Instituto Politcnico Nacional

(IPN)
Escuela Superior de Ingeniera Mecnica y
Elctrica
(ESIME)

Practica 5: TRANSISTOR BIPOLAR

Nombre: Pablo Ortega Javier.
Grupo: 5CM4
Profesor: Reyes Aquino Jos
Materia: Dispositivos
 Practica No. 5
TRANSISTOR BIPOLAR

Objetivos:
1. Identificar las terminales del transistor.
2. Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
3. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de colector-base
de un transistor de silicio.
4. Obtener la curva caracterstica de entrada del transistor bipolar en configuracin
de emisor- comn observar su variacin con el voltaje de colector emisor.
5. Obtener las curvas caractersticas de salida en configuracin de emisor comn.
Observar su variacin con la temperatura. Identificar las regiones de operacin
corte, saturacin y activa directa.

Distintos encapsulados de transistores.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificados, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin
en ingles de transfer resistor (resistencia de transferencia).
Los transistores son componentes esenciales para nuestra civilizacin porque toda la
electrnica moderna los utiliza, ya sea en forma individual (discreta) como tambin
formando parte de circuitos integrados, analgicos o digitales, de todo tipo:
microprocesadores, controladores de motores elctricos, procesador de seal,
reguladores de voltaje, etc.
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso
diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y video, hornos de
microondas, lavarropas automticas, automviles, equipo de refrigeracin, alarmas,
relojes de cuarzo, computadoras, calculadores, impresoras, lmparas fluorescentes,
equipo de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, etc.
Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o trodo, el transistor bipolar fue
inventado en los laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1942 por John Bardeen,
Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados con
el premio Noble de Fsica en 1956.
Sus inventores lo llamaron as por la propiedad que tiene el transistor de cambiar su
resistencia al paso de la corriente elctrica que lo atraviesa entrando por uno de los 3
terminales (el emisor) y saliendo por otro (el colector) en funcin de la mayor o menor
corriente elctrica que, para excitarlo, se inyecte en el tercero (la base).
El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas artificialmente
que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los
recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el
paso de dichos portadores(base). A diferencia de las vlvulas el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el
diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de
los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento
solo puede explicarse mediante mecnica cuntica, luego en realidad el transistor es un
dispositivo cuntico.
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio.
Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP y la direccin del flujo de la corriente en
cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector
(C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el
grfico de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una

cantidad de corriente por una de sus patillas (base) el entregara por otra (emisor) una
cantidad mayor a esta en una factor que se llama amplificacin.
Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:

Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b(factor de amplificacin)

por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
Ic=B*Ib
Ie(corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro casa sale de l o viceversa.
Segn la formula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se
cambia Vcc. Ver la figura.
Imagen 3
En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a
ms corriente la curva es ms alta.
Material
- Osciloscopio de doble trazo
- Generador de seales
- Multmetro analgico y/o digital
- Una pinza de punta
- Una pinza de corte
- 6 cables caimn- caimn de 50cm
- 6 cables caimn- banana de 50cm
- 6 cables banana banana de 50cm
- 4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin BNC y en el otro
caimanes
- Tablilla de conexiones (protoboard)
- Fuente de voltaje CD (variable)
- Fuente de corriente CD (variable)
- 1 transistor de germanio NPN AC127
- 4 transistores de silicio BC547
- 4 resistores de 1K a watt
- 1 resistor de 100K a watt
- 1 encendedor
Experimentos:
1. Es requisito que para antes de realizar la practica el alumno presente por escrito y en
forma concisa y breve los siguientes puntos sobre el transistor bipolar. Identificar las
terminales del transistor bipolar.

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar
y si este es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas
de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican cmo estn ubicadas
las terminales de emisor colector y base. En el laboratorio es conveniente comprobar que
esta ubicacin es correcta y que el dispositivo este en buen estado.
En el caso que no se cuete con la informacin suficiente, mediante algunas mediciones
realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de los transistores
bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.
 1.1. Usar el multmetro en su funcin de hmetro y aplicar la prueba conocida como
prueba de amplificador e identificar las terminales del transistor.

a) Use un multmetro analgico en su funcin de hmetro. Mida el efecto

rectificante entre las uniones emisor - base y colector base (para el caso de
un transistor NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente interna del
hmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras dos terminales
deber medirse baja resistencia, al invertir la polaridad, la resistencia medida
deber de ser alta (use la misma escala del multmetro para la realizacin de
estas pruebas). Entre las terminales de colector emisor se observar alta
resistencia sin importar como se coloque la polaridad de las terminales de las
uniones certificantes en el transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP.
Para distinguir la terminal del colector de la terminal de emisor ser necesario
aplicar la prueba del amplificador

b) Habiendo identificado la terminal de base de las otras dos terminales y el

tipo de transistor NPN o PNP la prueba del amplificador consiste en lo
siguiente:
Para el caso del NPN, conectar el positivo del hmetro a la terminal que supuestamente
es el colector y el negativo al emisor, la lectura que debe de aparecer en el hmetro es de
alta resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre colector y la base (esto es
equivalente a colocar entre estas terminales una resistencia de orden de M ohms) y
observar la disminucin de la resistencia medida entre colector emisor, cuando la
terminal que se elige como colector es la correcta esta disminucin en el valor de la
resistencia es considerable, si la terminal elegida como colector no es tal, sino la de
emisor al efectuar dicha prueba la disminucin de la resistencia no ser tan importante.
Para estar seguro de cual es cual, deber realizarse ambos casos y comparar las
resistencias medidas.
1.2. Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo es
mediante el uso de un multmetro digital que nos permite medir la beta de
transistor. Esto es que elegimos en el multmetro digital la funcin de medicin
de la beta colocamos las terminales del transistor como creamos que estn
correctas y medimos la beta, cuando el dispositivo est correctamente
colocando la beta medida, generalmente es grande (en la mayora de los
casos mayor a 50), cuando no est bien colocados la beta que se mide es
pequea (en la mayora de los casos menores a 20 y en algunos cosos indica
circuito abierto.

1.3. Despus de identificar las terminales de sus transistores bipolares. Dibujemos

en isomtrico en la figura 1 indicando donde est el colector, el emisor y la
base.

Imagen 4
Figura 1 dibujo isomtrico del transistor bipolar indicando la base, el emisor y el
colector en un NPN y en un PNP.
 Figura 2 Simbolos del transistor
2. Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
Al igual que en los diodos (uniones rectificante) se tuvo le presencia de corrientes
de fuga (generadas por los portadores minoritarios) en los transistores bipolares
tambin se presentan de tal forma si polarizamos inversamente en cualquier per
de terminales del transistor se podrn medir estas corrientes. Segn el par de
terminales que elija, la corriente tendr valores diferentes aunque del mismo orden
de magnitud, es importante recordar que estas corrientes son muy pequeas
comparadas con las corrientes de operacin del dispositivo y que adems para el
caso del silicio son muchos menores que para el germanio. En la expresin
matemtica que se usa para la corriente de saturacin inversa colector base con
el emisor abierto en la figura 3 se propone un circuito para medir esta corriente y
observar como varia con la temperatura. Para esta medicin usaremos el
transistor de germanio AC127

Figura 3. Circuito propuesto para medir la corriente ICBO y su variacin con la

temperatura usando el transistor de germanio.
ICBO = ICO = 4.65 mA a temperatura ambiente
ICBO1 = ICO1 = 4.83 mA a temperatura mayor que la ambiente
Para aumentar la temperatura acerque un cerillo encendido por cinco segundos.

3. Observar y medir el voltaje de ruptura de la unin base emisor y de la unin

colector base de un transistor bipolar con tecnologa planar.
Actualmente la gran mayora de los transistores bipolares estn construidos con
tecnologa planar, en ellos las regiones del emisor, base y colector presentan
diferentes concentraciones de impurezas y tamaos debido a las caractersticas de
construccin que se tienen en las uniones emisor base y colector - base, el voltaje
de ruptura que se presenta en la unin emisor base es menor que el que se
presenta en la unin colector base, llegndose en la prctica a generalizar diciendo;
que la unin emisor base de un transistor bipolar de silicio se comporta como un
diodo zener.
Arme el circuito de la figura 4 y obtenga la curva del diodo emisor base
posteriormente desconecte en emisor, conecte el colector y obtenga la curva del diodo
colector base, use una seal senoidal con voltaje pico entre 10 y 12V a una
frecuencia entre 60Hz y 1KHz.

Figura 4.a circuito propuesto para obtener la curva del diodo emisor base y colector
base de un transistor bipolar.

Figura4.b Curva del diodo emisor-base.

Reporte el voltaje al cual rompe la unin emisor base VEB= 3 V.
 Figura 4.c. Curva del diodo colector base.
4. Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en
configuracin emisor comn. Observar su variacin con el voltaje de colector
emisor.
Armar el circuito de la figura 5 (observar que este circuito es semejante al de la figura 4,
solo haga los cambios necesarios), el cual permite obtener el comportamiento de la unin
emisor base del transistor bipolar y observar su variacin con el voltaje de colector
emisor.

Figura 5.a Circuito propuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor base en
un transistor bipolar y su variacin con el voltaje colector emisor.

Figura 5.b . Curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar

Reporte en la tabla 1 los valores medidos de corriente en la base para los diferentes
voltajes de base emisor.

Is (A) medida VBE (V) medido VBE (V) medido VBE (V) medido
sobre la curva del sobre la curva del sobre la curva del sobre la curva del
diodo emisor-base diodo emisor-base diodo emisor-base diodo emisor-base
cuando VCE=0 v cuando VCE=0.5 v cuando VCE=5.0
20 A 0.7 0.8 0.76
100 A 0.7 0.81 0.81
150 A 0.7 0.78 0.75
tabla 1
 5. Obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en configuracin
de emisor comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura.
Armar el cuito de la figura 6 y obtener una a una las curvas caractersticas de salida del
transistor bipolar emisor comn, para diferentes corrientes en la base.

Figura 6.a circuito propuesto para obtener las curvas caractersticas de salida del
transistor bipolar

Figura 6.b . curvas caractersticas de salida del transistor bipolar ubicando las regiones de
corte, saturacin y activa directa.

Figura 6.c curvas caractersticas del transistor bipolar.

Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colector
emisor solicitado en la tabla 2, elija los valores adecuados para la corriente de base, tal
que la IB, haga que el transistor bipolar trabaje en la regin de corte, los valores de IB2 y
IB3 lo hagan trabajar en la regin activa directa (de amplificacin) y la corriente IB4 lo
lleve a la regin de saturacin.

corriente MEDIR LAS VALORES DE LA CORRIENTE DE COLECTOR IC (mA)

en la PARA CADA UNO DE LOS VALORES
base (a)
VCE=0v VCE=2v VCE=4v VCE=6v VCE=8v VCE=10v VCE=12v
IB1 corte 0.01 0.03 0.03 0.04 0.06 0.10 0.13
IB2 activa 0.01 0.07 0.09 0.04 0.10 0.11 0.13
IB3 activa 0.01 0.08 0.09 0.09 0.11 0.13 0.11
IB4 satura 0.01 0.09 0.09 0.09 0.09 0.10 0.91

Fije la corriente de base en el valor de IB3 (regin Activa), acerque un cerillo encendido al
transistor bipolar por 5seg. Y observe que le pasa a la corriente de colector. Digas si
aumento o disminuye la corriente.
4.23 mA a Temperatura ambiente y 4.83 mA mayor a temperatura ambiente por tanto
aumenta

CUESTIONARIO
1. Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual a unin emisor
base este polarizada directamente y la unin colector base presente polarizacin
cero.

Unin Emisor Base.

Unin Colector Base.

2. Determinar el valor de la alfa () para las lecturas que se realizaron en el circuito

de la figura 2

3. Escriba la expresin matemtica que se usa para determinar el aumento de la

corriente de fuga en una unin rectificante cuando aumenta la temperatura, hgalo
tanto para el caso del silicio como para el germanio
4. Defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las terminales de un
transistor bipolar e indique con que literales se conocen.

1. La tensin inversa colector-base con el emisor abierto (UCBO). Suele ser

elevada (de 20 a 300 voltios) y provoca una pequea corriente de fugas
(ICBO).
2. La tensin inversa colector-emisor con la base abierta (VCEO).Tambin
provoca una corriente de fugas (ICEO).
5. Proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga de la unin emisor
base con el colector corto circuiteado.

6. De qu orden es el voltaje de ruptura colector emisor en el transistor de silicio

BC547?
De segundo orden

7. Anote sus conclusiones

Con la prctica realizada se pudo comprobar las caractersticas de los transistores
dependiendo del tipo que sea, en el caso de AC127 se observ cmo es que
cambia la corriente Icb0 al pasar de temperatura ambiente a una ms alta incluso se
lleg a tronar al llegar a una temperatura muy alta, esto se debe de tener en
consideracin al momento de disear un circuito para altas temperaturas, adems
de comprobar con la medida de corrientes las diferentes zonas de corriente, es
decir la de corte, activa y saturacin.
8. Anote su bibliografa consultada
- Dispositivos electrnicos, FLOYD
- Electronica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Robert L. Boylestad