Reporte de prctica No.

1 Voltaje de
diodo y tiempo de recuperacin en inversa
Aguilar Coronilla Josu 15030992@itcelaya.edu.mx
Aguilar Isidro Jos Antonio 15030802@itcelaya.edu.mx
Alvarez Trejo Juan Carlos 15030786@itcelaya.edu.mx

Resumen - Por medio del estudio previo del

anlisis de circuitos se ha analizado y aplicado el
mtodo correspondiente a dos casos, el primero
enfocado en la bsqueda del comportamiento del
diodo al aplicrsele cierto voltaje dentro del circuito
al que pertenece y el segundo al aplicrsele
nuevamente un voltaje, pero en corriente alterna.
Para ello se ha hecho la prueba mediante el uso de un
diodo tanto simple como de recuperacin rpida,
apoyndose adems en el software Tina y otros
elementos fsicos que en teora ya deben ser conocidos
y manejados apropiadamente. Concretamente se han
hecho distintas mediciones para comprobar el
comportamiento esperado del diodo de acuerdo a las
caractersticas ya conocidas de l.
Abstract - By means of the previous study of the
circuit analysis the method corresponding to two
cases has been analyzed and applied, the first one
focused on the search of the behavior of the diode
when applying a certain voltage to the circuit to
which it belongs and the second one to apply again a
voltage but in alternating current. To do this, the test
has been made using a simple diode as well as a fast
recovery, supported also in the software Tina and
other physical elements that in theory should already
be known and handled properly. Specifically,
different measurements have been made to check the
expected behavior of the diode according to the
characteristics already known.
I. NOMENCLATURA
VD = Voltaje del diodo
ID = Corriente del diodo
VR = Voltaje de Resistencia
E= Fuente de Voltaje
R = Resistencia
X1, X2 = Sondas de medicin
II. INTRODUCCIN
Partiendo de la premisa de un circuito simple
(Fig. 1) que incluye a los elementos bsicos, se
debe buscar el voltaje y corriente en el diodo, as
como su comportamiento en el tiempo tanto en
corriente directa como en alterna. Por ello para esta
prctica se ha de analizar de tres formas distintas
este comportamiento, incluyendo la forma fsica, la
forma analtica y la forma simulada.
Fig. 1 Circuito simple del diodo
Primeramente, se debe conocer que los dos casos
trabajados tienen diferente nivel de barrera, es
decir, el diodo normal de Silicio trabajado
comienza a conducir corriente cuando llega a los
.7V, mientras que para el de recuperacin rpida
solo se necesita llegar a .3V. [2]
Para el clculo del voltaje en el diodo es preferible
suponer un incremento pequeo hasta llegar a uno
que est por encima de la barrera que debe
romperse para generar la conduccin en el diodo.
[2]
De manera manual conviene emplear el circuito
simple del diodo, pero intercambiando de posicin
la resistencia con el diodo, para as poder colocar
una de las sondas entre la fuente y el diodo, y la
otra entre el diodo y la resistencia, posteriormente
ahora s es posible las mediciones correspondientes
con el equipo necesario.
Para el caso del diodo de recuperacin rpida es
conveniente conocer sus tiempos para conectarla
en CA y poder apreciar su comportamiento. La
mayora de los diodos de conmutacin comerciales
tienen un tiempo de recuperacin en inversa en el
intervalo de algunos nanosegundos a 1 ms. Hay
unidades disponibles, sin embargo, con un tiempo
de recuperacin en inversa de slo unos cientos de
picosegundos. [1]
A partir de todas las mediciones hechas lo que se
busca finalmente es encontrar VD, VR, ID y E, ello
para obtener una grfica de ID-VD, en la que se
pueda comprobar que efectivamente el diodo
conduce corriente considerable a partir de los 0.7V;
correspondientemente se espera lo mismo con el
diodo de recuperacin rpida, slo que la corriente Dando como ecuacin caracterstica (Fig. 3):
se espera a partir de los 0.3V. v
6 13.962*103
I s = 10 (e 1) (3)
Como recuento a los materiales empleados se tiene:
- Diodo 1N4007
- Diodo de recuperacin rpida
- Resistencia
- Protoboard
- Sondas de medicin
- Fuente de CD
- Generador de Funciones
- Osciloscopio

III. DESARROLLO

A. Anlisis matemtico Fig. 3 - Ecuacin caracterstica del diodo de

Para obtener la curva caracterstica del diodo se respuesta rpida.
utilizar la ecuacin de Shockley

VD
nVt
B. Simulacin
I D = I s (e 1) (1)
Para realizar la correspondiente simulacin de
De acuerdo con las caractersticas del diodo dadas los 2 Diodos se utiliz el Software TINA y se
por el fabricante se utilizarn para sustituirlas en disearon los circuitos en dicho Software (Fig. 4)
dicha ecuacin. para posteriormente armarlos de forma fsica.

Para el diodo 1N4007 son:

Is=403 pA
n=1.57
Vt=26 mV
Dando como ecuacin caracterstica (Fig. 2):

v
12 40.82*103
I s = 403 10 (e 1) (2)

(A)

Fig. 2 - Ecuacin caracterstica diodo 1N4007.

Para el diodo de respuesta rpida son:

Is=1uA
n= 537 m
Vt=26 mV
 (B)
Fig. 4 - Diseo de los circuitos, (A) circuito
utilizando el diodo 1N4007, (B) circuito
utilizando el diodo de respuesta rpida.
Una vez diseados, se procedi a graficar la
respuesta de corriente del diodo variando el voltaje
suministrado por la fuente (Fig. 5) para ello el
software variara de forma automtica los valores
de la fuente desde 0 V a 2 V incrementando el
voltaje de manera progresiva en intervalos de 0.02
V.
(A)
(B)
Fig. 5 - Grficas de la respuesta de los diodos,
(A) diodo 1N4007, (B) diodo de respuesta rpida.
C. Resultados experimentales
En el Laboratorio, se ensambl los dos circuitos
en cuestin (Fig. 6), adems se utiliz una fuente
de voltaje independiente y para realizar las
mediciones se necesit de un osciloscopio
utilizando 2 de sus canales, uno dedicado a medir
el voltaje entregado por la fuente y el segundo se
utiliz para determinar el voltaje de la del diodo
(Fig. 7), la corriente del diodo se calcula por medio
de la ley de Ohm ya que la corriente de la
resistencia ser la misma que la corriente del diodo.
(A) (B)
Fig. 6 - Ensamble de cada uno de los 2 circuitos,
(A) diodo 1N4007, (B) diodo de respuesta rpida.
 TABLA II
RESULTADOS OBTENIDOS DEL DIODO DE RESPUESTA RPIDA

Voltaje del Corriente del

diodo diodo
(V) (A)
0.091 0.00026364
0.132 0.00033182
0.195 0.00043182
0.26 0.00067727
0.279 0.00097273
0.315 0.00125
0.36 0.00158182
Fig. 7 - Diagrama de conexin de los 2
canales. 0.384 0.00185
0.42 0.00218636
Para facilitar los clculos y graficar los resultados
0.436 0.00260909
deseados se utiliz el Software Excel dando
resultados satisfactorios, pero como era de esperar, 0.433 0.00307727
presentaron cierta diferencia a los tericos. (Tabla 0.444 0.00334545
I y II - Fig. 8 y 9).
0.469 0.00377727
TABLA I 0.487 0.00433182
RESULTADOS OBTENIDOS DEL DIODO 1N4007
0.496 0.00465455
Voltaje del Corriente del
0.508 0.00532727
diodo diodo
(V) (A) 0.543 0.00598636
0.14 6E-05 0.615 0.00806818
0.195 1E-04 0.629 0.00850455
0.305 0.0001 0.663 0.00971364
0.38 0.00015
0.47 0.00015
0.558 0.00054
0.595 0.00116
0.625 0.00172
0.646 0.00257
0.663 0.00367
0.67 0.0044
0.679 0.00491
0.69 0.0058
0.699 0.00741
Fig. 8 - Grfica del diodo 1N4007.
0.705 0.00815
0.71 0.0089
0.714 0.00986
0.717 0.01093
0.719 0.01171
0.727 0.01293
 Fig. 9 - Grfica del diodo de respuesta rpida. Fig. 11 - Tiempo de respuesta del diodo
schottky
Despus de analizar el comportamiento de
ambos diodos se realiz lo que fue el tiempo de
respuesta de los diodos como se muestra a IV. DISCUSIN
continuacin.
TABLA III
COMPARACIN DE DATOS
En la grafica de un diodo 1N4007 (Fig. 10) el
tiempo de respuesta una vez que ocurri un cambio Anlisis simulacin Resultados
de polaridad en el circuito, es muy largo, medido matemtico Experimentales
con el osciloscopio nos arrojo un valor de 7.7 Diodo 1N4007 Is=403 pA Voltaje de Tiempo de
micro segundos en lo que se restableca la seal. n=1.57 respuesta respuesta
Vt=26 mV = 0.7 V =7.7 S

Diodo schottky Is=1uA Voltaje de Tiempo de

n= 537 m respuesta respuesta
Vt=26 mV =0.12 V =114 nS

En la tabla III se comparan los resultados entre

el diodo 1N4007 y el diodo de respuesta rpida
(schottky) y podemos observar que como su
nombre lo dice el diodo schottky es mucho ms
rpido en disparar la corriente con un menor
voltaje. Al desarrollar las tablas comparativas de
diodo 1N4007 en simulacin y en resultados
experimentales se puede decir que se obtuvo xito
Fig. 10 - Tiempo de respuesta del diodo al darlos los valores casi iguales.
1N4007

Ahora se conecta el diodo de respuesta rpida y V. CONCLUSIONES

como se muestra en su grafica (Fig. 11) se puede
observar que el tiempo de respuesta como su
nombre lo dice es demasiado rpida a comparacin
del diodo convencional este tiempo arrojado por el
osciloscopio fue de 114 nano segundos.
En esta prctica pudimos concluir que en la
simulacin siempre tendremos resultados ms
exactos que en los resultados experimentales.
Tambin en que no solo existe un solo tipo de diodo
e incluso en los diodos de respuesta rpida existe
una gran variedad ya que nosotros utilizamos un
diodo schottky que necesita valores de voltaje muy
pequeos para que nuestra corriente se disparar,
esto trae en consecuencia que la corriente sea
tambin demasiado baja. Pero al final se obtuvieron
los resultados deseados sin ninguna complicacin.
 VI. REFERENCIAS

[1] R. Boylestad, Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos

electrnicos, 10 ed., Ed. Pearson, 2009, pp. 31.

[2] A. De los Santos, Apuntes de Electrnica Analgica,

presentado en clase el da 29/08/17 en Celaya, Gto, Mxico.