una alta ganancia de voltaje

- una alta ganancia de corriente

-invierte la fase de la seal de entrada

- la seal de salida est desfasada 180 con respecto ala seal de entrada

Ganancia de voltaje: V Vout / Vin = Rc / Zin. (el


signo menos indica que Vout esta 180 fuera de fase
con al entrada Vin)
Ganancia de corriente: I = (Vout x Zin) / (Vin x Rc)
= ganancia de voltaje x Zin / Rc El voltaje de
salida estar dada por la siguiente frmula: Vout = Ic x
Rc = x Ib x Rc = hfe x Ib x Rc

Ganancia de potencia = ganancia de voltaje x
ganancia de corriente = P = V x I
Zin (impedancia de entrada) = R1 // R2 // hie, que
normalmente no es un valor alto (contrario a lo
deseado)
Zo (impedancia de salida) = Rc
2. comparar los circuitos Source Comn y Drain Comn, escriba las diferencias que existen
entre ellos y cules son las caractersticas que tienen en comn.

A. Fuente comn:
Alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida, alta ganancia con baja tensin de
alimentacin. Circuito amplificador de voltaje comn.

B. Drenador comn:
Alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida, ganancia cercana a 1, salida en fase con la
entrada. Circuito adaptador de impedancias.
Si bien en configuracin fuente comn se puede usar para adaptar impedancias, se usa ms como
amplificador dada su ganancia y en drenador comn, slo se usa para adaptar impedancias dada
su poca ganancia y salida en fase.

2. Con respecto al circuito de la figura 8-4 Qu cambios ocurren en los parmetros DC y AC


cuando C2 se encuentra abierto?

Los valores medidos se asemejan a los calculados y simulados, solo con un pequeo margen de
error debido a las resistencias o a las caractersticas del FET. (Seccin 7-Analsis de Datos).
Se pudo comprobar que la corriente de drain que depende del voltaje gate source, obedece casi
exactamente a la ecuacin de shockley.
Id=Idss1-VGSVp2
Se puede observar que la curva caracterstica a la salida del FET es muy similar a la de un BJT.
Puedo decir que para que las mediciones de esta prctica sean aceptables y tengan el menor
nmero de errores en las mismas con respecto a los clculos tuvimos que ajustar las resistencias lo
ms posible a las calculadas teniendo en algunos casos que poner las resistencias en serie o en
paralelo ya que los valores de las mismas si se alejaban mucho cambian los valores de corriente y
voltaje a rangos que no son aceptables; es decir que para el Transistor FET funcione
correctamente las resistencias deben ser lo ms exactas posibles.