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ESPOCH - ELECTRONICA DE POTENCIA II 1

PROTECCION DE DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS DE POTENCIA
Vladimir Huaraca Aguay Cod:180 vladih89_ball@hotmail.com

AbstractEn este documento se resume las diferentes formas ideal abierto, y que la potencia disipada aumente al
de proteccin de los dispositivos electrnicos de potencia contra bloquear tensiones importantes pudiendo tambin destruir
los excesos elctricos tales como las sobrecorrientes di/dt y los el dispositivo.
sobrevoltajes dv/dt que se presenta como fenmenos elctricos
debido a incrementos bruscos de corriente o cambios bruscos de La proteccin contra excesos de corriente puede abordarse de
voltajes dando como consecuencia el funcionamiento incorrecto dos formas:
de los dispositivos o que el dispositivo quede inservible.
Limitacin de la corriente, impidiendo que alcance val-
Index Termssobrecorriente, sobreintesidad, potencia ores peligroso, para lo que se utiliza inductancias en serie.
Corte de la corriente, abriendo el circuito, para lo que se
I. INTRODUCCION utilizan fusibles, circuitos electrnicos.
Los semiconductores presentan poca inercia trmica frente 1) PROTECCION DE DIODOS: El interruptor principal
a la corriente, es decir, la temperatura de la unin aumenta suele implicar la proteccin del diodo, si ese no es el caso el
rpidamente si se produce un aumento en la corriente que mtodo de proteccin ms adecuado contra picos de corriente
circula por ellos, para lo cual hay q tomar las debidas es conectar un fusible en serie. El fusible debe cumplir
protecciones para evitar el dao de los dispositivos. En el caso condiciones como:
de los excesos de dv/dt se sabe que algunos semiconductores Ser capaz de conducir la misma corriente que el dispos-
tiene poca tolerancia a dichos efectos por lo que se ve nece- itivo que se quiere proteger.
sario realizar procedimientos para proteger a los elementos La capacidad de almacenamiento trmico del fusible debe
electrnicos que se exponen a la presencia de los fenmenos ser menor que la del dispositivo que se quiere proteger,
elctricos y alargar su vida til y su correcto funcionamiento. es decir, se debe cumplir que:

II. OBJETIVOS [I 2 t]f usible < I 2 t]semiconductor


Investigar y aprender los mtodos para proteger los dis-
positivos contra incrementos de di/dt y dv/dt excesivos.
Conocer varias de las mltiples causas de la generacin
de sobrecorrientes y sobrevoltajes
Reafirmar los conocimientos sobre funcionamientos de
dispositivos electrnicos de potencia

III. MARCO TEORICO


A. PROTECCION CONTRA EXCESOS DE CORRIENTE
La causa principal de sobreintensidad es la presencia de Figure 1. Corriente por un fusible
un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De
todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de
alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin
en rgimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen Durante el arco, la tensin entre extremos del fusible
en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es debe ser elevada para que la corriente se vea obligada
incapaz de evacuar las caloras generadas, pasando de forma a disminuir y adems, el fusible debe disipar la energa
casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica). del circuito sin daar al semiconductor.
Este calentamiento da lugar inicial a dos problemas: Tras el corte de corriente el fusible debe ser capaz
El dispositivo que estaba en estado de bloqueo pasa al de soportar cualquier tensin que aparezca entre sus
estado de conduccin para valores menores de tensin extremos.
que se acerca a 0V, lo que ocasiona que el circuito no 2) PROTECCION DE IGBT: Para IGBT se utiliza como
funcione de forma optima, produciendo elevadas di/dt que proteccin una combinacin de los mtodos de proteccin
destruir el elemento del diodo y del MOSFET; por un lado fusibles y por otro,
La corriente inversa aumenta fuertemente haciendo que aprovechando que el terminal de puerta es capaz de cortar o
el dispositivo es aleje de la condicin de interruptor reducir la corriente de pocos uS, realimentacin.
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3) PROTECCION DE GTO: Hasta un cierto valor de la un componente que presente unas caractersticas aproximadas
corriente de nodo, el GTO puede protegerse mediante una como las que se indican en la figura, sea, un diodo capaz
seal aplicada a la puerta si iA supera ese valor ese mtodo de conducir elevadas corrientes inversa en avalancha, con un
no nos sirve y la solucin pasa por abrir el circuito principal amplio margen de temperatura de funcionamiento, anlogo a
o por conectar un fusible, como la figura: un Zener de potencia.

Figure 2. Proteccin GTO

Figure 3. a) Caracterstica del elemento protector; b) Proteccin del diodo

4) PROTECCION DE TRIAC: El mtodo bsico de protec-


cin en el TRIAC es mediante fusibles, pero si la corriente
de fallo es alterna y de un valor hasta 10 veces el valor
nominal, durante medio ciclo puede bastar con eliminar la
2) PROTECCION DE SCR: Veremos cmo proteger el
seal de puerta para cortar el TRIAC. Si el pico de corriente
SCR entre nodo y ctodo. Al igual que en el diodo, una ten-
es pequeo, puede bastar con aumentar el retardo en el disparo
sin inversa que alcance la de ruptura destruir el dispositivo,
()
por eso, es necesario proteger al SCR y la forma ms sencilla
5) PROTECCION DE SIT: Dado que el SIT conmuta muy
es conectar un diodo en serie con l, como indica la figura,
rpidamente, el mejor sistema de proteccin es una seal
de forma que la tensin se reparta entre los dos componentes.
realimentada al terminal de puerta que se encargue de cortarlo.
6) PROTECCION DE FCT: Si el pico de corriente no es
muy elevado puede bastar una seal realimentada a la puerta
para cortarlo, pero si eso no es suficiente hay que utilizar
fusibles.
7) PROTECCION DE MCT: En este caso tenemos dos
dispositivos a proteger: el MOSFET y el SCR. El problema se
presenta con la corriente que es capaz de cortar el MOSFET Figure 4. Proteccin SCR contra tensin inversa
ya que no es muy elevada, alrededor de 1,3 veces la corriente
media nominal solamente. En estas condiciones, una reali-
mentacin al terminal de puerta no suministra prcticamente
proteccin, por lo que debemos recurrir a fusibles rpidos y
cortocircuitos de corto. El inconveniente de este mtodo es que aumenta l cada de
la tensin en conduccin y la potencia disipada, por lo que a
B. PROTECCION CONTRA EXCESOS DE VOLTAJE veces es ms conveniente escoger SCRs sobredimensionados,
La mayor parte de los semiconductores soportan ms o es decir, de valores nominales entre un 30% y un 50% mayores
menos sobrecargas de corriente, pero presentan muy mala que los necesarios para el circuito determinado. Algo parecido
tolerancia a los picos de tensin (aunque solo sean unos pocos sucede para tensin directa, que el SCR tambin es capaz de
uS ) ocasionndoles generalmente su destruccin. El origen de bloquear. La diferencia es que ahora, si el SCR se dispara, el
las sobretensiones sueles ser accidental y externa al equipo, problema del exceso de tensin se trasforma en un problema
como pueden ser fenmenos atmosfricos o de corte. de exceso de corriente y debe ser tratado como tal.
1) PROTECCION DE DIODO: Los posibles problemas de
3) PROTECCION DE MOSFET: Aadir un diodo zener
un exceso de tensin directa no afectan al diodo sino al resto
entre el drenaje y la fuente. El zener acta para suprimir
del circuito, que ser el que tenga que soportar prcticamente
sobretensiones, y tambin protege contra el ruido o una fuente
todo ese exceso, pudiendo derivarse de ello una corriente
de alimentacin que se conecte accidentalmente al revs.
inadecuada. En cambio es peligrosa una tensin inversa ya
El zener tambin es necesario si la carga es inductiva, tal
que si sobrepasa la tensin de ruptura genera la avalancha,
como un solenoide, un motor o un rel. Las cargas inductivas
circulando una corriente elevada bajo gran tensin aplicada. El
utilizan campos magnticos. Tambin se puede colocar uno o
resultado es una disispacion excesiva de potencia que destruye
dos diodos zener en la puerta. El propsito de los zener es
trmicamente el dispositivo. La forma de proteger al diodo
asegurarse de que las tensiones de entrada no excedan de la
contra el exceso de tensin inversa es conectar en paralelo al-
especificacin del MOSFET
gn componente que fije la tensin entre sus extremos, es decir
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IV. CONSLUSIONES
El aumento de la corriente que circula por un dispositivo
origina un aumento en su temperatura interna que puede
llevar a un mal funcionamiento del circuito e incluso a
la destruccin del dispositivo.
Existe dos mtodos bsicos de proteccin ante excesos
de corriente: limitacin o anulacin de la misma. Segun
el metodo se emplean unos u otros componentes.
En dispositivos de conmutacin lenta se emplean fusibles
Figure 5. Proteccin tpica contra sobretensin (zeners) y circuito abierto para cortar la corriente.
(Rgs) en el gate.
En dispositivos rpidos, en los que el fusible es muy
lento, se emplean circuitos de corte o realimentacin
negativa.
En los excesos de tensin cuando el dispositivo no con-
4) PROTECCION DE IGBT: Para detectar condiciones de duce pueden destruirlo. Se protegen con elementos que,
sobrecargas y sobretensin, los amplificadores de aislamiento bajo ciertas condiciones, tienden a mantener constante la
que ofrecen una rpida respuesta o feedback de fallos se tensin entre sus extremos (diodo Zener), o elementos
pueden utilizar en las fases de salida y el bus de CC. La tensin que se encargan de soportar la mayor parte de tensin.
del bus de CC tambin debe ser mantenida bajo constante
control. Bajo ciertas condiciones de funcionamiento, un motor R EFERENCES
puede actuar como un generador, devolviendo un alto voltaje al
[1] Esquroz Bacaicoa, L. M. (1999). Electrnica de potencia: Disposi-
bus de CC a travs del dispositivo de alimentacin del inversor tivos. Oviedo: Universidad de Oviedo, Servicio de Publicaciones. ISBN:
y / o los diodos de recuperacin. Esta alta tensin se aade 848317149X, 9788483171493
a la tensin de CC y forma un pico muy elevado aplicado [2] Muhammad H. Rashid, Muhammad H. Rasid Virgilio Gonzlez y
Pozo Agustn Surez Fernndez.(2004).Electrnica de potencia: cir-
a los IGBTs. Este pico puede exceder el mximo voltaje del cuitos, dispositivos y aplicaciones.Pearson Educacin. ISB: 9702605326,
colector-emisor del IGBT y causar daos. El amplificador de 9789702605324
aislamiento miniatura (ACPL-C79A) se utiliza a menudo como [3] http://www.ehowenespanol.com/proteger-mosfet-potencia-queme-
como_239246/
un sensor de voltaje en aplicaciones de control de bus de CC [4] http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html
. Un diseador debe reducir la tensin del bus de CC para [5] http://www.ugr.es/~amroldan/enlaces/dispo_potencia/diodo.htm
adaptarse a la gama de entrada del amplificador de aislamiento
eligiendo los valores de R1 y R2 de acuerdo a la proporcin
adecuada.

Figure 6. Uso del ACPL-C79A para la deteccin de sobrevoltaje

5) PROTECCION DE FCT: Como tambin se trata de


un dispositivo cuyo estado normal es el de conduccin, el
problema es anlogo al del SIT: puede producirse conduccin
a niveles elevados de tensin VAK provocando una disipacin
excesiva. La solucin tambin consiste en realimentar tensin
a la puerta para cortar el dispositivo, pero teniendo cuidado
de que esa unin no alcance a su vez la tensin de ruptura.
6) PROTECCION DE MCT: El MCT no soporta picos de
tensin anodo-catodo de ningn signo, Si el pico positivo,
puede ponerlo en conduccin cuando se supone que est blo-
queando tensin y si el pico es negativo provoca la avalancha
para valores pequeos de tensin. La solucin es otra vez la
comentada en el IGBT: diodo en serie y diodo en anti paralelo.