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Tema 3. Transistores de Union Bipolar BJT PDF
Tema 3. Transistores de Union Bipolar BJT PDF
Rev 2
TEMA 3
TRANSISTORES DE UNION
BIPOLAR (BJT)
Profesores:
Germn Villalba Madrid
Miguel A. Zamora Izquierdo
Departamento de Ingeniera de la Informacin y Comunicaciones
Universidad de Murcia
1
Tema 3 Transistor de Unin Bipolar (BJT). Rev 2
CONTENIDO
Introduccin
El transistor de unin bipolar (BJT)
Configuraciones del transistor BJT.
Definicin de los estados del transistor BJT.
Configuracin del BJT en Emisor Comn.
Circuitos de polarizacin. Rectas de carga esttica.
El BJT en conmutacin.
INTRODUCCION
Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La base
100 veces menos que el colector o emisor.
La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el
colector.
El BJT pnp est formado tambin
por un cristal semiconductor con
tres regiones definidas por el tipo
de impurezas.
Las tensiones de continua aplicadas
son opuestas a las del npn.
Las corrientes fluyen en sentido
contrario al del npn.
Por lo dems, este dispositivo es
similar al npn.
El BJT pnp desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El
exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base van a
parar al colector.
Definiendo como:
iC
=
iB
i
= = C
1 iB
El presente circuito permite obtener las curvas de entrada (Vbe vs. Ib)
y de salidad (Ic vs. Vce) del BJT en EC.
Se observa que la caracterstica de entrada, es similar a la del diodo.
As, tambin disminuir Vbe con la temperatura a razn de 2mV/K.
Las curvas caractersticas de salida muestran la corriente de colector
independiente de la Vce, si es mayor de 0,2 v.
RECTA DE CARGA
IC
VCC = RB I B + VBE = RB + VBE = ( I C )
Dado el punto Q deseado, se determina el valor de las resistencias de
polarizacin. (V VBE )
RB = CC Se puede comprobar que este
IC
circuito no estabiliza frente a
(VCC VCE )
RC = variaciones de la del BJT. As el
IC
punto de trabajo depende del valor
de .
VCC = I C RC + VCE + I E RE
VCC I C ( RC + RE ) + VCE
VCE = VCC I C ( RC + RE )
Se demuestra que al aumentar la , la Ib
se hace ms pequea, compensando el
aumento de Ic. Si la se reduce ocurrir
el efecto inverso. Esta realimentacin del
sistema se debe a Re.
P = VCE I C
EL BJT EN CONMUTACION
CORTE:
El BJT en corte tiene su Ib a cero amperios.
La Ic es igual a la de fugas: Iceo (del orden de nA a T=300K)
La tensin Vce es Vcc si se desprecia la cada producida por la corriente
de fugas.
El BJT se comporta como un interruptor abierto.
SATURACION:
En esta zona la Vce es aproximadamente de 0,2 voltios.
La Ic es aproximadamente igual a Vcc dividido por la suma de resistencias
en la malla de colector emisor.
Se comporta como un interruptor cerrado.