Circuitos Integrados y Microelectrnica

PROCESOS DE FABRICACIN DE
CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

Autores:
Marta Portela
Luis Entrena
Celia Lpez
Mario Garca
Enrique San Milln
Almudena Lindoso

Circuitos Integrados y Microelectrnica

NDICE

Procesos bsicos
Fabricacin de la oblea
Oxidacin trmica
Proceso de dopado
Implantacin inica
Difusin
Fotolitografa
Eliminacin de pelcula delgada
Deposicin de pelcula delgada
Secuencia de procesos CMOS (flujo de procesos)
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Procesos bsicos: Fabricacin de la oblea

La produccin de obleas se lleva a cabo en
tres pasos:
Refinado del silicio: Varios procesos son necesarios
para obtener pedazos de silicio policristalino con la
suficiente pureza.
Slice en un horno a 2000oC con una fuente de carbono
SiO2(solido)+2C(solido)Si(liquido)+2CO(gas)
Procesos de reduccin qumica
Crecimiento del cristal: Mtodo de Czochralski
Formacin de la oblea: 1 mm de espesor (El
espesor puede incrementarse con el dimetro de la
oblea)

http://www.youtube.com/watch?v=NvwGrim4ug 3

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Procesos bsicos: Oxidacin trmica

Al exponer silicio en presencia de un oxidante a elevada temperatura se
formar una capa delgada de xido de silicio (SiO2) sobre toda la superficie
expuesta.

SiO2 es un elemento esencial en la tecnologa CMOS:

Alta calidad como dielctrico lo que le hace adecuado para su uso como aislante de
puerta en los transistores
Usado como barrera en los procesos de implantacin, difusin y fijacin de las
distintas mscaras
El xido de silicio ofrece una interfaz prcticamente ideal con el silicio debido a su
estructura cristalina.
Elementosde
La oblea de silicio se expone en Obleas calor
presencia de un gas oxidante a altas
(900-1200oC) :
Material
O2: Oxidacin seca oxidante
Vapor de agua: oxidacin hmeda
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Procesos bsicos: Dopado

Introduccin controlada de impurezas dopantes en el silicio
Dopantes de tipo N: P, As, Sb
Dopante de tipo P: B
La difusin era el mtodo tradicional de dopado. La difusin
de impurezas que se obtiene es directamente proporcional al
gradiente de la concentracin de dopantes presentes y a la
energa trmica del proceso

Difusin lateral

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Dopado: Implantacin inica

La implantacin inica es el mtodo ms utilizado hoy en da en la fabricacin de circuitos
integrados CMOS.

Los tomos/molculas de dopantes son ionizados, se aceleran a travs de un campo

electromagntico alto (del orden de pocos kV a MegV) para dirigirlos hacia la oblea. Los
iones altamente energticos que bombardean la oblea se implantan en su superficie.

Espectrmetro
demasas
Concentracinde
Fuentede impurezas
iones Np

Np= concentracin de pico

Acelerador
Rp = Profundidad

Lentes Distanciax
electroestticas Rp
Oblea
Distribucin Gaussiana del perfil
de dopantes implantados

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Dopado: Implantacin inica

La implantacin inica daa la red cristalina del silicio que debe ser reparada.
Para ello, la oblea se somete a un recocido a altas temperaturas que produce
una agitacin de las impurezas dopantes, logrando que stas se recoloquen en
la red cristalina.
Comparado con el proceso de difusin, la implantacin inica tiene la ventaja
de ser un mtodo realizado a baja temperatura y altamente controlable.
Actualmente, la difusin se usa para redistribuir los dopantes una vez realizada
la implantacin inica.

Iones()aceleradosdeBoro
Area delapuerta
deltransistor

Oxidodesilicio SiliciotipoP

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Procesos bsicos: Fotolitografa

Proceso usado para seleccionar las zonas xido
de una oblea que deben ser afectadas por
a) Oblea tras la Oblea
un proceso de fabricacin determinado. oxidacin
Fotorresina

Un polmero sensible a la luz, denominado b) Aplicacin de la

fotorresina
fotorresina, se utiliza como mscara para
seleccionar las zonas necesarias en la Luz UV
implantacin inica y para otras mscaras Mscara

de grabado.
c) Alineacin y
exposicin
La fotorresina puede ser negativa (insoluble
tras la exposicin UV) o positiva (soluble
tras la exposicin a la luz). La fotorresina d) Revelado

positiva presenta una mayor resolucin.

Resolucin: La difraccin de la luz limita el e) Grabado del

xido
tamao mnimo que se puede imprimir en
un circuito.
e) Eliminacin de
Haz de electrones la resina

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Procesos bsicos: Eliminacin de pelcula delgada

Procesos para eliminar pelculas delgadas
Hmedo. Una solucin qumica elimina el material sobrante. Es un
proceso altamente selectivo en comparacin con el proceso de
eliminacin seca.
Seco. La oblea es bombardeada con iones cargados que al golpear la
superficie arrancan los tomos/molculas del material que se quiere
eliminar.
Obleas

Electrodo
superior

Plasma
Electrodo
inferior

Difusor

Gas Gas

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Procesos bsicos: Deposicin de pelcula delgada

Son los mtodos utilizados para depositar pelculas delgadas de materiales como aislante,
conductor o semiconductor en la superficie de la oblea
El espesor de la pelcula debe ser altamente uniforme (rugosidad <5nm)

Physical vapor deposition (PVD). tomos/molculas atraviesan un gas a baja presin que
se condensan posteriormente en la superficie del substrato. :
Evaporacin
Deposicin por bombardeo (similar al mtodo seco de eliminacin de pelcula delgada)

Oblea

V()
Materialdelque
obtenerlosiones
Vacio Vapor
deoro Plasma

Oblea

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Procesos bsicos: Deposicin de pelcula delgada

Chemical vapor deposition (CVD). Gases reactivos se introducen en una
cmara donde se producen reacciones qumicas de los gases con la
superficie del sustrato que generan la capa de material deseada.
A presin atmosfrica y a bajas temperaturas CVD se aplica en un reactor
similar al horno utilizado para el proceso de oxidacin trmica.
A baja presin, el proceso puede producir mejores pelculas de material
pero a expensas de una mayor temperatura durante el proceso de
deposicin.

Polisilicio Deposicin de una pelcula fina de silicio sobre SiO2

Metalizacin Aleacin AlCu/Ti

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Secuencia de procesos CMOS

Varios cientos de pasos son necesarios para poder fabricar circuitos
integrados en una oblea de silicio.

Aislar
elctricamente
Obleas de Pozos: n, p,
transistores Puertas
silicio twin tub
PMOS and NMOS
(field oxide)
Autoalineado
Deposicin
incremental Metalizacin
Contactos Fuente/drenador
del 1
dielctrico 1

Metalizacin Pasivacin
Via1
2 final

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Secuencia de procesos CMOS

Autoalineado

N+ N+
p p

Dados
x No utilizables debido a
algn error
x x
x x
x x
YIELD
(rendimiento)

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Bibliografa

W.K. Chen, The VLSI Handbook (second

edition). CRC Press

J. Rabaey Circuitos integrados digitales (second

edition) Pearson Preantice Hall

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